数电逻辑门电路

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,（1-,*,）,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,单击此处编辑母版标题样式,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,数电逻辑门电路,3.0 二极管特性及其组成的门电路,数字电路中常用的半导体器件有：二极管、三极管、场效应管等。这些器件在数字电路中只有两种工作状态：开通(导通)、关断(截止)，即开关作用。,一、半导体二极管,D,阳极,阴极,1、图形符号,2,U,D,=,0.7V(硅管),0.3V(锗管),0,相当于短接, 称,D,为导通,假设E 0.7V(硅管)、 0.3V(锗管)：,RD 0,E,R,D,I,R,D,+,U,D,-,2、二极管的开关特性,(1)当二极管上加正向电压时,这时二极管相当于一个接通的开关。,(2)当二极管上加反向电压时,R,D, ,I,0,U,D,E,这时二极管相当于一个：,断开,的开关,称,D,为截止。,二极管具有 ,单向导电性,E,R,D,R,D,+,U,D,-,I,3,二. 二极管门电路(DDL门电路),1. 二极管与门,(1)电路,L,D,1,D,2,A,B,+12V,R,+,u,L,-,D,1,D,2,+,u,A,-,+,12V,-,R,+,u,B,-,简化电路,输入信号,输入信号,输出电压,B,A,L,(2)图形符号,4,设二极管为硅管,包括以后的分析。,0,0,0,3V,3V,0,3V,3V,L,D,1,D,2,A,B,+12V,R,+,u,L,-,D,1,D,2,+,u,A,-,+,12V,-,R,+,u,B,-,(3)工作原理(输出输入关系),u,A,u,B,u,L,5,(4)真值表(状态表、功能表),(5)逻辑代数式：,L=AB,上下电平用1、0等效,有0出0，全1出1,u,A,u,B,u,L,0V,0V,0.7V,0V,3V,0.7V,3V,0V,0.7V,3V,3V,3.7V,A,B,L,0,0,0,0,1,0,1,0,0,1,1,1,高电平：2V 低电平：1V,正逻辑：高电平用“1表示，低电平用“0表示,负逻辑：高电平用“0表示，低电平用“1表示,今后讲课、作业假设不特别指明，默认为正逻辑,6,2. 二极管或门,(1)电路,L,D,1,D,2,A,B,-,12V,(2)图形符号,1,B,A,L,0,0,0,3V,3V,0,3V,3V,(3)真值表,(4)逻辑代数式：,有1出1，全0出0,L=A+B,A,B,L,0 0 0,0 1 1,1 0 1,1 1 1,7,三、逻辑电路的性能指标,衡量逻辑电路优劣的指标如下,1、输入输出电平,表示输入、输出电压值的大小,高电平2V，用1表示,低电平1V，用0表示,不同厂家、不同系列的所对应的上下电平有所不同。如P70表3.1.2所示。,2、噪声容限,表示门电路的抗干扰能力。噪声容限越大，抗干扰能力越强。,门电路的输出上下电平不是一个值，而是一个范围。同样，它的输入上下电平也有一个范围，即它的输入信号允许一定的容差，称为噪声容限。,8,低电平噪声容限：,VNLVOFF-VOLmax-,高电平噪声容限：,VNHVOHmin-VON-,噪声容限,越大越好！,9,50%,50%,t,PHL,t,PLH,输入波形,u,i,输出波形,u,O,3、传输延迟时间,t,pd,表示输出波形相对于输入波形延迟了多长时间,t,PHL,导通延迟时间,t,PLH,截止延迟时间,平均传输延迟时间,t,pd,：,t,pd,越小越好！,10,4、功耗,P,D,表示其耗能多少,P,D,f V,2,DD,f,：转换频率,V,DD,：电源电压,P,D,越小越好！,5、延时,-,功耗积,DP,DP,t,pd,P,D,DP,越小越好！,6、,扇入系数与扇出系数,扇入系数,N,I,门电路的输入端个数,扇出系数,N,O,：,指一个门电路能带同类门的最大数目，它表示带负载的能力。,N,O,越大越好。,扇出系数,N,O,分为两种情况：,11,0,0,I,IH,I,IH,I,OH,(1)拉电流工作时的,扇出系数,N,OH,扇出系数,N,OH,I,OH,/,I,IH,(2)灌电流工作时的,扇出系数,N,OL,1,1,I,IL,I,IL,I,OL,扇出系数,N,OL,I,OL,/,I,IL,12,7、逻辑电路的其它参数,(1)关门电平电压VOFF是指输出电压上升到VOH(min)时对应的输入电压。