三项逆变器驱动电路简单研究

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,优点：,1PMSM起动牵引力大,2PMSM本身的功率效率高以及功率因素高；,3PMSM直驱系统掌握性能好；,4PMSM发热小，因此电机冷却系统构造简洁、体积小、噪声小；,5PMSM允许的过载电流大，牢靠性显著提高；,6在高速范围中电机噪声明显降低；,7系统传动损耗明显降低，系统发热量小；,8系统承受全封闭构造，无传动齿轮磨损、无传动齿轮噪声，免润滑油、免维护；,9整个传动系统重量轻，簧下重量也比传统的轮轴传动的轻，单位重量的功率大；,10由于电机承受了永磁体，省去了线圈励磁，理论可节能10%以上；,11由于没有齿轮箱，可对装向架系统随便设计：如柔式装向架、单轴转向架，使列车动力性能大大提高。,沟通电输入及滤波,变压器,沟通电压采样,沟通电流采集,整流桥及,PFC,电路,IPM,模块,电机电流采集,主控芯片,返回,电路图,AC_IN_L,AC_Cin,电源,热敏电阻,压敏电阻,放电管,热敏电阻,作用：电路后有大电容，当电路接通时使得其相当于短路，会产生极大的电流。此时热敏电阻阻值增大缓冲电流，当电容正常工作后继电器向下导通，即短掉热敏电阻,压敏电阻,相当于一个可变电阻和电容并联（如上），电容两侧电压不能突变，所以可以有效抑制干路的电压突变。它的接入也是行业标准,放电管,：当电压过高时，相当与短路,滤波电容和电感：滤掉高频干扰,单端反激式,变压器,瞬态抑制二极管使两极间的电压箝位于一个预定值，爱护线路器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。,CE7,L5,滤波防止输出脉动过大,周密可调基准电源及阻容网络,荣国R83 R84得到采样电压，与其自身的2.5V基准电压比较。假设输出电压分压高于基准电压时，其阴极电位下降，作用于光耦，光耦副边电流增大,当内部电阻R2接收到检测电流Is及反响电流IFB后,2上的电压与内部0.23V的电压基准进展比较。高出时,过流比较器会输出一个停顿工作信号给RS触发器以关断MOS管,相反，当VIPer22A的反响掌握脚失馈时,即:IFB为0时,VIPer22A将满负荷工作。,CE5充电以在需要时供给反响电流,总结：从而比较器输出端的PWM信号对MOS管的开关掌握实现对输出的稳定掌握,P,点,整流桥+PFC电路,返回,什么是PFC,PFC的英文全称为“Power Factor Correction”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与耗电总功率之间的关系，也就是有效功率除以耗电总功率的比值。根本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因素值越大，代表其电力利用率越高。,因此PFC电路作用就是“提高功率因数”,有功功率、无功功率、总功率、功率因数,举例：,总功率：电机供电电路中电流和电压乘积,有功功率：电机的机械输出功率,无功功率：电机为建立交变磁场和感应磁通而需要的电功率就称为无功功率,功率因数：有功功率/总功率,明显电机的功率因数小于1，而类似于电熨斗的纯阻性发热设备功率因数为1,缘由,感性电路和容性电路中电流不能突变和电压不能突变，电压相位和电流的相位会有不同,如电路中的电压为零的时候，电流可能不为零，此时的电流可能会倒灌如电网，使电网产生额外的开销的同时也会对其造成损害。,PFC驱动电路,整流桥,IGBT,掌握IGBT的推挽输出 一对三极管,接入电感,储能大电容，给后面的负载提供电能，电感为其充电,二极管前后电压波形,注释：谐波在实际的供电系统中，由于有非线性负荷的存在，当电流流过与所加电压不呈线性关系的负荷时，就形成非正弦电流。任何周期性波形均可分解为一个基频正弦波加上很多谐波频率的正弦波。谐波频率是基频的整倍数，例如基频为50Hz，二次谐波为100Hz，三次谐波则为150Hz。,危害增加了发、输、供和用电设备的附加损耗，使设备过热，降低设备的效率和利用率。,PWM,脉宽调制信号输入,错误输出,由于电容两侧电压不能突变和电感两侧电流不能突变的作用,IGBT,突然开和关可以抬高,P,点电压以应电机需要；由于,D4,二极管单向导通，电流波形如左图（尖峰式），会产生对系统有害的谐波。通过对,IGBT,复杂,PWM,的控制把其变成与前面类似的正弦波。即完成功率因数校正,电流电压不同步了,采样电流错误检测,沟通电压采集,220V,分压电阻,防止电压过高,通过集成运算放大器的虚短虚断计算，假设没有下面的3.3V和GND的并联，ACVin为-1.6+1.6的正弦波，由于后面接了芯片的AD采集，而其只能采集0+3.3的范围，所以用接点处的+1.6V给其抬高至03.2V左右,电流采集,接到整流桥的负端,采到的是整个直流回路的电流,虽然采的是电流，但同样利用运放的虚短虚断原理计算出,AC-C,点电压,=,负,8.2,倍的,AC-Cin,的电压，然后通过芯片采集的,AC-C,电压来反推出,AC-Cin,电流即可,限压二极管防止烧坏芯片,逆变器,整流后的直流电,6路掌握信号,错误输出,过流爱护输入,驱动电机的三项沟通电,三项沟通电的负端,IPM,：智能功率模块，把功率开关器件和驱动电路集成在一起。