微电子基本知识和技能培训课程.ppt

2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,1,微电子基础知识和基本技能培训课程,哈尔滨工业大学微电子中心,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,2,第一部分集成电路基础知识,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,3,1.1CMOS集成电路器件基础,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,4,1.1.1MOS结构（1）MOS结构的堆积状态（AccumulationMode）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,5,1.1.1MOS结构（2）MOS结构的耗尽状态（DepletionMode）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,6,1.1.1MOS结构（3）MOS结构的反型状态（InversionMode）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,7,1.1.2MOS晶体管1.MOS晶体管的结构,P_Sub,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,8,1.1.2MOS晶体管2.MOS晶体管截止状态（以NMOS为例）,Vgs0LinearNonsaturatedResistive,P_Sub,N+,G,D,S,GND,+Vds,+Vgs,N+,B,DepletionRegion,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,9,1.1.2MOS晶体管3.MOS晶体管非饱和工作状态（以NMOS为例）,VgsVtVds0VgdVtLinearNonsaturatedResistive,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,10,1.1.2MOS晶体管4.MOS晶体管的饱和工作状态（以NMOS为例）,VgsVtVds0VgdVtSaturated,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,11,1.1.2MOS晶体管5.NMOS晶体管的伏安特性,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,12,1.1.2MOS晶体管6.PMOS晶体管的伏安特性,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,13,1.1.2MOS晶体管7.MOS晶体管的符号,NMOS,PMOS,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,14,1.1.2MOS晶体管8.MOS晶体管的二阶效应,1.体效应（衬底偏置效应）2.亚阈值效应3.沟道长度调制效应4.源漏穿通效应5.热电子效应,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,15,1.1.3MOS电容的CV特性,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,16,1.2CMOS集成电路制造工艺,（N阱硅栅CMOS集成电路工艺主要流程）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,17,1.2.1衬底准备,P+单晶基片,P,P,单晶片,外延片,外延层,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,18,1.2.2氧化、光刻N-阱(nwell),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,19,1.2.3N-阱注入，N-阱推进,清洁表面,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,20,1.2.4长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,21,1.2.5场区氧化（LOCOS）,清洁表面利用氮化硅抗高温氧化的作用，实现场区氧化局部氧化，提高场开启MOS管阈值电压，降低氧化层台阶高度。(场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,22,1.2.6栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂反刻多晶（polysiliconpoly),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,23,1.2.7P+active注入（Pplus）（硅栅自对准：利用硅栅的遮蔽作用形成PMOS沟道，实现沟道与硅栅自对准，提高PMOS沟道尺寸的精度，减小寄生电容）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,24,1.2.8N+active注入（NplusPplus反版）（硅栅自对准：利用硅栅的遮蔽作用形成NMOS沟道，实现沟道与硅栅自对准，提高NMOS沟道尺寸的精度，减小寄生电容）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,25,1.2.9淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,26,1.2.10蒸镀金属1，反刻金属1（metal1),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,27,1.2.11绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,28,1.2.12蒸镀金属2，反刻金属2（metal2),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,29,1.2.13钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,30,1.2.14光刻掩膜版简图汇总,N阱,有源区,多晶,Pplus,Nplus,引线孔,金属1,通孔,金属2,钝化窗口,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,31,1.2.15N阱CMOS集成电路工艺中MOS管的特点,所有NMOS管的衬底都是统一的P型衬底，接电路最低电位（一般为地GND）,同一个N阱中的PMOS管的衬底都是同一个N阱，接相应电路的最高电位（一般为电源VDD）,MOS器件的源漏区是相互对称的，因此源漏可以互换，源漏只是根据工作电位的高低来区分。