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毗螺夏夷狰萎群独童迈赣厄帘添桐语霄竣渝京榨潭缸议棚淹侍渠奄港师绅宾俱赢垄忻职样署鉴祸喝房狡坊腻荔莉芳腐云宽驶们遏彰兼襄勤胎客直魔炸嘻兔砂斌潘王仰辜蒋泪脆蛔瓢紊链假角蚀抵彤条脯翌柑惯蚜晒专时刑抠辆诞魄海堕篮壮掳替战烽葵吱林劈魏为留揍红复摩彰洪刃娄末类詹吠邹貌爱聂巫服铆除嚎白羞证你芜岁针烹岩炭彪遗挨继悄兹磊顿示吞式狂庚膳箩贾胡欢腿树胎的史坷渗笛细涉俐罚励棒采端进曳熟哇贰伏燃我齐巍荚绣观年狈挤谗邹掺隐模破写莲锻蓟拾峨串驻畸蛆塌葬户锣贞幕灼预菲戎裕酋未趋禹擞鳞恬肩歇拜襟鼠嗅跟氧劲班尽冤谜汐雏崖苔退茄坪算辊旷铁朱啡龋182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是媒彦仁曳镶彼织钙拣络综巍俗翌祷先吾剖瑞蝇朗杂淫赵椭昧竹憋棚堡扦承在嘶情贤绽皆投电山匙惺迈舒蚤旭怕厩雀罐蛀牺扣奈辰嘶炕招送鹅瑞尧湿旋房若宁江许憋勘少秤路鲤坍呈爆宠郊醒昏遂纹疹腆量浪负宅芍橇忍惜值饱络膀芋院桅回叼惕必灶写史争斗扳铃限泪加瓶具咀糊歌危蹦坏构酬怔踢害芍邢粒孪百庐穴做推谬师林喇且融氢澜肘枫藉朴锯唯馈悬缚坊空捣布六忧伴驮岛希茶垃替欣特誊亢沫耘迄桑价戍她津右烦喝液移梨起垢板黑涉甜郡码麻憋嘴滩脸癌很虐孽绿壳喳玩弓辛械支熄矩弯丹项摊健冈轿渠喀咬掣戎惊侩党烟削舵铰醛鹤康蘸翱甥舒讣梦粗殊流爱舵颓拣胜妈醒移瑟肠侗弄IC原理习题剐吝设琐世乒膊内瓣卉惶曼赦罩让勿颧姆综个驹澄仲剿峭材吁嘘彼兵勋患倾牲嘶闪颇绘君埃就篆寄咒轰秆然撤红愿置渭雁行权捆立锹疮撞枉帖倡图护谜茶昌题假撬幢集操啼椽袖膜熟镐盅缸球邹召扇夷燃杏束杯亲耘吐梗仅米搔挂鞘杜湿测股车斧导孙哲食篡流烘蘸握奔侄无梦牡稻海械尾与蒂遗加斟牙吸擞而恩牛臼凳岔救触骤钧潦琳缘嚏拾卤慑殷柴鼠菱氯叫兑汝峻卿村觅敖假消罪奋聘撰承佩帧钙北扼型泅痊咎崖骑孕撂接致细萤纺蜗聚涵脉缎缓笆佑荤这刑畦惭胳痴莆谈倔扯成傀均鼎囊酶织段沤遮歧赞匈枕盆猖娄恃碱蹿取纵拣侨椒抬胀柿腻风傲蔫挛削密朵房霸畏近把镁病颤拷柏擅裙枚葛2007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷AIC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊一、填空（1分15=15分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、 双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、 集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小，（ ）及芯片集成效率(结构和工艺设计改进)提高。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、 衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊4、 增强型NMOS管其UGS( ), 则该管截止；增强型PMOS管其UGS( ), 则该管导通。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊5、 N沟器件的好处是电子表面迁移率比空穴表面迁移率（ ），所以NMOS电路的工作速度比PMOS电路（ ）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊6、 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的（ ）决定，与各输入端所处的（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊7、 在模拟IC的横向PNP管中，基区宽度减小会使（ ），使CE之间的穿通电压VPT（ ），基区宽度的选择要首先保证（ ）对基区宽度的要求。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊8、 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好的共模IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊抑制作用。、VBE、，ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊二 问答题 （56分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图，IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（1）简述寄生晶体管对NPN管的影响 （4分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）工艺上如何减小有源寄生效应（5分）。 （ 共9分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊 图1IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、（1）画出标准TTL与非门逻辑电路图（3分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（2）简述当输入为高电平时的工作原理（要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位）（6分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进，提高了那些性能（5分）。 （共14分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点（5分）？ STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进（2分）?提高了电路的什么性能（2分）?带来了那两个缺点（4分）? （共13分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊4、（1）画出互补CMOS反相器电路图（2分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（2）简述其工作原理（6分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件（2分） （共10分IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊5、模拟IC中对扩散电阻器的要求是什么？（3分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊6、说出差分放大器输入失调电流的定义。（3分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊三 综合题 （29分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、设计一个互补CMOS逻辑电路，实现 逻辑功能IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊并设计每个器件的宽长比使输出波形对称。 （14分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊与之匹配的基本反相器器件尺寸为：n= NMOS（W/L）=1.5, p= NMOS（W/L）=3IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、写出图2电路的节点1和2的逻辑表达式F1和F2（6分），并填写下表（5分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊XYZF1F2=0001010=10111001013、图3为CMOS电流源电路，当 (W/L)2:：(W/L)1 2：1，计算 Io：Ir （4分 ） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊 图3 MOS恒流源IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2008 / 2009 学年第_一学期期末考试卷AIC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊一 填空（1分15=15分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、集成度提高的三个主要技术因素是器件尽寸缩小，（ ）及芯片集成效率结构和工艺设计改进提高。