模拟电路1笔试题.doc

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资源描述
试卷五一 填空题(每题2分,共20分)二极管的伏安关系可近似表述为公式: 当工作频率过高时,二极管会失去单向导电特性,其原因是: 在常温下,杂质半导体的参数载流子主要由 产生,少数载流子由 产生。利用二极管的 特性可以制成稳压管。利用二极管在 偏置时的 电容效应可制成变容二极管。耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为: 当该类型FET的沟道预夹断时,与满足方才: 。当偏置于放大区的晶体管的集电结反偏电压的值增加时,基区有效宽度的变化是 ,共射直流电流放大系数的变化是 。图1所示放大器的静态=,=。当输入信号增大时,首先出现的削波失真应为 失真,若改变来消除这种失真,应使其 。 图1当频率增加到使晶体管的高频=1,频率称为晶体管的 频率。若某管=800MHZ,低频=50,则频率=50MHz时,= 。图2所示,由两支配对硅管(=0.7V)组成的电路称为 。按图中给出的数据I0= 。 图2 图3图3为一反馈放大器数学模型,该模型的中频区闭环电压增益为 分贝,闭环电压增益的高频截止频率= MHZ。某运放开环电压增益的幅频率特性为图4所示,若用该运放构成负反馈反相放大器,并且有450的相位裕量,该放大器的电压增益应为 倍。12010080604020-20 图4二 单选题(每题2分,共20分)在正偏PN结阻挡层两侧的P区和N区中,自由电子浓度n和空穴浓度p应满足关系式( )。下面各式中的ni的本征浓度。Anp=ni2 B.npni2 C.np ni2 D.n=p若图1电路出现了故障,测得各管脚电压为=3.5V,=4V,=3.3V,由此可以推断,故障的原因应该是( )。AR1开路 B.R2开路 C.RC短路 D.RL短路某放大器信号源内阻较大,希望加入负反馈的输出电流随负载变化明显减小,则应采用( )负反馈。A电压取样电流求和(并并) B电压取样电压求和(串并)C电流取样电流求和(并串) D电流取样电压求和(串串)若差动放大器一个输入端的输入电压Vi1=2mv,且共模输入电压与差模输入电压相等,则另一个端的输入电压Vi2=( )A 、6mV B 、-6mV C 、3mV D 、0mV5.若对下面四种无负反馈的基本放大器输入相同振幅的小信号则( )的非线性失真最小。A、共射放大器 B、 晶体管差动放大器 (CE差模组态) C、共源放大器 D、场效应管差动放大器 (CS差模组态)6、图5是某放大器低频段的交流通路。当开关K置于()位置时,Ar(jw)= 的低频截止频率fL最低 图5、在图放大器中,假设R1 R2 RE RC hie其值的数量级相同,1,C1=C2=CE,则该放大器电压增益函数的低频截止频率( )。A. B. C. D.8.若OTL功放是功率管的极限参数PCM=1W,BVCEO=20V,ICM=2A,则该功放电源电压VCC及最大功率输出POMAX应满足( )。A. VCC20V , POMAX5W B. VCC20V, POMAX10WC. VCC10V, POMAX5W D. VCC10V, POMAXRe,RfRc) 图13九 图14是由理想运放构成的正弦振荡器(3分)1 试解释振荡原理(3分)2 推导振荡频率和起振条件(7分) 十 图15是一种利用传输线变化器B倒相的RC分相器,即输出与辐度与输入相同,但存在相移。1是对的相移,2是对的相移。1 求12的表达式2 若的频率=30MHZ,试求使与正交,即1-2=90时的电阻取值(取C1=C2=30)1998年硕士研究生入学测试模拟电路试题参考平分标准一、 填空题:每题2分共10题总分20分1 I=IS(eV/vT-1),二极管有接点电容2 杂质电离,本征激发3 反向击穿,反向,势垒4 Id=Idss(1-UGS/VP)2,UDS=UGS-Vp5 变窄,增大6 饱和,减小7 特征,168 比例镜像恒流源,4.159 39.2,1.7510 -999 (填-1000或1000可得1分)二、 单选题:每题2分,共10题总分20分12345678910CBCADBDABC三、12.、3、计算6分:五、1消除交流附反馈(2分)2 (1分)3六、 (5分)(4分)(1分)七、1有源负载(2分) 23 (4分)或先求电流源内阻
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