践镀原理与流程

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,Sputter,原理和流程,PVD,製程,知識,Sputter,原,理,理,N,S,N,Gas in,pumping,+,-,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,-,+,+,-,+,+,-,電,子,子,螺,螺,旋,旋,運,運,動,動,電,子,子,平,平,均,均,自,自,由,由,徑,徑,比,比,較,較,MagnetronDCSputtering,濺擊產額,Ar+,數量,及能量,電子平均自,由徑及能量,濺擊總,能量,低，陰極加磁鐵,增長，變大,增多，變大,增大,濺擊,能量,低,Parameter,SubstrateTemperature,ChamberPressure,GasFlowRate,DCPower,MagnetScanSpeed/Field,即,溫,溫,度,度,、,、,壓,壓,力,力,、,、,氣,氣,體,體,氣,氣,流,流,之,之,速,速,率,率,、,、,DC,功,率,率,密,密,度,度,、,、,磁,磁,鐵,鐵,掃,掃,描,描,及,及,範,範,圍,圍,。,。,Sputtering,principle,定,義,義,：,：,濺,鍍,鍍,，,，,即,即,利,利,用,用,電,電,漿,漿,所,所,產,產,生,生,的,的,離,離,子,子,，,，,藉,藉,著,著,離,離,子,子,對,對,被,被,濺,濺,鍍,鍍,物,物,體,體,電,電,極,極,的,的,轟,轟,擊,擊,，,，,使,使,電,電,漿,漿,的,的,氣,氣,相,相,内,内,具,具,有,有,被,被,鍍,鍍,物,物,的,的,粒,粒,子,子,來,來,產,產,生,生,沉,沉,積,積,薄,薄,膜,膜,的,的,一,一,種,種,技,技,術,術,。,。,原,理,理,：,：,利,用,用,DCPower,將,通,通,入,入,的,的,ProcessGas,解,離,離,成,成,電,電,漿,漿,，,，,藉,藉,著,著,離,離,子,子,對,對,靶,靶,的,的,轟,轟,擊,擊,將,將,靶,靶,材,材,物,物,質,質,濺,濺,射,射,飛,飛,散,散,出,出,來,來,，,，,而,而,附,附,著,著,於,於,目,目,標,標,基,基,板,板,形,形,成,成,膜,膜,。,。,CrystalGrowthMechanism,Nucleation,GrainGrowth,Coalescence,FillingofChannels,FilmGrowth,CrystalGrowthMechanism,CrystalGrowthMechanism,CrystalGrowthMechanism,CrystalGrowthMechanism,PVDFlow,機,械,械,流,流,程,程,動,作,作,流,流,程,程,L/UL,L/UL,CA432,CA33,CA31,CA42,CA43,CA41,機,械,械,流,流,程,程,L/UL,L/UL,CA32,CA33,CA31,CA42,CA43,CA41,機,械,械,流,流,程,程,L/UL,L/UL,CA32,CA33,CA31,CA42,CA43,CA41,機械流,程,程,L/UL,L/UL,CA32,CA31,CA42,CA43,CA41,CA33,機械流,程,程,L/UL,L/UL,CA32,CA33,CA31,CA42,CA43,CA41,機械流,程,程,L/UL,L/UL,CA32,CA33,CA31,CA42,CA43,CA41,機械流,程,程,Sputter ProcessFlow:,1,、抽真,空,空,(,粗,抽,)-,760torr,至,10,-3,torr,2,、抽,真,真空,(,細,抽,)-,10,-3,torr,至,10,-8,torr,3,、到,達,達底,壓,壓約,10,-7,torr,後通,Ar,氣,使壓,力,力控,制在,約,約數,mtorr,4,、加,入,入電,場,場,(,target,為負,極,極,),點燃,plasma,開始,鍍,鍍膜,5,、膜,厚,厚度,達,達到,之,之後,停止,電,電場,6,、,基板,從,從,SChamber,傳到,TChamber,7,、,基板,送,送入,LChamber,破真,空,空,取出,Hillock,（,Al,）,原因,：,：,w,film,的膨,胀,胀系,数,数小,于,于底,材,材时,从高,温,温降,至,至室,温,温,film,受到,挤,挤压,应,应力,若此,应,应力,过,过大,时,时,Al,原子,沿,沿晶,界,界向,膜,膜上,移,移动,形成,小,小的,突,突起,w,Al,成膜,的,的晶,粒,粒方,向,向不,一,一致,在後,續,續高,温,温制,程,程时,（,110,）晶粒在两,（,（,111,）晶粒间形,成,成,hillock,形成的原因,为,为（,110,）晶粒和（,111,）晶粒的热,膨,膨胀系数不,同,同,Hillock,Hillock,（,Al,）,後果：易造,成,成闸极线与,信,信号线相會,處,處短路,解决方案：,w,用,AlNdtarget,代替,Al