康华光电子技术基础第六版模拟部分ch课件

康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件2华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件电子技术基础模拟部分电子技术基础模拟部分1 1 绪论绪论2 2 运算放大器运算放大器3 3 二极管及其基本电路二极管及其基本电路4 4 场效应三极管及其放大电路场效应三极管及其放大电路5 5 双极结型三极管及其放大电路双极结型三极管及其放大电路6 6 频率响应频率响应7 7 模拟集成电路模拟集成电路8 8 反馈放大电路反馈放大电路9 9 功率放大电路功率放大电路10 10 信号处理与信号产生电路信号处理与信号产生电路11 11 直流稳压电源直流稳压电源华中科技大学 张林3康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4 4 场效应三极管及放大电路场效应三极管及放大电路4.1 4.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体（半导体（MOSMOS）场效应三极管）场效应三极管4.2 MOSFET4.2 MOSFET基本共源极放大电路基本共源极放大电路4.3 4.3 图解分析法图解分析法4.4 4.4 小信号模型分析法小信号模型分析法4.5 4.5 共漏极和共栅极放大电路共漏极和共栅极放大电路4.6 4.6 集成电路单级集成电路单级MOSFETMOSFET放大电路放大电路4.7 4.7 多级放大电路多级放大电路4.8 4.8 结型场效应管（结型场效应管（JFETJFET）及其放大电路）及其放大电路*4.9 4.9 砷化镓金属砷化镓金属-半导体场效应管半导体场效应管4.10 4.10 各种各种FETFET的特性及使用注意事项的特性及使用注意事项4华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件场效应管的分类：场效应管的分类：P P沟道沟道耗尽型耗尽型P P沟道沟道P P沟道沟道N N沟道沟道增强型增强型N N沟道沟道N N沟道沟道（耗尽型）（耗尽型）FETFET场效应管场效应管JFETJFET结型结型MOSFETMOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)(IGFET)耗尽型耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道华中科技大学 张林5康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1 金属金属-氧化物氧化物-半导体（半导体（MOS）场效应三极管场效应三极管4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET4.1.3 P沟道沟道MOSFET4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数6华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET1.1.结构结构L：沟道长度：沟道长度W：沟道宽度：沟道宽度tox：绝缘层厚度：绝缘层厚度通常通常 W L 绝缘体 沟道 栅极 g 铝电极（Al）二氧化硅绝缘层（SiO2）源极 s 漏极 d L W N N P 型衬底 tox 7华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET剖面图剖面图 d g s B 衬底 符号符号 铝铝 源极源极 s SiO2绝缘层绝缘层 栅极栅极 g 漏极漏极 d 铝铝 铝铝 耗尽层耗尽层 P 型硅衬底型硅衬底 B 衬底引线衬底引线 N N 1.1.结构结构8华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.1 N沟道增强型沟道增强型MOSFET（1）VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当V VGSGS00时时 无导电沟道，无导电沟道，d、s间加间加电压时，也无电流产生。电压时，也无电流产生。s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P 当当0 0 V VGS GS V VTN TN 时时 在电场作用下产生导电沟在电场作用下产生导电沟道，道，d、s间加电压后，将有间加电压后，将有电流产生。电流产生。s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P V VGSGS越大，导电沟道越厚越大，导电沟道越厚 s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P（1）VGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用2.2.工作原理工作原理 必须依靠栅极外加电压才能产生反必须依靠栅极外加电压才能产生反型层的型层的MOSFET称为增强型器件称为增强型器件10华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件2.2.工作原理工作原理（2）VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用靠近漏极靠近漏极d d处的电位升高处的电位升高 s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P VDD s g d B 衬衬底底引引线线 N N VGG 耗耗尽尽层层 P 电场强度减小电场强度减小 沟道变薄沟道变薄当当V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN）时，）时，V VDSDS I ID D 沟道电位梯度沟道电位梯度 iD O vDS 整个沟道呈整个沟道呈楔形分布楔形分布 VDD 11华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P VDD s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P VDD 当当V VDSDS增加到使增加到使V VGDGD=V VTN TN 时，时，在紧靠漏极处出现预夹断。