VLSI总复习ppt课件

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资源描述
总复习 2015年 1 章节要求 第一 三章 理解并能够阐述相关基本概念第二 四 五章 全部内容 能够阐述概念 理解工艺 分析问题 设计电路 计算宽长比 阅读版图并分析逻辑 第六章第1 2节 能够根据要求采用不同的技术设计电路 第八章第1 4节 能够分析电路构成 特点 推导电路增益并根据参数计算增益大小 总体要求 认真读书 能够独立完成作业 2 作业讲解 第2章 3 作业讲解 第2章 PMOS 47 4 作业讲解 第2章 5 作业讲解 第2章 6 作业讲解 第2章 4 9 假设NMOS管的VTN 1V 对于一个NMOS传输门 如果VG 5 5V Vi 5V 在输出端传输得到的电压Vo将是多少 解 4 5伏 7 作业讲解 第4章 1 2 分析并解释下图的ROM结构 将ROM中的数据填入表中 8 作业讲解 第4章 2 3 将题1电路改成动态ROM结构并画出电路 注 每个支路 与非门 接一个NMOS管也可以 这样最下面将有8个晶体管接 1 9 作业讲解 第4章 3 4 分析下图所示电路 提取电路的功能 10 作业讲解 第4章 4 7 下图为一个开关逻辑的电路 请根据电路写出对应的逻辑函数 答案 11 作业讲解 第4章 5 8 读版图并写出电路的逻辑表达式 假设图中PMOS管的宽长比为10 NMOS管宽长比为4 计算最长的上升时间与最长的下降时间的比值 空穴迁移率与电子迁移率比为1 2 5 答案 NMOS管最长路径宽长比为4 3 PMOS管最长路径宽长比为10 2 代入迁移率比值 PMOS可比拟NMOS宽长比为2 最长的上升时间与最长的下降时间的比值为1 2 3 4 2 3 12 作业讲解 第5章 1 2 试读下面4个版图 提取对应的电路 并对电路的功能进行分析 三态门 13 作业讲解 第5章 2 2与或门 14 作业讲解 第5章 2To1MUX 15 作业讲解 第5章 三态门 16 作业讲解 第5章 2 读版图 分析电路的功能 C 0 NMOS截止 PMOS开漏输出 C 1 PMOS截止 NMOS开漏输出 17 作业讲解 第6章 1 5 以二到一MUX为基本结构 设计一个实现X函数的电路结构并请详细给出设计过程 18 作业讲解 第6章 2 8 假设倒相器的延迟时间为 与非门的延迟时间为2 请画出A和B的波形 并加以说明 如果要求高电平不重叠 在此电路基础上进行改进 19 作业讲解 第6章 3 9 对于图示寄存器电路 如果希望在Read和时钟信号作用下 在D信号线上读出寄存器的内容 下图的电路应该如何改进 20 作业讲解 第8章 参考8 3 1段 分析当以PMOS管为工作管时 推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式 21 作业讲解 第8章 参考8 3 1段 分析当以PMOS管为工作管时 推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式 22 作业讲解 第8章 参考8 3 1段 分析当以PMOS管为工作管时 推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式 23 作业讲解 第8章 参考8 3 1段 分析当以PMOS管为工作管时 推导基本放大器在6种负载情况下的电压增益表达式 24 作业讲解 第8章 推导以PMOS管为工作管 NMOS基本电流镜为负载的差分放大器的电压增益表达式 25 考试 考试覆盖所有授课内容 闭卷考试时间 答疑时间 6月14日 周六 下午6 00 8 00 26
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