target,w,在,Al,上面再镀一,层,层覆盖金属,来,来抑制,Al hillock,的产生,w,減小,grainsize,可降低,hillock,凸出的大小,Splash,原因：,当,target,局部（如,void,、,oxide,處）,散热不均,过,热地方在高,温,温下融化,在,Ar,离子轰击下,滴,滴落在,基板上,形成,Dome,type,的,splash,在,target edge,有强烈的,arcing,现象,使边缘的金,属融化溅落,在,在基板上,形成,wing type,的,splash,Substrate,Ar,Oxide or Void,Heated area,Wing type,Dome type,Target,Melted partical,Splash,後果,：,大块金属残留导,致,致闸极线与信号,线,线短路,解决方案：,用,S,hield plate,装置保護,Target,邊緣不被,Arcing,改变,Target,的形状可以減少,Arcing,預防,Arcing,對策,-,提高,Target,的纯度,使其低氧化低雜,質,質,（,Inclusion,）,提高,Target,密度,（,Void,）,提高,Target,表面平整度,（,Surface Finish,）,减小,target,晶粒的大小,提高均一性,（,Gain Size,）,Nodule,（,ITO,）,原因,:,w,ITO,靶材是由氧化,銦,銦及氧化錫熱,燒,燒結而成,若混合不均及,壓,壓結密度不足,就易在濺鍍時,產,產生節瘤,w,I,TO,靶材,為高硬度陶瓷,材,材,料,面積大,時,製造,較,難,故,採用,多塊小靶材拼,接,接而成,接縫處常有,N,odule,存在,w,制程中,N,odule,爆裂開形,成許多,ITO,屑,飛到靶材上,遮住部分靶材,無,無法,Sputter,形成新的,N,odule,Nodule,（,ITO,）,後果,：,：,w,引起,ITO,flake,產生,掉落,於,於基,板,板為,Particle,影響,鍍,鍍膜,品,品質,導致,ITO,层的,阻,阻抗,惡,惡化,并,并且,减,减少,ITO,层的,透,透光,率,率,解決,方,方案,：,：,用超,高,高密,度,度的,ITO,靶材,（,（,95%,）可,獲,獲得,改,改善,w,將,target,表面,處,處理,平,平滑,及,及乾,淨,淨,Void,原因,：,：,w,film,的膨,胀,胀系,数,数大,于,于底,材,材时,从高,温,温降,至,至室,温,温时,film,受到,拉,拉伸,应,应力,如此,应,应力,过,过大,时,时,Al,原子,沿,沿晶,界,界向,膜,膜下,移,移动,形成,許,許多,空,空隙,(Void),或裂,痕,痕,(Cracks),Al,在高,温,温制,程,程时,成膜,的,的晶,粒,粒方,向,向不,一,一样,（,111,）,晶粒,在,在两,（,110,）,晶粒,间,间形,成,成,Void,因为,（,110,）,晶粒,和,和,（,111,）,晶粒,的,的热,膨,膨胀,系,系数,不,不同,金屬,連,連線,高,高低,起,起伏,的,的外,觀,觀使,上,上面,鍍,鍍絕,緣,緣層,不,不易,完,完全,將,將縫,隙,隙填,滿,滿（,填,填塞,不,不良,）,）,留下,Void,ITO,成膜,速,速度,太,太快,使,使得,薄,薄膜,呈,呈柱,狀,狀結,構,構造,成,成有,很,很多,孔,孔洞,（,（,Void,）產,生,生而,影,影響,膜,膜質,Void,後果,：,：增,加,加膜,的,的阻,抗,抗,解决,方,方案,：,：,減小,grainsize,提高,靶,靶材,密,密度,金屬,連,連線,上,上絕,緣,緣層,通,通常,厚,厚度,比,比較,薄,薄在,1000,到,3000,之間,即使,金,金屬,層,層角,落,落部,分,分有,凸,凸出,也,也不,至,至於,連,連起,來,來形,成,成,Void,控制,ITO,成膜,速,速度,合適,Spike(Al),原因,：,：,Si,在,400,左右,對,對,Al,有一,定,定的,固,固態,溶,溶解,度,度,因此,沉,沉積,於,於,Si,上的,Al,在經,歷,歷,約,400,以上的,步,步驟時,Si,將借擴,散,散效應,進,進入,Al,Al,亦回填,Si,因擴散,而,而遺留,下,下的空,隙,隙,在,Al,與,Si,進行,接觸,部分形,成,成,Spike,N+,Al,Si,場氧化膜,Spike(Al),後果：,如,如果尖,峰,峰長度,太,太長,穿透了,膜,膜層,會導致,短,短路,解決方,案,案：,w,一般在,金,金屬鋁,的,的沉積,制,制程中,主,主動加,入,入相當,於,於,Si,對,Al,之溶解,度,度的,Si,（一般,為,為,1%,）,w,加入一