讲解霍尔效应课件

单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,Edwin Hall,（,1855,1938,）,霍尔效应是霍尔(Hall)24岁时在美国霍普金斯大学研究生期间，研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。,在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。,背景介绍,霍尔效应,Edwin Hall（18551938）霍,1,量子霍尔效应,长时期以来，霍尔效应是在室温和中等强度磁场条件下进行实验的。在霍尔效应发现,100,年后，,1980,年,德国物理学家克利青(,Klaus von Klitzing),在研究极低温和强磁场中的半导体时，发现在低温条件下半导体硅的霍尔效应不是常规的那种直线，而是随着磁场强度呈跳跃性的变化，这种跳跃的阶梯大小由被整数除的基本物理常数所决定。这是当代凝聚态物理学令人惊异的进展之一，这在后来被称为整数,量子霍尔效应,。由于这个发现，克利青在1985年获得了诺贝尔物理奖。,背景介绍,量子霍尔效应 长时期以来，霍尔效应是在室温和中等强度磁场,2,分数量子霍尔效应,背景介绍,崔琦,Robert Laughlin,Horst Stormer,构造出了分数量子霍尔系统的解析波函数，给分数量子霍尔效应作出了理论解释,1998年的诺贝尔物理学奖,在量子霍尔效应家族里，至此仍未被发现的效应是,“,量子反常霍尔效应,”,不需要外加磁场的量子霍尔效应。,用高纯度半导体材料，在超低温环境：仅比绝对零度高十分之一摄氏度（约,273,），超强磁场：当于地球磁场强度,100,万倍研究量子霍尔效应时发现了分数量子霍尔效应，这个发现使人们对量子现象的认识更进一步,。,分数量子霍尔效应背景介绍崔琦Robert Laughlin,3,如今由清华大学薛其坤院士领衔，清华大学、中科院物理所和斯坦福大学研究人员联合组成的团队历时,4,年在量子反常霍尔效应研究中取得重大突破，在美国物理学家霍尔,1880,年发现反常霍尔效应,133,年后，他们从实验中首次观测到量子反常霍尔效应，这是中国科学家从实验中独立观测到的一个重要物理现象，也是物理学领域基础研究的一项重要科学发现。这一发现是相关领域的重大突破，也是世界基础研究领域的一项重要科学发现。这一发现或将对信息技术进步产生重大影响。,背景介绍,反常量子霍尔效应,如今由清华大学薛其坤院士领衔，,4,霍尔效应,应被发现,100,多年以来,它的应用发展经历了三个阶段：第一阶段：从霍尔效应的发现到,20,世纪,40,年代前期。最初由于金属材料中的电子浓度很大而霍尔效应十分微弱所以没有引起人们的重视。这段时期也有人利用霍尔效应霍尔效制成磁场传感器，但实用价值不大,到了,1910,年有人用金属铋制成霍尔元件，作为磁场传感器。但是，由于当时未找到更合适的材料，研究处于停顿状态。第二阶段：从,20,世纪,40,年代中期半导体技术出现之后，随着半导体材料、制造工艺和技术的应用，出现了各种半导体霍尔元件，特别是锗的采用推动了霍尔元件的发展，相继出现了采用分立霍尔元件制造的各种磁场传感器。第三阶段；自,20,世纪,60,年代开始，,随着集成电路技术的发展，出现了将霍尔半导体元件和相关的信号调节电路集成在一起的霍尔传感器。进入,20,世纪,80,年代，随着大规模超大规模集成电路和微机械加工技术的进展，霍尔元件从平面向三维方向发展，出现了三端口或四端口固态,霍尔传感器,，实现了产品的系列化、加工的批量化、体积的微型化。霍尔集成电路出现以后，很快便得到了广泛应用。,背景介绍,霍尔效应,-,应用,发,展,霍尔效应应被发现100多年以来,它的应用发展经历,5,1,、测量载流子浓度,根据霍尔电压产生的公式，以及在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流子的极性与浓度，这种方式被广泛的利用于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。