储能电容在电路中维持时间的计算方法

储能电容在电路中维持时间的计算方法设电路正常工作时的输入功率为P,储能电容的容量为C,其两端的电压为U1,则电容储存的能量为W1=C(U1*2 )/2，其中Ul*2表示U1的平方当输入电源掉电后，经过时间t,电容两端的电压为U2,此时电容剩余的能量为W2=C(U2*2)/2,在这一过程中储能电容释放的能量W=W1-W2=C(U1*2-U2*2)/2,它应该等于电路维持正常工作所需的能量W=Pt, (即输入功率乘以时间)所以有C(U1*2-U2*2)/2=Pt,由此就可以得到电路维持时间t所需的最小电容量为C=2Pt/(U1*2-U2*2).在实际应用中，U2是电路能够正常工作的最低输入电压.举例：若电路正常工作时的输入电压为28V (U1)，输入功率为30W (P)，能够正常工作的最低输入电压为18V(U2)，要求输入电源掉电50毫秒(t)时电路仍然能够工作，则所需储能电容的最小的电容量为C=2 Pt/(U1*2-U2*2)=3000/（784-324） =6.522mF=6522uF一什么是OC、OD集电极开路门（集电极开路OC或源极开路OD）open-drain是漏极开路输出的意思，相当于集电极开路（open-collector）输出，即 ttl中的集电极开路（oc）输出。一般用于线或、线与，也有的用于电流驱动。open-drain是对mos管而言，open-collector是对双极型管而言，在用法上没啥 区别。开漏形式的电路有以下几个特点：1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。或驱动比芯片电源电压高的 负载.2可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加 任何器件的情况下，形成与逻辑”关系。这也是I2C, SMBus等总线判断总线占 用状态的原理。如果作为图腾输出必须接上拉电阻。接容性负载时，下降延是芯 片内的晶体管，是有源驱动，速度较快；上升延是无源的外接电阻，速度慢。如 果要求速度高电阻选择要小，功耗会大。所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。3可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。例如加上上拉电阻就可以提供 TTL/CMOS电平输出等。4开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。一般来说，开漏是用来 连接不同电平的器件，匹配电平用的。5正常的CMOS输出级是上、下两个管子，把上面的管子去掉就是OPEN-DR AIN 了。这种输出的主要目的有两个：电平转换和线与。6. 由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以 决定输出电平。这样你就可以进行任意电平的转换了。7. 线与功能主要用于有多个电路对同一信号进行拉低操作的场合，如果本电路不 想拉低，就输出高电平，因为OPEN-DRAIN上面的管子被拿掉，高电平是靠外 接的上拉电阻实现的。（而正常的CMOS输出级，如果出现一个输出为高另外 一个为低时，等于电源短路。）8.OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的 延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延 时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降 沿输出。二什么是线或逻辑与线与逻辑？在一个结点（线）上，连接一个上拉电阻到电源VCC或VDD和n个N PN或NMOS晶体管的集电极C或漏极D,这些晶体管的发射极E或源极S都接到地线上，只要有一个晶体管饱和，这个结点（线）就被拉到地线电平上.因为这些晶体管的基极注入电流（NPN）或栅极加上高电平（NMOS）,晶体管就会 饱和，所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非NOR逻辑.如果这个 结点后面加一个反相器，就是或OR逻辑.注：个人理解：线与，接上拉电阻至电源。(A)&(B)=(A+B),由公式较容易 理解线与此概念的由来；如果用下拉电阻和PNP或PMOS管就可以构成与非NAND逻辑，或用负 逻辑关系转换与/或逻辑.注：线或，接下拉电阻至地。(A)+(B)=(AB);这些晶体管常常是一些逻辑电路的集电极开路OC或源极开路OD输出端. 这种逻辑通常称为线与/线或逻辑，当你看到一些芯片的OC或OD输出端连 在一起，而有一个上拉电阻时，这就是线或/线与了，但有时上拉电阻做在芯片 的输入端内.顺便提示如果不是OC或OD芯片的输出端是不可以连在一起的，总线BUS 上的双向输出端连在一起是有管理的，同时只能有一个作输出，而其他是高阻 态只能输入.