项目2_非线性电子元器件的检测工艺 (2)

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,项目,4,项目,1,项目,2,项目,3,项目,6,项目,7,项目,5,1,项目,2,非线性电子元器件的检测工艺,学习要点,:,1.,学习非线性电子元器件的性能、特点、主要参数、标志方法。,2.,学习非线性电子元器件的基本检测方法。,项目,2,学习要点,1,2,项目,2,主要内容,非线性,电子元器件,元件两端所加电压，与流过元件的电流不成线性关系，则该元件就称为非线性元件。,半导体二极管,半导体三极管,场效应管,集成电路,项目,2,主要内容,2,3,半导体产业中有两大分支：集成电路和分立元件。集成电路（,integrated circuit,）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；,分立元件指的是象电阻、电容、二极管、三极管等独立的单独功能的元件，这些元件的功能不能再拆分，是电子元件中的基本功能单元。而集成电路是指集成了多种功能的单一器件，也就是说一个集成电路的功能相当很多个电阻、二极管、三极管等元件按一定逻辑连接起来的功能。,项目,2,相关知识,3,4,半导体分立元件,型号命名,半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。,按国家标准,GB249-74,的规定，国产半导体分立器件的型号命名由五部分组成。,项目,2,相关知识,第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分,用字母,表示器件的材料与极性,用数字,表示器件的电极数目,用,数字,表示序号,用,字母,表示规格,用字母,表示器件的用途,上一级,4,5,国产半导体分立器件型号的命名意义,项目,2,相关知识,第一部分,第二部分,第三部分,第四部分,第五部分,用数字表示器件的电极数目,用字母表示器件的材料和极性,用字母表示器件的用途,用数字表示器件的序号,用字母表示规格号,符号,意义,符号,意义,符号,意义,2,二极管,A,B,C,D,N,型锗材料,P,型锗材料,N,型硅材料,P,型硅材料,P,V,W,C,Z,L,S,N,U,K,普通管,微波管,稳压管,变容管,整流管,整流堆,隧道管,阻尼管,光电器件,开关管,3,三极管,A,B,C,D,E,PNP,型锗材料,NPN,型锗材料,PNP,型硅材料,NPN,型硅材料,化合物材料,X,G,D,A,U,K,低频小功率管（,f,a,3MHz,P,C,1W,）,高频小功率管（,f,a,3MHz,P,C,1W,）,低频大功率管（,f,a,3MHz,P,C,1W,）,高频大功率管（,f,a,3MHz,P,C,1W,）,光电器件,开关管,T,Y,B,J,可控整流管,体效应器件,雪崩管,阶跃恢复管,CS,BT,FH,PIN,JG,场效应器件,半导体特殊器件,复合管,PIN,型管,激光器件,5,6,2.1,半导体二极管,半导体二极管的类型与用途,普通二极管的检测方法,特殊类型的二极管,2.1,半导体分立元件,二极管,6,7,2.1.1,二极管的类型与用途,二极管由一个,PN,结、电极引线以及外壳封装构成的。,二极管的最大特点是：,单向导电性,。其主要作用包括：稳压、整流、检波、开关、光,/,电转换等。,1,二极管的分类方式,按材料来分：硅管和锗管,按结构来分：点接触型和面接触型,按用途来分：,检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,7,8,常用二极管的外形结构和电路符号,2.1,半导体分立元件,二极管,8,9,2.1.2,普通二极管的检测方法,（,1,）外观判别二极管的极性,二极管的正、负极性一般都标注在其外壳上，有时会将二极管的图形直接画在其外壳上。,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,9,10,2.1.2,普通二极管的检测方法,（,2,）万用表检测普通二极管的极性,用指针式万用表的 或 挡测量二极管的正、反向电阻。