在紧靠漏极处出现预夹断。iD O vDS 预夹断点预夹断点 A 在预夹断处：在预夹断处：V VGDGD=V VGSGS-V VDS DS=V VTNTN（2）VDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当V VGSGS一定（一定（V VGS GS V VTN TN）时，）时，V VDSDS I ID D 沟道电位梯度沟道电位梯度 2.2.工作原理工作原理12华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 iD O vDS 截止区 vGSVTN 可变 电阻区 vDS VTN时，增强型时，增强型MOSFET的的d、s间才能导通。间才能导通。15华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程const.DSDGS)(vvfi 截止区截止区当当vGSVTN时，导电沟道时，导电沟道尚未形成，尚未形成，iD0，为截，为截止工作状态。止工作状态。16华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 可变电阻区可变电阻区 vDS V VTNTN ，且，且vDSDS（vGSGSV VTNTN）2TNGSnD)(VKi v2TNGS2TNn)1(VVKv2TNGSDO)1(VIv2TNnDOVKI 是是vGSGS2 2V VTNTN时的时的iD D I I-V V 特性：特性：（1）输出特性及大信号特性方程）输出特性及大信号特性方程 必须让必须让FET工作在饱和区工作在饱和区（放大区）才有放大作用。（放大区）才有放大作用。3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程19华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件（2）转移特性）转移特性const.GSDDS)(vvfi2TNGSDOD)1(VIiv#为什么不谈输入特性？为什么不谈输入特性？ABCD在饱和区，在饱和区，iD受受vGS控制控制3.3.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程20华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET1.1.结构和工作原理结构和工作原理 s g d 二氧化硅 掺杂后具有正 离子的绝缘层 N N 耗尽层 N 型沟道 P B 衬底引线 d g s B 衬底 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流21华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.2 N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET2PNGSDSSD)1(VIiv 2TNGSDOD)1(VIiv（N N沟道增强型）沟道增强型）IDSS 2.2.I-VI-V 特性曲线及大信号特性方程特性曲线及大信号特性方程22华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.3 P沟道沟道MOSFET d g s B d g s B#衬底是什么类型的半导体材料？衬底是什么类型的半导体材料？#哪个符号是增强型的？哪个符号是增强型的？#在增强型的在增强型的P沟道沟道MOSFET 中，中，vGS应加什么极性的电压才应加什么极性的电压才能工作在饱和区（线性放大区）？能工作在饱和区（线性放大区）？23华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.3 P沟道沟道MOSFET#是增强型还是耗尽型特性曲线？是增强型还是耗尽型特性曲线？#耗尽型特性曲线是怎样的？耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子加什么极性的电压能使管子工作在饱和区（线性放大区）？工作在饱和区（线性放大区）？电流均以流入漏极的方向为正！电流均以流入漏极的方向为正！24华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的（实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N N沟道为例）沟道为例）)1()(DS2TNGSnDvv VKi)1()1(DS2TNGSDOvv VIL的单位为的单位为 m110 VL .当不考虑沟道调制效应时，当不考虑沟道调制效应时，0 0，曲线是平坦的。，曲线是平坦的。修正后修正后VA称为厄雷（称为厄雷（Early）电压）电压1.1.沟道长度调制效应沟道长度调制效应25华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应 衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开将影响实际的开启（夹断）电压和转移特性。启（夹断）电压和转移特性。VTNO表示表示vBS=0时时的开启电压的开启电压2.2.衬底调制效应（体效应）衬底调制效应（体效应）N N沟道增强型沟道增强型对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响26华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应2.2.衬底调制效应（体效应）衬底调制效应（体效应）通常，通常，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道器件的沟道器件的衬底接电路的最高电位。衬底接电路的最高电位。为保证为保证导电沟道与衬底之导电沟道与衬底之间的间的PN结反结反偏偏，要求：要求：N沟道沟道:vBS 0 P沟道沟道:vBS 027华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应3.3.温度效应温度效应 VTN和电导常数和电导常数Kn随温度升高而下降，且随温度升高而下降，且Kn受温度的受温度的影响大于影响大于VTN受温度的影响受温度的影响。当温度升高时，对于给定的当温度升高时，对于给定的VGS，总的效果是漏极电，总的效果是漏极电流减小。