主要失效分析仪器和主要参数.ppt

上传人:xt****7 文档编号:14875778 上传时间:2020-07-31 格式:PPT 页数:34 大小:7.81MB
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资源描述
失效分析用主要设备的作用和参数,元器件失效分析,2,形貌(显微形貌)观察设备 电参数测试设备 (包括一些电参数测试的辅助性设备) 化学成分和组成分析设备 其它专项检测设备 其它辅助性设备,相关参数用什么仪器、设备来测试 仪器、设备的极限能力,?,3,4,光学显微镜,体视显微镜(反射式和透射式) 特点:放大倍数较低;景深大,立体感强。 用途:器件的外观及失效部位的表面形状、尺寸、组织、结构和缺陷等观察;有时候用于微探针的测试。 放大倍数(目镜物镜):6.380倍 金相显微镜 特点:放大倍数较高;景深小,空间分辨率低,微米以下观察困难;放大倍数不连续。 用途:器件外观局部位置显微检查(体视显微镜基础上);器件失效点(形貌)的放大检查。放大倍数(目镜物镜) :502000倍,5,声学显微镜(CMode Scanning Acoustic Microscope),特点:C-SAM是一种反射式扫描声学显微镜,利用超声脉冲探测样品内部微观状态(无损检测)在C-SAM的图像中,与背景相比的衬度变化构成了重要的信息,在有空洞、裂缝、不良粘接和分层剥离的位置产生高的衬度,因而容易从背景中区分出来。 性能: 扫描声学显微镜频率范围为1500MHz,空间分辨率可达0.1um,能完成超声波传输时间测量、纵向截面成象,X/Y二维成象和三维扫描与成象。 用途:电子元器件、材料及PCB/PCBA内部各种缺陷(如裂纹、分层、夹杂物和空洞等)。,6,扫描电子显微镜,特点:对样品的任何细微结构及其它表面特性放大进行观察和分析。缺点是样品处于真空环境下,在高电压下还需解决样品表面钝化层的荷电问题。 性能:分辨率高,可以达到1.5nm或更高;放大倍数从几倍到几十万倍,连续可调;便于跟踪寻找缺陷并建立微观形貌与宏观形貌之间的关系;景深大,有较强的立体感,适合观察断口等类型的粗糙表面。 用途:用于失效定位和缺陷分析;如观察芯片表面的缺陷、结构。配合X射线能谱仪,可同时进行成分分析。,7,聚焦离子束系统(FIB),用途:在失效分析中主要用作线路修补和局部验证;主要有三个作用:1)剖面制作 2)电路连线 3)底层的探测通孔制作。 聚焦离子束的分辨率可以达到5nm,最小线宽度0.13um,能进行150mm以上圆片加工与分析;加速电压范围一般530KV。,8,X-Ray透视系统(FEINFOUS FXS-160.40),特点和性能: 被测物体最大尺寸:610mm460mm 扫面区域: 610mm460mm 图像解析度:1um X-Ray管高压:0160KV X-Ray管电流:01mA 最大几何放大倍率:636倍 观测方向与垂直方向倾斜角度:060 图像感应器水平面可旋转角度:0360 被测物最大重量:5kg 用途: 样品内部结构、多余物;PCBA板焊点(焊接空洞、间距的测量)等的检查。,9,常规电参数测试设备,10,LCR参数分析仪,特点和性能: 工作频率:110MHz;可以设定的直流偏压:0200V(外置);交流电压01Vrms;电阻、电容和电感测试精度0.05;损耗精度为0.0005。 用途:主要用于测试阻、容和感的容量、损耗、阻抗、电感、电阻、品质因素和导纳等。,11,漏电流测试仪,特点:施加一定的电压,测试(或监测)样品的漏电流状态。 性能:电压范围:0650V;电流范围1uA30mA;可以调整的时间199s。 用途:用于测试电容器(如电解电容器)的漏电流。,12,耐压测试仪,特点和性能:电压范围:010KV;可设定限流模式。可设定时间范围099s;漏电流最大设定值100mA。 用途:主要用于对样品(电容器、塑料)介质层耐压强度测试;整机的电绝缘性能测试。,13,全集成数字多路跟踪曲线分析仪(A2R4-324),性能和特点:控制开关矩阵进行正确的连接,再加电源激励,通过测量单元对响应信号进行测量。电压范围:15V+15V;最大电流为1A;最大测量管脚数为324个; 用途:用于对集成电路的电参数测试;可以测试器件的端口特性、静态参数、闩锁测试和IDD。注意:需要夹具支持。,14,数字集成电路测试系统,特点和性能:最大管脚数:64pin; 可以提供功能测试、交流参数测试和直流参数测试;定时精度10ns;最高测试速度5MHz;主要测试方式包括合格/不合格方式(Pass/Fail)、数字记录方式(Data Log)。 用途:对各类(TTL、NMOS、CMOS)大、中、小规模数字集成电路进行动态功能、直流参数以及交流参数的测试。,15,晶体管图示仪,用于检测样品端口静态特性。可测试的半导体器件包括二极管、晶阀管、MOSFET、双极晶体管、光电器件和JFET等。 可加、晶至1500V 电压,电流 1nA/DIV-200mA/DIV ;中功率的测试范围(最大20A/2KV)。