常用电子元器件培训资料(正式版)

常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明电阻器一般符号电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于 3 个可变电阻器或可调带磁芯、铁芯的电感器电阻器滑动触点电位器带磁芯连续可调的电感器极性电容双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调绕组间有屏蔽的双绕组变电容器压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容在一个绕组上有抽头的变器。压器注：可增加同调联数微调电容器二半导体管图形符号名称与说明图形符号二极管的符号(1)(2)发光二极管光电二极管稳压二极管变容二极管三其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号具有两个电极或的压电晶体注：电极数目可增加熔断器指示灯及信号灯扬声器蜂鸣器接大地名称与说明JFET 结型场效应管(1)N 沟道(2)P 沟道PNP 型晶体三极管NPN 型晶体三极管全波桥式整流器名称与说明接机壳或底板导线的连接导线的不连接动合 ( 常开 )触点开关动断 ( 常闭 )触点开关手动开关第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一电阻器和电位器1 电阻器和电位器的型号命名方法表 1 电阻器型号命名方法第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类符号意义符意义符意义号号电阻器电位器R电阻器T碳膜1普通普通W电位器H合成膜2普通普通S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5高温Y氧化膜6第四部分：序号对主称、材料相同，仅性能指标、尺寸大小有差别，但基本不影响互换使用C沉积膜7精密I玻璃釉膜8高压P硼碳膜9特殊U硅碳膜G高功率X线绕T可调M压敏WG光敏DR热敏B温度补偿用C温度测量用P旁热式W稳压式Z正温度系数示例：(1) 精密金属膜电阻器RJ73第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器WXD3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）精密的产品，给予同特殊函数一序号；若性能特殊指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后微调面用大写字母作为区别代号。多圈2电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏， 或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表 2 所示。表 2电阻器的功率等级名称额定功率（ W ）实芯电阻器0.250.5125线绕电阻器0.5126101525355075100150薄膜电阻器0.0250.050.1250.250.5125102550100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3 所示。 E24、 E12 和 E6 系列也适用于电位器和电容器。表 3标称值系列标称值系列精度电阻器（）、电位器（）、电容器标称值（ PF）E245%1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.1E1210%1.01.21.51.82.22.73.33.94.75.66.88.2E620%1.01.52.23.34.76.88.2表中数值再乘以10n，其中 n 为正整数或负整数。(3) 允许误差等级表 4电阻的精度等级允许误差 (%)0.0010.0020.0050.010.020.050.1等级符号EXYHUWB允许误差 (%)0.20.51251020等级符号CDFGJ（I）K（ II）M（III ）3电阻器的标志内容及方法(1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5 所示。如1R5 表示 1.5 ， 2K7表示 2.7k ，表文字符号RKMGT表示单位欧姆( )千欧姆 (103 )兆欧姆 (106) 千兆欧姆 (109 )兆兆欧姆 (1012)例如：RJ71 0.1255k1 II允许误差10%标称阻值 (5.1k )额定功率 1/8W型号由标号可知， 它是精密金属膜电阻器，额定功率为 1/8W ，标称阻值为5.1k ，允许误差为 10%。(2) 色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图 1和图 2所示。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0 的个数允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑00100棕11101红22102橙33103黄44104绿55105蓝66106紫77107灰88108 20% +50%白99109金10 15%银10 210%无色20%图 1两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为20%）。例如，色环为棕黑红，表示 10102 1.0k20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15 103 15k5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示 275 104 2.75M1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.52）倍。较有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后0 的个数允许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差黑000100棕1111011%红2221022%橙333103黄444104绿5551050.5%蓝6661060.25紫7771070.1%灰888108白999109金10 1银10 2图 2三位有效数字阻值的色环表示法4电位器的主要技术指标(1)额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。(2)标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。(3)允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许20%、 10%、 5%、 2%、 1%的误差。精密电位器的精度可达0.1%。(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。