内部有过压，过流和过热等故障检测电路,其中一个过流爱护电路,三项输出电流采集：,计算方法同前，通过运放把采来的电压放大接入,AD,采集，再反推出采集电流,驱动电源的正负端子,其内部可以等效成如下,IGBT的掌握,1.当Sa+导通,Sa-关闭时，ia正向导通,2.当Sa-导通,Sa+关闭时，ia负向导通,续流二极管,1.,不能让,Sa+,和,同时切换，电流突然变向伤电机,2.,当,Sa+,关闭，,Sa-,依然关闭时，电流依然可以通过续流二极管继续正向流通,3.,浪涌,续流二极管：,以一个臂为例,通过六个,IGBT,的开关控制，可以输出极值为,+-VBB,三项交流电，以此驱动电机产生与正弦三项交流电相同的效果，从而调控转速,（如右示意图）,IPM模块内部构造,吸取电路用以掌握关断浪涌电压和续流二极管恢复浪涌电压；,压敏电阻同样起到稳定电压，吸取浪涌作用；,低感电容跨接在沟通电输出和VCC之间；,二极管箝住瞬变电压爱护电路，防止过压。,UV欠压爱护检测,错误爱护，内部三个爱护模块，任意一个发出错误信号，场效应管漏极源极导通，FO输出低电平错误信号，同时Shoot Through Prevention得到信号关闭IGBT以爱护,温度爱护,过流爱护爱护,贯穿预防：避开了两个栅极信号状态的同时贯穿翻开IGBT,THE END,BY liguangxu,关于浪涌,a.关断浪涌,关断浪涌电压是在关断瞬间流过IGBT 的电流时产生的瞬态高压。,当该IGBT 关断时，负载电流不能马上变化，由上臂续流二极管导通。由于负载中电感的存在，其增加的电压 VP=LPdi/dt,这个电压与电源电源电压叠加并以浪涌形式加在下臂IGBT 的两端，在极端状况下可能造成IGBT损坏。,b.续流二极管的恢复浪涌,当续流二极管恢复时会产生与关断浪涌电压相像的浪涌电压。当下臂 IGBT 开通时，续流管电流转移到下臂 IGBT 而下降。而当恢复时，线路中的寄生电感产生一个浪涌电压LPdi/dt.,返回,电流导通：直流电压直接作用于变压器源边，源边储存能量；断开：复变产生相反电压电流不能突变，此时整流二极管导通，能量通过电磁作用耦合到副边，产生正向电压,注释页,1,IGBT 导通后的管压降与所加栅源电压有关,在漏源电流肯定的状况下,u GS越高,uDS就越低,器件的导通损耗就越小。但是,u GS并非越高越好,一般不允许超过20V,一旦发生过流或短路,栅压越高,则电流幅值越高,IGBT 损坏的可能性就越大。通常,综合考虑取+15V 为宜。,所以电路中用NPN PNP对管的推挽输出来实现栅极的+15V和0V的驱动转换。同时，栅极R38的接入保证输入信号消逝时栅极电压为0,注释页,2,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),，绝缘栅双极型晶体管，是由,BJT(,双极型三极管,),和,MOS(,绝缘栅型场效应管,),组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。,返回,栅极电阻Rg的作用：1、消退栅极振荡 绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射或栅源极之间是容性构造，栅极回路的寄生电感又是不行避开的，假设没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动脉冲的鼓励下要产生很强的振荡，因此必需串联一个电阻加以快速衰减。,2、转移驱动器的功率损耗 电容电感都是无功元件，假设没有栅极电阻，驱动功率就将绝大局部消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多,注释页,3,返回,IGBT 与强电网有直接电联系,因此,驱动器掌握电路具有电隔离力量可以保证设备的正常工作,同时又可安全调试，但不应影响驱动信号的正常传输。PWM通过驱动芯片IR2127的隔离，使得输出段HO使信号变为015V。对管和驱动芯片也保证了IGBT消失损坏引起的大电流不会影响到前面的电路,驱动电阻Rg的选取 IGBT 的开关时间是由驱动器对IGBT 的输入电容的充放电来掌握,增加门极输出电流,IGBT 开通时间和关断时间会相应缩短,开关损耗也会降低,Rg主要是用来限制门极输出的降值电流,Rg可由下式确定:Rg=U/Ipeak，(Ipeak=(Vbat-Vceon)/Rcoil一般可以在驱动器数据文档中找到。),可如下选取：IGBT额定电流(A)分别：50 100 200 300,Rg阻值范围()分别：1020 5.610 3.97.5 35.6,本作中IGBT所用的GW20NC60VD确定最大额定Ic 为,3010060A 25,注释页,4,返回,3、为提高开关频率,Rg 取值应当,尽量小。但假设Rg 取值过小,会导致栅、射极之间的充放电时间常数小,开通瞬间电流较大,从而损坏IGBT;假设Rg 取值过大,虽然在抑制dv/dt方面很有效果,但增,加了IGBT的开关时间和开关损耗,严峻影响IGBT的性能和工作状态。因此必需统筹兼顾。,