运算放大器及频率补偿分解课件

上传人:38****5 文档编号:243154540 上传时间:2024-09-17 格式:PPT 页数:71 大小:6.13MB
返回 下载 相关 举报
运算放大器及频率补偿分解课件_第1页
第1页 / 共71页
运算放大器及频率补偿分解课件_第2页
第2页 / 共71页
运算放大器及频率补偿分解课件_第3页
第3页 / 共71页
点击查看更多>>
资源描述
单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,模拟,CMOS,集成电路设计,Design of Analog,CMOS Integrated Circuit,Institute of VLSI Design, Hefei U.of Tech,第五讲,运算放大器及频率补偿,1,5.1,概述,5.2,单级运放,5.3,两级运放,5.4,增益的提高,5.5,共模反馈,5.6,输入范围,5.7,转换速率,5.8,电源抑制,5.9,运放的频率补偿,5.10,运放的设计,2,5.1,概述,一、运放定义,高增益的差动放大器,通常增益范围在,10,1,10,5,。,运放一般用来实现一个反馈系统,其开环增益大,小根据闭环电路的精度要求来选取;,环路,增益,A越大,,Y/X,对,A,的变化越不,敏感,通过增加或,A,使闭环,增益更加精确。,闭环增益,误差,3,二、性能参数,1,、增益,?,运放的开环增益确定了使用运放反馈系统的精度。,?,高开环增益对于抑制非线性是必须的。,2,、小信号带宽,?,当运放工作频率增加,开环增益下降,反馈系统误差,加大。,?,通常定义为单位增益频率,指运放开环电压增益下降,到,1,(或,0dB,)时的频率。,也可以规定,3dB,频率,f,3dB,。,在运放的整体设计中需对各参数进,行折衷考虑。,对于单极点系统,,A(s,),=A,0,/,(1+s/,0,),,0,是,3dB,带宽,,A,0,0,是增益带宽积(,GBW,),决定闭环系,统的时间常数。,4,3,、输出摆幅,?,使用运放的多数系统要求大的电压摆幅以适应大范,围的信号值。,?,对大输出摆幅的需求使全差动运放使用十分普遍。,4,、线性度,?,开环运放有很大的非线性,如漏电流和输入电压之,间的非线性。,?,提高线性度的方法:,采用全差动实现方式抑制偶次项谐波;,使用闭环系统,并提供足够的开环增益以达到足够,的精度。,5,、噪声与失调,?,确定了能被处理的最小信号电平。,噪声和输出摆幅之间的折衷:,电流不变,过驱动电压降低,以提高输出摆幅,跨导增加,,漏电流噪声增加。,电压输出摆幅和器件尺寸、偏置电流、速度相,关,相互牵制,在设计时需全面考虑,大尺寸或大的偏置电流其噪,声和失调较大,5,6,、电源抑制,电源噪声会影响运放的性能,因此全差动结构更受欢,迎。,5.2,单级运放,简单运放结构,前面研究的全部差动放大器均称,为运放。,注意两个,电路极点,区别,低频小信号增益:,(,),mN,oN,oP,g,r,r,稳定性比较,镜像,极点,6,“套筒式”共源共栅运放,要得到高增益,采用共源共栅结构,单端,输出,增益数量级约为:,以减小输出摆幅,增加极点为代价。,全差动电路输出摆幅:,镜像极,点,7,套筒式运放的另一个缺点:,很难将输入输出短接,以形成单位增益缓冲器。,什么条件下,,M2,和,M4,工,作在饱和区?,M,2,饱和,M,4,饱和,输出电压摆幅:,小于阈值电压,8,套筒式共源共栅运放的缺点是较小的输出摆幅,以及,很难将输入输出短接以形成单位增益缓冲器。,折叠式共源共栅运放可以减小以上不利因素。,最小值可,以是,0,电位,最大值可,以是,Vdd,折叠共源,共栅尾电,流源,NMOS,共,源共栅,PMOS,共,源共栅,9,PMOS,为输入对管的折叠式共源共栅运放结构,notice,:,(,1,),I,SS1,=I,SS,/2+I,D3,,折叠结构消耗更大的功率。