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,32,1.3CMOS反相器（inverter）基本原理,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,33,1.3.1CMOS反相器状态分析,（1）ViVTn时,MN截止，MP非饱和,0=-Kp2(Vi-VDD-VTN)(VO-VDD)(VO-VDD)2,VO=VDD(VOH),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,34,1.3.1CMOS反相器状态分析,（2）VTnViVO+VTn且ViVO+VTp,MN饱和，MP非饱和,KN(Vi-VTN)2=KP2(Vi-VDD-VTP)(VO-VDD)(VO-VDD)2,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,35,1.3.1CMOS反相器状态分析,（3）VTnViVO+VTn且VO+VTpViVO+VTn且VO+VTp13.IPowerIH,寄生可控硅一旦被触发，电流巨增，将烧毁芯片。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,91,1.8.2CMOS电路抗闩锁设计2.版图设计抗闩锁,（1）减小RS和RW：均匀且充分设计阱和衬底的电源和地的欧姆接触，并用金属线连接，必要时采用环结构。,（2）减小npn和pnp：加大MOS管源漏区距阱边界的距离，必要时采用伪收集极结构。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,92,1.8.3CMOS电路抗静电设计1.抗静电设计的必要性,随着电子技术的普及，静电产生越来越严重，在测试、封装和使用过程中来自人体或设备的静电一般可达几千伏，甚至可达1520KV。而MOS器件的栅氧化层很薄，面积很小，绝缘性能又很好，因此静电电荷形成很高的电压足以使栅氧化层击穿，使器件失效。因此，采用抗静电保护设计措施是MOS电路得以应用发展的必要前提。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,93,1.8.3CMOS电路抗静电设计2.抗静电设计的思想,（1）抗静电保护电路不能影响正常电路的功能；（2）放电电阻尽可能小（3）放电回路中能承受尽可能高的瞬态功耗。（4）应有抗闩锁能力（5）占用尽可能小的芯片面积,抗静电设计就是在电路的端口增设保护电路，使得静电电荷形成的高压在到达正常电路之前，通过保护电路将静电电荷泄放掉，而保护电路自身也不被损坏。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,94,1.8.3CMOS电路抗静电设计3.抗静电保护电路的基本原理,R1为多晶电阻，起限流作用，防止放电电流过大（一般在1K左右）。R2为N+电阻，起延迟、缓冲作用，防止外来高电压直接作用于MOS管的栅极。阻值一般在几十左右。Dp1、Dn1是用N+、P+扩散区分别与阱和衬底形成的二极管，起电压箝位和电荷泄放作用。面积一般设计为1000m2左右。Dn2是R2形成的寄生二极管，起到进一步的保护作用。,电阻-二极管保护电路,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,95,1.8.4CMOS版图设计的基本技巧1.源漏区面积优化,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,96,1.8.4CMOS版图设计的基本技巧2.器件排序优化,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,97,1.8.4CMOS版图设计的基本技巧3.宽沟器件的优化设计,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,98,1.8.4CMOS版图设计的基本技巧4.复用单元的设计,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,99,1.8.5版图布局1.布局的基本原则,芯片的布局设计是要解决电路图或逻辑图中的每个元件、功能单元在版图中的位置摆布、压焊点分布、电源线和地线以及主要信号线的走向等。首先确定电路中主要单元（元件）的位置，再以主要单元为中心安置次主要单元和次要单元。相关单元（包括压点）要尽量靠近，以主要单元为主调整单元（器件）的形状和位置，方便布线，缩短布线。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,100,1.8.5版图布局2.布局示例1电子表芯片,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,101,1.8.5版图布局2.布局示例2存储器模块,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,102,1.8.6版图布线1.布线基本原则,最常用的布线层有金属、多晶硅和扩散区，其寄生电阻和寄生电容有所不同。电源线、地线选择金属层布线，线宽要考虑电流容量（一般1mA/m)。长信号线一般选择金属层布线，应尽量避免长距离平行走线。多晶硅布线和扩散区布线不能交叉而且要短。必须用多晶硅走长线时，应同时用金属线在一定长度内进行短接。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,103,1.8.6版图布线2.布线示例,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,104,1.8.7CMOS电路中的MOS电容,一般采用MOS管栅电容的结构,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,105,1.8.8N阱CMOS电路中的PNP晶体管,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,106,1.8.9全定制（full-custom)设计方法1.概念及特点,利用人机交互图形系统，由版图设计者针对具体电路和具体要求，从每个器件的图形、尺寸开始设计，直至整个版图的布局布线。可获得最佳的电路性能和最小的芯片尺寸，有利于提高集成度和降低生产成本，适用于通用芯片和高性能芯片的设计以及库单元的设计。缺点是设计周期长、设计费用高，同时要求设计者具有相当深入的微电子专业知识和丰富的设计经验。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,107,1.8.9全定制（full-custom)设计方法2.常用的CAD工具,人机交互图形编辑设计规则检查（DRC）电学规则检查（ERC）版图参数提取（LPE）版图与电路图一致性检查（LVS）电路仿真（spice等）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,108,1.8.9全定制（full-custom)设计方法3.版图举例,手表芯片,高性能16位CPU,标准单元dffps,全定制芯片的局部版图,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,109,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法1.概念,电路基本单元及各种I/O单元都按一定的标准、依据特定工艺、由专门人员预先设计好存放于一个统一的库中，称为标准单元库。