5电位器的一般标志方法WT 23.3k10%允许误差10%标称阻值3.3k额定功率2W碳膜电位器WX1510J允许误差5%标称阻值510额定功率1W线绕电位器二电容器1电容器型号命名法表6电容器型号命名法第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征、分类第四部分：序号符号意符意义符意义义号号瓷介云母玻璃电解其他电C瓷介1圆片非密封箔式非密封容Y云母2管形非密封箔式非密封器I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N 铌G 合金T 钛E其他对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同，但基本不影响互使用的产品，给予同一序号；若尺寸性能指标的差别明显；影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。示例：(1) 铝电解电容器CD11第四部分：序号第三部分：特征分类（箔式）第二部分：材料（铝）第一部分：主称（电容器）(2) 圆片形瓷介电容器CC11第四部分：序号第三部分：特征分类（圆片）第二部分：材料（瓷介质）第一部分：主称（电容器）(3)纸介金属膜电容器CZJX第四部分：序号第三部分：特征分类（金属膜）第二部分：材料（纸介）第一部分：主称（电容器）2电容器的主要技术指标(1) 电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V ，10V ，16V ，25V ，40V ， 63V ，100V ， 160V ， 250V ， 400V 。(2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7 所示。表 7容许误差2%5%10%20%+20%+50%+100%-30%-20%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI(3) 标称电容量：表 8 固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许误差5%（ I）或（J）10% （ II ）或（K ）20%（ III ）或（ m）标称容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,10,12,15,18,22,27,310,15,22,23,47,68对应值33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,903,39,47,56,68,82注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10n ，其中 n 为正整数或负整数，单位为 pF。3电容器的标志方法(1) 直标法容量单位： F（法拉）、F（微法）、nF（纳法）、 pF（皮法或微微法） 。612361 法拉=10 微法=10微微法，1 微法 =10 纳法 =10 微微法1 纳法 = 103 微微法例如： 4n7表示 4.7nF 或 4700pF，0.22表示 0.22 F， 51表示 51pF。有时用大于 1 的两位以上的数字表示单位为pF 的电容，例如101 表示 100pF；用小于1 的数字表示单位为F 的电容，例如 0.1 表示 0.1F。(2) 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率。 即乘以 10i，i为第三位数字， 若第三位数字-139，则乘 10。如 223J代表 22 10 pF22000pF 0.22 F，允许误差为 5%；又如 479K代表 4710-1 pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。（ 3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。三电感器1电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、 色码电感器等。 变压器、 阻流圈、 振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。2 电感器的主要技术指标(1) 电感量 :在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L 表示，简称为电感。即：LI式中：磁通量I电流强度(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。(3) 品质因数：电感线圈的品质因数定义为：LQR式中：工作角频率，L 线圈电感量，R线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2电感器电感量的标志方法(1) 直标法。单位 H（亨利）、 mH （毫亨）、 H（微亨）、(2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。(3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为H，第四种颜色是误差位。四半导体分立器件1半导体分立器件的命名方法（ 1） 我国半导体分立器件的命名法表 9 国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型符意义符意义符意义符号号号号2二极管AN 型，锗材料P普通管D3三极管BP 型，锗材料V微波管ACN 型，硅材料W稳压管TDP 型，硅材料C参量管YAPNP 型，锗材料Z整流管BBNPN 型，锗材料L整流堆JCPNP 型，硅材料S隧道管CSDNPN 型，硅材料N阻尼管BTE化合物材料U光电器件FHK开关管PINX低频小功率管JGG（ f3MHz,PC1W ）高频小功率管（ f3MHzPC1W ）第四部分第五部分用数字用汉语拼表示器件音表示规意义序号格的区别代号低频大功率管（ f 3MHz,PC 1W)高频大功率管（ f3MHzPC 1W）半导体闸流管(可控硅整流器 )体效应器件雪崩管阶跃恢复管场效应器件半导体特殊器件复合管PIN 型管激光器件例：1) 锗材料 PNP 型低频大功率三极管：2) 硅材料 NPN 型高频小功率三极管：3AD50C3DG201B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP 型、锗材料PNP 型、锗材料三极管三极管3) N 型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：2CW51BT33E序号规格号稳压管耗散功率N 型、硅材料三个电极二极管特种管半导体（ 2）国际电子联合会半导体器件命名法表 10 国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分用字母表示使用字母表示类型及主要特性用的材料符号意义符号意义符号意义A锗材料A检波、开关和M封闭磁路中的混频二极管霍尔元件B变容二极管P光敏元件B硅材料C低频小功率三Q发光器件极管D低频大功率三R小功率可控硅极管C砷化镓E隧道二极管S小功率开关管F高频小功率三T大功率可控硅极管D锑化铟G复合器件U大功率开关管及其它器件H磁敏二极管X倍增二极管R复合材K开放磁路中的Y整流二极管料霍尔元件L高频大功率三Z稳压二极管即极管齐纳二极管第三部分用数字或字母加数字表示登记号符号意义三通用半位导体器件数的登记序字号（同一类型器件使用同一登记号）一专用半个导体器件字的登记序母号（同一加类型器件两使用同一位登记号）数字第四部分用字母对同一型号者分档符号意义AB 同 一C 型 号 器D 件 按 某E 一 参 数进 行 分档 的 标志示例（命名）：AF239SAF239 型某一参数的S 档普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是 A ， B， C，D 或 R 的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。