集成电路设计基础复习提纲

集成电路设计基础复习提纲一 EDA常用unix命令 Ls: 显示当前目录下的文件和路径 Pwd: 显示当前文件的绝对路径.cd : 进入指定目录 more 显示文件内容 cp ;复制 rm;删除mkdir ; 创建目录 vi;创建或修改一个文件 tar;打包文件 zip ; 压缩文件unzip ;解压文件ftp：传送文件二 基本概念 1版图设计CIW ：命令解释窗口Library 库，Reference Library,相关库 Library Path，库路径Cell 单元View ，视图Techfiler.tf, 工艺文件cds.lib,库管理文件 techfile.cds ，ASCII文件LSW，涂层选择窗口display.drf ，图层显示文件 LayerPurpose Pair;涂层用途配对，Cellview Attributes and Properties；单元视图属性，Instance，单元2 DIVA验正DRC,(设计规则检查)EXTRACT（提取）ERC(电路规则检查)LVS,（版图和电路图比较） Hierarchy（层次化), Flatten(平面化)，Derived Layer（导出层）, Original Layer（原始层）, Soft-Connect（软连接），Recognition Layer（识别层） ，MatchType（匹配），permute（交换），prune（删除），三 DIVA验正命令及操作 1 DIVA程序结构Drc：图层工艺命令􀅾用限制块去包含或排除特定的命令群组􀅾改全局变量􀅺drc/extract􀅻􀅾drc 命令去检测EXT 程序结构预先设定提取设备的声明􀅾定义设备识别层􀅾定义终端名􀅾定义软连接􀅺如需􀅻􀅾定义连接声明􀅾完成声明 输出 2 图层处理： geomNot, geomCat，GeomAnd, geomOr, geomAndNot, GeomXor, geomOutside, geomInside, GeomButting, geomCoincident, geomEnclose ,geomOverlap, geomSize, geomStretch, saveDerived, copyGraphics, geomErase，GeomXor􀅺这个命令输出两层或多层之间非公有的部分􀅻,geomNot(输出输入层的反),geomCat􀅺使所有的输入层连续。其输出包含所有的输入层􀅻􀅼GeomAnd􀅺与, 输出两个不同层次或边界间的交叠部分􀅻, geomOr􀅺或, 输出所有的输入层􀅻,geomAndNot􀅺与非,输出第一层中未被第二层覆盖的部分􀅻。相关命令􀅽geomInside􀅺选择完全处在第二输入层中的第一输入层􀅻,geomOutside􀅺选择完全处在第二输入层之外的第一输入层􀅻􀅼GeomButting(选择与第二输入层相外切的层次),geomCoincident􀅺选择与第二输入层相内切的层次􀅻,geomOverlap(选择与第二输入层有公共面积的层次)。尺寸命令􀅽geomSize􀅺按输入的数值扩张或收缩输入层􀅻,geomStretch(扩张或收缩输入层的边界􀅻。存储命令􀅽saveDerived􀅺将衍生层存入库中相关的视图中去􀅻,copyGraphics􀅺从当前分析层拷贝源层次到特定层中去􀅻,geomErase􀅺从所有的视图中删去指定原始图形层上的全部图形􀅻outLayer = geomBkgnd􀅺创建个长方形包围设计中的所有数据)geomEnclose􀅺选择完全包含第二输入层的层次􀅼可以内切􀅻geomStraddle(选取个被其他多变形横跨的多边形)geomHoles(从甜甜圈图形里生成图形) 4 DRC 操作步骤及常用命令width, notch, area, sep, enc, ovlp,Width 线宽:检查同一输入层中内边线到内边线的距离,notch 开槽: 检查同一输入层中外边线到外边线的距离,area 面积: 检查单一输入层的面积,sep 隔离: 检查第一输入层的外边线到第二输入层外边线的距离,enc 包围: 检查第一输入层的内边线到第二输入层外边线的距离,ovlp 覆盖: 检查第一输入层的内边线到第二输入层内边线的距离, 5 提取器件操作步骤？根据器件版图，写出提取Nmos器件程序？3􀅻提取nmos 管的程序Via=geomOr(“via”)ngate=geomAnd(ndiff poly1)nsd=geomAndnot(ndiff poly1)ptap=geomAndNot(pdiff nwell)geomConnect(via (contact metal1 nsd poly1 ptap) subConn=geomStamp(sub ptap)extractDevice(ngate poly1(“G”) nsd(“S”D”) subConn (“B”) “nmos ivpcell”)saveRecongnition(ngate “poly1”) saveInterconnect(contact metal1 poly1 (nsd” ndiff”)根据器件版图，写出提取Pmos器件程序？6 LVS 操作步骤及命令PruneDevice􀅼忽略特定的设备在比较中permuteDevice􀅼允许mos 结构与终端交换􀅼与类似与系列设备的合并parameterMatchType􀅼当遇到不模糊的线路时 所调用的工艺参数技术规程compareDeviceProperty􀅼在版图和原理图里比较设备参数所调用的技术参数四 设计方法 1 CIC设计流程？设计规划，建库，原理图输入，电路仿真，细胞模块版图，Topcell版图，输出GDSII，制掩膜，流片，封装测试。2在CIC设计中建立设计库和单元的步骤？建库：进入设计项目所在的文件夹，打开命令窗口输入icfb。在ciw菜单栏选择file-craet creat new library,选择要连接的techfiler.tf或者悬着相应的库为链接库，然后根据指示完成余下的操作3 库的路径编辑？ 4 图层的选择及绘图的方法？在lsw选择图层选择（AV/NV/AS/NS）;shift+middle mouse layer tap.lsw-edit-layer tap/t选取点2次 5 版图编辑基本方法及常用命令的使用？新建，根据设计要求选择图层用不同的绘图命令绘制和按参数编辑，连接，测试 6 GDS数据输入输出步骤？工艺文件，建库，拉动相关库，符号库，原理图编辑，版图编辑 7 pk445chip电路、模块电路设计（结构）及工作原理？Pk445chip 主要有两个放大器􀅼还有一个测量控制器和测量开关管􀅼以及两个单向二极管和信号存储器组成􀅼当一个峰值信号来到时􀅼第一个放大器􀅼把峰值信号跟随输出到信号存储器存储􀅼而峰值下降时􀅼通过第二个放大器的反馈使信号保持。在第二个峰值来到前􀅼通过测量控制器控制MOS 开关管放电􀅼使存储器复位。版图设计方面主要是运放、测量控制器和测量开关管。运放采用差分同相输入􀅼单端输出􀅼加上一个RC 反馈网络作为频率补偿。测量控制器和测量开关管采用简单的反相器加与非门和一个NMOS 管子组成。布局布线采用自动的布局布线。8 pk445chip版图设计的原则？匹配设计，抗干扰设计，抗寄生效应，可靠性五 实验1 版图编辑部分实验 lab1-3， lab1-4，lab2-4， Lab2-5 ，lab3-1lab3-5。 2 DIVA部分实验 lab2-1， lab2-4， lab2-5， lab3-1， lab4-1， lab5-1 lab5-3 。