流减小。)(2 2DSDSTNGSnDvvv VKi可变电阻区可变电阻区 2TNGSnD)(VKi v饱和区饱和区28华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.4 沟道长度调制等几种效应沟道长度调制等几种效应4.4.击穿效应击穿效应（1）漏衬击穿）漏衬击穿 外加的漏源电压过高，将外加的漏源电压过高，将导致漏极到衬底的导致漏极到衬底的PN结击穿。结击穿。若绝缘层厚度若绝缘层厚度tox=50 纳米纳米时，时，只要约只要约30V的栅极电压就的栅极电压就可将可将绝缘层绝缘层击穿，若取安全系击穿，若取安全系数为数为3，则最大栅极安全电压，则最大栅极安全电压只有只有10V。s g d B 衬底引线衬底引线 N N VGG 耗尽层耗尽层 P VDD（2 2）栅极击穿）栅极击穿 通常在通常在MOS管的栅源间接管的栅源间接入双向稳压管入双向稳压管，限制栅极电压限制栅极电压以保护器件。以保护器件。29华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数1.开启电压开启电压VT（增强型参数）（增强型参数）2.夹断电压夹断电压VP（耗尽型参数）（耗尽型参数）30华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数一、直流参数一、直流参数3.饱和漏电流饱和漏电流IDSS（耗尽型参数）（耗尽型参数）4.直流输入电阻直流输入电阻RGS（1091015）31华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数所以所以1.输出电阻输出电阻rds GSDDSdsVir vDAD12TNGSnds1)(iViVKr v当不考虑沟道调制效应时，当不考虑沟道调制效应时，0 0，rdsds 实际中实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间一般在几十千欧到几百千欧之间。二、交流参数二、交流参数 )1()(DS2TNGSnDvv VKi对于增强型对于增强型NMOS管管 1)(2TNGSnDDS VKivv有有32华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数DS GSDmVigv 2.2.低频互导低频互导gm 二、交流参数二、交流参数 2TNGSnD)(VKi v则则DSDSGS2TNGSnGSDm)(VVVKigvvv )(2TNGSnVK vDn2iK LWK 2Coxnn其中其中又因为又因为 2TNGSnD)(VKi vnDTNGS)(KiV v所以所以 )(2TNGSnmVKg vNMOSNMOS增强型增强型33华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.1.5 MOSFET的主要参数的主要参数三、极限参数三、极限参数 1.最大漏极电流最大漏极电流IDM 2.最大耗散功率最大耗散功率PDM 3.最大漏源电压最大漏源电压V（BR）DS 4.最大栅源电压最大栅源电压V（BR）GS 华中科技大学 张林34康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2 MOSFET基本共源极放大电路基本共源极放大电路4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法放大电路的习惯画法和主要分析法35华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成1.1.如何让如何让MOS管工作在饱和区？管工作在饱和区？元件作用元件作用VGG：提供栅源电压使提供栅源电压使 vGS VTNVDD和和Rd：提供合适的漏源电压，使提供合适的漏源电压，使 vDS vGS-VTNRd 还兼有将电流转换成电压的作用还兼有将电流转换成电压的作用（VGG vi）通常称通常称VGG和和VDD为三极管的工作电源，为三极管的工作电源，vi为信号。为信号。36华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.1 基本共源极放大电路的组成基本共源极放大电路的组成2.2.信号如何通过信号如何通过MOS管传递？管传递？vi 信号由栅源回路输入、漏信号由栅源回路输入、漏源回路输出，即源极是公共端，源回路输出，即源极是公共端，所以称此电路为所以称此电路为共源电路共源电路。也可看作信号由栅极输入、也可看作信号由栅极输入、漏极输出。漏极输出。vGS iD vDS (=vo)饱和区饱和区2TNGSnD)(VKi v由由MOS管的控管的控制关系决定制关系决定由由 iDSiovvvv 可获得信号电压增益可获得信号电压增益 （VGG vi）37华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理1.1.放大电路的静态和动态放大电路的静态和动态 静态：静态：输入信号为零（输入信号为零（vi=0 或或 ii=0）时，放大电路的）时，放大电路的工作状态，也称工作状态，也称直流工作状态直流工作状态。动态：动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也称称交流工作状态交流工作状态。此时，此时，FET的直流量的直流量ID、VGS、VDS，在输出特性曲线，在输出特性曲线上表示为一个确定的点，习惯上称该点为静态工作点上表示为一个确定的点，习惯上称该点为静态工作点Q。常将上述三个电量写成常将上述三个电量写成IDQ、VGSQ和和VDSQ。38华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电路的直流通路和交流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路39华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电路的直流通路和交流通路直流电压源内阻为零，交直流电压源内阻为零，交流电流流经直流电压源时流电流流经直流电压源时不产生任何交流压降，不产生任何交流压降，故故直流电压源对交流相当于短路直流电压源对交流相当于短路仅有直流电流流经的通路为直流通路仅有直流电流流经的通路为直流通路40华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理2.2.