,(,2,)输入共模电平需大于,V,b1,-V,GS3,+V,THP,,,允许,将输入和输出短接,。,输入对,管尾电,流源,折叠共源,共栅尾电,流源,10,折叠式共源共栅运放的特点:,(,1,)大的输出摆幅,DD,OD3,OD5,OD7,OD9,单边输出摆幅:V,-(V,+V,+,V,+,V,),比套筒式共源共栅运放的单边输,出摆幅小了一个尾电流源的过驱,动电压。,M,5,、,M,6,流过电流大,若器件,尺寸小,需要较大的过驱动电压。,(,2,)小信号增益,:,1,3,3,3,1,5,7,7,7,9,(,),(,|,)|(,),v,m,m,mb,o,o,o,m,mb,o,o,A,g,g,g,r,r,r,g,g,r,r,?,?,?,?,M5,减小了输出阻抗,增益是,NMOS,套筒,式共源共栅运放的,1/31/2,折叠点,X,点的极点由于具有,更大的电容,更靠近原点。,11,x,3,3,1,C,(,),m,mb,g,g,?,与,乘积,NMOS,为输入对管的折叠式共源共栅运放结构,与,PMOS,作为输入管的结构相比,,NMOS,作为输入管的折,叠,cascode,运放可以提供更高的增益,但其折叠点上的极点,更低(,M3,跨导低,此外,对于相同电流,,M5,的尺寸要更,大,电容就更大)。,12,与套筒式共源共栅运放相比,折叠式共源共栅运放:,输出摆幅大些,但具有较大的功耗、更低的增益和较低的极,点频率。,此外,由于输入、输出可以短接,输入共模电平更容易选择,,获得更为广泛的应用。,(,3,)输入共模电平接近电源的一端电压(,VDD,或,VSS,),输入共模,电平可以,等于,VDD,以,PMOS,管为输入对管时,输入共模电平可以为,0,电平。,13,套筒式和折叠式共源共栅运放也可以设计成单端输出。,V,OUT,最大值:,VDD,(,2V,OD,+Vth,),V,OUT,最大值:,VDD-2V,OD,共源共栅,电流镜,14,单端输出运放(,a,)与全差动运放(,b,)相比,存在缺点:,1,、仅能提供输出摆幅的一半;,2,、包含镜像极点,不如(,b,)稳定。,尽管全差动结构需要反馈环路来确定输出共模电,平,还是全差动结构更好!,15,5.3,两级运放,单级运放的缺点:,1,、增益被输入对管跨导与输出阻抗的乘积所限制;,2,、要获得高增益,如采用共源共栅结构,则限制输出摆幅。,采用两级运放,将增益和摆幅的要求分开处理:,1,、第一级提供高增益;,2,、第二级提供大的输出摆幅。,第二级采用简单的共源级,以提,供最大的输出摆幅。,16,m1,2,o1,2,o3,4,m5,6,o5,6,o7,8,第一级增益,g,(r,r,),第二级增益,g,(r,r,),1,2,V,V,A,A,A,?,单边输出摆幅为:,总增益与共源共栅结构相当,17,要获得高增益,第一级可以采用共源共栅结构。,18,两级运放也可以提供单端输出。,方法之一是将两个输出级的差,动电流转换成单端电压:,维持了第一级的差动特性;,若将输出与输入短接,形成,单位增益缓冲器,,其缺点:,V,OUTmin,=V,GS2,+V,ISS,,,限制了输出摆幅。,能否级联比两级更多的级数来获得更高的增益?,每级运放引入至少一个极点,多级运放很难,保证系统的稳定性。,很少用多于两级的运放。,19,5.4,增益的提高,增益的提高可以通过进一步提高输出阻抗,而不是增,加共源共栅器件!,一个有效的方法:通过反馈增大输出阻抗,电流电压反馈,提高,输出电阻。,强制,Vx=Vb,,驱动,M2,栅极,,M2,漏极电压的变,化对,Vx,的影响减小,输,出阻抗更高,等效为一个,反馈电阻,检测电流,并转换为,电压,直流偏置,辅助放大器,20,调节型共,源共栅,调节型共源共栅,1,3,03,2,02,01,g,(,)(,),V,m,m,m,A,g,r,g,r,r,?,?,类似于三层共源共,栅的增益,调节型共源共栅:,V,outmin,=V,OD2,+V,GS3,普通共源共栅:,V,outmin,=V,OD2,+V,OD1,辅助放大器减小了,输出摆幅。