《离子注入》PPT课件

束流、束流、 第第i个离子在靶中的射程个离子在靶中的射程Ri和投影射程和投影射程Rpi2,PP iPRRRN 其中其中为注入剂量为注入剂量 为离样品表面的深度为离样品表面的深度 Rp为平均投影射程为平均投影射程 Rp为投影射程的平均标准偏差为投影射程的平均标准偏差maxjppB2lnNxRRN其中其中NB为衬底浓度为衬底浓度 入射能量入射能量 （KEV）注入的离子注入的离子20406080100120140160180BRP66213021903246529943496397444324872 RP P283443556641710766813854890PRP25348673089112381497175720192279 RP P119212298380456528595659719AsRP1592693744785826867918981005 RP P5999136172207241275308341 入射能量入射能量 （KEV）注入的离子注入的离子20406080100120140160180BRP22674587673687211056912305139471551117007 RP P475763955109512021288135914201472PRP86616542474332041825053592768037675 RP P19835349963676588699911041203AsRP67311291553196623752783319236024015 RP P126207286349415480543606667 入射能量入射能量 （KEV）注入的离子注入的离子20406080100120140160180BRP62212831921252831403653417946855172 RP P252418540634710774827874914PRP19938858679210021215142916441859 RP P84152216276333387437485529AsRP127217303388473559646734823 RP P437299125151176201226251 入射能量入射能量 （KEV）注入的离子注入的离子20406080100120140160180BRP4809901482195023962820322636173994 RP P196326422496555605647684716PRP154300453612774939110512711437 RP P65118168215259301340377411AsRP99169235301367433500586637 RP P33567797118137157176195142192216101.6 101 2ItmAmscmqnACcm 1421930.40.4 5 103.6 10556MAXPcmNcmRA 1931532ln19035562ln 3.6 10104450jPPMAXBxRRNNAAcmcmA 沿沿晶向的硅晶格视图晶向的硅晶格视图 （a）轻离子损伤情况）轻离子损伤情况 （b）重离子损伤情况）重离子损伤情况 SOI结构结构SEM照片照片SiSiHOxidationHydrogen ImplantationSubstrateFlip and BondingSiO2SiO2SiO2SiSubstrateCut and CMPSiO2SiSiOOxygen ImplantationSiHigh Temperature AnnealingSiO2通过调节磁场大小通过调节磁场大小选择特定的离子选择特定的离子22smVrqB 加速管加速管 静电扫描系统静电扫描系统自溅射效应