即输入低电压的最大值。在产品手册中常称为输入低电平电压，用VIL(max)表示。,(2)开门电平电压VON是指输出电压下降到VOL(max)时对应的输入电压。即输入高电压的最小值。在产品手册中常称为输入高电平电压，用VIH(min)表示。,(3)阈值电压Vth电压传输特性的过渡区所对应的输入电压，即决定电路截止和导通的分界限，也是决定输出高、低电压的分界限。,近似地：VthVOFFVON,即ViVth，与非门关门，输出高电平；,ViVth，与非门开门，输出低电平。,Vth又常被形象化地称为门槛电压。Vth的值为1.3V1.V。,13,FET分类:,绝缘栅场效应管,结型场效应管,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,MOS逻辑门电路,一、,场效应管,简介,场效应管(Field Effect Transistor，简称FET),三极管是一种电流控制元件(iB iC)，工作时能耗大，温度特性差。,场效应管是一种电压控制器件(uGS iD)，工作时根本上不需要信号源提供电流，所以它能耗小，且温度稳定性好。,14,绝缘栅场效应管(Metal Oxide,Semiconductor FET), 简称MOSFET。,1.,增强型绝缘栅场效应管,N,沟道,管,(1) 符号,漏极,源极,栅极,衬底,G,S,D,B,(2)根本接法,g,s,d,+,u,G,-,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,-,R,D,在出厂时栅极G与D、B、S是绝缘的,栅极电流,i,g,0,15,g,s,d,u,G,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,R,D,g,s,d,0V,+,u,DD,R,D,u,G,简化电路,g,s,d,+,u,G,-,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,-,R,D,有时画成,16,(3),N,沟道增强型管的工作状态,及其判断方法,1截止状态,条件：,u,GS,U,T,(开启电压,0,的固定值),如:,u,GS,0时,截止状态特点：,i,D,0,这时场效应管D 、S端相当于:,一个断开的开关。,2,可变电阻,状态,条件：,u,DS,u,GS,-,U,T,且,u,GS,U,T,特点:,r,ds,是一个受,u,GS,控制的可变电阻,u,GS,越大,r,ds,越小,当,u,GS,足够大,(如:,u,GS,u,DD,)时,r,ds,0,场效应管DS端相当于:,一个接通的开关。,g,s,d,u,G,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,R,D,17,3恒流状态(放大状态),条件: uDS uGS-UT且uGS UT,特点: uDSuDD -iDRD,iDuGS,假设uGS恒定, 那么iD恒定,恒流源特点,这时场效应管D 、S端相当于:,一个受电压控制的恒流源,g,s,d,u,G,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,R,D,18,2.,增强型绝缘栅场效应管P沟道,管,(1),符号,栅极G与D、B、S是绝缘的。栅极电流ig0,(3)分析方法,分析方法与N沟道增强型一样，只不过须将所有的电压电流方向、大于小于号方向反过来。(P沟道管UTUT (如:uGuDD uGS 0 UT ) : 截止， iD0,uGS 足够小(如: uG0 uGS -uDD) : 导通,uDS0,漏极,源极,栅极,衬底,G,S,D,B,(2)根本接法,g,d,s,u,G,+,u,SD,-,i,g,i,D,+,u,DD,R,D,g,s,d,+,u,DD,+,u,DD,u,G,R,有时,19,例1,判断下面MOS管的工作状态。