IC版图与非门实验报告

上传人:ra****d 文档编号:112370843 上传时间:2022-06-22 格式:DOC 页数:7 大小:353.50KB
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实验报告集成电路版图设计-双与非门版图设计班 级:实验名称:双输入与非门指导教师: 姓名学号: 实验时间:一、设计过程1、进入linux系统,打开新建终端,进入cadence软件界面。命令:开启证书文件:lmli 打开cadence:icfb& 打开calibre:clmli A 建库,步骤如下图所示:File-New-Library,新库命名为nand,点击OK。B 选择0.18的工艺库为我们新库的类型,点击OK,此时我们的库就建好了。C 在所建的库里新建一个cellview。新建cellview步骤:File-New-Cellview,。绘制原理图:图一电路原理图2、生成版图:点击LaunchLayout XL就会弹出版图窗口版。3、选择左下方第一个图标,将原理图中的元器件调入版图中4、开始绘制版图,考虑匹配问题 图二 版图的绘制三、验证过程下面进行drc验证,点击Rules选择Calibre下拉菜单中的calibre.-drc,设置如下:图三 DRC仿真点击图三中的Run DRC,运行之后,得到结果如图:图中的四个错误是所用金属覆盖面积不够的问题,可以不必考虑。图四 DRC验证结果下面进行LVS验证,选择TSMC库文件中的LVS规则,参数设置如下:图五 LVS验证运行结果如下:右方出现两个可爱的笑脸,则说明验证通过。图六 LVS验证结果四、结论:画出原理图之后,通过自动调用元器件,自动添加到版图设计的窗口中,并按照tsmc库的工艺要求进行连线,考虑到面积的大小,以及电路匹配的问题,选取最优的布局。版图绘制完成之后,对版图进行DRC验证,通过DRC验证窗口提示的错误信息列表返回对版图进行修改。最后使得版图DRC验证时只提示因为金属引线的密度问题的错误提示。最后进行LVS验证。并根据LVS反馈窗口对版图进行修改,最后LVS验证通过时会有一个笑脸的提示。五、心得体会: 这一次画的与非门电路的版图,总体上电路比较简单,但是在版图的绘制过程之中还是要细心,注意工艺的最小线宽或者最小的距离的要求。画图过程很考验耐心与细心程度,一不小心就要出差错。所以在绘制过程中要细心。在版图的布局中要注意布局的要求,尽量能够减小面积。若果是大型的电路中的一个模块的话,则要综合考虑引线的布局。通过这一次的实验,让我基本掌握了版图绘制的基本步骤,在绘制过程中应该注意的工艺要求,以及DRC,LVS验证的方法。
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