(精品)MOS器件物理

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,MOS,器件物理,(,续,),转移特性曲线,在一个固定的,V,DS,下的,MOS,管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为,MOS,管的转移特性。,转移特性的另一种表示方式,增强型,NMOS,转移特性,耗尽型,NMOS,转移特性,转移特性曲线,在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压,注意 ，,V,th0,为无衬偏时的开启电压，而 是在与,V,GS,特性曲线中与,V,GS,轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压,从物理意义上而言，为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而,V,th0,与人为定义开启后的,I,DS,有关。,转移特性曲线,从转移特性曲线可以得到导电因子,K,N,（或,K,P,），根据饱和萨氏方程可知：,即有：,所以,K,N,即为转移特性曲线的斜率。,MOS,管的直流导通电阻,定义：,MOS,管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。,饱和区：,线性区：,深三极管区：,MOS,管的最高工作频率,定义：当栅源间输入交流信号时，由源极增加（减小）流入的电子流，一部分通过沟道对电容充（放）电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量，当变化的电流全部用于对沟道电容充放电时，,MOS,管就失去了放大能力，因此,MOS,管的最高工作频率定义为：,对栅输入电容的充放电电流和漏源交流电流值相等时所对应的工作频率,。,饱和区,MOS,管的跨导与导纳,工作在饱和区的,MOS,管可等效为一压控电流源，故可用跨导,g,m,来表示,MOS,管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该,MOS,管越灵敏，在同样的过驱动电压,（,V,GS,V,th,）,下能引起更大的电流，根据定义，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即：,饱和区跨导的倒数等于深三极管区的导通电阻,R,on,饱和区,MOS,管的跨导与导纳,讨论,1,：,在,K,N,（,K,P,）,为常数（,W/L,为常数）时，跨导与过驱动电压成正比，或与漏极电流,I,D,的平方根成正比。,若漏极电流,I,D,恒定时，则跨导与过驱动电压成反比，而与,K,N,的平方根成正比。,为了提高跨导，可以通过增大,K,N,（增大宽长比，增大,C,ox,等），也可以通过增大,I,D,来实现，但以增大宽长比为最有效。,饱和区,MOS,管的跨导与导纳,讨论,2,：,双极型三极管的跨导为：，两种跨导相比可得到如下结论：,对于双极型，当,I,C,确定后，,g,m,就与几何形状无关，而,MOS,管除了可通过,I,DS,调节跨导外，,g,m,还与几何尺寸有关；双极型三极管的跨导与电流成正比，而,MOS,管的跨导与成正比，所以在同样工作电流情况下，,MOS,管的跨导要比双极型三极管的跨导小。,饱和区,MOS,管的跨导与导纳,对于,MOS,管的交流小信号工作还引入了导纳的概念，导纳定义为：当栅源电压与衬底电压为一常数时的漏极电流与漏源电压之比，即可表示为：,MOS,管的最高工作频率,C,表示栅极输入电容，该电容正比于,WLC,ox,。,MOS,管的最高工作频率与沟道长度的平方成反比，因此，减小,MOS,管的沟道长度就能很显著地提高工作频率,。,二阶效应,二阶效应在现代模拟集成电路的设计中,是不能忽略的，主要的二阶效应有：,MOS,管的衬底效应,沟道调制效应,亚阈值导通,温度效应,衬底偏置效应（体效应）,在前面的分析中：,没有考虑衬底电位对,MOS,管性能的影响,假设了所有器件的衬底都与器件的源端相连，即,V,BS,0,但在实际的模拟集成电路中，由于,MOS,器件制作在同一衬底上，就不可能把所有的,MOS,管的源极与公共衬底相接，即,V,BS,0,例如：在实际电路设计中,NMOS,管的源极电位有时就会高于衬底电位（仍能保证源极与漏极与衬底间保持为反偏，使器件正常工作）,衬底偏置效应（体效应）,根据阈值电压的定义及,MOS,管的工作原理可知，,MOS,管要形成沟道必须先,中和,其耗尽层的电荷，假设,V,S,V,D,V,B,，当,0,V,GB,V,th,时则在栅下面产生了耗尽但没产生反型层，保持,MOS,管的三端电压不变，而降低衬底电压,V,B,，则,V,GB,增大，更多的空穴被排斥到衬底，而留下了更多的负电荷，从而使其耗尽区变得更宽，即当,V,B,下降、,Q,b,上升时，,V,th,也会增大。这种由于,V,BS,不为,0,而引起阈值电压的变化的效应就称为“,衬底效应,”，也称为“,背栅效应,”。,衬底偏置效应（体效应）,在考虑衬底效应时，其耗尽层的电荷密度变化为：,把上式代入阈值电压的表达式，可得其阈值电压为：,其中,V,th,0,是在无体效应时的阈值电压；，称为体效应因子，,的大小由衬底浓度与栅氧厚度决定，其典型值在,0.3,到,0.4V,1/2,。