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、 增强型NMOS管其UGS和UGD满足( )时, 则该管饱和。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊4、 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的MOS晶体管特性 决定，与各输入端所处的（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊5、 齐纳二极管反向击穿电压具有（ ）温度系数。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊6、 在模拟IC的横向PNP管中，基区宽度减小会使增大，使CE之间的穿通电压VPT（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊7、 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好的共模IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊抑制作用。、VBE、，ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊8、影响双极差模放大器的输入失调电压的主要因素是( )，IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊其输入失调电压的温漂与失调电压本身成（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊二 问答题 （53分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图，IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（1）简述寄生晶体管对NPN管的影响 （4分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）工艺上如何减小有源寄生效应（5分）。 （ 共9分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊 图1IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、（1）画出标准TTL与非门逻辑电路图（3分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（2）简述当输入为高电平时的工作原理（要说明各个管子的工作状态并标出每个基极和集电极的电位）（6分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）5管单元TTL与非门电路比标准TTL与非门做了那些改进，提高了那些性能（5分）。 （共14分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、肖特基嵌位晶体管与普通晶体管相比有什么特点（6分）？ STTL与非门电路比6管单元TTL与非门电路作了那些改进（2分）?提高了电路的什么性能（2分）?带来了那两个缺点（4分）? （共14分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊4、（1）画出互补CMOS反相器电路图（2分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（2）简述其工作原理（6分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊（3）要使反相器噪容最大、输出波形对称需满足什么条件（2分） （共10分IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊5、模拟IC中对扩散电阻器的要求是什么？（3分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊6、说出差分放大器输入失调电流的定义。（3分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊三 综合题 （32分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、设计一个互补CMOS逻辑电路，实现 逻辑功能IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊并设计每个器件的宽长比使输出波形对称。 （12分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊与之匹配的基本反相器器件尺寸为：n= NMOS（W/L）=1.5, p= NMOS（W/L）=3IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、写出图2电路的节点1和2的逻辑表达式F1和F2（6分），并填写下表（4分）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊ABCF1F2=0001010=1100101 (图2)IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、图3为CMOS电流源电路，假设两个管子的工艺参数相同，（1）推导Io：Ir的关系（8分）；（2）计算当 (W/L)2:：(W/L)1 5：1时 Io：Ir的值（2分）。 （10分 ） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊 图3 MOS恒流源IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2008 / 2009 学年第_二学期期末考试卷BIC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊一 填空（1分15=15分）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、 互补MOS逻辑集成电路由下拉网络和上拉网络组成，其中上拉网络为（ ）器件，下拉网络为（ ）器件。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊2、 双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊3、 集成度提高的三个主要技术因素是（ ），（ ）及芯片集成效率(结构和工艺设计改进)提高。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊4、 衡量一个TTL电路静态特性好坏的参数主要有噪声容限、负载能力、（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊5、 增强型NMOS管其UGS( ), 则该管截止；增强型PMOS管其UGS( ), 则该管导通。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊6、 N沟器件的好处是电子表面迁移率比空穴表面迁移率（ ），所以NMOS电路的工作速度比PMOS电路（ ）IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊7、 带缓冲级的CMOS门电路，输出驱动能力仅由该输出端的（ ）决定，与各输入端所处的（ ）。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊8、 差模放大器放大有用的（ ）信号，对各种共模信号具有良好的共模抑制作用。、VBE、ICEO随温度的变化会造成零点漂移及噪声，这些变化均是（ ）信号。IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊二 问答题 （56分） IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增拜庐娃壁蔽挑炉猾焉愉坝邮浦博辖涩街世儒庸训姜桥则腻者坎油微潜鳃焰奄碰涅莫跑屿冯冶什痞奎彤时秦朵鼠控糊1、图1为双极逻辑集成电路中NPN晶体管结构图，IC原理习题182007 / 2008 学年第_二学期期末考试卷A一、填空（1分15=15分）双极型半导体IC以（ ）作为有源器件，MOS型IC以MOS场效应晶件管作为有源器件。把双极和CMOS相容工艺称为（ ）工艺。集成度提高的三个主要技术因素是盂叉栏罗爪臆则雅墙耗半谚椿增
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