三什么是推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另 一个截止要实现线与需要用OC(open collector)门电路.如果输出级的有两个 三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这 样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱(Totem-pole)输出电路(可惜，图无法 贴上)。当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是 下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的 电流将是下级门从本级电源经T3、D1拉出。这样一来，输出高低电平时，T3 一路和T4 一路将交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又 由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使RC常数很小，转变速度很快。因 此，推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。供你参考。推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中，各负 责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个 导通，所以导通损耗小效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。其实我们所用的滤波电容，正式的名称应是：铝箔乾式电解电容器。只有很少的地方(加拿大 SonicFrontiers 真空管前级)，曾在高压稳压线路中选用 PP 塑料电容做滤波外，其它机种一概都是采用铝箔乾 式电解电容；因此网友有必要对它多做了解。 提到电容，你的反应是什麽？容量？耐压？不错,是个电容 都会有 静电容量 C 和 工作电压或额定电压 WV。(PS :电容器的容量单位应是F(法拉)，但因计量太高故改用mf)除两个参数，若你正在选购电容，接下来 你会考虑什麽？烧友肯定是先想到品牌,然后很自然的想到价格.关于品牌，不少烧友坚持日本货打死不用(gud)?老美的货货也只能屈居第二，made in德国或瑞典的才能 排第一。的确，这个参数很重要。对了,品牌的话不要到这里就止了,要注意一下品牌里的型号系列,这也是资深烧友 的必技.价钱。嗯，这个参数也很重要，而且数值跟 ESR 一样,愈低愈佳。OK,我们先整理一下，有关电源平滑滤波电容器的参数已知有：静电容量、电压、价格、品牌、型号系列。5 个参数了.对了,还要加上一个形状尺寸,要考虑实践问题,不能想用啥就用啥.6 个. 颜色？谁说的？很妙。因它有时也具有某些意义，例如 ROE 黄澄澄的看着就流口水,一些蓝色的看 着心里就舒服.Rifa的白色军团那个高贵呀!还有小日本的黑底金字常表示for audio。7个.制造日期， 9218就是1992年第18周出厂（很多东东都是这样标）；提到日期,得说一下,不少烧友都容易忽 视电容寿命的问题，见到好牌子的电容（当然二手YLJ的不少）就往家里搬,往机机上焊.多的话我也不说了，只说一句：电容是hifi中寿命第二短的，第一短的是谁？电池拜!还能有谁!呵呵.各自看 着办。对了还有工作温度.9个.够了吧?不够!其实还有几个真正有关电容器品质的几个重要参数，却都只存在原厂 datasheet 中，仅看外观是看不出来的（经验除外），而这些重要参数才是完全了解电容的瓶颈。E:等效S:串联R:电阻所以ESR就是等效串联电阻.我们都知道，一个实际电容在工作的过程中，免不了有寄生电感和电阻的成分.电容是提供容量的,要电阻干嘛?所以这个 ESR 是越小越好.大家都知道它与损失角有关联，ESR = tan6 g XCs）, Cs是电容量。这个我就不说了,反正地球人都知道.但ESR的高低，与电容器的容量、电压、频率及温度都有关1, 当额定电压固定时，容量愈大ESR愈低。有人习用将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗，其理论是电阻并联阻值降低。（并联小电容构成大电容的这条路在这里是走通了,但会有另外的问题,后面会接着叙述）另外,2, 当容量固定时，选用高WV（工作电压，额定电压）的品种也能降低ESR；故尽量选耐压高的电容是有道理的。3, 频率的影响：低频时ESR高，高频时ESR低；当然，高温也会造成ESR的提升。稍稍定一下量,ESR 一般情况下有多大?一般情况下为mQ等等，条件是：名牌电容（不想承认的，不过没办法）还要容量大.