SIM卡、TF卡的失效分析疑惑

SIM卡、TF卡的失效分析疑惑!huangdashuai发表于：2008T2-26 23:38来源：半导体技术天地 近期接到一些SIM卡、TF卡类的失效分析，检测端口I-V曲线正常， DECAP、SEM也找不到损伤点，有哪位做过此类器件的失效分析，能 解释一下分析步骤吗？为什么像SDRAM、EEPROM、FLASH之类的存储 器件，在失效后I-V曲线是正常的？做此类器件的失效分析一般采用 什么步骤？ 最新回复Tony_hfl23 at 2008-12-27 10:07:28IV curve 反映的主要是 Pad 的 ESD device/power/ground path performance,如果这些Memory的失效是因为cell里面的bits失效的话，IV curve就很可能正常。同时Decap找不到root cause, SEM找不对地 方也难以找到。对于此类失效分析，一定要拿到bitmap，确定failed bits及其模式，同 时根据Memory的structure,推导可能失效的原因，再做PFA绝大部分失 效都可找到root cause。本帖最后由 Tony_hf123 于 2008-12-28 19:05编辑icewine2000 at 2008-12-27 12:41:43如果不是自己设计或者生产的芯片，最好不要做芯片内部的FA,最多打开看看有没有EOS就行了。IV主要测的是某个端口在DC状态下的特定电流电压值，芯片如何加电， 在何种状态下出问题，问题是否重复出现都是现象，做个IV像是用万用 表测一下看到异常是运气看不到才是正常。Tony_hf123 at 2008-12-27 14:29:36QUOTE:原帖由 icewine2000 于 2008-12-27 12:41 发表 &如果不是自己设计或者生产的芯片，最好不要做芯片内部的FA,最多打开看看有没有EOS就行了。IV主要测的是某个端口在DC状态下的特定电流电压值，芯片如何加电，在何种状态下出问题，问题是否重复出现都是现象，做个I icewine2000说的不错。huangdashuai at 2008-12-27 20:56:51多谢前辈指点！brinks at 2008-12-28 00:09:09FA跟警察查案子是一个道理的，追着线索反向追；除非重大案子，可以 投入大量人力物力的时候，才采用正反向同时追的办法。既然是失效样品，一定有失效表现。如果I-V波形有变化，某一电压下 与正常样品超过几十uA的异常电流变化，那么就有通过FA手段找到的 可能性。如果DC和各种状态下（SB状态，ACT状态，甚至非常规使用和 测试状态等）都没有I-V异常，那么问题很可能不在外围电路上，常规失 效点定位的办法就不能用了。卡类的分析和其他芯片的分析没有什么不同，但是麻雀虽小五脏俱全， 一个SIM卡可以形象比喻为一台电脑。如果I-V没有任何问题，而你一 定不惜代价要找出原因的话，请产品工程师和设计支持人员介入吧。首先进行芯片动作排查。根据失效Function，请产品工程师列出该 Function包含的所有状态（各种时序图），逐步检测各转换点的状态，找 出哪个状态出现的问题。例如ATR失效，把ATR整个过程分解，必要时 利用FIB增加各物理监控节点，捕捉电位及翻转状态，看究竟是信号进 步去还是响应出不来，还是时序问题。然后请设计工程师找出电路的连 接点，逐个切掉多余的连接，缩小调查目标范围，便于查找，一般都可 以找到原因。有几种情况比较棘手。存储信息丢失，需要借助存储区分析设计和工具, 一般产品上不会设置，只要找出失效bit还是有可能找出问题的；转储 信息问题，为了提高存储速度，这类产品通常都有转储区域，其中信息 是临时性的，很难捕捉，不过通常可以进入测试模式对存储区进行直接 操作，测试pad被切了就FIB长一个，不过测试模式通常用的存储辅助 单元也是特定的，小心被误导；保密设定的芯片，这类芯片一般有自擦 除设定，系统操作后会自动清楚数据，可能要通过FIB精确修改才能保 留数据；存储信息不稳定，即失效点不固定，会变化，可能的原因非常 多，很难抓，运气和耐心好的话才行；设计逻辑错误，物理上是找不到 “失效”点的，需要设计工程师有极强的耐心查找，多加一个管子都可 能折腾死你。你的问题太笼统了，就能说这些了，供参考。huangdashuai at 2009-1-18 14:43:12问题已经找到了！在SB状态下，电流略有上升。DECAP后用SEM终于找 到了损伤点，是中央控制器的一条线路介质击穿了，损伤点很小！这张SIM卡是在外场使用失效的，不知这种损伤点一般是什么原因导致 的？huangdashuai at 2009-1-18 14:49:57附上击穿点图片Ajgc.V SpotDel WD Exp I1 2 pmT0(K)fo( SE 11:3 1r61.bmp2.bmp3.Aa;c.V Spot10.0 kv 3 0MbLCp-| 1OO4XbmpOel 3EWD E 树 l1T.4 1S-10 20