通信用光器件级学习教案

会计学1通信通信(tng xn)用光器件级用光器件级第一页，共57页。分布（正态分布）210()/21EEk TNeN第第2页页/共共56页页第1页/共56页第二页，共57页。0EE1E2E3N3N2N1N 玻尔兹曼分布玻尔兹曼分布(fnb)(fnb)曲线曲线 第第3页页/共共56页页第2页/共56页第三页，共57页。(a)(a)自发辐射自发辐射(z f f sh)(z f f sh)； (b) (b)受激吸收；受激吸收； (c)(c)受激辐射受激辐射自发辐射光hf E2 E1E2(a)入射光(b)入射光(c)E1E2E1E2E1hf E2 E1E2E1E2E1hf E2 E1E2E1受激辐射光 hf E2 E1入射光 hf E2 E1第第4页页/共共56页页第3页/共56页第四页，共57页。光与物质(wzh)相互作用（续）电子在基态(j ti)和激发态之间的三种跃迁 自发辐射，产生非相干光，发光二级管的工作原理 在入射光作用下，受激吸收，光接受器件的工作原理 在入射光作用下，受激辐射 ，产生相干光，激光器的工作原理 均满足玻尔条件1212hfEE入射光作用下入射光作用下 原子数正态分布时，一般为受激吸收原子数正态分布时，一般为受激吸收 当当N2N1时，即粒子时，即粒子(lz)数反转，受激辐射大于受激吸收数反转，受激辐射大于受激吸收第第5页页/共共56页页第4页/共56页第五页，共57页。半导体能级(nngj)结构半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体相邻原子的作用造成电子能级扩展成连续分布的能带 能量低的价带,被空穴占用（束缚电子） 能量高的导带,被电子占用（自由电子） 导带底Ec与价带顶Ev的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度(kund)或带隙 Ef为费米能级，该能级被电子和空穴占用的几率相等能量价带导带EgEfEvEc()1( )1fE EkTf Ee第第6页页/共共56页页第5页/共56页第六页，共57页。半导体中载流子分布(fnb)本征半导体电子和空穴成对出现，电子在导带，空穴在价带费米能级位于禁带中央N型半导体中导带的电子增多，价带的空穴减少费米能级增大(zn d)，向导带移P型半导体中导带的电子减少，价带的空穴增加费米能级减小，向价带移在PN结界面上，载流子的梯度产生了扩散运动，从而形成内部电场内部电场产生与扩散运动相反的漂移运动，在P区和N区的费米能级相同时，达到平衡状态，此时能带发生倾斜Eg/2Eg/2EfEcEvEg导带价带能量EcEfEgEvEgEcEfEv(a)(b)(c)第第7页页/共共56页页第6页/共56页第七页，共57页。 图图 3.3 3.3PNPN结的能带和电子分布结的能带和电子分布(a) P - N(a) P - N结内载流子运动结内载流子运动(yndng)(yndng)；(b) (b) 零偏压时零偏压时P - NP - N结的结的能带图；能带图； (c) (c) 正向偏压下正向偏压下P - NP - N结能带图结能带图 势垒能量EpcP区EncEfEpvN区Env(b)hfhfEpcEpfEpvEncEnfEnv内部电场外加电场电子，空穴(c)P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 漂移(a )在P型和N型半导体组成的PN结界面上， 由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而(yn r)产生扩散运动，形成内部电场内部(nib)电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜这时在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。 第第8页页/共共56页页第7页/共56页第八页，共57页。在PN结形成一个特殊的增益区，获得了粒子数反转(fn zhun)N区电子向P区运动，形成增益区的导带多为电子P区空穴向N区运动，形成增益区的价带多为空穴在电子和空穴运动过程中，产生自发辐射光导带的电子跃迁到价带和空穴复合在在PN结上施加与内部结上施加与内部(nib)电场反向电场反向的正向电场的正向电场 能带倾斜减小，扩散增强能带倾斜减小，扩散增强hfhfEpcEpfEpvEncEnfEnv内部电场外加电场电子，空穴(c)pN第第9页页/共共56页页第8页/共56页第九页，共57页。