,16,半导体参数测试分析仪器(4155),三种基本的半导体测量:I,I-V,和准静态的C-V; 可编程电压源:100V可编程源/函数发生器,100V可编程直流电压源 基本精度:0.5%高分辨率:1fA准静态C-V:0.11999pF,dc电压斜率1mV/s1V/s,增量为1mV/s,4145,17,微波分析设备(矢量网络分析仪、频谱分析仪、模拟信号源),矢量网络分析仪 微波器件/子系统测试 频率范围:30K6GHz 输出功率:8510dBm,频谱分析仪 用于测量微波振荡器、谐波发生器等器件的测试 频率范围:3Hz26.5GHz 解调带宽:80MHz 幅度平坦度:0.1 相位平坦度:0.7,18,模拟信号源,作用:为被测件提供250kHz20GHz频率范围的模拟信号 特点 频率范围:250kHz20GHz 最大输出功率:20dBm 分辨率:所有扫描方式0.01Hz 外部基准频率:1,2,2.5,5,10MHz(在0.2ppm以内),19,化学成分和组成分析设备,20,X射线能谱仪,特点:能谱仪除了分析速度快,可做定量计算外,还可以选择不同的方式进行分析,即可选点、线及区域进行分析,还可做不同元素的面分布图(mapping)。 性能:检测极限0.1;可分析的元素范围从B5U92,在Fe55的分辨率可达135eV,相对的检测灵敏度高达10E4数量级;可做定量分析。 用途:分析材料、污染物等的化学成分(超轻元素除外) 。,21,红外光谱仪(TENSOR27),特点:光谱范围7500/cm370/cm、分辨率优于1/cm外光谱 用途:分析有机物的成分,但是目前很多有机物都不能明确知道是何种物质,失效分析中常用于失效品和良品的对比分析。,22,离子色谱分析仪(DX500),特点:先进的阴、阳离子痕量测试仪,10min内完成分离与检测。 用途:阴、阳离子的测定。失效分析中常用于对PCBA或组件上各种阴离子浓度的测定。测试的离子包括卤素离子、硝酸根离子、硫酸根离子等。,23,其它专项检测设备,24,内部气氛分析仪,用途:失效分析中主要用于检测电子元器件、电真空器件的内部水汽及其它气氛。 性能: 检测范围:1512 (原子量); 主要气氛:水汽、氮气、氧气、氩气、氢气、二氧化碳;准确率:5以内;水汽检测灵敏度:110E7,25,检漏设备(氦气氟油加压检漏装置 、氦质谱检漏仪 ),用途:用于对有密封要求的元件、器件进行密封性测试; 包括两个部分:粗检漏和细检漏部分。 特点:样品的大小、相关的测试标准。粗检漏主要注意样品的耐受温度不能小于125。,26,粒子碰撞噪声检测仪,用途:用于检测元器件重松散微粒,如集成电路、混合电路、晶体管、继电器和开关等等。 特点:频率范围 25250Hz,正弦 其它震动方式:有限随机震动,频率75Hz400Hz。 样品重量:整个范围中最大重量为400g,60Hz时最大为500g。 震幅:0.1到25.50“G”峰值,27,多功能焊接强度测试仪(DAGE400),用途:主要用于IC芯片上芯片粘结状态、键合线键合状态的评价;主要测试项目包括:键合强度试验、芯片剪切强度试验和BGA焊球剪切力试验。 相关参数:测试精度为各传感器的各测试满量程的正负百分之0.25。 传感器包括Wire Pull传感器3个(100g 、1kg 、10kg)、die shear传感器2个(5kg 、100kg);ball shear传感器1个(250g),28,静电测试仪,特点和性能:HBM(人体模型),MM(机器模型),CDM(带电器件放电模型) 1)MK.2 SE:该仪器包括HBM、MM、Latch-Up(闩锁测试)三大模型;支持最高试验引脚数为768Pin,HBM支持最高试验电压为8000V,MM支持最高试验电压为2000V;闩锁测试。 2)7/2型:该仪器只能进行HBM试验,支持最高试验引脚数为128Pin,最支持最高试验电压为:8000V。 3)RCDM3:该仪器只能进行CDM试验,最支持最高试验电压为:4000V。 用途:对各类器件进行抗静电能力的评价。,MK2,RCDM,29,红外热象仪,型号:InfraScope 主要检测电子产品温度分布 适用于功率模块、 SMA、功率元器件、电子组件等电子产品的温度探测,通过检测验证产品的热性能,进而优化产品设计和改进工艺。最高温度探测灵敏度达到0.1摄示度,最高空间分辨率达到5um。,30,其它辅助性设备,31,塑封器件喷射腐蚀开封机,特点:用于对塑封器件的封装进行局部开封,暴露内部芯片表面但保留芯片、管脚、内引线和压焊点的完整性能。 用于暴露塑料封装器件的芯片,以便于进行芯片表面的电测和形貌观察。,32,反应离子刻蚀机,特点和性能:工作气体为氧气和氮气;腐蚀速度快,均匀性和重复性好;等离子腐蚀各向同性,腐蚀后金属化层与介质层间的接触面积减少,金属化层容易脱离介质层。 用途:在失效分析中主要用于去出芯片表面的钝化层(掺杂硅膜层和氮化硅膜层)。 刻蚀气体,如: CF4, O2, N2, Ar, CHF3, SF6。,33,研磨/抛光机,34,环境试验设备,
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