2019-2020年高三物理上学期第二次质检试题.doc

2019-2020年高三物理上学期第二次质检试题1、（多选）甲、乙两物体相距S，同时同向沿同一直线运动，甲在前面做初速度为零，加速度为a1的匀加速直线运动，乙在后面做初速度为v0，加速度为a2的匀加速直线运动，则( )A若a1=a2，则两物体可能相遇一次B若a1a2，则两物体可能相遇二次 C若a1a2 ，则两物体也可能相遇一次或不相遇2.（单选）如图所示，在粗糙水平地面上放着一个截面为四分之一圆弧的柱状物体A，A的左端紧靠竖直墙，A与竖直墙之间放一光滑圆球B，整个装置处于静止状态。把A向右移动少许后，它们仍处于静止状态，则A地面对A的摩擦力增大BA与B之间的作用力减小CB对墙的压力增大 DA对地面的压力减小3、（单选）地球同步卫星离地心的距离为r，运行速度为v1，加速度为a1，地球赤道上的物体随地球自转的向心加速度为a2，第一宇宙速度为v2，地球半径为R，则下列比例关系正确的是（ ）A、a1/a2 = r/R , v1/v2 = r/R B、a1 / a2 = r/R, v1/v2 = (R/r)1/2C、a1/a2 = (R/r)2, v1/v2 = r/R D、a1/a2 = (R/r)2, v1/v2 = (R/r)1/24.（多选）如图所示，两个倾角分别为30和60的光滑斜面固定于水平地面上，并处于方向垂直纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场中。两个质量均为m、带电荷量为+q的小滑块甲和乙分别从两个斜面顶端由静止释放，运动一段时间后。两小滑块都将飞离斜面，在此过程中A.甲滑块飞离斜面瞬间的速度比乙滑块飞离斜面瞬间的速度大B.甲滑块在斜面上运动的时间比乙滑块在斜面上运动的时间短C.甲滑块在斜面上运动的位移与乙滑块在斜面上运动的位移大小相同D.两滑块在斜面上运动的过程中，重力的平均功率相等5.（多选）如图所示，一个电阻值为R、匝数为n的圆形金属线圈与阻值为2R的电阻R1连接成闭合回路线圈的半径为r1.在线圈中半径为r2的圆形区域内存在垂直于线圈平面向里的匀强磁场，磁感应强度B随时间t变化的关系图线如图(b)所示图线与横、纵轴的交点坐标分别为t0和B0.导线的电阻不计在0至t1时间内，下列说法正确的是( )AR1中电流的方向由a到b通过R1 B电流的大小为C线圈两端的电压大小为 D通过电阻R1的电荷量6.(单选)如图所示，有一等腰直角三角形的区域，其斜边长为2L，高为L。在该区域内分布着如图所示的磁场，左侧小三角形内磁场方向垂直纸面向外，右侧小三角形内磁场方向垂直纸面向里，磁感应强度大小均为B。一边长为L、总电阻为R的正方形导线框abcd，从图示位置开始沿x轴正方向以速度v匀速穿过磁场区域。取沿abcda的感应电流方向为正，则图乙中表示线框中电流i随bc边的位置坐标x变化的图象正确的是（ ）7.（多选）如图所示，两个固定倾斜放置的光滑平行金属导轨间距为L，电阻不计，导轨平面与水平方向的夹角为，导轨上端接入一内电阻可忽略的电源，电动势为E。一粗细均匀的金属棒电阻为R，质量为m。已知当地的重力加速度为g，金属棒水平放在导轨上且与导轨接触良好，欲使金属棒静止在导轨上不动，则以下说法正确的是A可加竖直向下的匀强磁场，磁感应强度为B可加竖直向上的匀强磁场，磁感应强度为C所加匀强磁场磁感应强度的最小值为D所加匀强磁场磁感应强度的最小值为8.（多选）如图11所示，平行金属导轨MN和PQ，他们的电阻可忽略不计，在M和P之间接有阻值R=3.0的定值电阻，导体棒ab长l=0.5m，其电阻不计，且与导轨接触良好，整个装置处于方向竖直向上的匀强磁场中，磁场强度B=0.4T，现使ab以v=10m/s的速度向右匀速运动，以下判断正确的是A导体棒ab中的感应电动势E=2.0VB电路中的电流I=0.5AC导体棒ab所受安培力方向向右D拉力做功的功率为9.（多选）如图所示的电路中，电源内阻不可忽略，若调整可变电阻R的阻值，可使电压表的示数减小U(电压表为理想电表)，在这个过程中A通过R1的电流减小，减少量一定等于UR1B.R2两端的电压增加，增加量一定等于UC路端电压减小，减少量一定等于UD通过R2的电流增加，但增加量一定小于UR210.（多选）用一根横截面积为S、电阻率为p的硬质导线做成一个半径为r的圆环，ab为圆环的一条直径如图所示，在ab的左侧存在一个均匀变化的匀强磁场，磁场垂直圆环所在平面，方向如图，磁感应强度大小随时间的变化率，则A圆环中产生逆时针方向的感应电流B圆环具有扩张的趋势C圆环中感应电流的大小为D.图中a、b两点间的电压11.