液晶滴下式注入(ODF)介绍课件

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,單位,:2LCD,工程一部,報告者,:,林吉宏,液晶滴下式注入,(ODF),介紹,VLA-7000C,單位:2LCD 工程一部液晶滴下式注入(ODF)介紹VLA,報告內容大綱,*,裝置構成及各部機構介紹,*製程主要參數,*,ODF,製程相關不良,報告內容大綱*裝置構成及各部機構介紹,加壓,&,注入口封口,Alignment,&Pressure,VAC.,液晶注入,CF/TFT,基板對組後,利用液晶通過注入,口之方式注入,現有方式,大氣壓放置,&UV,照射,VAC.Chamber,Alignment,&Pressure,LC Drop,CF/TFT,基板對組前,利用液晶,Drop,方式,注入,Panel,內,LDF,方式,ODF,注入方式介紹,加壓&注入口封口 Alignment&Pressure,真空貼合部,UV,照射部,控制台,LC DP,部,基板搬送部,(2,枚搬送,),Loader,部,Power,supply,大氣,Alignment,部,Unloader,部,VAC Pump,UV,Power,supply,UV Blower,IN,OUT,裝置構成,(VLA-7000C),LC,滴下部,對位,/,組立部,框膠硬化部,真空貼合部UV照射部 控制台,LC,滴下部,:Dispenser,Dispenser,構成,:,Dispenser,作,動程序,:,Dispenser Layout:,Supply Valve,Limit Valve,Plunger,Syringe,LC bottle,Nozzle,Filter,Supply Valve Open,Plunger,上升至原點,(,補充,LC),Supply Valve Off,Limit Valve Open,Plunger,步進下降,(LC,滴下,),Plunger,下降至,LC,滴完位置,Limit Valve Off,LC 滴下部:DispenserDispenser 構成:D,Dispenser,精度及,LC,比抵抗維護,精,度,:,LC,比抵抗,:,*,液,晶移載方式,*,Dispenser,存放環境,*,P,arts,清潔組立程序,*,LC,脫泡程序,*,Dispenser,脫泡程序,*精度確認,(0.5%),Dispenser精度及LC比抵抗維護精度:LC比抵抗:*液,LC,滴下,Pattern,及,Seal Pattern,Seal Pattern:,LC Pattern:,Pattern,設計重點,:,1.,頭尾結合點位置點,2.Main seal to BM,距離,3.Dummy to main seal,距離,LC pattern,設計重點,:,1.,滴下點至,main seal,距離,(25-30mm),2.,滴下點間間距,:(30-40 mm),3.,滴下點大小,:(80-100 Pulse),LC滴下Pattern 及Seal PatternSeal,LC,滴下,MARGIN,The following examinations are performed for bubbles and the gap Mura checked.,Autoclave,High temp test,Low temp test,Low Atm.test,LC,quantity vs cell gap,3.700,3.800,3.900,4.000,4.100,4.200,4.300,420,430,440,450,460,470,480,490,500,LC quantity(mg),cell gap(,m,）,bubble,gap mura,margin,LIGHT ON,GAP MURA,RA,GAP MURA,CELL,GAP,4.2 um,RA,Bubble,cell gap,3.85um,visible,bubble,LC滴下MARGIN The following exam,對位組立部機構,:,CF,TFT,靜電,chuck,M,LOAD CELL,C,C,真空,CHAMBER,加壓機構,對位組立部機構:CF靜電chuckMLOAD CELLCC真,ESC,靜電吸著板構造,A,電極,B,電,極,TOP VIEW,ESC 靜電吸著板構造A電極B電極TOP VIEW,對位組立程序說明,:,Chamber,上,蓋下降,ESC ON-,同壓配管,ON,CHAMBER,抽真空,真空度,1 pa,時,-,上,ESC,下降執行粗對位,真空度,0.8 pa,時,-,上,ESC,下降至微對位置,執行微對位,加壓力,對位完成,-,最終加壓力,脫離除電,-,真空開放,(N2 Purge),大氣加壓保持,Chamber,上蓋上升,UV seal,硬化製程,對位組立程序說明:Chamber上蓋下降ESC ON-同壓,對位組立製程主參數及設備,ISSUE:,*,壓合,STEP,/,壓合壓力,*靜電,ESC,施加電壓值,*電壓,Type(A-/B),及電壓施加時機,*,Chamber,真空度,*,ESC,靜電消除,電壓值及電壓施加時機,.,製程主參數,:,設備,Main Issue:,*Chamber,真空度維護,*上下,ESC Stage,平面度及平行度維護,*,ESC Maintenance,*,製程,Tact time,對位組立製程主參數及設備ISSUE:*壓合STEP/壓合壓,UV,照射部構造,基板,DUV cut filter,IR cut filter,Mirror,UV Lamp,UV照射部構造基板DUV cut filterIR cut,*UV,波長,cut(300 nm,以下,cut).,*UV,照射強度,(80160mw/cm2).,*UV,照射能量,(SEAL,種類,:,協立,三井,).,*UV,照射照度,/,照射時間,(,段階,積算光量,),*UV,照射均勻性,(20%,以下,).,UV,照射部相關參數,:,*UV波長cut(300 nm以下cut).UV照射部相關參,ODF,製程相關不良,(1):,靜電,chuck,平行度,:SPEC 15 um,chamber,真空度,Seal,斷膠,/,貫通,/,局細,/,剝離等異常,Bubble:,Air Bubble:,Vacuum Bubble:,液晶滴下量不足,PS,高度異常,Dispenser,精度,ODF 製程相關不良(1):靜電chuck平行度:SPEC,ODF,製程相關不良,(2):,Gravity Mura:,LC Dispenser,精度管理,:0.5%,LC quantity V.S.PS height,PS Density,ODF,相關,seal defect:,Seal in BM:,結合點,塗佈,Shift,膠寬過大,Main seal,異物壓寬,:ESC,上異物,LC,貫穿,:,滴下點至,main seal,距離,ESC,平坦度,/,平行度,空氣貫穿,:,斷膠,框膠局細,UV,硬化前置時間過長,Seal,剝離,:,ESC,靜電殘留,真空壓殘留,ODF 製程相關不良(2):Gravity Mura:LC,ODF,製程相關不良,(3):,ESC,除電不完全,:,除電時間,同壓配管閥動作不良,:,同壓配管內殘壓影響對位完成基板,基板,PURGE,壓力高,or,流量大,:PURGE,壓力,流量調整,對位,SOFT,不良,:,對位完成後再補正,ESC,和基板吸著力不足,:ESC,電壓,/STAGE,平行度,UV,照射前基板移載不良,Mis-assembly:,ODF 製程相關不良(3):ESC除電不完全:除電時間Mis,ODF,製程相關不良,(4):,Ring Mura:,.,上下,ESC,內異物,.UV Stage,內異物,.AL/UV,部頂,Pin,壓傷,.PS density,ODF 製程相關不良(4):Ring Mura:.上下ES,ODF,製程相關不良,(5):,.,上下,ESC Chuck,值,.,電壓施加方式,.ESC Chuck,吸附時間及時機,.Oven keep time,Chuck Mura:,ODF 製程相關不良(5):.上下 ESC Chuck 值C,谢谢观看！,2020,谢谢观看！,