,截止,导通,导通,截止,g,s,d,+5V,0V,+5V,R,g,s,d,+5V,0V,0V,R,g,s,d,+5V,+5V,+5V,R,g,s,d,+5V,+5V,0V,R,20,3.,耗尽型绝缘栅场效应管,N,沟道管,(1),符号,G,S,D,B,漏极,源极,栅极,衬底,(2)根本接法,栅极G与D、B、S是绝缘的,栅极电流,i,g,0,g,s,d,u,G,+,u,DS,-,i,g,i,D,+,u,DD,R,D,g,s,d,+,u,DD,u,G,0V,R,D,或,21,(3),N,沟道,耗尽型,管的工作状态,及其判断方法,1截止状态,条件:,u,GS,U,P,(,夹断电压,0),uGSUP(如:uGSuDD) : 截止， iD0,uGS 足够小(如:uSG 0) : 导通，uDS0,漏极,源极,栅极,衬底,(2)根本接法,g,s,d,u,G,+,u,DS,-,i,g,i,D,-,u,DD,R,D,有时,g,s,d,-,u,DD,u,G,0V,R,24,例2,判断下面MOS管的工作状态。,截止,导通,截止,导通,g,s,d,+5V,-,5V,0V,R,g,s,d,+5V,0V,0V,R,g,s,d,-,5V,+,5V,0V,R,g,s,d,-,5V,0,V,0V,R,25,二、CMOS反相器(非门),CMOS电路由N沟道与P沟道管组成的互补电路,1、电路,3、工作原理(逻辑关系),(1)当,V,A,=0V时，,T,N,截止，T,P,导通。输出,V,L,V,DD,。,(2)当,V,A,=,V,DD,时，,T,N,导通，T,P,截止，输出,V,L,0V。,A,L,1,T,P,T,N,V,DD,V,A,V,L,4.真值表(状态表、功能表),A,L,0,1,1,0,26,5电压传输特性,T,P,T,N,V,DD,V,i,V,o,6工作速度,由于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通，导通电阻很小，所以当带电容负载时，时间常数很小，电容的充放电速度比较快，信号传输延迟时间很小。,CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。,27,三、其他的CMOS门电路,1CMOS与非门,(1)电路,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,B,A,L,A,B,L,0 0 1,0,0,V,DD,0,V,DD,V,DD,0,V,DD,V,DD,V,DD,V,DD,T,N2,T,N1,B,L,T,P2,V,DD,T,P1,A,0,0 1 1,1 0 1,1 1 0,28,2CMOS或非门,(1)电路,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,B,A,L,1,A,B,L,0,0,V,DD,0,V,DD,V,DD,0,V,DD,V,DD,0,0,0,T,N2,T,N1,A,T,P2,V,DD,T,P1,B,L,0 0 1,0 1 0,1 0 0,1 1 0,29,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,B,A,L,1,A,B,L,3CMOS异或门,(1)电路,0,0,0,0,V,DD,V,DD,0,V,DD,V,DD,V,DD,V,DD,0,0 0 0,0 1 1,1 0 1,1 1 0,A,V,DD,B,L,X,30,四、CMOS漏极开路(OD)与非门,1 OD与非门电路,3、逻辑关系,2、图形符号,A,B,L,0 0 1,0 1 1,1 0 1,1 1 0,B,A,L,外接公共上拉电阻,A,L,B,V,DD,R,P,31,五、三态输出门电路,(TSL),(1)电路,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,EN,A,L,1,1,EN,A,L,1,T,P,T,N,V,DD,L,1,1,A,EN,(控制端),当,EN,=0时，输出为,高阻状态,。,所以，这是一个低电平有效的三态门。,当,EN,=1时, 为正常的传输门, 输出,L,A,0 0,1 1,0,0,0 ,1 ,32,EN,A,L,1,2 .其它种类的三态门,(1)三态非门,EN,A,L,0,0,1,0,1,0,1,0,1,1,低电平有效的三态非门,当,EN,=0时，,为,正常的非门,当,EN,=1时，输出为,高阻状态,EN,A,L,1,EN,A,L,1,0,1,1,1,0,0,0,0,1,高电平有效的三态非门,当,EN,=1时，,为,正常的非门,当,EN,=0时，输出为,高阻状态,33,(2)三态“与非门,输出高阻,EN,1,EN,0,输出高阻,EN,0,EN,1,高电平有效的三态与非门,低电平有效的三态与非门,&,A,B,EN,L,&,A,B,EN,L,34,六、 CMOS传输门,v,i,/,v,o,v,o,/,v,i,C,C,TG,T,N,T,P,+5V,0V,v,i,/,v,o,v,o,/,v,i,C,C,3. 