芯片设计者只要根据电路的逻辑网表及设计约束条件，用相关软件调用标准库中的单元进行布局布线，即可快速形成最终的芯片版图。由于标准单元库是预先设计好的，不是为某个芯片专门设计的，因此称为半定制设计方法（semi-customdesignapproach）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,110,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法2.特点,可获得较佳的电路性能和较小的芯片尺寸（与库单元种类的丰富程度和库单元性能有关），有利于缩短芯片设计周期，降低设计成本，适用于专用电路（ASIC）和较高性能的芯片设计。对芯片设计者的微电子专业知识和设计经验要求不是很高，而对单元库和设计工具有较强的依赖性。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,111,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法3.芯片结构,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,112,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法4.标准单元库的组成,符号库：单元特定符号，供逻辑图设计用。拓扑库：单元高度、宽度、引出端坐标及方向，供布局布线使用。时序库：输入与输出间的时间关系及负载特性，供时序验证用。功能描述库：单元功能的描述，供功能仿真用。版图库：单元各层掩膜图形，供制掩膜版用。综合库：供逻辑综合用。电路图库：单元电路图。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,113,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法5.标准单元电路设计考虑,尽可能地减少单元的引出端点（尽量内部产生）要获得较好的抗噪声性能（N管和P管的比例）要规定一定的驱动能力（N管和P管的尺寸）尽可能获得最佳的延迟时间（级间的驱动）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,114,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法6.标准单元版图设计考虑,单元要符合等高原则，特别是电源和地线应有相同高度。与单元库中的任何单元（包括自身）的任意组合都应满足设计规则的要求。每个单元都要考虑抗闩锁，每个I/O单元都要考虑抗静电。尽可能小的寄生电容单层金属工艺尤其要考虑端口引出。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,115,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法7.标准单元版图举例,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,116,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法8.标准单元法芯片版图设计一般过程,根据逻辑图（或逻辑网表）确定使用单元的种类和数量，估算面积，确定芯片几何形状（长度与宽度的比值或单元行数）。根据封装要求排布I/O单元布电源和地的干线网排布内部单元（布局）布线（电源和地的支线、主要信号线、其它线）,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,117,1.8.10标准单元（StandardCell）设计方法9.标准单元法设计阶段性局部版图,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,118,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法1.门阵列母片,将含有固定器件数不含连线的内部相同单元排成一定规模的阵列，将含有固定器件数不含连线的I/O相同单元排在四周，并留有固定的布线通道，形成一定规模、一定I/O端口数、没有连线(没有功能)的芯片版图。按此版图进行掩膜版制作和流片，完成反刻金属之前的所有加工工序，生产出半成品芯片（没有功能，称为“门阵列母片”），供芯片设计者进一步设计使用。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,119,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法2.门阵列法芯片设计,在固定规模（器件数）、固定端口数的门阵列母片的基础上，芯片设计者根据需要将内部单元和I/O单元分别进行内部连线构成所需功能的各种单元（也可以调用针对具体母片事先设计好的的各种功能单元连线的单元库），再进行总体布局布线，构成一定功能的芯片连线版图。按此连线版图进行制版，再在预先生产出的母片上继续完成后续工序，制出最终芯片。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,120,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法3.门阵列法的特点,芯片的面积、最大规模、最多引脚数、布线通道以及单元中的器件数和部分连接是固定的，利用率不能达到100，性能不能达到最佳。可以快速完成芯片的设计和生产，降低芯片设计成本和生产成本。一般制成不同规模、不同引脚数的系列门阵列母片，以便适合不同规模电路的设计。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,121,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法3.门阵列法芯片结构,外观与标准单元法相似，只是基本单元及规模是固定的。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,122,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法4.内部单元阵列举例,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,123,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法5.内部单元电路连线库举例,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,124,1.8.11门阵列（GateArray）设计方法6.I/O单元结构,通过不同的连接可实现不同功能的I/O单元，如：输入端口输出端口三态输出端口输入/输出双向端口,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,125,1.8.12积木块(BBL)设计方法1.概念及特点,将固定的全定制设计模块、编译模块（一般为存储器）和标准单元设计方法结合在一起，就像堆积木一样进行布局布线，形成芯片版图。芯片面积较小，性能较佳，设计周期短，适合于大规模ASIC（SoC）设计。