《SPICE电路模拟六》PPT课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,SPICE电路模拟,第六章、蒙特卡罗分析,张志亮,蒙特卡罗分析的统计统计分布,蒙特卡罗分析参数描述,高斯分布,.PARAM xx=,GAUSS(nominal_val,rel_variation,sigma),.PARAM xx=,AGAUSS(nominal_val,abs_variation,sigma),均匀分布,.PARAM xx=,UNIF(nominal_val,rel_variation,),.PARAM xx=,AUNIF(nominal_val,abs_variation,),随机极限参数分布,.PARAM xx=,LIMIT(nominal_val,abs_variation,),各参数意义,蒙特卡罗分析的启动,通过,.DC,、,.AC,、,.TRAN,分析语句启动，并且可以通过,MONTE,参数设定蒙特卡罗分析的次数。,.,DC,sweepVar,start stop step sweep,MCcommand,.AC type step start stop sweep,MCcommand,.TRAN step start stop sweep,MCcommand,MCcommand,的语法格式为：,MONTE=,$,关键字,+,$,指明列表值,MCcommand,示例,MONTE=,$,关键字,+,$,指明列表值,示例：,.dc k start=2 stop=4 step=0.5,monte,=10,.dc k start=2 stop=4 step=0.5,monte,=5,firstrun,=6,.dc k start=2 stop=4 step=0.5,monte,=list 5:7 10,.dc k start=2 stop=4 step=0.5,monte,=list(5:7 10),实验：,P229,，图,P230,。,右边给出了部分参考代码,monte.sp,.options post,.dc,monte,=60,.,param,ru_1=unif(100,0.2),Iu1 u1 0-1,ru1 u1 0 ru_1,.end,实验：,P233,，图,P232,最坏情况分析（,P140,、,P233,）,最坏情况分析经常被用来对,MOS,和双极型集成电路进行参数极端情况的分析，一般用来作最坏情况分析的参数是取其统计分布的,+/-2,或,+/-3,值来进行的。所选取的参数作最不利的组合，如：,SS,、,FF,、,SF,、,FS,等，而后在这种情况下进行电路性能模拟，从而进一步调整电路设计参数，最后以一种符合实际的折衷方法完善电路的设计。,典型参数,XL,：实际沟道长度的误差,Difference between the physical(on the wafer)and the drawn reference channel length.,XW,：实际沟道宽度的误差,Difference between the physical(on the wafer)and the drawn S/D active width.,TOX,：栅极氧化层厚度,Gate oxide thickness.,RSH,：源,/,漏极的方块电阻,Source/drain sheet resistance.,DELVTO,：临界电压变化,Threshold voltage shift.,典型参数的影响,实验：图,P237,使用,TSMC 0.18um,库的,TT_3V,工艺，并指定,MOS,管尺寸的长,(1u),和宽,(10u),加一脉冲信号并作瞬态分析，观看输入输出波形,通过使用,.ALTER,语句，同时在,TT,，以及在,SS,、,FF,、,SF,、,FS,等极限工艺角情况下依次进行分析，并在库中查看不同工艺角情况下的参数设置,数据驱动分析（,P204,）,数据驱动分析，允许同时修改多个参数值，再执行原来指定的直流、交流、暂态分析等操作,由,.DATA,语句定义参数值阵列,在原来的直流、交流、暂态分析语句里要加入指定使用的数据阵列名称,.DATA,语句定义形式,.DATA,datanm,pnm1,+pval1 ,+pval1,.ENDDATA,实例：,.DATA,mydata,param1 param2,1 23,4 56,.ENDDATA,在分析里指定使用的数据阵列名称,工作点分析,.DC DATA=,dataname,直流扫描分析,.DC,vin,1 5 0.25 SWEEP DATA=,dataname,交流扫描分析,.AC,dec,10 100 10meg SWEEP DATA=,dataname,暂态分析,.TRAN 1n 10n SWEEP DATA=,dataname,实验：,P103,图,3.1,，反相器,(,修改,),3.3V,PCH3,N,CH3,使用,TSMC 0.18um,库的,TT_3V,工艺，并通过参数指定,MOS,管尺寸的长和宽，通过,.data,语句定义几组不同的长宽参数阵列，查看自动选择元件模型的结果,加一脉冲信号并使用上面定义的参数数据阵列作瞬态分析，观看输出波形,