电性量测对半导体双量子点的影响

按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,電,性量測對半導體雙量子點的影響,Zeno,與反,Zeno,效應,研究人員：唐英瓚,(,Phd,Student)NCTU.,EPhys,陳岳男博士,(Dr.)NCTU.,EPhys,T.Brandes,(Dr.)UMIST.Phys,指導教授：褚德三 老師,(Dr.)NCTU.,EPhys,2006.4.8NCKU,025m,Outline,a.Zeno,謬論：,b.,原子光學的量測,c.,半導體電性的量測,1.,介紹,2.,理論模型與計算方法,b.Master Equation,a.,模型,(Hamiltonian),3.,分析與討論,4.,結論,025m,由傳統時變薛丁格方程式可以推導，在,t,時刻，粒子被發現停,留在初態的機率是,對,於,t,的情況下,系統表現對數的衰減 相反的,在初始態中，求得,:,利用量測也說明了薛丁格方程對短時間預期結果,(,不存在正比,t,的關係,),所以世界上存在著,Zeno,效應,而且確實可以經由量測改變自發性,衰減率,2.Model,與方法,-6 1m,Result and Discussion-4 05m,Result and Discussion-3 05m,Result and Discussion-1 1m,圖一：,上,，一個由,Fujisawa,與,Tarucha,利用閘極規範的單量子,傳輸器,(SET),。在,AlGaAs/GaAs,超晶格接合面下處,100nm,自然形,成二維電子氣，將閘極,(GL,，,GC,，,GR),加入負電壓，最大調控電壓,落差在,0.1meV,。,下,，物理空間中的雙量子點俯視圖。首先，電子,經由窄通道,(80nm),連接來源端與接收端，黑色線表金屬閘，彼此,寬約,40nm,。在左邊規範的量子點約,15,顆電子而右邊約,25,顆電子。,左端充電的能量約,4meV,與,1meV(Science Oct.1998 V282),Introduction-4 025m,圖二，,左,在低溫,23mK,時測到的電流隨電壓差,(),的變化。,測到的電流來源有二，一個是屬於沒有聲子擾動下的彈性電流,(,虛線,),，另一個是聲子擾動下的非彈性電流,(,點實線,),。紅圈點的地方說明了,電流在以為橫軸的分布中，不對稱的原因,(,寬且震盪,),源自聲子的自發,性放射。,下,比較躍遷到接收端的衰減率與雙量子點耦合強度對電流,的影響。,Introduction-5 025m,量測行為是屬於一個更大系綜下的一個交互作用項,理論上,倘若量測的刺激是很非常密集的，極端如量子力學的,projection,，這個沒有反應時間誤差的計算將等同於,動態理論,wide band,近似。一般，拿金屬導線,(wide-band),當作量測裝置時，計算上的結果與量子力學的,projection,預測大致相同,.,2.,可證明,連續不斷的量測對系統演化的貢獻等同於一個,Lorentzian,性質的,sincx,(,取樣函數,),分布的擾動因子，又稱為量測因子,其量測率為傳統費米黃金率決定,(,常數躍遷率,),3.,這裡,我們的研究精神是利用一組可實現的半導體元件來類比量測因子的行為,間接建構一個,-,在受到連續不斷的量測,(projection),下,自發性衰減率,(,由電子與聲子交互作用形成,),遭受改變的證明,.,4.,一個量子點與金屬導線的組合等效於一組以,同調電壓為,中心位置，幅寬為量測頻率，狀態密度為,Lorentz,的偵測器，我們稱之為,Zeno-like,偵測器。所以，當雙量子點系統聯接到一組金屬導線時並使其量測頻率遠大於同調電壓，量測頻率的增加將使系統趨於局域化；相反的，如果量測頻率遠小於同調電壓，這時候的量測頻率將會加速系統,反應，也就是去局域效應。,我們可經由低維元件的量測來控制系統的自發性衰減率,.,4.,結論,1.5m,