,2,、霍尔效应还能够测量磁场,在工业、国防和科学研究中，例如在粒子回旋器、受控热核反应、同位素分离、地球资源探测、地震预报和磁性材料研究等方面，经常要对磁场进行测量，测量磁场的方法主要有核磁共振法、,霍尔效应法,和感应法等。具体采用什么方法，要由被测磁场的类型和强弱来确定。霍尔效应法具有结构简单、探头体积小、测量快和直接连续读数等优点，特别适合于测量只有几个毫米的磁极间的磁场，缺点是测量结果受温度的影响较大。,霍尔效应的应用,1、测量载流子浓度霍尔效应的应用,6,3,、电磁无损探伤,霍尔效应无损探伤方法安全、可靠、实用，并能实现无速度影响检测，因此，被应用在设备故障诊断、材料缺陷检测之中。其探伤原理是建立在铁磁性材料的高磁导率特性之上。采用,霍尔元件,检测该泄漏磁场,B,的信号变化，可以有效地检测出缺陷存在。钢丝绳作为起重、运输、提升及承载设备中的重要构件，被应用于矿山、运输、建筑、旅游等行业，但由于使用环境恶劣，在它表面会产生断丝、磨损等各种缺陷，所以，及时对钢丝绳探伤检测显得尤为重要。目前，国内外公认的最可靠、最实用的方法就是漏磁检测方法，根据这一检测方法设计的断丝探伤检测装置，如,EMTC,系列钢丝绳无损检测仪，其金属截面积测量精度为,0.2,，一个,捻距,内断丝有一根误判时准确率,90,，性能良好，在生产中有着广泛的用途。,3、电磁无损探伤,7,4、现代汽车工业上应用,汽车,上广泛应用的,霍尔器件,就包括：信号传感器、,ABS系统,中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、,发动机,转速及曲轴角度,传感器,、,各种开关,等。,例如,用在汽车开关电路上的功率霍尔电路，具有抑制,电磁干扰,的作用。因为汽车的,自动化,程度越高，,微电子,电路越多，就越怕,电磁干扰,。而汽车上有许多灯具和电器件在开关时会产生,浪涌电流,，使机械式开关触点产生电弧，产生较大的,电磁干扰,信号。采用功率,霍尔开关,电路就可以减小这些现象。,4、现代汽车工业上应用,8,中国科学家发现的量子反常霍尔效应也具有极高的应用前景。量子霍尔效应的产生需要用到非常强的磁场。而反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的。实现了零磁场中的量子霍尔效应，就有可能利用其无耗散的边缘态发展新一代的低能耗晶体管和电子学器件，从而解决电脑发热问题和,摩尔定律,的瓶颈问题。这些效应可能在未来电子器件中发挥特殊作用：无需高强磁场，就可以制备低能耗的高速电子器件，例如极低能耗的芯片，进而可能促成高容错的全拓扑量子计算机的诞生,这意味着个人电脑未来可能得以更新换代。,中国科学家发现的量子反常霍尔效应也具有极高的应用前景。量子霍,9,实验目的：,1,、验证霍尔传感器输出电势差与螺线管内的磁感应强度成正比。,2,、测量集成线性霍尔传感器的灵敏度。,3,、测量螺线管内磁感应强度与位置之间的关系，求得螺线管均匀磁场范围及边缘的磁感应强度。,4,、学习补偿原理在磁场测量中的应用。,实验目的：,10,实验原理,现象,霍尔效应,在长方形导体薄板上通以电流，沿电流的垂直方向施加磁场，就会在与电流和磁场两者垂直的方向上产生电势差，这种现象称为霍尔效应，所产生的电势差称为霍尔电压。,实验原理现象 霍尔效应 在长方形导体,11,若用一块如图所示的,N,型半导体试样（导电的载流子是电子）设试样的长度为,L,、宽度为,b,，厚度为,d,，若在,x,方向通过电流,I,S,，电子电荷以速度,V,向左运动。,若电子的电荷量为,e,，自由电子浓度为,n,，则,若在,Z,轴方向加上恒定的磁场,B,，电子电荷在沿,X,轴负方向运动时将受到洛伦兹力的作用，洛伦兹力用,f,B,表示：,（,1,）,（,2,）,+,理论分析,若用一块如图所示的N型半导体试样（导电的载流子是电,12,由于洛伦兹力的作用，使得电子将沿 的方向向下侧偏移（即 轴的负方向），这样就引起了 侧电子的积累，侧正电荷的积累，从而使两侧出现电势差，且 点高于 点，所以在试样中形成了横向电场 ，这一电场就称为霍尔电场。