半导体器件物理1-施敏

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第,1,章 半导体器件简介,1.1,半导体器件,器件的,4,种基础结构,半导体,金属,金属,-,半导体接触,P,型半导体,N,型半导体,P-N,结,半导体,A,半导体,B,金属,半导体,氧化物,异质结,MOS,结构,（一）金属半导体接触,可以用来做,整流接触,具有单向导电性；,也可以用来做,欧姆接触,电流双向通过。,（二）,p-n,结,(junction),一种由,p,型和,n,型半导体接触形成的结，是大部分半导体器件的关键基础结构；,加上另一个,p,型半导体就可以形成一个,p-n-p,双极型晶体管；,结合三个,p-n,结就可以形成,p-n-p-n,结构,叫做可控硅器件。,（三）异质结,(heterojunction),由两种不同材料的半导体接触形成的结；,是快速器件和光电器件的关键构成要素。,（四）,MOS,结构,金属,-,氧化物界面和氧化物,-,半导体界面结合的结构；,用,MOS,结构当作栅极,再用两个,p-n,结分别当作漏极和源极,就可以制作出金氧半场效应晶体管,(MOSFET),；,目前集成电路中最重要的器件。,公元,半导体器件,作者,/,发明者,1874,金属,-,半导体接触,Braun,1907,发光二极管,Round,1947,双极性晶体管,Bardeen Brattain Shockley,1949,P-N,结,Shockley,1952,太阳能电池,Chapin Fuller Pearson,1958,隧道二极管,Esaki,1960,MOSFET,Kshng Atalla,1967,非挥发性半导体存储器,Kahng,施敏,主要半导体器件,