工作原理,(1)当,C,0V, 即,C,+ 5V时,T,N,和T,P,都截止, 输出输入之间,相当于断开,。,v,i,/,v,o,v,o,/,v,i,C,为,0,(2)当,C,+5V,C,0V时,T,N,和T,P,导通, 输出输入之间,相当于接通,。,v,i,/,v,o,v,o,/,v,i,C,为,1,35,X,C,Y,1,TG,TG,L,C,=0时：,上面,TG通，,下面,TG断,L,=X,C,=1时：,上面,TG断，,下面,TG通,L,=Y,数据选择/分配器,36,七、 CMOS门电路的技术参数,(1)VOH(min)VDD； VOL(max)VDD。,所以CMOS门电路的逻辑摆幅(即上下电平之差)较大。,(2)阈值电压Vth约为VDD/2。,(3) CMOS非门的关门电平VOFFVDD，开门电平VONVDDVDD。,(4) CMOS电路的功耗很小，一般小于1 mW/门；,(5)因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。,37,八、 NMOS门电路,全部由N沟道的MOS管组成,1NMOS反相器 (非门),(1)电路及工作原理,设计上使两管均导通时：,T,1,的导通电阻 T,2,的导通电阻,T,1,的导通管压降 T,2,的导通管压降,“1,“0,“0,“1,耗尽型,起电阻作用,增强型,U,GS,=0,始终导通,(2)图形符号,A,L,1,A,L,0,1,1,0,(3) 逻辑关系,+,U,DD,A,L,T,1,T,2,38,2NMOS 与非门,(1)电路及工作原理,“1,有“0”,+,U,DD,B,L,T,2,T,3,A,T,1,全“1,“0,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,B,A,L,A,B,L,0,0,1,0,1,1,1,0,1,1,1,0,L=A B,T,1,T,2,的导通电阻 T,3,的导通电阻,39,有“1”,“0,L=A+B,L,+,U,DD,T,3,A,T,1,B,T,2,3NMOS 或非门,(1)电路及工作原理,(3) 逻辑关系,(2)图形符号,B,A,L,1,A,B,L,0,0,1,0,1,0,1,0,0,1,1,0,全“0,“1,T,1,T,2,的导通电阻 T,3,的导通电阻,40,3.2 TTL逻辑门电路,一、半导体三极管简介,晶体三极管、双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,简称BJT),B,E,C,B,E,C,PNP,型三极管,B,基极,C,集电极,E,发射极,1、图形符号,NPN,型三极管,41,假设：UC UB UE，那么：,IE = IC IB,IC =IB,与三极管的制造工艺、材料等有关，处在放大状态时为定值。,电流放大作用,2、 电流放大原理,(以NPN管为例),I,C,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,R,C,B,E,C,I,E,42,3、三极管的的放大状态与开关特性,(1)饱和状态,特点：,U,CE,0,这时三极管C 、 E端相当于:,一个接通的开关。,如何判断是否饱和？,方法1:假设UBUCUE,且UBE或锗管0.3V)，UCE0,方法2: IB ICS,本图中：,其中：,I,CS,为,U,CE,0的,I,C,I,C,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,R,C,B,E,C,I,E,那么三极管可靠饱和。,43,(2) 截止状态,特点: IB 0 , IC 0,这时三极管C 、 E端相当于:,一个断开的开关。,如何判断是否截止？,方法1: UBE 或锗管0.2V),方法2: UC UE UB,那么三极管可靠截止。,I,C,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,R,C,B,E,C,I,E,44,(3) 放大状态,特点： IC=IB , 且 IC = IB,这时三极管C 、 E端相当于:,一个受电流控制的恒流源。