述职报告

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,Page,1,X F Chen,IMPLANTER INTRODUCTION,MONTHLY REPORT,MFG-DFD-DPE,Xue Feng Chen,outline,Fundamentalofimplant,Application,Structure,Name rule,Manualtune,Monitor items,Definition,A tooldesignedtoinject selected dopantatoms,uniformlyacross asubstrate to aprescribeddepthata desiredconcentration,FUNDAMENTALOFIMPLANT,Parameter,SelectedDopant,UniformlyAcross,Prescribed Depth,Desired Concentration,阻滞机,制,制,当离子,轰,轰击并,进,进入substrate时,，,，它会,与,与晶格,原,原子碰,撞,撞。原,子,子会逐,渐,渐失去,能,能量，,而,而最后,停,停在晶,格,格里面,。,。有两,种,种阻滞,机,机制：,一,一种是,植,植入的,离,离子与,晶,晶格原,子,子的原,子,子核产,生,生碰撞,，,，并经,由,由这种,碰,碰撞引,起,起明显,的,的散射,而,而将能,量,量转移,至,至晶格,原,原子，,这,这种称,作,作为原,子,子核阻,滞,滞（NuclearStopping,）,）；另,一,一种阻,滞,滞机制,是,是当入,射,射的离,子,子与晶,格,格原子,的,的电子,产,产生碰,撞,撞，在,电,电子碰,撞,撞的过,程,程中，,入,入射离,子,子的轨,迹,迹几乎,是,是不变,的,的，能,量,量转换,的,的非常,的,的小，,而,而晶格,的,的损坏,也,也可以,被,被忽略,。,。这种,碰,碰撞称,作,作电子,阻,阻滞（Electronic Stopping）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,阻滞机,制,制,总阻滞,力,力,对于低,能,能量与,高,高原子,序,序数的,离,离子注,入,入而言,，,，主要,的,的阻滞,机,机制是,原,原子核,阻,阻滞；,对,对于高,能,能量低,原,原子序,数,数的离,子,子注入,而,而言，,主,主要的,阻,阻滞机,制,制是电,子,子阻滞,。,。,FUNDAMENTALOFIMPLANT,离子射,程,程（IonRange）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,带能量,的,的离子,能,能够穿,入,入靶标,，,，而渐,渐,渐的藉,着,着与基,片,片内的,原,原子的,碰,碰撞而,失,失去能,量,量，并,最,最终停,留,留在基,片,片内部,。,。,一般而,言,言，离,子,子的能,量,量越高,，,，它就,愈,愈能深,入,入基片,。,。然而,即,即使是,相,相同的,注,注入能,量,量，离,子,子也无,法,法在基,片,片内部,刚,刚好停,止,止在相,同,同的深,度,度，因,为,为，每,个,个离子,都,都是与,不,不同的,原,原子产,生,生碰撞,。,。投影,离,离子会,有,有一个,分,分布区,域,域的，,如,如下图,所,所示：,离子射,程,程（IonRange）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,投映射,程,程,ln（,浓,浓度）,基片表,面,面,从表面,算,算起的,深,深度,通道效,应,应（channelingeffect）,离子在,一,一个非,晶,晶态材,料,料内的,投,投影射,程,程会遵,循,循着高,斯,斯分布,，,，也就,是,是所谓,的,的常态,分,分布。,单,单晶硅,中,中的晶,格,格原子,会,会整齐,的,的排列,着,着，而,且,且在特,定,定的角,度,度可以,看,看到很,多,多通道,。,。假如,一,一个离,子,子以正,确,确的角,度,度进入,通,通道，,它,它只要,带,带有很,少,少的能,量,量就可,以,以进很,长,长的距,离,离，这,就,就是通,道,道效应,（,（channelingeffect,）,）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,通道效,应,应（channelingeffect）,投映射程,高斯分布,通道效应尾端,ln（浓度）,基片表面,从,从,表,表面算起的深,度,度,FUNDAMENTALOF IMPLANT,减少通道效应,的,的三种方法,FUNDAMENTALOF IMPLANT,Damage,与,与Anneal,在离子植入过,程,程中，离子和,晶,晶格的原子碰,撞,撞，在碰撞的,过,过程中，离子,的,的能量转移给,这,这些原子，这,些,些能量足以能,够,够令这些原子,从,从晶格束缚中,释,释放出来，通,常,常这个束缚能,使,使25eV左,右,右。导致晶格,原,原子偏离位置,，,，造成晶格损,伤,伤。,FUNDAMENTALOF IMPLANT,为了达到元件,的,的要求，晶格,损,损坏必须在热,退,退火（Annealing,）,）步骤中修复,以,以恢复单晶的,结,结构并活化参,杂,杂物。快速加,热,热步骤（RTA）是用来将,离,离子注入造成,的,的损伤予以退,火,火的一种制程,。,。同时也是参,杂,杂物扩散减至,最,最小以符合缩,小,小集成电路元,件,件的条件。