激光(jgung)的产生激光产生的条件 -激活物质：具有合适的能级分布，可以产生合适波长的辐射光 -泵浦源使激活物质粒子数反转：半导体PN节施加正向电压获得 -入射光：激活物质的自发辐射光作为入射光 -光学谐振腔：对光的频率和 方向(fngxing)进行选择，并通过多次反馈，使得较强相干光输出反 射 镜工 作 物 质部 分 反 射 镜激 光 输 出z第第10页页/共共56页页第9页/共56页第十页，共57页。光学谐振腔：两个平行反射镜构成法布里珀罗光学谐振腔：两个平行反射镜构成法布里珀罗(F-P)谐振腔谐振腔 腔内是处于粒子数反转的激活物质腔内是处于粒子数反转的激活物质(wzh)，产生自发辐射光和受激辐射光，产生自发辐射光和受激辐射光 自发辐射的入射光沿轴线方向被反射和放大，传播方向不断改善自发辐射的入射光沿轴线方向被反射和放大，传播方向不断改善 成为相干光，激光产生了成为相干光，激光产生了腔内产生的激光的波长由激光振荡的相位条件决定，即驻波的条件腔内产生的激光的波长由激光振荡的相位条件决定，即驻波的条件称为纵模模数.3 ,2, 1,2qqnL谐振腔内存在吸收谐振腔内存在吸收(xshu)、散射和透射，建立稳定激光振荡需要阈值条件、散射和透射，建立稳定激光振荡需要阈值条件增益和损耗相当增益和损耗相当为损耗系数为阈值增益系数，ththRRL211ln21R1R22n反射镜光的振幅反射镜L(a)第第11页页/共共56页页第10页/共56页第十一页，共57页。二、半导体激光器（LD）结构(jigu)双异质结（DH）平面条形结构 三层不同类型(lixng)材料 中间一层窄带隙P型半导体，称为有源 两侧分别为宽带隙P型和N型半导体，称为限制层 前后两个晶体理解面作为反射镜构成法布里-珀罗谐振腔第第12页页/共共56页页第11页/共56页第十二页，共57页。图 3.6 DH激光器工作原理 (a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布(fnb)； (d) 光功率分布(fnb) PGa1xAlxAsPGaAsNGa1yAlyAs复合空穴异质势垒E能量(a)(b)(c)n折射率5%(d)P光电子限制层带隙较有源层宽，施加限制层带隙较有源层宽，施加(shji)(shji)正向电正向电压，易形成粒子数反转，且转换效率较高压，易形成粒子数反转，且转换效率较高 P P层的空穴和层的空穴和N N层的电子注入有源层层的电子注入有源层 P P层带隙宽，导带的能态比有源层高，层带隙宽，导带的能态比有源层高， 对注入电子形成势垒对注入电子形成势垒 N N层带隙宽，价带的能态比有源层低，对注层带隙宽，价带的能态比有源层低，对注入空穴形成势垒入空穴形成势垒 有源层的折射率比限制层高，产生的激光有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内被限制在有源区内第第13页页/共共56页页第12页/共56页第十三页，共57页。半导体激光器的发射波长和光谱(gungp)特性长波长(bchng)发射波长(bchng)决定于带隙ggEevhcE)(24. 1激光器输出满足激光振荡相位条件的一些波长的光，即为激光器的纵模激光器输出满足激光振荡相位条件的一些波长的光，即为激光器的纵模导带和价带由许多连续能级组成，有一定的带宽导带和价带由许多连续能级组成，有一定的带宽两个能带中不同能级之间的电子跃迁两个能带中不同能级之间的电子跃迁(yuqin)会产生连续波长的辐射光会产生连续波长的辐射光谐振腔的作用使得满足激光振荡相位条件的波长输出谐振腔的作用使得满足激光振荡相位条件的波长输出不同半导体材料有不同的禁带宽度不同半导体材料有不同的禁带宽度EgEg，因而有不同的发射波长，因而有不同的发射波长。镓铝砷镓铝砷 - -镓砷镓砷(GaAlAs(GaAlAsGaAs)GaAs)材料适用于材料适用于0.85 m0.85 m波段波段铟镓砷磷铟镓砷磷 - - 铟磷铟磷(InGaAsP(InGaAsPInP)InP)材料适用于材料适用于1.31.31.55 m1.55 m波段。波段。第第14页页/共共56页页第13页/共56页第十四页，共57页。 图图 3.7GaAlAs 3.7GaAlAsDHDH激光器的光谱特性激光器的光谱特性(txng)(txng) (a) (a) 直流驱动直流驱动; (b) 300 Mb/s; (b) 300 Mb/s数字调制数字调制 I（a)随着驱动直流电流的增加，纵模模数逐渐减少(jinsho)，谱线宽度变窄最终产生静态单纵模激光(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性， 随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽。 