,对于小,信号,,V,b,=0,增益,为负还,是为正?,01,2,1,2,02,3,03,(,1),out,m,o,o,m,R,r,A,g,r,r,r,A,g,r,?,?,?,?,?,21,将调节型共源共栅应用于差动共源共栅结构中:,在差动共源共栅级中采用调节型共源共栅提高输出阻抗,最小输出电压为:,V,OD3,+V,GS5,+V,ISS2,,输出摆幅比差,动共源共栅结构小一个阈值电压,摆幅的限制来,源于增益提高,放大器中的,NMOS,差动对,X,、,Y,为,全差动,信号,M5,、,M6,差动对尾,电流源,22,PMOS,折叠式共源共栅,的最小输入共模电压,可为,0,对于,PMOS,差动对,,V,X,和,V,Y,的共模输入电压可为,0,,,对于该电路,,V,X,和,V,Y,电压,最小电压为:,min,3,out,od,X,V,V,V,?,?,min,3,1,1,out,od,od,ISS,V,V,V,V,?,?,?,最小输出电压:,相当于四层共源,共栅结构,5,7,7,0,5,(,(,),),m,m,o,ss,o,A,g,g,r,r,r,?,?,1,3,3,1,1,5,7,7,0,5,3,3,1,(,(,),),m,m,o,o,m,m,m,o,ss,o,m,o,o,AV,g,Ag,r,r,g,g,g,r,r,r,g,r,r,?,?,?,?,?,?,和差动共源共栅,结构相当,23,调节型共源共栅技术可用到共源共栅运放的电流源,负载上:,套筒式共源共栅,折叠式共源共栅,提高输出阻抗、,增益,A,1,采用,PMOS,差动对,A,2,采用,NMOS,差动对,24,性能比较:,没有一种结构在所有性能指标上都能达到最优,设,计时根据具体的性能要求来选择最合适的结构,25,5.5,共模反馈,全差动电路相对于单端电路的优点:,?,更大的输出摆幅;,?,避免了镜像极点,达到更高的闭环速度。,然而,全差动电路需要“共模反馈”(,CMFB,)。,?,NMOS,电流镜,确定的,ISS,和,PMOS,电流镜,确定的,ID3,4,不,匹配,输入输出共模电平均为,V,DD,-,I,SS,R,D,/2,实际上,NMOS,电流镜和,PMOS,电流,镜存在失配,从而引起输出电压,的变化,输入输出共,模电平如何,确定,差动,负反,馈,26,电流源失配会引起输出共模电压的变化:,由于,NMOS,电流镜确定的,I,SS,和由,PMOS,电流镜确定的,I,D3,4,存在不匹配,将产生(,I,P,-I,N,),(,R,P,|R,N,),的输出电压变化。,差动反馈不能确定共模电压,全差动电路需要共模反馈!,27,2012.11.28,晚,必须增加共模反馈网络监测两输出端的共模电平,并,调节运放的偏差电流。,CMFB,反馈电路完成:,检测输出共模电平,和参考电压进行比较,将误差送回放大器偏置网络,,调节偏置电流。,28,1,、检测输出共模电平:,R,1,和,R,2,必须比运放的输出阻抗,大得多,否则会引起运放增益,的下降。,29,(,1,)采用源跟随器和电阻检测输出共模电平,要消除阻性负载影响,可以在两个输出端与检测电阻间插入,源跟随器。,电压平移,V,GS,,具有高输入阻抗,30,缺点:,1,、减小了输出摆幅(减小了一个阈值电压);,2,、,R,1,和,R,2,,或,I,1,和,I,2,必须足够大,以保证输出端出,现大的差动摆幅时,,M,7,和,M,8,不会“挨饿”。,2,1,out,out,V,V,2,1,1,2,(,),(,),out,out,X,V,V,I,R,R,?,?,?,若,R,1,+R,2,或,I,1,不够大,,I,X,相对于,I,1,足够大,因此,I,D7,近似为,0,。,此时,,V,out,CM,不代表实际的,共模输出电平。