放大电路的直流通路和交流通路放大电路的直流通路和交流通路仅有交流电流流经的通路为交流通路仅有交流电流流经的通路为交流通路直流电压源对交流相当于短路直流电压源对交流相当于短路41华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理3.3.放大电路的静态工作点估算放大电路的静态工作点估算直流通路直流通路假设假设NMOS管工作于饱和区，则管工作于饱和区，则2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ=VGGVDSQ=VDD-IDQ Rd 当已知当已知VGG、VDD、VTN、Kn、和、和Rd 时，便可求得时，便可求得Q点（点（VGSQ、IDQ、VDSQ）。必须检验是否满足饱和区工作条件：）。必须检验是否满足饱和区工作条件：VDSQ VGSQ-VTN 0。若不满足，则说明工作在可变电阻区，此时漏极电流为若不满足，则说明工作在可变电阻区，此时漏极电流为DSTNGSnD)(2vvVKi 注意：电路结构不同，除注意：电路结构不同，除FET特性方程外，其它电路方程将有差别特性方程外，其它电路方程将有差别42华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件例例4.2.1假设假设NMOS管工作于饱和区，根据管工作于饱和区，根据2TNGSQnDQ)(VVKI VGSQ=VGGVDSQ=VDD-IDQ Rd已知已知VGG=2V，VDD=5V，VTN=1V，Kn=0.2mA/V2，Rd=12k，求，求Q点。点。求得：求得：VGSQ=2V，IDQ=0.2mA，VDSQ=2.6V满足饱和区工作条件：满足饱和区工作条件：VDSQ VGSQ-VTN 0，结果即为所求。，结果即为所求。解：解：43华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理3.3.放大电路的静态工作点估算放大电路的静态工作点估算饱和区的条件：饱和区的条件：VGSQ VTN,IDQ 0，VDSQ VGSQ-VTN 增强型增强型NMOS管管假设假设NMOS管工作于饱和区，利用管工作于饱和区，利用2TNGSQnDQ)(VVKI 计算计算Q点。点。若：若：VGSQ VTN,NMOS管截止。管截止。若：若：VDSQ VGSQ-VTN，NMOS管可能工作在可变电阻区。管可能工作在可变电阻区。如果初始假设是错误的，则必须作出新的假设，同时重新分析电路。如果初始假设是错误的，则必须作出新的假设，同时重新分析电路。#请归纳其它管型静态工作点的计算方法请归纳其它管型静态工作点的计算方法44华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.2 基本共源放大电路的工作原理基本共源放大电路的工作原理4.4.放大电路的动态工作情况放大电路的动态工作情况在静态基础上加入小信号在静态基础上加入小信号vi此时电路中的总电压和电流为此时电路中的总电压和电流为vGS=VGSQ+vi iD=IDQ+idvDS=vDSQ+vds 其中其中id和和vds为为交流量交流量2TNGSnD)(VKi vvDS=VDD-iDRd 45华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法放大电路的习惯画法和主要分析法 省略工作电源的直流电压符号，仅保留电压源非接省略工作电源的直流电压符号，仅保留电压源非接“地地”端子，并标注电压源名称。端子，并标注电压源名称。习惯画法习惯画法1.1.习惯画法习惯画法46华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法放大电路的习惯画法和主要分析法1.1.习惯画法习惯画法47华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法放大电路的习惯画法和主要分析法2.2.主要分析法主要分析法图解法图解法小信号模型分析法小信号模型分析法华中科技大学 张林48康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3 图解分析法图解分析法4.3.1 用图解方法确定静态工作点用图解方法确定静态工作点Q4.3.2 动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析4.3.3 图解分析法的适用范围图解分析法的适用范围49华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.1 用图解方法确定静态工作点用图解方法确定静态工作点Q 采用图解法分析静态工作点，必须已知采用图解法分析静态工作点，必须已知FET的输出特性的输出特性曲线。曲线。静态：静态：vi=0 输入回路输入回路vGS=VGG=VGSQ 输出回路输出回路vCE=VCCiCRc （直流负载线）（直流负载线）输出回路左侧的输出回路左侧的FET端口可用输出特性曲线描述端口可用输出特性曲线描述 共源放大电路共源放大电路50华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.1 用图解方法确定静态工作点用图解方法确定静态工作点Q得到静态工作点：得到静态工作点：VGSQ、IDQ、VDSQvGS=VGG=VGSQ直流负载线：直流负载线：vCE=VCCiCRc 共源放大电路共源放大电路51华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.2 动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析 共源放大电路共源放大电路vGS=VGSQ+vi 工作点沿负载线移动工作点沿负载线移动1.1.正常工作情况正常工作情况52华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.2 动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析图解分析可得如下结论：图解分析可得如下结论：1.vi vGS iD vDS|vds(vo)|(vi正半周时正半周时)2.vds与与vi相位相反；相位相反；3.可以测量出放大电路的可以测量出放大电路的电压放大倍数；电压放大倍数；4.可以确定最大不失真输可以确定最大不失真输出幅度出幅度。