若两次阻值相差很大，说明该二极管性能良好；并根据测量电阻小的那次的表棒接法，判断出与黑表棒连接的是二极管的正极，与红表棒连接的是二极管的负极。,数字万用表同理，与黑表棒连接的是二极管的负极，与红表棒连接的是二极管的正极。,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,10,11,2.1.2,普通二极管的检测方法,（,3,）万用表检测普通二极管的好坏,用万用表测量二极管的正、反向电阻时，如果两次测量的阻值都很小，说明二极管已经,击穿,；如果两次测量的阻值都很大，说明二极管内部已经,断路,；两次测量的阻值相差不大，说明二极管,性能欠佳,。在这些情况下，二极管就不能使用了。,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,11,12,（,4,）判别硅、锗管,若不知被测的二极管是硅管还是锗管，可根据硅、锗管的导通压降不同的原理来判别。将二极管接在电路中，当其导通时，用万用表测其正向压降,硅管一般为,0.6,0.7V,锗管为,0.1,0.3V,。,2.1.2,普通二极管的检测方法,2.1,半导体分立元件,二极管,12,13,2.1.3,特殊类型的二极管,（,1,）稳压二极管,稳压二极管是一种,工作在反向击穿区、,具有稳定电压作用的二极管。,注意：稳压二极管在电路中应用时，必须串联限流电阻，避免稳压二极管进入击穿区后，电流超过其最大稳定电流而被烧毁。,主要用于电路的,稳压环节,和,直流电源电路,中,。,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,13,14,（,2,）发光二极管,LED,LED,是一种将电能转换成光能的特殊二极管，是一种新型的冷光源，常用于电子设备的电平指示、模拟显示等场合。,发光二极管工作在正向区域，,其正向导通电压高于普通二极管。外加正向电压越大，,LED,发光越亮。,注意：外加正向电压不能使发光二极管超过其最大工作电流（串联限流电阻来保证），以免烧坏管子。,2.1,半导体分立元件,二极管,上一级,2.1.3,特殊类型的二极管,14,15,（,3,）整流二极管,主要用于把,交流电变换成脉动的直流电,。选择整流二极管时主要考虑,最大整流电流、最高反相工作电压,是否满足要求。,（,4,）检波二极管,主要作用是,把高频信号中的低频信号检出,。选用检波管时，主要考虑,工作频率,是否符合要求。,（,5,）变容二极管,主要用在高频电路中做,自动调谐、调频、调相,等。,2.1.3,特殊类型的二极管,2.1,半导体分立元件,二极管,15,16,课堂练习,1.,主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电的二极管是（）,2.,是把高频信号中的低频信号取出来，使用的二极管是（）,3.,主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，使用的二极管是（）,4.,主要用在高频电路中作自动调谐、调频、调相等，使用的二极管是（）,A,稳压二极管,B,检波二极管,C,整流二极管,D,变容二极管,16,17,2.2,半导体三极管,半导体三极管的类型,半导体三极管的检测方法,功率三极管的散热问题,2.2,半导体分立元件,三极管,17,18,2.2,半导体三极管,半岛体三极管由两个,PN,结、三根电极引线以及外壳封装构成的。又称,双极型,晶体管，是一种,电流控制型,器件。三极管除具有,放大,作用外，还能起电子开关、控制等作用，是电子电路与电子设备中广泛使用的基本元件。,2.2,半导体分立元件,三极管,上一级,18,19,常用三极管的外形和电路符号,2.2,半导体分立元件,三极管,19,20,2.2.1,半导体三极管的类型,（,1,）按材料来分：硅平面管、锗合金管,（,2,）按结构来分：,NPN,、,PNP,（,3,）按工作频率来分：低频管、高频管,（,4,）按用途来分：电压放大管、功率管、开关管等,2.2,半导体分立元件,三极管,上一级,20,21,1,万用表检测三极管的引脚极性及管型,三颠倒，找基极,P N,结，定管型,顺箭头，偏转大,测不出，动嘴巴,2.2,半导体分立元件,三极管,上一级,2.2.2,半导体三极管的检测方法,21,22,2.2.2,半导体三极管的检测方法,2.,三极管好坏的检测,用万用表测量三极管两个,PN,结的正、反向电阻的大小，根据测量结果，判断三极管的好坏。