资源描述
单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,部 分 习 题 解 答,部分物理常数：,第,2,章,1、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：,取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于,x,处。则由高斯定理可得：,当,x,=,x,n,时，,E,(,x,)=0，因此 ，于是得：,（,2-5a,）,3、,4、,6、,N,D2,N,D1,8、(1),(2),20、,24、PN,结的正向扩散电流为,式中的,I,0,因含,n,i,2,而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为,于是 PN,结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为,31、,当 N,-,区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：,当 N,-,区缩短到,W,=3,m 时，雪崩击穿电压成为：,34、,39、,第 3 章,1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图,NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图,2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图,3、,6、,7、,8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），,再根据注入效率的定义，可得：,9、,10、,(1),(2),(3),(4),14、,15、,20、当忽略基区中的少子复合及,I,CEO,时，,27、实质上是,I,CS,。,22、,使,N,B,N,C,，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。,39、,为提高穿通电压,V,pt,，应当增大,W,B,和,N,B,，但这恰好与提高,相矛盾。解决方法：,48、,当,I,E,很大时，这时,0,；,在,I,E,很小或很大时，,都会有所下降。,在正常的,I,E,范围内，,几乎不随,I,E,变化，这时,0,与,也有类似的关系。,58、,59、,65、,(1),(3),(2),(4),68、,第 5 章,1、,3、,5、,6、,8、,13、,
展开阅读全文