无法调制高速数字信号*用FP谐振腔可以得到的是直流驱动的静态单纵模激光器。要得到高速数字调制的动态单纵模激光器，必须改变激光器的结构，例如采用分布反馈激光器。 第第15页页/共共56页页第14页/共56页第十五页，共57页。激光器输出的光束横模分别激光器输出的光束横模分别取决于有源区的宽度和厚度取决于有源区的宽度和厚度(hud)(hud)宽度和厚度宽度和厚度(hud)(hud)足够小，足够小，多横模分布变成单横模多横模分布变成单横模图 3.8 GaAlAsDH条形(tio xn)激光器的近场图 W10 m20 m20 m30 m30 m50 m10 m近场图样0.1rad远场图样w_第第16页页/共共56页页第15页/共56页第十六页，共57页。半导体激光器的特性(txng)当电流小于阈值电流Ith时，激光器输出为自发辐射(z f f sh)光当电流大于阈值电流时，激光器输出受激辐射光光功率随驱动电流的增加而增加)(,thdthththdIIehfPPhfeIPeIIhfPP或1.转换效率转换效率d：在阈值电流之上，每对复合载流子产生：在阈值电流之上，每对复合载流子产生(chnshng)的光子数的光子数 图图 3.103.10典型半导体激光器的光功率特性典型半导体激光器的光功率特性短波长短波长AlGaAs/GaAs;AlGaAs/GaAs;长波长长波长InGaAsP/InP InGaAsP/InP 1098765432100 20 40 60 80工作电流I / mA单面输出功率P / mW3.53.02.52.01.51.00.50050100150Ith工作电流I / mA输出功率P / mW(a)(b)第第17页页/共共56页页第16页/共56页第十七页，共57页。温度升高，输出光功率下温度升高，输出光功率下降降(xijing) 激光器的阈值电流随激光器的阈值电流随温度升高而增大温度升高而增大 转换效率随着温度升转换效率随着温度升高而变小高而变小图图 3.12 P-I 3.12 P-I曲线曲线(qxin)(qxin)随温随温度的变化度的变化 22304050607080P / mW54321050100I / mA不激射2.温度温度(wnd)特性：特性：第第18页页/共共56页页第17页/共56页第十八页，共57页。2222)/(4)/(1 )0()(ffffpfP) 1(1210IIIIfthhpsp驰豫频率：-f-f和和分别称为弛豫频率和阻尼因子分别称为弛豫频率和阻尼因子-Ith-Ith和和I0I0分别为阈值电流和偏置电流分别为阈值电流和偏置电流-I-I是零增益电流是零增益电流: : 高掺杂浓度高掺杂浓度(nngd)(nngd)的的LDLD： I=0 I=0 低掺杂浓度低掺杂浓度(nngd)(nngd)的的LDLD： I=(0.7-0.8)Ith I=(0.7-0.8)Ith-sp-sp为有源区内的电子寿命为有源区内的电子寿命-ph-ph为谐振腔内的光子寿命为谐振腔内的光子寿命第第19页页/共共56页页第18页/共56页第十九页，共57页。图 3.11 半导体激光器的直接(zhji)调制频率特性 0.010.11100.1110100fr调 制 频 率 f / GHz相 对 光 功 率半导体激光器的直接半导体激光器的直接(zhji)(zhji)调调制频率特性。制频率特性。弛豫频率弛豫频率ff是调制频率的上限是调制频率的上限 一般激光器的一般激光器的ff为为1 12 GHz2 GHz 在接近在接近(jijn)f(jijn)f处：数字调制处：数字调制要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非要产生弛豫振荡，模拟调制要产生非线性失真。线性失真。 第第20页页/共共56页页第19页/共56页第二十页，共57页。分布式反馈(fnku)激光器新型激光器的要求 谱线宽度更窄 高速脉冲调制下保持单纵模特性 发射光波长稳定(wndng) 阈值电流低，输出光功率大分布式反馈(fnku)激光器第第21页页/共共56页页第20页/共56页第二十一页，共57页。