,对于,PMOS,管，考虑体效应后的阈值电压为：,对于衬底效应表明其衬底势能,V,sub,不需改变：如果其源电压相对于,V,sub,发生了改变，会发生同样的现象。,衬底偏置效应（体效应）,例：,衬底偏置效应（体效应）,由于衬底电位会影响阈值电压，进而影响,MOS,管的过驱动电压，所以衬底可以视为,MOS,管的第二个栅（常称背栅）。,因此为了衡量体效应对,MOS,管的,I/V,的影响，定义一衬底跨导,衬底跨导：在源漏电压与栅源电压为常量时漏极电流随衬底电压的变化关系：,则衬底电位对漏极电流的影响可用一个电流源,g,mb,V,BS,表示。,衬底偏置效应（体效应）,在饱和区，,g,mb,能被表示成,而根据阈值电压与,V,BS,之间的关系可得：,因此有：,上式中,=,g,mb,/,g,m,，,g,mb,正比于,。上式表明当较大时，不断增大的衬底效应的变化就不明显了。,注意,g,m,V,GS,与,g,mb,V,BS,具有相同极性，即提高衬底电位与提高栅压具有同等的效果。,沟道调制效应,在分析器件的工作原理时已提到：在饱和时沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏之间的电压差的增加而往源极移动，即有效沟道长度,L,实际上是,V,DS,的函数。这种由于栅源电压变化引起沟道有效长度改变的效应称为“沟道调制效应”。,记 ，,称为沟道调制系数，当远小于,L,时有：,沟道调制效应,在饱和区时，其漏极电流为,调制系数为：,而,L,为：,的大小与沟道长度及衬底浓度有关，,N,D,上升则,下降。考虑沟道调制效应的,I/V,曲线如下图所示。,沟道调制效应,由上图可以看出：,实际的,I/V,曲线在饱和时并非是一平行的直线，而是具有一定斜率的斜线。,所有斜线反方向延长与水平轴,V,DS,间有同一交叉点，该点的电压称为厄莱电压,V,A,。,因此在源漏之间是一个非理想的电流源。参数,反映了沟道调制的深度，且沟道越短，,越大，表明沟道调制越明显。,与,V,A,的关系为：,1/V,A,。,沟道调制效应,考虑沟道调制效应后,MOS,管的在饱和区的跨导,g,m,为：,所以沟道调制效应改变了,MOS,管的,I/V,特性，进而改变了跨导。,沟道调制效应,不考虑沟道调制效应时，,MOS,管工作于饱和区时的漏源之间的交流电阻为无穷大，是一理想的电流源。,考虑沟道调制效应后，由于漏电流随漏源电压变化而变化，其值为一有限值。这个电流源的电流值与其电压成线性关系，,可以等效为一个连接在,漏源之间的线性电阻，,这个电阻值为：,沟道调制效应,一般,r,o,也称为,MOS,管的输出阻抗，它会限制大部分放大器的最大电压增益，影响模拟电路的性能。,对于一个给定的栅源电压，一个较大的沟道长度,L,可以提供一个更理想的电流源，同时降低了器件的电流能力。因此，为了保证其电流值，应同比例增加,W,的值。,注：以上各式的推导是基于条件：,L,远小于,L,（即长沟道）而得到的，此时才有 的近似线性关系，而对于短沟道器件则上述条件不成立，它会导致饱和,I,D,/V,DS,特性曲线的斜率可变。,亚阈值效应,亚阈值效应又称为弱反型效应,前面分析,MOS,管的工作状态时，采用了强反型近似，即假定当,MOS,管的,V,GS,大于,V,th,时，表面产生反型，沟道立即形成，而当,MOS,管的,V,GS,小于,V,th,时，器件就会突然截止。,但,MOS,管的实际工作状态应用弱反型模型，即当,V,GS,略小于,V,th,时，,MOS,管已开始导通，仍会产生一个弱反型层，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通，而且,I,D,与,V,GS,呈指数关系：,其中,1,是一非理想的因子；,I,D0,为特征电流：，,m,为工艺因子，因此,I,D0,与工艺有关；而,V,T,称为热电压：。,亚阈值效应,亚阈值工作特点：,在亚阈值区的漏极电流与栅源电压之间呈指数关系，这与双极型晶体管相似。,亚阈值区的跨导为：,由于,1,，所以,g,m,I,D,/V,T,，即,MOS,管的最大跨导比双极型晶体管（,I,C,/V,T,）小。且根据跨导的定义，,I,D,不变而增大器件宽,W,可以提高跨导，但,I,D,保持不变的条件是必须降低,MOS,管的过驱动电压。,因此在亚阈值区域，大器件宽度（存在大的寄生电容）或小的漏极电流的,MOS,管具有较高的增益。,为了得到亚阈值区的,MOS,管的大的跨导，其工作速度受限（大的器件尺寸引入了大的寄生电容）。,温度效应,温度效应对,MOS,管的性能的影响主要体现在阈值电压,V,th,与载流子迁移率随温度的变化。,阈值电压,V,th,随温度的变化：以,NMOS,管为例，阈值电压表达式两边对温度,T,求导可以得到,上式一直为负值，即,阈值电压随温度上升而下降,。,对于,PMOS,管则,dV,th,/d,T,总为正值，即,阈值电压随温度的上升而增大,。,温度效应,载流子迁移率随温度的变化,实验表明，对于,MOS,管，如果其表面电场小于,10,5,V/cm,，则沟道中电子与空穴的有效迁移率近似为常数，并约为半导体体内迁移率的一半。,实验还发现，在器件工作的正常温度范围内，,迁移率与温度近似成反比关系,。,温度效应,漏源电流,I,DS,随温度的变化,根据以上的分析，温度的变化会引起阈值电压与迁移率的变化，进而影响其漏源电流。由萨氏公式两边对,T,求导得：,则有：,由于温度的变化对阈值电压与迁移率的影响正好是反向的，漏源电流,I,DS,随温度的变化取决于这两项的综合，因此，,MOS,管的电性能的温度稳定性比双极型的晶体管好,。,