1.1.正常工作情况正常工作情况53华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.2 动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析2.2.静态工作点对波形失真的影响静态工作点对波形失真的影响截止失真截止失真（NMOS）54华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.2 动态工作情况的图解分析动态工作情况的图解分析饱和失真饱和失真（NMOS）2.2.静态工作点对波形失真的影响静态工作点对波形失真的影响55华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.3.3 图解分析法的适用范围图解分析法的适用范围幅度较大而工作频率不太高的情况幅度较大而工作频率不太高的情况优点：优点：直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。工作情况。缺点：缺点：不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。华中科技大学 张林56康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4 小信号模型分析法小信号模型分析法4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路用小信号模型分析共源放大电路4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析带源极电阻的共源极放大电路分析4.4.4 小信号模型分析法的适用范围小信号模型分析法的适用范围57华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4 小信号模型分析法小信号模型分析法建立小信号模型的意义建立小信号模型的意义建立小信号模型的思路建立小信号模型的思路 当放大电路的输入信号幅值较小时，就可以把三极当放大电路的输入信号幅值较小时，就可以把三极管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。处理。由于场效应管是非线性器件，所以分析起来非常复由于场效应管是非线性器件，所以分析起来非常复杂。建立小信号模型，就是在特定条件下将非线性器件杂。建立小信号模型，就是在特定条件下将非线性器件做线性化近似处理，从而简化由其构成的放大电路的分做线性化近似处理，从而简化由其构成的放大电路的分析和设计。析和设计。58华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型1.1.=0=0时时在饱和区内有在饱和区内有（以增强型（以增强型NMOS管为例）管为例）FET双口网络双口网络2TGSnD)(VKi v2TgsGSQn)(VVK v2gsTGSQn)(v VVK2gsngsTGSQn2TGSQn)(2)(vvKVVKVVK DQI gsmvg 2gsnvK 静态值静态值（直流）（直流）动态值动态值（交流）（交流）非线性失非线性失真项真项 当当，vgs 2(VGSQ-VTN)时，时，DQDIi gsmvg dDQiI 其中其中)(2TNGSQnmVVKg 59华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型FET双口网络双口网络DQDIi gsmvg dDQiI gsmdvgi 纯交流纯交流电路模型电路模型1.1.=0=0时时 gmvgs 是受控源是受控源，且为电，且为电压控制电流源压控制电流源(VCCS)。电流方向与电流方向与vgs的极性是关的极性是关联的。联的。60华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型FET双口网络双口网络d、s端口看入有一电阻端口看入有一电阻rds电路模型电路模型2.2.0 0时时GSQDDSdsVir vDQADQ2TNGSQn1)(1IVIVVK 61华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型gm 低频互导低频互导 转移特性曲线转移特性曲线Q点上点上切线的斜率切线的斜率3.3.参数的物理意义参数的物理意义)(2TNGSQnVVK DSQGSDmVigv 62华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型3.3.参数的物理意义参数的物理意义GSQDDSdsVir v2TNGSQn)(1VVK rds 输出电阻输出电阻DQADQ1IVI 输出特性曲线输出特性曲线Q点上切线斜率的倒数点上切线斜率的倒数63华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.1 MOSFET的小信号模型的小信号模型4.4.模型应用的前提条件模型应用的前提条件)(2TNGSQnmVVKg =0=0 0 0 参数都是小信号参数，即微变参数或交参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。流参数。与静态工作点有关，在放大区基本不变。与静态工作点有关，在放大区基本不变。只适合对交流信号（变化量）的分析。只适合对交流信号（变化量）的分析。未包含结电容的影响，不能用于分析高未包含结电容的影响，不能用于分析高频情况。频情况。vgs rds 为便于分析，先考虑为便于分析，先考虑 0时的情况时的情况oR dsmsdsdto11rgRriRv所以当所以当=0时，时，oRddoo|RRRR 当当 0时，若时，若rds Rd，则，则78华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析带源极电阻的共源极放大电路分析smdmio1RgRgA vvv电压增益电压增益1.7 例例4.4.279华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析带源极电阻的共源极放大电路分析例例4.4.3 双电源供电，电流源偏置双电源供电，电流源偏置静态时，静态时，vI0 0，VG 0，IDQ I又又 VSVGVGSQ dDQDDDRIVV SDDSQVVV 根据根据可求得可求得 VGSQ则则2TNGSQnDQ)(VVKI （饱和区）（饱和区）动态时动态时80华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.4.4 小信号模型分析法的适用范围小信号模型分析法的适用范围 放大电路的输入信号幅度较小，放大电路的输入信号幅度较小，FET工作在其工作在其I-V 特性特性曲线的饱和区（即近似线性范围）内。