,31,(,2,)采用工作在线性区的,MOS,管检测输出共模电平,M7,、,M8,工作在深线性区,,在,P,点引入的总电阻为:,1,2,(,),n,OX,CM,TH,W,C,V,V,L,?,?,?,缺点:,V,out,,,min,=V,TH,,减小了输出摆幅;,M7,、,M8,保持工作在线性区较困难,32,2,、反馈并控制输出共模电平,比较电路,将检测的,V,out,CM,与参考,电压,进行比,较,以负反馈的形式加到,NMOS,电流源上。,若,V,out,,,CM,增加,尾电流增加,,M,5,、,M,6,漏电流减小,使,V,out,CM,变小。,33,检测共,模电压,当,V,out1,、,V,out2,增加时,,V,P,电压减小,尾电流源,电流增加,输出共模电平,下降。,全差动两级运放需要,两个,CMFB,网络,每,一级输出需要一个!,V,out,CM,对器件的哦,工艺参数以及,V,b,的,值比较敏感,34,5.6,输入范围限制,输入共模电平在某些应用中要求有宽的输入摆幅,输入摆幅接,近输出摆幅,输出摆幅的限制由输入差动对确定,而,不是由共源共栅支路确定。,V,in,min,V,out,min,=V,GS2,+V,ISS,,,比共源共栅,支路,所允许的最小电压大一个阈值电,压。,35,如何扩展输入共模范围?,将,NMOS,差动对和,PMOS,差动对结合起,来。,36,5.7,转换速率(,slew rate,,,SR,,压摆率),?,反馈电路中的运放会出现“转换”的大信号特性。,?,转换速率:又称压摆率,是指在大幅度阶跃信号输入,情况下,输出电压的最大变化率。,V,in,为幅值为,V,0,的阶跃输入信号,阶跃响应的斜率正比于输出的终值。,对于大的阶跃输入,输出则更陡。,SR=,out,dV,dt,37,对于一个由运放构成,的线性反馈系统,斜率正比于终值,,为“线性稳定”。,对于小的输入阶,跃,输出响应遵,循指数规律。,38,而对于大的输入阶跃,输出表现为具有不变的斜率。,这种情况下的运放为转换状态。此时输出响应的斜,率为“转换速率”。,大信号转,换状态,小信号放,大状态,39,运放小信号工作状态,随着电流对,CL,的不断充电,,X,点电压逐渐上升,,差动对为工作状,态,40,?,当,V,大到只使,M,1,导通,而,M,2,关断,若忽略被,R,1,、,R,2,抽取的电流,则产生斜率为,I,SS,/C,L,的斜坡输出。,?,只要,M,2,维持关断,反馈环路则保持断开,对,C,L,的充电,电流不变,且与,V,in,无关。,?,随着,V,out,上升,,V,X,上升,,M,2,导通,电路离开转换状态,,回到小信号工作状态(放大器状态)。,/,/,/,out,SS,L,out,SS,L,V,I,C,S,dV,dt,I,C,?,?,41,/,/,/,out,SS,L,out,SS,L,V,I,C,S,dV,dt,I,C,?,?,?,?,?,转换是一种非线性现象,在转换过程中,输出的变化表,现出与输入无关的斜率。,?,在处理大信号的高速电路中,转换是一种不希望的现象,,它会限制大信号速度,而且转换期间,输入输出呈非线性关系,,输出会变现很大的失真。,42,图示反馈放大器的转换速率,对于大的正阶跃信号,,转换速率,:,1,2,1,2,/,/(,),SS,I,C,C,C,C,?,对于大的负阶跃信号,,转换速率,:,1,2,1,2,/,/(,),SS,I,C,C,C,C,?,?,43,全差动套筒式运放的转换速率,当施加大的正阶跃电压,,V,out1,、,V,out2,为斜率,I,SS,/2C,L,的斜率。,V,out1,-V,out2,转换速率为,-I,SS,/C,L,;同理,施加大的,负阶跃电压,,V,out1,-V,out2,转换速率为,+I,SS,/C,L,。,44,单端输出折叠式运放的转换速率,正转换速率为:,/,SS,L,I,C,若,I,P,I,SS,,转换速率和,I,P,无关,实际上取,I,P,I,SS,。