2) 第一个字母表示材料（A 表示锗管， B 表示硅管），但不表示极性（NPN 型或 PNP型）。3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C 表示低频小功率管，D 表示低频大功率管， F 表示高频小功率管， L 表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如， BL49 型，一见便知是硅大功率专用三极管。4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如， AC184 为 PNP 型，而 AC185 则为 NPN型。5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE 或 N F）进行分档。6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN 或 PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11 所示。表 11美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分用符号表示用途的类型符号意义JAN军用品或 J无非军用品例：第二部分用数字表示PN 结的数目符号意义1 二极管2 三极管3 三个 PN结器件n n 个 PN结器件第三部分第四部分美国电子工业协会美国电子工业协会(EIA) 注册标志(EIA) 登记顺序号符号意义符号意义N该器件多已在美国位该器件在电子工业数美国电子工协会注册字业协会登记登记的顺序号第五部分用字母表示器件分档符号意义AB 同 一C 型 号 的D 不 同 档别1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N29041N4001EIA 登记序号EIA 登记序号EIA 注册标志EIA 注册标志三极管二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N 开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。3) 除去前缀以外，凡型号以 1N 、 2N 或 3N 开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464 为硅 NPN，高频大功率管，而2N3465 为 N 沟道场效应管。5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。6) 登记序号数大的通常是近期产品。(4) 日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准（ JIS）规定的命名法（JIS C 702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号及意义如表 12 所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：M 松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。N 松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK ）有关标准的登记产品。Z 松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H 日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K 日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T 日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。G东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，Y 等字母；日立公司常用A ， B， C， D 等字母，作为直流放大系数 hFE 的分档标志。表 12 日本半导体器件型号命名法第一部分用数字表示类型或有效电极数符意义号0 光电 (即光敏 ) 二极管、晶体管及其组合管1 二极管2 三极管、具有两个以上 PN 结的其他晶体管3 具有四个有效电极或具有三个 PN 结的晶体管n-具有 n 个有效1 电极或具有n-1 个 PN 结的晶体管第二部分S 表示日本电子工业协会（ EIAJ ）的注册产品符意义号S 表示已在日本电子工业协会 (EIAJ) 注册登记的半导体分立器件第三部分用字母表示器件的极性及类型符意义号A PNP 型高频管B PNP 型低频管C NPN 型高频管D NPN 型低频管 F P 控制极可控硅G N 控制极可控硅H N 基极单结晶体管 J P 沟道场效应管K N 沟道场效应管M 双向可控硅第四部分第五部分用数字表示在日用字母表示本电子工业协会对原来型号登记的顺序号的改进产品符意义符意义号号四从11开A用字母位始，表示在B表示对原以日本电子工C来型号的上业协会注册D改进产品E的登记的顺序F数号，不同公字司性能相同的器件可以使用同一顺序号，其数字越大越是近期产品示例：1） 2SC502A （日本收音机中常用的中频放大管）2SC502A2SC502 型的改进产品日本电子工业协会登记顺序号NPN 型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN 结）2） 2SA495 （日本夏普公司GF 9494 收录机用小功率管）2SA495日本电子工业协会登记顺序号PNP 高频管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN 结）日本半导体器件型号命名法有如下特点：1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“管，用“ 2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。1”表示二极2) 第二部分均为字母 S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。3) 第三部分表示极性和类型。例如用 A 表示 PNP 型高频管，用 J 表示 P 沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680 型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681 的最大额定耗散功率为100W 。