IGBT开通的四个过程

Four short words sum up what has lifted most successful individuals above the crowd: a little bit more.-author-dateIGBT开通的四个过程IGBT开通的四个过程IGBT开通的四个过程 IGBT的开通过程按时间可以分为四个过程,如下: 第一, 门射电压Vge小于阀值电压Vth时。其门极电阻RG和门射电容CGEI的时间常数决定这一过程。当器件的集电极电流IC 和集射电压VCE均保持不变时，CGEI就是影响其导通延迟时间tdon的唯一因素。 第二, 当门射电压Vge达到其阀值电压时，开通过程进入第二阶段，IGBT开始导通，其电流上升速率 dI/dt的大小与门射电压Vge 和器件的跨导gfs有如下关系： dIc/dt = gfs（Ic）dVge/dt其中，dVge/dt由器件的门极电阻Rg和门射电容CGEI所决定 （对于高压型IGBT来说，门集电容Cgc可忽略不计）。第三, 第三阶段从集电极电流达到最大值ICmax（FWD的逆向峰值电流IRM 加上负载电流IL）时开始，克服反向电压VR使二极管截止，此时IGBT的集射电压Vce开始下降，随着Vce的下降，电压可控的门集之间的场电容容抗Cgc成近百倍增大。当门射驱动电压保持恒定时，所有的门极电流都被投入到对增长的Cgc的放电上。因此，本阶段的导通受门极电阻和场电容的时间常数所影响。该时间常数决定器件的电压变化速率 dVce/dt 并对器件的导通损耗造成很大的影响。第四, 开通之后，器件进入稳定的导通状态。 对dIc/dt和 dVce/dt的控制场电容增加，门射电容减少，这样的IGBT若使用一般的R-门极驱动，将导 致dI/dt值的增加和dV/dt值的减少。dI/dt 的增大引起在FWD反向恢复其间器件承受较高的压力以及由二极管的恢复而可能出现较高的负dI/dt值，从而在杂散电感的作用下导致器件过压。而低的dV/dt值引起高的开关损耗。因而唯有通过改变门极电阻Rg的大小来均衡才能化解dI/dt与dV/dt大小的冲突。RG的取值务必保证dIc/dt的调节始终处于器件的安全工作区内，但这样一来dV/dt的值就会很低导致开通损耗不能接受。因此，解决的方法是采用RC门极驱动，即在IGBT的门射之间再接入附加电容Cge。通过该电容来调节上述开通第二过程中门射电压和电流变化率dIc/dt的上升，不过，Cge对开通的第三过程没什么影响，因为没有引起dVge /dt的改变。dVce/dt升高使得器件的开通损耗减少，控制门极电阻使FWD上的dV/dt的变化值不超过其临界值。门极电阻g确定之后，就可通过调节外接的Cge来设定合适的dIc/dt值。采用RC-门极驱动的结果，dIc/dt 的设定值约为5kA/s,而不同的dVce/dt值由不同的RC值所决定。适当地选择RC值可使器件的开通损耗大量降低甚至超过50%。-