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,126,1.8.12积木块(BBL)设计方法2.芯片结构,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,127,1.8.12积木块(BBL)设计方法3.芯片版图实例,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,128,1.8.13可编程逻辑器件设计方法,可编程逻辑阵列PLA-ProgrammableLogicArray,2.可编程阵列逻辑PAL-ProgrammableArrayLogic,3.通用可编程阵列逻辑GAL-GenericArrayLogic,4.复杂可编程逻辑器件CPLD-ComplexProgrammableLogicDevice,5.现场可编程门阵列FPGA-FieldProgrammableGateArray,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,129,第二部分集成电路设计基本技能,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,130,2.1集成电路设计基本工作环境,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,131,2.1.1微电子中心局域网结构,第一级交换机,EDA软件服务器,局域网络服务器,客户终端iccadxx1,客户终端iccadxx2,客户终端iccadxx3,第二级交换机,第二级交换机,第二级交换机,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,132,2.1.2微电子中心局域网资源,EDA软件服务器(工作站shark、whale、Opel等)共享EDA软件：Cadence、Synopsys、Hspice等共享资源库：生产商工艺相关文件、单元库等用户数据：电路、版图、仿真文件等,1.局域网络服务器(server)：Pub软件库、公共文献资料图书文档库Be、Fe、IP等工作组内部文献资料Temp临时数据交换区,客户终端(iccadxxx)办公软件临时工作文档,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,133,2.1.3用户登陆1.微机登陆和退出：,(1)微机开机后，按下面方式登陆：用户名：iccadxxx（xxx对应于座位号）密码：xxxxxx（系统管理员提供）登陆到：xxx（系统管理员提供）(2)登入后，密码可以自己更改，已安装的软件不得擅自更改(3)可自行在server:/pub下查找其它所需应用软件安装(在D盘安装)，如没有权限安装或没有找到所需应用软件，请找系统管理员解决。(4)在D或E盘建自己的根目录，在此目录下保存文档及数据(5)退出：执行关机命令，出现关闭电源的提示后，关闭主机电源和显示器电源。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,134,2.1.3用户登陆2.链接工作站：,(1)微机登陆后，执行开始程序HummingbirdConnectivityV7.0ExceedExceed(XDMCP-Broadcast),(2)在新出现的窗口中选择工作站(whalesharketc.系统管理员提供)，然后选择确定按钮。出现的longinshell窗口,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,135,2.1.3用户登陆3.工作站登陆：,在longinshell窗口中按提示输入用户名称，选ok或按回车键，再按提示输入口令，选ok或按回车键。出现CDE界面。（系统管理员提供用户名称和口令。登入后，密码可以自己更改。登陆时选择CDE界面(CommonDesktopEnvironment),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,136,2.1.3用户登陆4.打开工作窗口（terminal)：,(1)在CDE界面的背底处按鼠标右键,(3)打开terminal也可以在CDE界面的工具栏中选择。,(2)用左键选择ToolsTerminal，工作窗口被打开。为了方便多任务工作，可以打开多个窗口。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,137,2.1.3用户登陆5.工作站退出：,(1)在CDE界面中选择exitok，退出工作站,(2)选择exitok，退出Exceed窗口,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,138,2.1.4UNIX操作系统常用命令简介,1.创建目录：mkdirdirname,2.改变工作目录：cddirname(到下级目录)cd.(到上级目录),5.复制(copy)：cpfileAfileB(文件复制)cpfileAfileBdirA(复制文件到目录)cp-rdirAdirB(复制目录),4.列文件清单：lsdirA(可以有多个目录名，没有目录名时为当前目录。可以加命令选项-lor-aor-la),3.列出当前工作目录：pwd,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,139,2.1.4UNIX操作系统常用命令简介,7.删除：rmfileA(删除文件，可以有多个文件名)rmrdirA(删除目录，可以有多个目录名),8.编辑文件：vifileA(文件不存在时，自动创建新文件)编辑命令：I(插入),o(下插入行),O(上插入行),Esc键(退出),x(删除字符),dd(删除行),hlkj或方向键(左右上下移动)非编辑状态时，按Shift+:,文件尾出现“:”，此时可以保存文件（w）和退出vi状态（q）。,6.改名(rename)：mvAB(文件或目录改名),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,140,2.2CadenceicfbEDA工具介绍,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,141,2.2.1library、cell和view1.Cadenceicfb工具启动,工作站登陆创建工作目录：mkdirwork进入工作目录：cdwork启动icfb工具:icfb&,出现CIW窗口,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,142,File,2.2.1library、cell和view2.Library的创建,Newlibrary的名,Newlibrary的路径,依据一个新的技术文件创建library,依据一个已有库的技术文件创建library,不用技术文件创建library（不做版图设计）,CIW窗口FileNewLibrary,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,143,2.2.1library、cell和view2.Library的创建（续）,技术文件名（可带路径）,已存在的library,点按此扭，可出现已存在的library列表，选中所需。这种方式创建的library没有独立的技术性。