模型参数的值是在静曲线的饱和区（即近似线性范围）内。模型参数的值是在静态工作点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作态工作点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作点位置及稳定性密切相关。点位置及稳定性密切相关。优点优点：分析放大电路的动态性能指标分析放大电路的动态性能指标(Av、Ri和和Ro等等)非常方便，非常方便，且适用于频率较高时（用高频模型）的分析。且适用于频率较高时（用高频模型）的分析。缺点缺点：在放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等电量及在放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等电量及模型参数均是针对变化量模型参数均是针对变化量(交流量交流量)而言的，不能用来分析计而言的，不能用来分析计算静态工作点。算静态工作点。华中科技大学 张林81康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5 共漏极和共栅极放大电路共漏极和共栅极放大电路4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路共漏极（源极跟随器）放大电路4.5.2 共栅极放大电路共栅极放大电路4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结放大电路三种组态的总结和比较和比较82华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路共漏极（源极跟随器）放大电路1.静态分析静态分析设设MOSMOS管工作于饱和区管工作于饱和区2TNGSQnDQ)(VVKI sDQDDg2g1g2GSQRIVRRRV sDQDDDSQRIVV 需验证是否工作在饱和区需验证是否工作在饱和区83华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路共漏极（源极跟随器）放大电路2.动态分析动态分析根据静态工作点可求得根据静态工作点可求得 gm小信号等效电路小信号等效电路)(2TNGSQnmVVKg )|(dssgsmorRg vv )|(1)|(dssmgsdssgsmgsogsirRgrRg vvvvvv电压增益电压增益)|(1)|(dssmgsdssgsmiorRgrRgA vvvvv1)|(1)|(dssmdssm rRgrRg输出与输入同相，且增益小于等于输出与输入同相，且增益小于等于1 184华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路共漏极（源极跟随器）放大电路2.动态分析动态分析源电压增益源电压增益输入电阻输入电阻)()|(1)|(siiidsdmdsdmsiiososRRRrRgrRgA vvvvvvvg2g1i|RRR 受静态偏置电路的影响，受静态偏置电路的影响，栅极绝缘的特性并未充分表现栅极绝缘的特性并未充分表现出来出来85华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路共漏极（源极跟随器）放大电路2.动态分析动态分析输出电阻输出电阻gsmdsTsTTvvvgrRi mdssmdssTTo1|111grRgrRiR vTgsvv 输出电阻较小输出电阻较小86华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.2 共栅极放大电路共栅极放大电路1.静态分析静态分析根据直流通路有根据直流通路有II DQdDQDDDRIVV 2TNGSQnDQ)(VVKI 由由可得可得 VGSQ又又 VS=-VGSQ所以所以VDSQ=VD-VS =VDD-IDQ Rd+VGSQ需验证是否工作在饱和区需验证是否工作在饱和区87华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.2 共栅极放大电路共栅极放大电路2.动态分析动态分析)|(LdgsmoRRg vv gsivv 电压增益电压增益)|(LdmioRRgA vvv输出与输入同相输出与输入同相设设=0=0sigsmgssiiisRgRivvvv 源电压增益源电压增益simLdmso1)|(RgRRgA vvv88华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.2 共栅极放大电路共栅极放大电路2.动态分析动态分析输入电阻输入电阻mgsmgsiii1ggR vviv与共源电路同相与共源电路同相输出电阻输出电阻输入电阻远小于其它两种组态输入电阻远小于其它两种组态当当rds Rd 和和 rds Rsi时时Ro Rd89华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较放大电路三种组态的总结和比较1.三种组态的判断三种组态的判断 较好的方法并不是试图寻找接地的电极，而是寻找信号较好的方法并不是试图寻找接地的电极，而是寻找信号的输入电极和输出电极。的输入电极和输出电极。即观察输入信号加在哪个电极，输出信号从哪个电极取即观察输入信号加在哪个电极，输出信号从哪个电极取出，剩下的那个电极便是共同电极。如出，剩下的那个电极便是共同电极。如 共源极放大电路，信号由栅极输入，漏极输出；共源极放大电路，信号由栅极输入，漏极输出；共漏极放大电路，信号由栅极输入，源极输出；共漏极放大电路，信号由栅极输入，源极输出；共栅极放大电路，信号由源极输入，漏极输出。共栅极放大电路，信号由源极输入，漏极输出。栅极始终不能做输出电极栅极始终不能做输出电极90华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较放大电路三种组态的总结和比较2.