（,注,注：在较低温,时,时，扩散制程,会,会快过退火制,程,程；而当温度,较,较高的时候，,例,例如高过摄氏1000度，,则,则退火制程会,快,快过扩散制程,，,，这是因为退,火,火的活化能,大,大约5eV要,比,比扩散的活化,能,能3至4eV高的缘故）,损伤与热退火,FUNDAMENTALOF IMPLANT,MI（Medium Current）,VT,LDD,WELL,FIELD,N/P APT,HI（High Current）,S/D,CONT,LDD,POLY,ESD,SOG/FOX IMP,HEI/VHE（HighEnergy）,WELL,FIELD,MI Backup,Application,Majorimplant steps in MOS device,Application,STRUCTURE,ION SOURCE,QUADRUPOLE,DEFLECTOR,BERNAS,ANALYZER,MAGNET,FOCUSING,EXTERNAL,MAGNETIC,UNIPOLAR,ELECTROSTATIC,ELECTROSTATIC,BEAM FILTER,RESOLVING,APERTURE,DRIFT,CHAMBER,ROTATING PLATEN,LENS,MAGNET,HIGH VOLTAGE TERMINAL,END STATION,TRAVELING,FARADAY,APERTURE,2-,STAGE LOW BEAM,HIGH,CONDUCTANCE,ACCEL,COLUMN,GRAPHITE APERTURES,HALL,PROBE,TURBOMOLECULAR,PUMP,1000 L.SEC,-1,CRYO,PUMP,4000 L.SEC,-1,STRUCTURE,Arc Chamber,RETURN,STRUCTURE,Extraction,Arc chamber,40 kv,Suppression,Electrode,Extraction,Electrod,RETURN,抑制二次电子,阻挡离子发散,STRUCTURE,Analyzer Magnet,RETURN,STRUCTURE,Quad Magnet,RETURN,DipoleLensMagnet,STRUCTURE,v,t,RETURN,AccelColumn,STRUCTURE,RETURN,Name Rule,Species+Energy+Dopant+angle,e.g.,P100-1.0E13,species,energy,dopant,For different typeimplanter,the angle arenot the same.,For MI(EHP500),The defaultangleis tilt=7 and twist=22,If “-0”,then tilt=0,twist=0,If “-I”,then tilt=5,twist=26,If“R30”,R indicates ROTATION,sotwist=0/90/180/270,30 show thatthe tilt=30.and“R7”show thattilt=7,twist=0/90/180/270,If“D45”,tilt=45,twist=90/270,Name Rule,For HI(Varian),The defaultangleis tilt=7,twist=22.5,If“-0,”,”tilt=0,twist=22.5,If“2S,”,”tilt=7/-7,twist=22.5,If“4S,”,”tilt=7/-7,twist=22.5/337.5,For HI(Axcelis),The defaultangleis tilt=6.3,twist=3.2,If “-0”tilt=0,twist=0,If “4S”tilt=6.3/-6.3,twist=3.2/-3.2,Name Rule,For HEI(Axcelis),The defaultangleis tilt=6.3,twist=3.2,If“-0,”,”tilt=0,twist=0,If “-3”tilt=3,twist=0,If “-I”tilt=4.5,twist=-2.2,If “-MI”tilt=6.3,twist=3.2(backup MI),If “4S”tilt=6.3/-6.3,twist=3.2/-3.2,Name Rule,Name Rule,Name Rule,All above are product recipes,monitor recipes are likefollows:,Manualtune,决定AMU的数值,决定EXT电压,决定后段加速电压,RETURN,Manualtune,SOURCEINTERFACE,Set200A,Species,Gas(torr),B+,40.0,2.5,70,1.0,P+,24.0,4.0,50,0.5,Ar+,35.0,2.5,50,0.2,As+,30.0,4.0,50,0.5,Manualtune,SOURCEINTERFACE,Set200A,微,调,调AMU,使,使,得,得SETUP,电,电,流,流,最,最,大,大,BEAMLINEINTERFACE,Manualtune,设,定,定,后,后,段,段,加,加,速,速,电,电,压,压,重,复,复3,次,次,，,，,使,使focus,电,电,流,流,最,最,大,大,Monitoritem,TW(ThermalWave):LatticeDamage-Reflectivity,MI,HEI,RS(SheetResistance,4PointProbe),HI,HEI,MI,QUANTOX,MIforrunningP,Tools,Particle:before50,added75,RS:,B88+3uniformity1%,As58.5+3uniformity1%,P72.5+3uniformity1%,Monitoritem,SPECofHI,SPECofMI,Particle:before40,added50,TW&RS:,Monitoritem,species,TW,U%,RS,U%,B,718+10,0.5%,2586+100,1%,P,1760+60,0.5%,489+13,1%,AS,5800+100,0.5%,514+17,1%,species,TW,U%,RS,U%,B,746+10,0.5%,2627+60,1%,P,129