体管的h参数等效电路及动态参数的估算.ppt

上传人:za****8 文档编号:12856714 上传时间:2020-05-31 格式:PPT 页数:23 大小:678.51KB
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E4a0224等效电路法E4a02242晶体管的h参数等效电路及动态参数的估算,1.晶体管的h参数等效电路,晶体管h参数等效电路的推导有两种方法,一是从晶体管的特性曲线出发,模拟出晶体管输入回路和输出回路的等效电路模型;二是在低频线性条件下将晶体管看成一个线性双口网络,然后用输入和输出特性曲线方程式,通过求全微分来定义h参数,并建立等效电路模型。,1.1通过特性曲线建立等效电路,晶体管的输入回路可以用输入特性曲线上工作点Q附近的动态输入电阻rbe来模拟。,图02.02.15晶体管输入回路的模拟,晶体管的输出特性曲线近似一个电流源,这个电流源受基极电流控制,属于电流控制电流源(CCCS),所以,晶体管的输出回路可以用近似的电流源来模拟。,将输入和输出回路的模型合在一起,即构成了晶体管的简化模型。,图02.02.15晶体管输出回路的模拟,图02.02.16晶体管的简化模拟,低频线性条件下将晶体管看成一个线性双口网络,然后用输入和输出特性曲线方程式,通过求偏导数来定义h参数,并建立等效电路模型。,1.2通过特性曲线方程式建立等效电路,晶体管在输入和输出特性曲线方程式如下:,在小信号条件下,为研究各变量间的关系,可对上列iC和uBE的函数求全微分:,式中出现的四个系数,分别为,,称为输入电阻,符号h11也表示为h11e或hie,即rbe。,,称为电压反馈系数,符号h12也表示为h12e或hre。,,称为电流放大系数,符号h21也表示为h21e或hfe,即。,,称为输出电导,符号h22也表示为h22e或hoe,即1/rce。,上述方程式如仅考虑正弦量,可用复数量表示,写成,由此可画出晶体管低频交流小信号模型:,图02.02.15晶体管h参数低频交流等效电路,请注意,h参数是一种小信号参数,也称微变参数或交流参数。h参数的大小与工作点有关,在放大区基本不变,所以h参数只适合对交流小信号的分析。其次h参数的求解都有一定的条件,四个h参数也有一定的物理意义,将在下面介绍。,晶体管低频小信号模型中的h12的数值很小,一般小于10-4,可以忽略;而1/h22则很大,一般在105以上,放大电路外围的电阻值一般在几千欧,所以也可以忽略。于是可以得到h参数简化模型,如图02.02.16所示。,图02.02.16晶体管低频小信号简化模型,2.h参数的求解,2.1晶体管交流输入电阻rbe的求解,2.1.1通过晶体管输入特性曲线求解rbe,晶体管的交流输入电阻rbe,输入特性曲线上的求解过程如下:,Q,Q,在讨论这个问题时,可借助于晶体管的物理结构示意图,见图02.02.17(图中受控源未画),晶体管内部有发射区、集电区和基区,以及两个PN结,b相当基区内的一个点,b才是基极。晶体管发射结伏安特性曲线方程式如下:,2.1.2通过发射结伏安特性方程式求解rbe,其交流电导为,常温下UT26mV,所以reQUT/IEQ=26mV/IEQ,图02.02.11物理结构示意图,在共射组态下,从基极b看进去的等效电阻为rbe,其中的电流是ib。所以rbe是两部分电阻之和,一个是rbb,另一个是re归算到基极回路的电阻值,所以有,对于小功率晶体管,rbb200300。大功率晶体管的rbb约十几欧姆至几十欧姆。,2.2晶体管电流放大系数的求解,输入信号通过耦合电容加在三极管的发射结于是有下列过程:,三极管放大作用,变化的通过转变为变化的输出电压,2.放大原理,2.动态参数的估算,3.放大电路中的电压波形,在放大电路中变化的交流信号是叠加在静态的直流信号之上的。静态时的直流信号用UBE、UCE表示;交流信号用ube、uce表示;交流直流叠加在一起用uBE、uCE表示。,1放大电路主要利用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大,一般来说输出信号的能量得到了加强。,3.1放大电路的基本概念,3.1.1放大的概念,基本放大电路一般是指由一个三极管或场效应管组成的放大电路,可以将基本放大电路看成一个双端口网络。,2输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是经过三极管的控制,使之转换成信号能量,提供给负载。,3.1.2基本放大电路的组成及工作原理3.1.2.1共射组态基本放大电路的组成,以共射组态基本放大电路为例加以说明。电路如下所示。,构成放大电路必须保证三极管处于放大状态,即发射结正偏,集电结反偏;保证输入信号可以加到三极管的输入回路,同时经三极管放大的信号,可以输送到负载上去。,基本放大电路的组成包括:1。三极管2。偏置电阻3。负载电阻4。耦合电容5。直流电源,三极管VT:放大信号,起的能量控制的作用;,偏置电路Rb1、Rb2、Re:使三极管发射结正偏,集电结反偏,保证三极管具有放大能力;,负载电阻:包括三极管的集电极负载电阻Rc,放大电路的负载电阻RL;,耦合电容C1、C2:耦合电容对放大的交流信号可视为短路,C1、Ce可保证信号加到发射结,Ce称旁路电容。C2可保证信号加到负载电阻RL上;,直流电源VCC:向基本放大电路提供工作电流,以及在三极管的控制之下向负载输送转换成的信号能量。,3.1.2.2静态和动态,静态时,放大电路的工作状态,也称直流工作状态。,放大电路建立正确的静态,是保证动态工作的前提。分析放大电路必须要正确地区分静态和动态,正确地区分直流通道和交流通道。,动态时,放大电路的工作状态,也称交流工作状态。,直流通道交流通道直流电源和耦合电容对交流相当于短路,即能通过直流的通道。从C、B、E向外看,有直流负载电阻,Rc、Re、Rb1、Rb1。,能通过交流的电路通道。如从C、B、E向外看,有等效的交流负载电阻,Rc/RL和偏置电阻Rb1、Rb2。,若直流电源内阻为零,交流电流流过直流电源时,没有压降。设C1、C2足够大,对信号而言,其上的交流压降近似为零。在交流通道中,可将直流电源和耦合电容短路。,3.1.2.3直流通道和交流通道,动画3-5,请注意,h参数是一种小信号参数,也称微变参数或交流参数。h参数的大小与工作点有关,在放大区基本不变,所以h参数只适合对交流小信号的分析。其次h参数的求解都有一定的条件,四个h参数也有一定的物理意义,将在下面介绍。,晶体管低频小信号模型中的h12的数值很小,一般小于10-4,可以忽略;而1/h22则很大,一般在105以上,放大电路外围的电阻值一般在几千欧,所以也可以忽略。于是可以得到h参数简化模型,如图02.02.16所示。,
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