衍 射 光 栅有 源 层N层P层输 出 光光 栅有 源 层ba(a)(b)分布式反馈(fnku)激光器用靠近用靠近(kojn)有源层沿长度方向折射率周期性变化的衍射光栅实现光反馈有源层沿长度方向折射率周期性变化的衍射光栅实现光反馈光栅光栅(gungshn)周期满足周期满足为衍射级数为布拉格波长，为材料有效折射率，m2BeeBnnmDFB激光器单个谐振腔长度较小，多个谐振腔存在，易设计成单纵模激光器多级谐振腔谐振使得谱线窄、波长稳定性高动态谱线好，可调制高速信号第第22页页/共共56页页第21页/共56页第二十二页，共57页。第第23页页/共共56页页第22页/共56页第二十三页，共57页。挥了重要作用第第24页页/共共56页页第23页/共56页第二十四页，共57页。 (a) 正面发光(f un)型； (b) 侧面发光(f un)型 球透镜环氧树脂P层n层有源层发光区微透镜P型限制层n型限制层有源层波导层两类发光两类发光(f un)(f un)二极管二极管(LED)(LED)：第第25页页/共共56页页第24页/共56页第二十五页，共57页。APD)第第26页页/共共56页页第25页/共56页第二十六页，共57页。第第27页页/共共56页页第26页/共56页第二十七页，共57页。为了提高耗尽层光电效应产生的电流分量，减少热运动为了提高耗尽层光电效应产生的电流分量，减少热运动(yndng)产生的扩散电流分量对光电二极管施加反向偏压，增产生的扩散电流分量对光电二极管施加反向偏压，增大耗尽层的宽度，减小中性区的宽度。大耗尽层的宽度，减小中性区的宽度。漂移运动漂移运动(yndng)比扩散运动比扩散运动(yndng)快得多，可以提高响快得多，可以提高响应速度应速度.为了提高转换效率和响应速度，设计新的光检测器为了提高转换效率和响应速度，设计新的光检测器PIN光电二极管光电二极管雪崩光电二极管（雪崩光电二极管（APD）第第28页页/共共56页页第27页/共56页第二十八页，共57页。第第29页页/共共56页页第28页/共56页第二十九页，共57页。第第30页页/共共56页页第29页/共56页第三十页，共57页。第第31页页/共共56页页第30页/共56页第三十一页，共57页。抗反射膜光电极(n)PNE电极第第32页页/共共56页页第31页/共56页第三十二页，共57页。ehfPIhfPeIpp00-入射光子数空穴对光生电子hfePIp0电流与温度有关的是热噪声的反向直流电流有关的是没有入射光时本征噪声；与有关的是量子噪声，是与为等效电阻为等效噪声温度，为暗电流，为信号电流，为放大器带宽，dPdPdPIIIIBRkTBBIIeiRT4)(22第第33页页/共共56页页第32页/共56页第三十三页，共57页。量子效率(xio l)和响应度取决于材料的特性和器件的结构。在一定条件下：器件表面(biomin)的反射率为零;P层和N层的量子效率可以忽略；I层耗尽，则PIN光电管的量子效率近似为：)(exp1其中(qzhng)：)(及w为I层的吸收系数及宽度所以：w越大，越大量子效率的光谱特性取决于半导体材料的吸收光谱()对长波长的限制由式c=hc/Eg。图3.22示出量子效率和响应度的光谱特性。第第34页页/共共56页页第33页/共56页第三十四页，共57页。1030507090GeInGaAs0.70.91.11.31.51.700.20.40.60.81.0m (W1)Si由图可见(kjin)，Si适用于0.80.9m波段，Ge和InGaAs适用于1.31.6 m波段。响应度一般为0.50.6 (A/W)第第35页页/共共56页页第34页/共56页第三十五页，共57页。噪声：是反映光电二极管特性的一个重要参数(cnsh)，它直接影响光接收机的灵敏度。光电二极管的噪声(zoshng)包括由信号电流和暗电流产生的散粒噪声(zoshng)和由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的热噪声(zoshng)。噪声(zoshng)通常用均方噪声(zoshng)电流(在1负载上消耗的噪声(zoshng)功率)来描述。 均方散粒噪声(zoshng)电流 i2sh=2e(IP+Id)B (3.22)式中，e为电子(dinz)电荷，B为放大器带宽，Ip和Id分别为信号电流和暗电流第第36页页/共共56页页第35页/共56页第三十六页，共57页。式(3.22)第一项2eIpB称为量子噪声，是由于入射光子和所形成的电子 - 空穴对都具有离散性和随机性而产生的。只要有光信号输入就有量子噪声。这是一种不可克服的本征噪声， 它决定光接收机灵敏度的极限。 式(3.22)第二项2eIdB是暗电流产生的噪声。 