,判断是否放大的方法：,方法1:,先判断是否截止？,再判断是否饱和？,假设既不是截止，也不是饱和，那就是放大。,方法2:,UCUBUE且UBE硅管(0.5 0.7)V,锗管(0.2 0.3)V,那么三极管处在放大状态。,I,C,U,CE,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,R,C,B,E,C,I,E,45,(4) 倒置状态,U,BE,R,B,I,B,E,C,E,B,R,C,B,E,C,假设UBE硅管0.5V,锗管0.2V，,且UE UC,即: UBUEUC,三极管处在倒置状态。,46,R,1,R,2,A,L,+5V,二. 三极管非门(反相器),1,A,L,0,3V,5V,A,L,0 1,1 0,4.逻辑代数式：,有0出1，有1出0,0V,47,三 . DTL与非门,有0出1，全1出0,A,B,L,0 0 1,0 1 1,1 0 1,1 1 0,0V,0V,5V,0V,3V,3V,0V,3V,3V,5V,5V,0V,A,B,L,D,1,D,2,A,B,R,B,R,C,L,R,+5V,+5V,L,48,有1出0，全0出1,A,B,L,0 0 1,0 1 0,1 0 0,1 1 0,A,B,L,1,D,1,D,2,A,B,R,B,R,C,L,R,-,5V,+5V,L,0V,0V,5V,0V,3V,3V,0V,3V,3V,0V,0V,0V,49,五、TTL反相器,(非门),1、电路,A,L,A,L,1,3、逻辑关系,0,(1)当,u,A,=0V时：,0V,T,1,T,4,饱和,D导通,T,2,T,3,截止,u,L,(2)当,u,A,=3.6V时:,T,2,T,3,饱和, T,1,倒置, T,4,D截止,u,L,=0V,0 1,1 0,T,3,L,R,3,A,R,4,R,2,R,1,T,4,T,2,+5V,T,1,D,R,L,50,C,D,E,4. TTL反相器的,传输特性,输出电压,U,O,与输入电压,U,I,的关系。,0,1,2,3,1,2,3,4,U,i,/V,U,O,/V,A,B,T,3,U,O,R,3,U,I,R,4,R,2,R,1,T,4,T,2,+5V,T,1,D,输出高电平电压,U,OH,输出低电平电压,U,OL,51,六、TTL 与,非门,1、电路,3、逻辑关系,2、图形符号,B,A,L,A,B,L,0,0,1,0,1,1,1,0,1,1,1,0,(1)当输入有0V时：,T,1,T,4,饱和,D导通,T,2,T,3,截止,u,L,(2)当,u,A,=,u,B,=3.6V时:,T,2,T,3,饱和, T,1,倒置, T,4,D截止,u,L,=0V,T,3,L,R,3,A,B,R,4,R,2,R,1,T,4,T,2,+5V,T,1,D,R,L,52,七、TTL 或,非门,1、电路,2、图形符号,B,A,L,1,(1)当,u,A,=,u,B,=0V时:,T,1A,T,1B,饱和,T,2A,T,2B,T,3,截止, T,4,饱和D导通,u,L,(2)当,u,A,=,u,B,=3.6V时:,T,2A,T,2B,T,3,饱和, T,1A,T,1B,倒置, T,4,D截止,u,L,=0V,A,T,2A,T,2B,T,1A,T,3,L,R,3,R,4,R,2,R,1A,T,4,+5V,D,B,T,1B,R,1B,R,L,3、逻辑关系,53,(3)当,u,A,=0V,u,B,= 3.6V时:,T,1A,饱和,T,2A,截止,T,2B,T,3,饱和, T,1B,倒置, T,4,D截止,u,L,=0V,(4)当,u,A,= 3.6V,u,B,=0V时:,T,1B,饱和,T,2B,截止,T,2A,T,3,饱和, T,1A,倒置, T,4,D截止,u,L,=0V,3、逻辑关系,A,B,L,0,0,1,0,1,0,1,0,0,1,1,0,A,T,2A,T,2B,T,1A,T,3,L,R,3,R,4,R,2,R,1A,T,4,+5V,D,B,T,1B,R,1B,R,L,54,八、集电极开路,(OC),与非门,1、电路,有,源,负,载,T,3,L,R,3,A,B,R,2,R,1,T,2,+5V,T,1,R,P,U,3、逻辑关系,2、图形符号,A,B,L,0,0,1,0,1,1,1,0,1,1,1,0,B,A,L,(1)当输入有0V时：,T,1,饱和,T,2,T,3,截止,u,L,=,U,(2)当,u,A,=,u,B,=3.6V时:,T,2,T,3,饱和, T,1,倒置,u,L,=0,55,3.5 逻辑描述中的几个问题,一、 正负逻辑问题,1、正负逻辑的规定,电平的上下一般用“1和“0两种状态区别，假设规定高电平为“1，低电平为“0那么称为正逻辑。