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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,部 分 习 题 解 答,部分物理常数:,第,2,章,1、在 N 区耗尽区中,高斯定理为:,取一个圆柱形体积,底面在 PN 结的冶金结面(即原点)处,面积为一个单位面积,顶面位于,x,处。则由高斯定理可得:,当,x,=,x,n,时,,E,(,x,)=0,因此 ,于是得:,(,2-5a,),3、,4、,6、,N,D2,N,D1,8、(1),(2),20、,24、PN,结的正向扩散电流为,式中的,I,0,因含,n,i,2,而与温度关系密切,因此正向扩散电流可表为,于是 PN,结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为,31、,当 N,-,区足够长时,开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为:,当 N,-,区缩短到,W,=3,m 时,雪崩击穿电压成为:,34、,39、,第 3 章,1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图,NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图,2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图,3、,6、,7、,8、以 NPN 管为例,当基区与发射区都是非均匀掺杂时,由式(3-33a)和式(3-33b),,再根据注入效率的定义,可得:,9、,10、,(1),(2),(3),(4),14、,15、,20、当忽略基区中的少子复合及,I,CEO,时,,27、实质上是,I,CS,。,22、,使,N,B,N,C,,这样集电结耗尽区主要向集电区延伸,可使基区不易穿通。,39、,为提高穿通电压,V,pt,,应当增大,W,B,和,N,B,,但这恰好与提高,相矛盾。解决方法:,48、,当,I,E,很大时,这时,0,;,在,I,E,很小或很大时,,都会有所下降。,在正常的,I,E,范围内,,几乎不随,I,E,变化,这时,0,与,也有类似的关系。,58、,59、,65、,(1),(3),(2),(4),68、,第 5 章,1、,3、,5、,6、,8、,13、,
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