硅片技术标准

单晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。2规范性引用文件2.1 ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F26半导体材料晶向测试方法2.3 ASTM F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.4 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.5 ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.6 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3术语和定义3.1 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；3.3 位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；3.4 位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm 3）,通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；3.5 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.6 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.7 四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.8 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过 5条4分类单晶硅片的等级有 A级品和B级品，规格为：125 125 I （mm）、125 125 口（mm）、156 156（mm）。5技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。5.2 外形尺寸5.2.1 方片TV为200+20 um,测试点为中心点；5.2.2 方片TTV小于30um ,测试点为边缘 6mm处4点、中心1点；5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15% ;5.2.4 相邻C段的垂直度：90 i0.3；5.2.5 其他尺寸要求见表 1。表1 单晶硅片尺寸要求，见格（mm）尺寸（mm）A （边长）B （直径）C （直线段长）D （弧长投影）Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.125 125 匚125.5124.5150.5149.583.981.921.9 120.2125 125 II125.5124.5165.5164.5108.8106.69.47.9 1156 156156.5155.5200.5199.5126.2124.115.914.9注1: A、B、C、D分别参见图1A图i硅单晶片尺寸示意图5.3材料性质5.3.1导电类型:在舁 厅P硅片类型掺杂剂1N型磷(Phosphorous)2P型硼(Boron)5.3.2 硅片电阻率：见下表；5.3.3 硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；5.3.4 晶向：表面晶向 +/-3.0 ;5.3.5 位错密度 0 3000pcs/cm2；5.3.6 氧碳含量：氧含量 20ppma,碳含量01.0ppma。6检测环境、检测设备和检测方法6.1 检测环境：室温，有良好照明（光照度）1000Lux）。6.2 检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、 少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3 检测项目：导电类型、氧碳含量、单晶晶向、单晶位错密度、电阻率、少子寿命、外形尺寸。6.4检测方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以单晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检 测报告。6.5 检验结果的判定检验项目的合格质量水平详见附录表A检验项目、检验方法及检验规则对照表7包装、储存和运输要求7.1 每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应， 每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。7.2 产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度：10 c40 C;湿度：060%避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。7.3产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。检验要求抽样检验项目硅片等级检测工具计划A级品B级品验收标准崩边长宽三1mm*1mmF崩边/崩边硅落长宽三0.3mm*0.2mm不穿透。穿透。硅落长宽厚三硅落1.5mm*1.5mm*100um数量全观毛边/ 亮点长度三10mm深度不能延伸到硅片表面0.1mm长不限，深度不能延伸 到硅片表面0.3mm表面清 洁度无油污，无残胶，无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放行。如硅片之间的摩擦产生的印迹以及三 2个针尖状的无凹凸 的印迹。无成片的油污，残胶， 水迹。1000Lux)检划伤无肉眼可见有深度感的划伤。日光灯下无明显深度 感的划伤。无挛晶、slip、应力、其他无挛晶、slip 、应力、裂纹、凹坑、气孔及明显划伤。裂纹、/气孔及明显凹坑、划伤。