常见扩散方阻异常分析ppt课件

超净扩散方阻异常分析 1 摘要 方阻的影响因素a 排废b 温度 时间c 气体流量方阻偏高a 整组偏高b 单点偏高方阻偏低a 整组偏低b 单点偏低方阻不稳定a 扩散不均匀b 均值不均匀 2 排废排废的变化对管内温度 气流 杂质源均有影响 但主要影响杂质源浓度 排废过大 管内杂质源浓度降低 硅片P扩散不充分 方阻偏高 且气流速度加快 片内均匀性较差 排废过小 管内杂质源浓度相对偏高 P扩散过饱和 方阻偏低 温度 时间温度时间共同决定着结深 温度越高 扩散时间越长 反应更剧烈 硅片对P的吸收加强 P往内部的推结也越深 方阻越低 D为扩散系数 Do为本征扩散系数 Ko为波尔兹曼常数 T为绝对温度 Xj为结深 A为常数 3 气体流量大氮 整个扩散反应过程中的保护气体 它的变化将会导致炉管内温度以及气氛场强发生变化 大氮流量偏小导致气氛压强偏小 源浓度从炉尾到炉口呈梯度降低 炉尾到炉口方阻梯度升高 大氮偏高可能导致杂质源反应不充分 方阻偏高 同时大氮偏高导致气氛压强偏大 源浓度从炉口到炉尾呈梯度升高 炉尾到炉口方阻梯度降低 小氮 小氮是携带杂质源的重要气体 它的变化将很大程度的影响扩散薄层电阻 小氮偏高则杂质源的浓度相对偏高 P扩散过饱和 方阻偏低 小氧 小氧在整个工艺过程中起到了一个辅助的作用 通过先生成SiO2可以促使P的均匀分布减少由于扩散引起的缺陷 同样避免了直接扩散可能带来的死层现象 小氧偏高将会产生厚厚的氧化层阻碍P的扩散 小氧偏低将会使杂质源的反应不充分 且均匀性下降 两种情况均会导致方阻偏高 4 气体未能通入炉管内反应 管内反应的小氮偏小 杂质源未能通入炉管反应 液位以上源温度低影响小氮携带 小氮携带的源浓度偏低 5 6 PS 大氮对方阻的影响暂时不确定需实验来验证 7 8 9 ENDTHANKS 10