三种组态的动态指标比较三种组态的动态指标比较共源共源共漏共漏共栅共栅电压增益电压增益输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻)|(ddsmRrgA v1)|(1)|(dssmdssm rRgrRgAv)|(LdmRRgA vmi1gR 很高很高很高很高Ro RdRo Rdmdsso1|grRR 华中科技大学 张林91康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6 集成电路单级集成电路单级MOSFET放大电路放大电路4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路4.6.2 带耗尽型负载的带耗尽型负载的NMOS放大电路放大电路4.6.3 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路 （CMOS共源放大电路）共源放大电路）92华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路1.负载线复习负载线复习 两横轴两横轴的映射关系的映射关系导致负载线导致负载线水平翻转水平翻转DSDDRvv VDDRV v0DS vRDDDSvv V93华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路2.带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路TNGSGSDSV vvv2TNDSn2TNGSnD)()(VKVKi vvN沟道增强型负载器件的沟道增强型负载器件的I-V 特性特性始终成立，所以管子一定工作在饱和区。有始终成立，所以管子一定工作在饱和区。有94华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路2.带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路带负载时的图解分析带负载时的图解分析DS2DDDS1vv V95华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路2.带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路带负载时的图解分析带负载时的图解分析电压传输特性曲线电压传输特性曲线96华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.1 带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路2.带增强型负载的带增强型负载的NMOS放大电路放大电路电压增益电压增益由由T2源极看进去的电阻为源极看进去的电阻为m2ds21|gr小信号等效电路小信号等效电路)1|(m2ds2ds1m1iogrrgA vvv若若ds2m2ds1m11 ,1rgrg 21)/()/(LWLWA v则则（参考共漏（参考共漏极放大电路极放大电路的输出电阻）的输出电阻）97华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.2 带耗尽型负载的带耗尽型负载的NMOS放大电路放大电路1.N沟道耗尽型负载器件的沟道耗尽型负载器件的I-V特性特性对应于对应于 vGS=0 的那根输出特性曲线的那根输出特性曲线始终有始终有0GS v饱和区线段的等效电阻就是饱和区线段的等效电阻就是rds98华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.2 带耗尽型负载的带耗尽型负载的NMOS放大电路放大电路2.用小信号模型分析法求电压增益用小信号模型分析法求电压增益 当当vGS为恒定值时，源极看进去的为恒定值时，源极看进去的电阻与电阻与 gm无关，所以由无关，所以由T2源极看进去源极看进去的电阻为的电阻为rds小信号等效电路小信号等效电路)|(ds2ds1m1iorrgA vvv99华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.3 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路(CMOS共源放大电路共源放大电路)1.增强型增强型PMOS负载管的负载管的I-V特性特性vGS为定值，输出特性曲线中的一根为定值，输出特性曲线中的一根100华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.6.3 带带PMOS负载的负载的NMOS放大电路放大电路(CMOS共源放大电路共源放大电路)2.用小信号模型分析法求电压增益用小信号模型分析法求电压增益 类似地，当类似地，当vGS为恒定值时，为恒定值时，漏极看进去的电阻也是漏极看进去的电阻也是rds小信号等效电路小信号等效电路)|(ds2ds1m1iorrgA vvv华中科技大学 张林101康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.7 多级放大电路多级放大电路4.7.1 共源共源共漏放大电路共漏放大电路4.7.2 共源共源共栅放大电路共栅放大电路102华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.7.1 共源共源共漏放大电路共漏放大电路1.静态分析静态分析直流通路直流通路例例4.7.1103华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 例例4.7.11.静态分析静态分析两管栅极均无电流，假设工作在饱和区两管栅极均无电流，假设工作在饱和区2TN1GSQ1n1DQ1)(VVKI s1DQ1SSDDg2g1g2GSQ1)(RIVVRRRV )(s1d1DQ1SSDDDSQ1RRIVVV 需验证是否工作在饱和区需验证是否工作在饱和区s2DQ2d1DQ1SSDDGSQ2RIRIVVV 2TN2GSQ2n2DQ2)(VVKI s2DQ2SSDDDSQ2RIVVV 已知管子参数和电路参数，已知管子参数和电路参数，便可解出两管静态工作点便可解出两管静态工作点104华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件1.