集成电路光刻工艺课件

集成电路光刻工艺1集成电路光刻工艺2集成电路光刻工艺3集成电路光刻工艺4SiO2SiO2OHOH(CH3)3SiNHSi(CH3)3O-Si(CH3)3O-Si(CH3)3+NH3集成电路光刻工艺5集成电路光刻工艺6集成电路光刻工艺7集成电路光刻工艺8集成电路光刻工艺9集成电路光刻工艺10集成电路光刻工艺11光刻胶的质量和放置寿命(6个月).颗粒0.2 m,金属离子含量很少化学稳定,光/热稳定度粘度集成电路光刻工艺12集成电路光刻工艺13集成电路光刻工艺14集成电路光刻工艺15集成电路光刻工艺161.1.负性胶由光产负性胶由光产生交联生交联常用负胶有聚肉桂酸酯类、聚酯类和聚烃类,2.2.正性胶正性胶由光产生由光产生分解分解胶衬底胶衬底胶衬底掩膜曝光胶衬底显影负胶正胶集成电路光刻工艺17集成电路光刻工艺18O=S=OORO=S=OORN2oo(1)(2)h-N2重新排列O=S=OORO=S=OORcoOHco(4)(3)+H2O集成电路光刻工艺19集成电路光刻工艺20集成电路光刻工艺21集成电路光刻工艺22集成电路光刻工艺23集成电路光刻工艺24集成电路光刻工艺25集成电路光刻工艺26基本要求：一、材料的形变小，这样制成的图形尺寸及其相对位置的变化可以忽略。二、要求掩膜衬底材料透X光能力强，而在它上面制作微细图形的材料透X光能力差，这样在光刻胶上可获得分辨率高的光刻图形。集成电路光刻工艺27集成电路光刻工艺28集成电路光刻工艺29b电子束曝光不要掩膜版。b电子束曝光设备复杂，成本较高。制作掩膜版集成电路光刻工艺30集成电路光刻工艺31集成电路光刻工艺32集成电路光刻工艺33集成电路光刻工艺34集成电路光刻工艺35集成电路光刻工艺36集成电路光刻工艺37集成电路光刻工艺38集成电路光刻工艺39集成电路光刻工艺40集成电路光刻工艺41