该电场又对电子具有反方向的静电力。,（,3,）（此力方向向上）,电子受到电场力 和磁场力 的作用，一方面使电子向下偏移，另一方面电子又受到向上的阻碍电子向下偏移的力。由于这两个力的作用所以电子在半导体试样侧面的积累不会无限止地进行下去：在开始阶段，电场力比磁场力小，电荷继续向侧面积累，随着积累电荷的增加，电场力不断增加，直到电子所受的电场力和磁场力相等，即 时，电子不再横向漂移，结果在 、两面形成恒定的电势差 叫霍尔电势差。,由于洛伦兹力的作用，使得电子将沿 的方向向下侧,13,即 （,4,）,（,5,）,（,6,）,（,7,）,由固体物理理论可以证明金属的霍尔系数为,式中 为载流子浓度，为载流子所带的电量。是一常量，仅与导体材料有关，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数,即 （4）由固,14,由（,6,）（,7,）式得,由此可以定义霍尔元件的灵敏度,（,8,）,（,9,）,（,10,）,可见，只要测出霍尔电势差 和工作电流 ，就可以求出磁感应强度 。,当给定 ，改变 时可得到 ，呈线性关系，直线斜率就是 。由公式（,9,）可求得,由（6）（7）式得（8）可见，只要测出霍尔电势差,15,由 可以确定以下参数：,导电类型 如图：,由于运动电荷受到洛伦兹力的作用，使其,S,侧积累负电荷，,P,侧积累正电荷，因此电势差是,P,点高于,S,点，则 为,N,型半导体。,+,由 可以确定以下参数：由于运动电荷受到洛,16,p,型半导体导电载流子为空穴，空穴相当于带正电的粒子，带正电粒子其运动方向和电流运动方向相同，如图所示：,带正电的粒子在洛伦兹力作用下，其正电荷向下偏移，上侧积累了负电荷，形成下高上低的电势差。这时，则 ，所以是,p,型半导体。,+,p型半导体导电载流子为空穴，空穴相当于带正电的粒,17,求载流子浓度,（,11,）,这个关系式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速度得到的，但是严格说来，考虑载流子的速度统计分布，霍尔系数表达式中应当乘以一个修正因子,3,/8,：,（,12,）,由以上讨论可知，霍尔电压 与载流子浓度 成反比，即导电材料的载流子浓度 越大，霍尔系数 就越小，霍尔电势差 就越小，一般金属中的载流子是自由电子，其浓度很大,(,大约,),，所以金属材料的霍尔系数很小，霍尔效应不显著。半导体材料的载流子浓度要比金属小得多，能够产生较大的霍尔电势差，所以霍尔片要用半导体材料做成，而不用金属材料做霍尔片。,另外载流子浓度的大小受温度的影响较大，所以要注意消除温度的影响。,还有，霍尔电压 与通过霍尔片的工作电流和电荷所受的磁场 的乘积成正比，与霍尔片厚度 成反比，霍尔片厚度 越小，霍尔电动势就越大，所以制作霍尔片时往往采用减小 的办法来增加霍尔电动势，从而提高灵敏度。,求载流子浓度 由以上讨论可知，霍尔电压 与载流,18,埃廷斯豪森效应,E,x,z,P,型半导体,+,_,温度低,温度高,J,x,z,N,型半导体,E,y,J,x,_,+,温度低,温度高,z,E,y,霍尔效应中的负效应,E,方向与I和方向有关。,由于,材料中载流子的速度不同,，在磁场的作用下，载流子的偏转半径不同，从而在,y,轴方向产生温度梯度，由此温度梯度形成的温差电动势为埃廷斯豪森电压。,埃廷斯豪森效应ExzP型半导体+_温度低温度高Jx,19,能斯特效应,沿,x,方向通以电流，两端电极与样品的接触电阻不同而产生不同的焦耳热，致使,x,方向产生温度梯度,，这一温度梯度引起一附加的纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在,y,轴方向产生横向电位差，为能斯特电压。,N,x,z,N,方向只与方向有关。,霍尔效应中的负效应,能斯特效应沿x方向通以电流，两端电极与样品的接触电阻不同而产,20,里吉-勒迪克效应,纵向热扩散电流，在磁场的作用下，从而在,y,轴方向产生横向温差，这一横向温差又引起横向电位差，为里吉-勒迪