,45,5.8,电源抑制,运放的电源线通常含有噪声,电源抑制比可以衡量对,电源噪声的抑制程度。,电源抑制比(,PSRR,):输入到输出的增益除以从电源,到输出的增益。,V,VDD,A,PSRR,A,?,46,有源电流镜为负载的差动对,有源电流镜为负载的差动对,,其电源抑制比:,电路对称,,Vout=Vx,,,V,x,=VDD-V,SG,,,Vout=,Vx=,VDD,Vout /,VDD=1,?,?,m,g,N,OP,ON,PSRR,r,r,?,电源抑制比为:,47,5.9,运放的频率补偿,?,单端输出的套筒式运放,?,全差动输出的套筒式运放,?,两级运放的补偿,运放通常包含许多极点,对于多级运放系统,更为如此,因此,运放通常必须进行“频率,补偿”,以使闭环系统稳定。,48,频率补偿的方法:,(,a,)把总的相移减至最小,使相位,交点往外推,(,b,)降低增益,使增益交点往里推,极点数最少,级数最少,降低增益,减小带宽,实际运放设计中,在满足其,他要求的情况下,考虑:,1,、首先将极点数减至最小;,2,、降低增益,使增益交点,向原点移动。,49,(,1,)单端输出的套筒式运放,估算极点的相对位置:,1,、运放的输出电阻高,在中等负载电容,下,输出极点,最靠近原点,为主,极点,通常定位在开环,3dB,处。,2,、第一非主极点:,A,点,该结点电容比,X,、,N,的大,,C,X,=C,GS5,+C,GS6,+C,DB5,+C,DB3,+C,GD3,,且,M5,的小信号电阻为,,也较大。,3,、第二非主极点:,N,点。比较,N,点和,X,(,Y,)点,,M4,和,M7,在相同过驱动电压,情况下,,PMOS,器件宽,,N,点和,Y,点对地,小信号电阻(,1/gm,)相同,而,N,点具有,较大的电容。,p,out,?,5,1,m,g,2,/,(,),m,D,GS,TH,g,I,V,V,?,?,50,单端输出套筒式运放的环路增益波特图,如何补偿?,镜像极点,w,A,通常限,制了相位裕,度。,使环路增益下降,增,益交点向原点移动。,增加负载电,容,降低主,极点频率。,问题:,1,、主极点的移动只影响幅值曲线,,而不影响相位曲线的关键部分。,2,、主极点下移多少?,51,?,补偿后,运放的单位增益带宽为,(镜像极点,,第一非主极点,,满足基本的,45,相位裕度。,?,要使运放达到宽带,,应离原点尽量远。,?,镜像极点是不希望的。,p,A,?,处增益为,1,,从,处以,-20dB/dec,向原点做一直线,得到,,,负载,电容增加到,p,A,?,p,A,?,p,out,?,/,p,out,p,out,?,?,p,A,?,降低增益,将增益交点向原点移动,52,更高输出电阻时环路增益波特图,增加,R,out,增大低频增益,虽然主,极点向原点移动,但并不改善相,位裕度。,影响相位裕度的是第一非主极点。,增加,Rout,,将增益交点向原点移动,是否可行?,53,(,2,)全差动套筒式运放,全差动套筒式运放与单端输出,的套筒式运放相比,避免了镜,像极点,仅含一个非主极点并,且位于较高的频率,更大的带,宽,且电路比较稳定。,主极点,非主极点,54,考虑,N,的极点:,C,N,与,M,7,输出电阻并联,降低了共源共栅的输出阻抗:,5,05,05,(1,),out,m,N,Z,g,r,Z,r,?,?,?,N,点对输出极点的影响:,?,减小输出阻抗;,?,但,Z,out,和负载电容的并,联仍保持单极点,其时,间常数,RC,为:,输出电阻和电容,产生的,N,节点,产生的,PMOS,共源共,栅的极点和输,出极点合并在,一起,不产生,额外的极点!,07,1,N,N,Z,r,C,S,?,考虑,N,点对输出极点影,响时,那么实际极点比,不考虑时略低些,因此,可以忽略它的影响,可,以说“信号看不见共源,共栅电流源中的极点”,55,(,3),两级运放的补偿,有三个极点,,X,处极点在较高频率处,而,E,点小,信号电阻高,,A,点负载电容大,电路出现两个主,极点。