,(1)依据一个新的技术文件创建library,(2)依据一个已有库的技术文件创建library,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,144,CIW窗口FileNewCellview,2.2.1library、cell和view3.Cellview的创建,创建的cellview归属的library,点按此扭，可出现library列表，选中所需。,创建的cell名称,创建的view名称,所用工具名称,点按此扭，可出现工具名称列表，选中所需。,可以为已经存在的cell创建新的view,例如：原理图(schematic)-Composer-Schematic版图(layout)-Virtouso,退出：图形编辑窗口windowclose,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,145,2.2.1library、cell和view4.Library的结构,Library以目录树形式存在，可以用icfb的libraymanager工具查看和管理，不同的library可以创建在不同的目录中。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,146,Tools,2.2.1library、cell和view5.Library的管理,CIW窗口ToolsLibraryManager,library列表,被选library,Cells类别列表,被选cells类别,Cell列表,被选cell,Cellview列表,被选cellview,在被选cellview上双击鼠标左键，以可编辑模式打开所选cellview。,在被选libraryorcategoryorcellorview上按住鼠标右健，可以选择对所选项的操作模式。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,147,Tools,2.2.1library、cell和view6.相关Library的链接,CIW窗口ToolsLibraryPathEditor,Library名称,Library路径,FileSave,文件名称为：cds.lib可以用vi命令直接编辑,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,148,TechnologyFile,2.2.1library、cell和view7.Library技术文件的导出及装载,CIW窗口TechnologyFiledumporload,dump,被选library,导出技术文件名称,load,装载技术文件名称,被选library,装载内容与库中内容合并,装载内容替换库中同类内容,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,149,2.2.2原理图编辑1.打开原理图编辑窗口（schematice）,CIW窗口FileNewCellview（2.2.1_3新创建Cellview）,CIW窗口FileOpen（打开已有的Cellview）,要打开的cellview归属的library,被选cell名称,点按此扭，出现library列表,被选library中的Cell列表,被选cell的view,点按此扭，出现view的列表,点按此扭，出现library浏览器（含librarycellview）,已编辑模式打开,已只读模式打开,创建新的或打开已有的Cellview还可以用librarymanager（库浏览器）,创建cell名称,要创建的cellview归属的library,点按此扭，出现library列表,创建cell的view,使用的工具,点按此扭，出现工具列表,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,150,2.2.2原理图编辑2.原理图编辑窗口结构,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,151,2.2.2原理图编辑3.常用编辑命令,Library,Cell,View,浏览器,Name(option),2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,152,2.2.2原理图编辑3.常用编辑命令(续1),Pinnames,Pin的属性,更改Pin的属性,可以同时填入多个端口名，中间加空格，端口名应以字母开头，如：in1a1b。切记不能含有特殊字符。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,153,2.2.2原理图编辑3.常用编辑命令(续2),在pin和pin之间进行连线。按F3功能键，可出现命令可选项窗口（通用）。,连线名应以字母开头，如：in1a1b。切记不能含有特殊字符。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,154,2.2.2原理图编辑3.常用编辑命令(续3),从分类菜单中可以看到命令的快捷键和许多其它命令,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,155,2.2.2原理图编辑4.层次式设计,Schematic图形窗口DesignHierarchy,选中cell（在执行命令前后都可以）,选中view,被选中cellview打开,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,156,2.2.2原理图编辑5.创建Cellview,Schematic图形窗口DesignCreateCellviewFromCellview,SchematictoSymbol,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,157,2.2.2原理图编辑6.练习实例1-逻辑级,ha,A,B,S,C,ha,A,B,S,C,ha,A,B,S,C,busA,busB,S1,S2,S3,C1,C2,C3,A1,A2,A3,B1,B2,B3,调用sample库的基本逻辑单元,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,158,2.2.2原理图编辑6.练习实例2-电路级,调用analogLib库的MOS管单元，采用TSMC025工艺模型,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,159,2.2.3逻辑级仿真1.Verilog-XL启动,Schematic图形窗口ToolsSimulationVerilog-XL,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,160,2.2.3逻辑级仿真2.仿真环境设置,Verilog-XL窗口SetupEnvironment,出现的窗口与启动Verilog-XL初始窗口相同，在此可以更改相关设置。,2004年7月,HITMicro-ElectronicsCenter,161,2.2.3逻辑级仿真3.网表产生设置,整体产生,增量式产生,不产生,可产生网表的view,更多的选项,产生测试程序模版,网表产生终止的view,一般选择增量式产生网表。再次仿真时，如果原理图没有改动，可以选择不生成网表方式。,2004年7月