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,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,第三章 氣體吸附與釋出,第三章 氣體吸附與釋出,Outline,材料表面氣體吸附,釋氣對真空影響,釋氣種類,Outline材料表面氣體吸附,材料表面氣體吸附,材料表面氣體吸附,定義,V:,容器體積,P,：系統壓力,系統理想抽氣等式,考慮系統釋氣速率,單位時間，表面是放置真空的氣體分子,幫浦抽走分子數,系統分子數變化率,定義V:容器體積 P：系統壓力系統理想抽氣等式考慮系統釋氣,影響釋氣的因子,漏氣,蒸發,表面釋氣,擴散,幫浦回流氣體,：,滲透,影響釋氣的因子 漏氣,氣體分子在固體的吸附,吸附與脫附,物理吸附：分子間的凡得瓦力,化學吸附：電子之轉移，形成化學鍵結,氣體分子在固體的吸附 吸附與脫附,物理與化學吸附熱,物理與化學吸附熱,吸附平衡,吸附平衡,多層吸附平衡,多層吸附平衡,加熱過程導致的釋氣,表面脫附,擴散作用,滲透,加熱過程導致的釋氣表面脫附,釋氣的測量法,流量法,氣壓增建法,釋氣的測量法流量法,釋氣的測量法,釋氣的測量法,離子激發釋氣,離子激發釋氣,電子激發釋氣,MGR,：高能電子撞擊材料表面，吸附材料表面之複合體，進行電子躍遷，電子由基態躍遷至較高能量之反鍵結態，進而引發氣體脫附,KF,：材料芯層電子受激發而造成多重電洞最終態而產生歐傑衰變,電子激發釋氣MGR：高能電子撞擊材料表面，吸附材料表面之複合,光子激發釋氣,光子激發釋氣,光子激發釋氣,光子激發釋氣,烘烤,烘烤,表面粗糙度,表面粗糙度,氣體溶解、擴散與滲透,滲透：由於氣體分子在材料壁的兩端具有濃度差，使得濃度高的一端會有吸附溶解擴散放出的過程。此種過程影響系統最終壓力。,表面的解離與擴散：,Ficks 1st law,Ficks 2nd law,氣體溶解、擴散與滲透滲透：由於氣體分子在材料壁的兩端具有濃度,
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