寸尺规格 (mm)边长(mm)直径(mm)其它尺 寸(mm)垂直 度()切片 前全 检晶 锭尺 寸MaxMinMaxMin尺1251251125.5124.5150.5149.5具体见90 +0.3电子卡尺 万能角规125125口125.5124.5165.5164.5上表1科图1寸156156156.5155.5200.5199.5TV200 20 “m (中心点)200 +30 gm30 g测厚仪抽TTVm(中 50 Vm/千检心1点和边缘6mmi置4点)分表翘曲度 70 g m 100 Vm位错密 度 2 3000/cm2 3000/cm显微镜截取晶锭性导电型 号N型/P型N型/P型型号仪头尾部2m能电阻率0.5Q .cm 3.5 Q .cm/1.0 Q .cm 3.0Q .cm电阻率测试仪样片 进行氧含量 20ppmaFTIR氧碳测碳含量 100 gs/ 15 g s寿命测试 仪多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。2规范性引用文件2.1 ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法2.2 ASTM F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法2.3 ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法2.4 ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法2.5 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3术语和定义3.1 TV :硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右 4点和中心点）；3.3 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和 周边弦长给出；3.4 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.5 四角同心度：多晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。3.6 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过 5条4分类多晶硅片的等级有 A级品和B级品，规格为：156mm 156mm。5技术要求5.1 外观见附录表格中检验要求。5.2 外形尺寸5.2.1 方片TV为200+20 um,测试点为中心点；5.2.2 方片TTV小于30um ,测试点为边缘 6mm处4点、中心1点；5.2.3 硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15% ;5.2.4 相邻C段的垂直度：90 i0.3。5.2.5 其他尺寸要求见表 1。表1 多晶硅片尺寸要求规格(mm)尺寸（mm）A （边长）B （对角线）C （直线段长）D （弧长投影）Max.Min.Max.Min.Max.r_ Min.Max.Min.156 156156.5155.5219.7218.7155.6152.91.40.35注1: A、B、C、D分别参见图1图1硅多晶片尺寸示意图5.3 材料性质5.3.1 导电类型：P型，掺杂剂：B,硼（Boron）;5.3.2 硅片电阻率：掺硼多晶片：电阻率为1Q cm3Q - cm5.3.3 多晶硅少子寿命2us5.3.4 氧碳含量：氧含量 12ppma,碳含量 12ppma。6检测环境、检测设备和检测方法6.1 检测环境：室温，有良好照明（光照度）1000Lux）。6.2 检测设备：游标卡尺（0.01mm）、厚度测试仪/千分表（0.001mm ）、水平测试台面、四探针测试仪、 少子寿命仪、氧碳含量测试仪、光学显微镜、角度尺等。6.3 检测项目：导电类型、氧碳含量、电阻率、少子寿命、外形尺寸。6.4 检测方案：外观和尺寸进行全检，材料的性能和性质以多晶铸锭头尾部参数为参考，并提供每个批次硅片的检测报告。6.5 检验结果的判定7包装、储存和运输要求7.1 每包400枚，每箱6包共2400枚。需提供明细装箱单，包装上要有晶体编号，清单和实物一一对应， 每个小包装要有晶体编号，不同晶体编号放在同一包装要能明确区分开。7.2 产品应储存在清洁、干燥的环境中：温度： 10 c40 C;湿度：060%避免酸碱腐蚀性气氛；避免 油污、灰尘颗粒气氛。7.3 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施。8.附录A 多晶硅片检验项目、检验方法及检验规则对照表。注：本多晶硅片技术标准中未明示事项或对产品检验标准存在异议，均以附件太阳能级多晶硅片国家标准为准。外观可以见FTS限度样本。检验项目检验要求检测工具抽样 计划 验收 标准硅片等级A级品B级品外崩边/ 硅落崩边硅落长宽三0.3mm*0.2mm/、穿透。崩边长宽三1mm*1mmF穿透。硅落长宽厚三 1.5mm*1.5mm*100ur目测 陶糙度测试仪全数量 2数量 4观切割线痕线痕深度三15um,但无密集线 痕。线痕深度三30um,日光灯(1000Lux)检缺角/缺口缺口长宽三0.2mm*0.1mm无V型缺口、缺角长宽三1mm*0.5mm无可见有棱角的缺角，数量0 2毛边/亮占 八、长度三10mm深度不能延伸到硅片表面0.1mmo长不限，深度不能延伸到硅片表面 0.3mm表面清洁 度无油污，无残胶，无明显水迹。轻微可清洗的污迹可放行。 如 硅片之间的摩擦产生的印迹 以及三2个针尖状的无凹凸的 印迹无成片的油污，残胶，水迹。划伤无肉眼可见有深度感的划伤。日光灯下无明显深度感的划伤。其他无应力、裂纹、凹坑、气孔及 明显划伤，微晶数目三10pcs/cm无应力、裂纹、气孔及明显凹坑、 划伤，微晶数目三10pcs/cm尺 寸规格(mm)尺寸电子卡尺 万能角规全检 晶锭 尺寸边长(mm)直径(mm)倒角差mm垂直度(O)MaxMinMaxMin0.5-290+ 0.3156156156.5155.5219.7218.7TV200 20 “m (中心点)200+ 30 Vm测厚仪/千 分表抽 检TTV030vm (中心1点和边缘6mm4 点) 50 Vm翘曲度70 g m0 100 Vm性 能导电型号P型P型型号测试仪测试 晶锭 头尾 样片氧含量12ppmaFTIR氧碳含量测试仪碳含量 2 g s扫描寿命测 试仪