,三极管常见故障现象,击穿,断路,性能差,2.2,半导体分立元件,三极管,22,23,要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，发射区才可向基区发射电子；而集电结必须反向偏置，集电区才可收集从发射区发射过来的电子。,下图给出了起放大作用时,NPN,型和,PNP,型晶体管中电流实际方向和发射结与集电结的实际极性。,+,U,BE,I,C,I,E,I,B,C,T,E,B,+,U,CE,NPN,型晶体管,+,U,BE,I,B,I,E,I,C,C,T,E,B,+,U,CE,PNP,型晶体管,对于,NPN,型三极管应满足,:,U,BE,0,U,BC,V,B,V,E,对于,PNP,型三极管应满足,:,U,EB,0,U,CB,0,即,V,C,V,B,V,E,2.2,半导体分立元件,三极管,23,24,2.3,场效应管,FET,（一）,场效应管,FET,是一种利用电场效应来控制多数载流子运动的半导体器件。又称,单极型,晶体管，是一种,电压控制型,器件。场效应管具有输入电阻高（），热稳定性好，噪声低，抗辐射能力强，成本低和易于集成等特点，因此被广泛应用于数字电路、通讯设备及大规模集成电路中。,2.3,半导体分立元件,场效应管,上一级,24,25,2.3,场效应管,FET,（二）,场效应管的分类,根据沟道分类：,N,沟道、,P,沟道,根据材料分类：结型管,JEET,、绝缘栅型管,MOS,管,(,又分为增强型、耗尽型,),2.3,半导体分立元件,场效应管,（,a,）,N,沟通结型场效应管 （,b,）,P,沟通结型场效应管 （,c,）,NMOS,管 （,d,）,PMOS,管,图 场效应管的电路符号示意图,上一级,25,26,2.4,集成电路,集成电路的分类及命名方法,集成电路的引脚识别,TTL,集成电路和,CMOS,集成电路,集成电路的检测方法,2.4,集成电路,26,27,2.4,集成电路,集成电路,IC,是将半导体分立器件、电阻、小电容以及导线集成在一块硅片上，形成一个具有一定功能的电子电路，并封装成一个整体的电子器件。,与分立元件相比，集成电路具有体积小、重量轻、性能好、可靠性高、损耗小、成本低、外接元器件数目少、整体性能好、便于安装调试等优点。,2.4,集成电路,27,28,2.4.1,集成电路的分类及命名方法,1,集成电路的分类,（,1,）按集成电路的功能来分,:,数字、模拟,（,2,）按制作工艺分类：半导体、薄膜、厚膜、混合集成电路,（,3,）按集成度分类：小、中、大、超大规模,（,4,）按封装形式分：晶体管、扁平、直插,2.4,集成电路,分类及命名方法,上一级,28,29,国产集成电路的命名方法,2.4,集成电路,分类及命名方法,第一部分,第二部分,第三部分,第四部分,第五部分,用字母表示器件的符号,用字母表示器件的类型,用数字表示器件的系列和品种代号,用字母表示器件的工作温度（,0,C,）,用字母表示器件的封装 形式,符号,意义,符号,意义,符号,意义,符号,意义,C,中国制造,T,TTL,集成电路,C,0,75,W,陶瓷扁平封装,H,HTL,集成电路,E,40,85,B,塑料扁平封装,E,ECL,集成电路,R,55,85,F,全密封扁平封装,C,CMOS,集成电路,M,55,125,P,塑料直插封装,P,PMOS,集成电路,D,陶瓷直插封装,N,NMOS,集成电路,T,金属壳圆形封装,F,线性放大器集成电路,D,音响、电视集成电路,W,集成稳压电路,J,接口电路,B,非线性集成电路,M,存储器,I,IIL,集成电路,微处理器,29,30,常见集成电路的外形结构,2.4,集成电路,分类及命名方法,30,31,2.4.2,集成电路的引脚识别（一）,(a),圆形金属封装集成电路的引脚排列 （,