反之那么称为负逻辑。,对于同一电路输出输入关系的列写, 可以采用正逻辑，也可以采用负逻辑。同一电路采用正逻辑或负逻辑不牵涉逻辑电路本身的构造, 但却具有不同的逻辑功能。,例如：,56,正逻辑真值表,u,A,u,B,u,L,0V,0V,0.7V,0V,3V,0.7V,3V,0V,0.7V,3V,3V,3.7V,A,B,L,0,0,0,0,1,0,1,0,0,1,1,1,负逻辑真值表,A,B,L,1,1,1,1,0,1,0,1,1,0,0,0,L,A,B,L,A,B,57,2、正负逻辑的等效变换,正、负逻辑之间可按下面规律进展变换：,与或,与非或非,非非,二、 根本逻辑门电路的等效符号及其应用,1、根本逻辑门电路的等效符号,同一逻辑下，可按下面规律进展变换：,B,A,B,A,1,58,B,A,1,B,A,B,A,B,A,1,B,A,1,B,A,59,(2)任一条线一端上的小圆圈移到另一端，其逻辑关系不变。,2、逻辑符号的变换,(1)逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈，其逻辑关系不变。,(3)一端消去或加上小圆圈，同时将相应变量取反，其逻辑关系不变。,60,3、等效符号的应用,B,A,D,C,1,L,等效,等效,B,A,D,C,1,L,B,A,D,C,L,61,一、 不同类型门电路之间的接口问题,两种不同类型的集成电路相互连接，驱动门必须要为负载门提供符合要求的上下电平和足够的输入电流，即要满足以下条件：,驱动门的VOH(min)负载门的VIH(min),驱动门的VOL(max)负载门的VIL(max),驱动门的IOH(max)负载门的IIH(总),驱动门的IOL(max)负载门的IIL(总),62,二、TTL和CMOS电路带负载时的接口问题,1对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。,(a)用TTL门电路驱动发光二极管LED，这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。,(b)用TTL门电路驱动5V低电流继电器，其中二极管D作保护，用以防止过电压。,63,2带大电流负载,(a)可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器。,(b)也可在门电路输出端接三极管，以提高负载能力。,64,(2)对于或非门及或门，多余输入端应接低电平，比方直接接地；也可以与有用的输入端并联使用。,三、多余输入端的处理,(1)对于与非门及与门，多余输入端应接,高电平,。如直接接电源正端，在前级驱动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。,65,1. 输入端悬空相当于接高电平。,2. 为了防止干扰，实际中一般将可以悬空的输入端接高电平。,说明,66,本章小结,1.最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非门。它们是集成逻辑门电路的根底。,2目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。,3TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿构造，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。在TTL系列中，除了有实现各种根本逻辑功能的门电路以外，还有集电极开路门和三态门。,4MOS集成电路常用的是两种构造。一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的开展方向。,5为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。,67,第三章,逻辑门电路,结 束,68,谢谢大家！,