但是， 登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S 省略。例如， 2SD764 ，简化为 D764 ， 2SC502A 简化为 C502A 。7)在低频管（ 2SB 和 2SD 型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355 的特征频率 f T 为 100MHz ，所以，它们也可当高频管用。8) 日本通常把 Pcm 1W 的管子，称做大功率管。2常用半导体二极管的主要参数表 13部分半导体二极管的参数类参最 大正 向正 向 压反向最 高 反反向零 偏反向恢复型数整 流电 流降 (在左击穿向 工 作电流压 电时间 /ns型电 流/mA栏 电 流电压电压 /V/A容号/mA值下 )/V/V/pF普通2AP9162.5140202501fH(MHz)1检波2AP7515010050二极2AP1125101102501fH(MHz)4管2AP1715101000锗2AK1150130103200开2AK24020关2AK52000.960402150二2AK1010170502150极2AK132500.76040管2AK147050硅2CK70AE100.8A30A 201.532CK71AE20B 45B 304开2CK72AE30C 60C 4015关2CK73AE501D 75D 50二2CK74AD100E 90E 60极2CK75AD150管2CK76AD200参最大正向正向压反向最高反反向零偏反向恢复时类数整 流电 流降 (在左击穿向 工 作电流压 电间 /ns型型电 流/mA栏 电 流电压电压 /V/A容号/mA值下 )/V/V/pF整2CZ52B20.1125同 2AP 普通二极流H600管二2CZ53B60.3150极M1000管2CZ54B100.5150M10002CZ55B201150M10002CZ56B6530.825B10001N40013011.1505400710001N5391501.51.45010539910001N540020031.25010540810003.常用整流桥的主要参数表 14几种单相桥式整流器的参数参数不重复正向整流正 向 电反 向 漏反向工作电压 /V最高工作型号浪涌电流 /A电流 /A压降 /V电/ A结温 /o CQL110.051.210常见的分档为：25 ，130QL220.150， 100，200，400，QL460.3500，600，700， 800，QL5100.5900，1000QL6201QL740215QL86034.常用稳压二极管的主要参数表 15部分稳压二极管的主要参数测试条件工作电流为稳定电环境温度稳定电稳定电流下环境温度参稳定电流压下50oC流下 10oC型数稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散号/V流/mA电流 /mA流阻 /数/10-4/oC功率 /W2CW512.53.51071560-90.252CW523.24.555270-82CW5345.841150-642CW545.56.5380.530-352CW5678.8271572CW578.59.8262082CW591011.85203092CW6011.512.5194092CW10345.850165120-6412CW11011.512.520760.52092CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.51030100.050.25.常用半导体三极管的主要参数(1) 3AX51(3AX31) 型 PNP 型锗低频小功率三极管表 16 3AX51(3AX31) 型半导体三极管的参数原型 号3AX31新型 号3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D极PCM (mW)100100100100限ICM (mA)100100100100参TjM ( oC)75757575数BV CBO(V)30303030BV CEO(V)12121824直ICBO(A)12121212流ICEO(A)500500300300参IEBO(A)12121212数hFE4015040150301002570交f (kHz)500500500500流NF(dB)8参hie(k)0.64.50.64.50.64.50.64.5数hre(10)2.22.22.22.2hoe(s)80808080hfehFE 色标分档(红 )2560；(绿)50100；(蓝)90150B测试条件Ta 25oCI C1mAI C1mAV CB-10VVCE-6VVEB-6VV CE -1VI C50mAV CB -6VI E 1mAV CB -2VI E0.5mAf 1kHzVCB -6VI E 1mAf 1kHz管脚EC（ 2） 3AX81 型 PNP 型锗低频小功率三极管表 17 3AX81 型 PNP 型锗低频小功率三极管的参数极限参数直流参数交流参数型号3AX81A3AX81B测试条件PCM (mW)200200ICM (mA)200200TjM (oC)7575I C4mABV CBO(V)-20-30BV CEO(V)-10-15I C4mABV EBO(V)-7-10I E4mAICBO (A)3015V CB-6VICEO(A)1000700V CE-6VIEBO(A)3015V EB-6VV BES(V)0.60.6V CE-1VI C175mAV CES(V)0.650.65V CEV BEVCB0I C200mAhFE4027040270V CE-1VI C175mAf (kHz)68V CB -6VI E 10mAhFE 色标分档(黄)4055 (绿 )5580 ( 蓝)80120 (紫 )120180 (灰 )180270 (白)270400B管 脚EC（ 3） 3BX31型 号极限PCM (mW)参数I CM (mA)TjM (oC)BV CBO(V)BV CEO(V)BV EBO (V)直流I CBO(A)参数I CEO(A)I EBO(A)V BES(V)V CES(V)hFE交流f (kHz)参数型 NPN 型锗低频小功率三极管表 18 3BX31 型 NPN 型锗低频小功率三极管的参数3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件125125125125Ta=25oC12512512512575757575I C 1mA-15-20-30-40-6-12-18-24I C 2mA-6-10-10-10I E 1mA2520126V CB 6V1000800600400V CE 6V2520126V EB 6V0.60.60.60.6V CE 6VI C100mA0.650.650.650.65V CEVBEV CB0I C 125mA80400401804018040180V CE 1VI C100mA8f 465VCB-6VIE10mAhFE 色标分档(黄 )4055 (绿)5580 ( 蓝 )80120 (紫)120180 ( 灰)180270 (白 )270