暗电流是器件在反偏压条件下，没有入射光时产生的反向直流电流，它包括(boku)晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流。暗电流与光电二极管的材料和结构有关，例如Si-PIN， Id100nA。 第第37页页/共共56页页第36页/共56页第三十七页，共57页。均方热噪声电流(dinli): i2T= (3.23) 式中，k=1.3810-23J/K为波尔兹曼常数，T为等效(dn xio)噪声温度，R为等效(dn xio)电阻，是负载电阻和放大器输入电阻并联的结果。 因此， 光电二极管的总均方噪声电流为RKTB4i2=2e(IP+Id)B+ RKTB4第第38页页/共共56页页第37页/共56页第三十八页，共57页。PoIIg nBonBURIUUUg1111为附加噪声指数，x222xPqBgeIixddBgeIi222第第39页页/共共56页页第38页/共56页第三十九页，共57页。第第40页页/共共56页页第39页/共56页第四十页，共57页。第第41页页/共共56页页第40页/共56页第四十一页，共57页。光纤套管插针 粘结剂第第42页页/共共56页页第41页/共56页第四十二页，共57页。第第43页页/共共56页页第42页/共56页第四十三页，共57页。图 3.28 常用(chn yn)耦合器的类型 T形(a)星 形(b)定向(c)231412N12N(d)波分第第44页页/共共56页页第43页/共56页第四十四页，共57页。第第45页页/共共56页页第44页/共56页第四十五页，共57页。 图 3.29光纤型耦合器 (a)定向(dn xin)耦合器； (b) 88星形耦合器； (c) 由12个22耦合器组成的88星形耦合器 输入光光强度光纤a光纤b 输出光2341(a)(b)123456789101112(c)光纤型耦合器结构(jigu)第第46页页/共共56页页第45页/共56页第四十六页，共57页。图 3.30 光纤型波分解(fnji)复用器原理 1、 21212耦合长度光功率ababba)(cos)()(cos)(22212121LCPLCPba第第47页页/共共56页页第46页/共56页第四十七页，共57页。otocPPCR otitePPLlg10ocictPPLlg10ricPPDIRlg10第第48页页/共共56页页第47页/共56页第四十八页，共57页。第第49页页/共共56页页第48页/共56页第四十九页，共57页。几个(j )概念：1.偏振态：在垂直于光的传播方向的平面(pngmin)内，电场可以分解为两相互垂直的偏振态的合成。分别称为水平膜和垂直膜2. 法拉第旋转(xunzhun)器：由旋光材料制成。功能：使光的偏振态沿某一方向旋转一定角度，且旋转方向与光的传播方向无关。第第50页页/共共56页页第49页/共56页第五十页，共57页。隔离器工作(gngzu)原理图 3.34 隔离器的工作(gngzu)原理 法拉弟旋转器偏振器反射光阻塞入射光偏振器SOP第第51页页/共共56页页第50页/共56页第五十一页，共57页。图 3.35 一种与输入(shr)光的偏振态无关的隔离器 光纤输出SWP半 波 片法 拉 弟 旋 转 器SWPSOP光 纤 输 入(a)光纤输出SWP半 波 片法 拉 弟 旋 转 器SWP光 纤 输 入(b)反射光第第52页页/共共56页页第51页/共56页第五十二页，共57页。 图 3.36光环行器 (a) 三端口； (b) 四端口 132(a)(b)1324第第53页页/共共56页页第52页/共56页第五十三页，共57页。第第54页页/共共56页页第53页/共56页第五十四页，共57页。20EEnn第第55页页/共共56页页第54页/共56页第五十五页，共57页。信号电压电极输出光电光晶体光波导输入光)cos(1UUUPbSU:光功率变化半个周期(zhuq)所需的外电压Us:信号电压Ub :直流偏置电压第第56页页/共共56页页第55页/共56页第五十六页，共57页。NoImage内容(nirng)总结会计学。自发辐射的入射光沿轴线方向被反射和放大，传播方向不断改善。宽度和厚度足够小，多横模分布变成单横模。光功率随驱动电流的增加而增加。及w为I层的吸收系数及宽度。i2=2e(IP+Id)B+。倍增因子：APD输出光电流和一次光电流的比值。连接器是实现光纤与光纤之间可拆卸(活动(hu dng)连接的器件。主要用于光纤线路中光纤与其他器件的活动(hu dng)连接。接头：光纤与光纤之间的固定连接。 0时，为线性电光效应或普克尔效应第五十七页，共57页。