静态分析静态分析将具体参数值代入，计算得将具体参数值代入，计算得可验证两管均工作在饱和区可验证两管均工作在饱和区VGSQ1=1.84 VIDQ1=0.2 mAVDSQ1=6.02 VIDQ2 0.49 mAVGSQ2=2.78 VVDSQ2=5.98 V由于由于VTN1=VTN2=1.2 V 例例4.7.1105华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 例例4.7.12.动态分析动态分析根据根据小信号等效电路小信号等效电路)(2TNGSQnmVVKg )|(Ls2gs2m2oRRgvv gs1ivv 电压增益电压增益)|(1)|(Ls2m2Ls2d1m2m1ioRRgRRRggA vvvgs2od1gs1m1vvv Rg可求得可求得 gm106华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件2.动态分析动态分析源电压增益源电压增益输入电阻输入电阻)()|(1)|(siiiLs2m2Ls2d1m2m1siiososRRRRRgRRRggA vvvvvvvg2g1i|RRR 输出电阻就是后一级共输出电阻就是后一级共漏电路的输出电阻漏电路的输出电阻m2ds2s2o1|grRR m2s21|gR(2=0)例例4.7.1107华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.7.2 共源共源共栅放大电路共栅放大电路华中科技大学电信系 张林例例4.7.21.静态分析静态分析直流通路直流通路108华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件需验证是否工作在饱和区需验证是否工作在饱和区1.静态分析静态分析假设工作在饱和区假设工作在饱和区2TN1GSQ1n1DQ1)(VVKI SSs1DQ1DDg3g2g1g3GSQ1VRIVRRRRV DQ2DQ1II 2TN2GSQ2n2DQ2)(VVKI s1DQ1DSQ1DSQ2d2DQ2SSDDRIVVRIVV 例例4.7.2SSs1DQ1DSQ1DDg3g2g1g3g2GSQ2)(VRIVVRRRRRV 109华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件 例例4.7.22.动态分析动态分析小信号等效电路小信号等效电路d2gs1m1d2gs2m2oRgRgvvv gs1ivv 电压增益电压增益d2m1ioRgA vvv110华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件2.动态分析动态分析输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻Ro Rd2g3g2i|RRR (2=0)例例4.7.2华中科技大学 张林111康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8 结型场效应管（结型场效应管（JFET）及其放大电路及其放大电路4.8.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理4.8.2 JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数 4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分放大电路的小信号模型分析法析法 112华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1.结构结构 113华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理2.工作原理工作原理 vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGS0时时（以（以N N沟道沟道JFETJFET为例）为例）当沟道夹断时，对应的栅源当沟道夹断时，对应的栅源电压电压vGS称为称为夹断电压夹断电压VP（或或VGS(off)）。）。对于对于N沟道的沟道的JFET，VP 0。PN结反偏结反偏耗尽层加厚耗尽层加厚沟道变窄。沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续继续减小，沟道继续变窄。变窄。114华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 vDS对沟道的控制作用对沟道的控制作用当当vGSGS=0=0时，时，vDS iD g g、d d间间PNPN结的反向电结的反向电压增加，使靠近漏极处的压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。从上至下呈楔形分布。当当vDSDS增加到使增加到使vGDGD=V VP P 时，在紧靠漏极处出现时，在紧靠漏极处出现预夹断。预夹断。此时此时vDS 夹断区延长夹断区延长沟道电阻沟道电阻 iD基本不变基本不变2.工作原理工作原理（以（以N N沟道沟道JFETJFET为例）为例）115华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8.1 JFET的结构和工作原理的结构和工作原理 vGS和和vDS同时作用时同时作用时当当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断，时，导电沟道更容易夹断，对于同样的对于同样的vDS，iD的值比的值比vGS=0时的值要小。时的值要小。在预夹断处在预夹断处vGD=vGS-vDS=VP 2.工作原理工作原理（以（以N N沟道沟道JFETJFET为例）为例）116华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件综上分析可知综上分析可知 JFET是电压控制电流器件，是电压控制电流器件，iD受受vGS控制。控制。预夹断前预夹断前iD与与vDS呈近似线性关系；预夹断后，呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱趋于饱和。和。JFET栅极与沟道间的栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此结是反向偏置的，因此iG 0，输，输入电阻很高。入电阻很高。117华中科技大学 张林康华光电子技术基础第六版模拟部分ch最新课件4.8.2 JFET的特性曲线及参