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你的标题,在此键入你的内容,一级标题,二级标题,三级标题,四级标题,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,姓名:,学号:,只读存储器,ROM,1,重点:用,ROM,实现组合逻辑函数,难点:用,ROM,实现组合逻辑函数的阵列图画法,教学重点与难点,2,了解二极管、晶体管,ROM,的基本结构和存储单元结构;会用,ROM,实现组合逻辑函数。,教学要求,3,1,概述,半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。,按存储功能分,只读存储器(,ROM,),随机存储器(,RAM,),按制造工艺分,双极性,MOS,型,4,2,只读存储器(,ROM,),优点,:,电路结构简单,断电后数据不丢失,具有非易失性。,缺点,:,只适用于存储固定数据的场合。,Read Only Memory,电路结构,5,只读存储器分类:,掩膜,ROM,:,出厂后内部存储的数据不能改动,,只 能读出,。,6,PROM:,PROM指的是“,可编程,只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。这样的产品,只写入一次,,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。,7,EPROM:,EPROM:“可擦写可编程只读存储器”,即Erasable Programmable Read-Only Memory。它的特点是具有可擦除功能,,用紫外线擦除,擦除和编程时间较慢,次数也不宜多。,8,EEPROM:,EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”,即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。,电信号擦除,擦除和写入时需要加高电压脉冲,擦、写时间仍较长。,9,快闪存储器(Flash Memory):,吸收了EPROM结构简单,编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。,10,3 ROM的结构和工作原理,图中地址译码器有,n,个输入,它的输出,W,0,、,W,1,、,、,W,n,-,1,共有,N,=2,n,个,称为,字线,(,或称选择线,),。字线是,ROM,矩阵的输入,,ROM,矩阵有,M,条输出线,称为,位线,。,字线,与,位线的交点,即是,ROM,矩阵的,存储单元,,存储单元代表了,ROM,矩阵的容量,所以,ROM,矩阵的容量等于,W,D,。输出缓冲器的作用有两个,一是,能提高存储器的带负载能力,,二是实现对输出状态的三,态控制,以便与系统的总线联接。,11,ROM,矩阵的存储单元是由,N,沟道增强型,MOS,管构成的,,MOS,管采用了简化画法。它具有,2,位地址输入码,即:,4,条字线,W,0,、,W,1,、,W,2,、,W,3,;有,4,位数据输出,即,4,条位,线,D,0,、,D,1,、,D,2,、,D,3,;共,16,个存储单元。,ROM,矩阵字线和位线的关系,(a)ROM,存储矩阵,(b)ROM,矩阵中一条字线的分解图,12,地址译码器相当于最小项译码器,如下图所示,其输入,A,1,、,A,0,称为,地址线,。二位地址代码,A,1,A,0,能给出4个不同的地址。每输入一个地址,地址译码器的字线输出,W,0,W,3,中将有一根线为高电平,其余为低电平。即每一个输出对应一个最小项。,W,2,地,址,译,码,器,A,0,A,1,W,0,W,1,W,3,最小项译码器,13,4,用存储器实现组合逻辑函数,例题:,试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数,14,解:,化为最小项之和的形式:,15,16,Thank you。,17,
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