（单选）利用如图所示电路可测出电压表的内阻，电源的内阻可以忽略R为电阻箱，当R取不同阻值时，电压表均对应有不同读数U，多次改变阻箱的阻值，所得到的R图象为下图中的哪一个( )12（单选）如图15-6所示为质谱仪测定带电粒子质量的装置的示意图上、下两极板分别接电源的正、负极，磁感应强度B1的方向垂直纸面向里，分离器中磁感应强度B2的方向垂直纸面向外在S处有甲、乙、丙、丁四个一价正离子垂直于E和B1入射到速度选择器中，若m甲= m乙 m丙= m丁，v甲 v乙= v丙 v丁，在不计重力的情况下，则分别打在P1、P2、P3、P4四点的离子分别是 （ ）A甲乙丙丁 B甲丁乙丙 C丙丁乙甲 D甲乙丁丙13（单选）如图所示，电路中电源的电动势为E，内电阻为r，开关S闭合后，当滑动变阻器R的滑动片P向右移动的过程中，三盏规格相同的小灯泡L1、L2、L3的亮度变化情况是A灯L1、L2变亮，灯L3变暗 B灯L2、L3变亮，灯L1变暗C灯L1、L3变亮，灯L2变暗 D灯L1变亮，灯L2、L3变暗14（多选）如图26所示，处于匀强磁场中的平行金属导轨跟大线圈P相接，导轨上放一导线ab，大线圈P内有同圆心的闭合小线圈M，要使M中产生顺时针方向的感应电流，则导线ab的运动是()A匀速向右运动 B加速向右运动 C减速向右运动 D加速向左运动第II卷（非选择题）评卷人得分二、实验题（本题共2道小题,第1题4分,第2题12分,共16分）15.在“研究电磁感应现象”的实验中，为了判断线圈的绕向，可将灵敏电流计G与线圈L连接成闭合回路，如图所示已知线圈由a端开始绕至b端，当电流从电流计G左端流入时，指针向左偏转根据下述操作可确定线圈的绕向如果将磁铁N极向下从线圈上方竖直插入L时，发现指针向左偏转俯视线圈，则其绕向为 时针方向当条形磁铁从图中虚线位置向右远离L时，指针向右偏转俯视线圈，则其绕向为 时针方向（都填“顺”或“逆”）16半导体的电阻率会随温度的升高而变化。.某实验室提供的器材如下：除被测半导体（自备接线柱）外A、量程(03A)内阻0.025的电流表B、量程(00.6A)内阻0.2的电流表C、量程（0-3.m A)内阻0.2的电流表 D、量程(060V)内阻1的电压表 E、量程(015V)内阻为20的电压表F、电阻箱(09999) G、电阻箱(0999)H、最大阻值20，额定电流3A的滑线变阻器I、最大阻值1000，额定电流0.5A的滑线变阻器J、电源(电动势50V，内阻约0.5)、导线、电键备用K、游标卡尺，L、千分尺1）则电流表应选 ，电压表应选 ，滑动变阻器应选 ，在右端画出合理的实验电路2）某同学为研究这一现象，用实验得到如下数据（I和U分别表示半导体的电流和电压）：在如图所示的坐标线中画出此半导体大致的U-I曲线。（3）如果其他测量长度和直径数据如下图所示则长度为 厘米，直径为 毫米，则电压为50伏时，半导体的电阻率为 （保留一位有效数字） ？（4）半导体的电阻率与温度有何关系？评卷人得分三、计算题（本题共5道小题,第1题0分,第2题0分,第3题0分,第4题0分,第5题0分,共0分）17、（9分）水平放置的线圈匝数nxx匝，直径d180 cm，内阻可忽略在线圈的中心有一个长为40 cm宽为20 cm的长方形有界匀强磁场，磁感应强度按左下图所示规律变化，规定垂直纸面向里的磁感应强度方向为正方向，并把线圈与右下图电动机电路的左端的两个端点连接，右下图所示是一提升重物用的直流电动机工作时的电路图电动机内电阻r0.8 ，电路中另一电阻R10 ，电压表示数U110 V试求：(1)（4分）通过电动机的电流； (2)（2分）输入电动机的电功率；(3)（3分）若电动机以v1 m/s匀速竖直向上提升重物，求该重物的质量？(g取10 m/s2)18.（10分）如图所示,将两条倾角=30,宽度L=1 m的足够长的“U”形平行的光滑金属导轨固定在磁感应强度B=1 T,范围足够大的匀强磁场中,磁场方向垂直于斜面向下.用平行于导轨的牵引力拉一质量m=0.2 kg,电阻R=1放在导轨上的金属棒ab,使之由静止沿轨道向上运动,牵引力的功率恒为P=6 W,当金属棒移动s=2.8 m时,获得稳定速度,此过程中金属棒产生热量Q=5.8 J,不计导轨电阻及一切摩擦,取g=10 m/s2.求:（1）金属棒达到的稳定速度是多大?（2）金属棒从静止至达到稳定速度时所需的时间多长?19.如图20所示，在x轴下方的区域内存在方向与y轴相同的匀强电场，电场强度为E。在x轴上方以原点O为圆心、半径为R的半圆形区域内存在匀强磁场，磁场的方向垂直于xy平面并指向纸面外，磁感应强度为By轴下方的A点与O点的距离为d一质量为m、电荷量为q的带正电粒子从A点由静止释放，经电场加速后从O点射入磁场粒子的重力不计（1）求粒子在磁场中运动的轨道半径r（2）要使粒子进入磁场之后不再经过x轴，电场强度需大于或等于某个值E0求E0（3）若电场强度E等于第（2）问E0的，求粒子经过x轴时的位置 参考答案1.ABD 2.B 3、B 4.AD 5.BD 6.D 7.AC 8.AD 9.AD 10.BD 11.C 12.B 13、C 14、CD15、顺时针，逆时针。16、（1）C, D, H. （各1分） 分压式内接法电路。(2分) （2）略，2分（3）3.62厘米，0.900毫米。约0.5欧姆米（每空各1分） （4）半导体的电阻率随温度的升高而减小。（2分）