5-3 结型场效应管JEFT

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,5.3,结型场效应管,5.3.1 JFET,的结构和工作原理,5.3.2 JFET,的特性曲线及参数,5.3.3 JFET,放大电路的小信号模型分析法,5.3.1 JFET,的结构和工作原理,1.,结构,#,符号中的箭头方向表示什么？,2.,工作原理,v,GS,对沟道的控制作用,当,v,GS,0,时,（以,N,沟道,JFET,为例）,当沟道夹断时，对应的栅源电压,v,GS,称为,夹断电压,V,P,（或,V,GS(off),）。,对于,N,沟道的,JFET,，,V,P,0,。,PN,结反偏,耗尽层加厚,沟道变窄。,v,GS,继续减小，沟道继续变窄。,2.,工作原理,（以,N,沟道,JFET,为例）,v,DS,对沟道的控制作用,当,v,GS,=0,时，,v,DS,I,D,G,、,D,间,PN,结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。,当,v,DS,增加到使,v,GD,=,V,P,时，在紧靠漏极处出现预夹断。,此时,v,DS,夹断区延长,沟道电阻,I,D,基本不变,2.,工作原理,（以,N,沟道,JFET,为例）,v,GS,和,v,DS,同时作用时,当,V,P,v,GS,0,时，导电沟道更容易夹断，,对于同样的,v,DS,，,I,D,的值比,v,GS,=0,时的值要小。,在预夹断处,v,GD,=,v,GS,-,v,DS,=,V,P,综上分析可知,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管,。,JFET,是电压控制电流器件，,i,D,受,v,GS,控制。,预夹断前,i,D,与,v,DS,呈,近似线性关系；预夹断后，,i,D,趋于,饱和。,#,为什么,JFET,的输入电阻比,BJT,高得多？,JFET,栅极与沟道间的,PN,结是反向偏置的，因 此,i,G,0,，,输入电阻很高。,5.3.2 JFET,的特性曲线及参数,2.,转移特性,1.,输出特性,与,MOSFET,类似,3.,主要参数,5.3.2 JFET,的特性曲线及参数,5.3.2 FET,放大电路的小信号模型分析法,1.FET,小信号模型,（,1,）低频模型,（,2,）高频模型,2.,动态指标分析,（,1,）中频小信号模型,2.,动态指标分析,（,2,）中频电压增益,（,3,）输入电阻,（,4,）输出电阻,忽略,r,ds,，,由输入输出回路得,则,通常,则,end,