,W,E,和,W,A,的相对位置取决于设计和负载电容。,56,两级运放环路增益波特图,极点,w,p,E,和,w,p,A,均靠近原点,相位接近,-180,0,,远低于,第三个极点,即在第三个极点还未产生相移时,相位,裕度都可能已接近零。,如何补偿?,-,其中一个主极点必须向远,点移动;,-,补偿后的单位增益带宽不,可能超过开环系统的第二极,点(,w,p,A,)的频率。,-,若减小,E,的值,则带宽被,限制在一个很低的值,(,w,p,A,)。,-,要主极点变小,需要一个,很大的补偿电容。,假设,w,p,E,更为主要,57,两级运放的密勒补偿,2,1,2,(1,),1,(1,),eq,E,v,C,pE,out,E,v,C,C,C,A,C,R,C,A,C,?,?,?,?,?,?,?,密勒补偿不仅降低了所需的电容值,还具有一个重要特性:,“极点分裂效应”,蜜勒补偿后,把主极点向靠近原点的方向移,动,而输出极点向离开原点的方向移动。,解决办法,-,密勒补偿,两级运放,第一级提供高输出阻抗,,第二级提供适当的增益,为电容的密勒,补偿提供条件(可以获得较大电容)。,用中等的电容建立低频极点,?,第一级,第二级,58,两级运放的简化电路,9,9,m,Z,C,GD,g,C,C,?,?,?,密勒补偿电容对输出结点电容的贡,献不大,但高频下由于密勒电容的,存在,,M9,栅极和漏极存在低阻抗通,道(,M9,看做二极管连接器件,输出,极点看到地的电阻减小,1,1,9,9,A,S,L,m,L,m,R,R,g,R,g,R,?,?,?,?,密勒补偿使运放两级间的极点向原点移动,,使输出极点向离开原点的方向移动。,与在单个极间结点处加补偿电容比,密勒,补偿提供大得多的带宽!,两级运放有一个位于,右半平面的零点:,密勒补偿电容,A,E,L,C,C,C,?,?,电容增大,9,/(,),p,A,m,E,L,g,C,C,?,?,?,1/,p,A,L,L,R,C,?,?,补偿前极点:,输出极点比,补偿前增大,g,m9,R,L,倍。,第一非主,极点,决,定带宽,59,右半平面零点的影响,该右半平面的零点:,?,贡献更大的相移;,?,减缓了幅值的下降,使增益,交点更远离原点,降低了稳定,性。,两级运放中右半平面零点是,一个严重的问题!,9,9,m,Z,C,GD,g,C,C,?,?,?,较小,?,如何消除或,移动零点,60,增加调零电阻,9,1,(1/,),Z,C,m,Z,C,g,R,?,?,?,Z,R,1,C,C,(1/,g,m,9,?,R,Z,),?,?,g,m,9,C,L,?,C,E,R,Z,?,C,L,?,C,E,?,C,C,g,m,9,C,C,?,C,L,?,C,C,g,m,9,C,C,可以将,W,Z,移到左半平面,以便,消除第一非主极点的影响,增,加带宽。,解决办法:增加调零电阻,R,与补偿电容串联。,零点频率:,若,1,9,Z,m,R,g,?,?,则,0,z,?,?,零点在左,半平面,条件,R,Z,是工作在线性区的,MOS,管生成的,,因此需设计额外的电路给该,MOS,管,提供合适的栅压。,改善零点频率,减,小或消除它的影响,缺点是:,1,)很难保证式子成立,,C,L,未知或变化时尤,其如此,使,R,Z,设计变得十分复杂。,2,),R,Z,的具体实现问题,61,5.10,运放的设计,两级,CMOS,运放,主要设计指标:,1,、直流增益,AV,2,、单位增益带宽,GB,3,、共模输入范围,ICMR,4,、负载电容,CL,5,、压摆率,SR,6,、输出电压摆幅,7,、功耗,62,1,、计算公式,1,2,两个主要极点:,主极点,W,p1,,次极点,Wp2,一个由密勒补偿电容引起的零点,Wz,1,m,2,-1,1,g,P,R,?,2,C,(,),主极点,R,C,m,2,1,=,(1/,g,C,C,1,Z,(,),加调零电阻,Z,-R,),M1,饱和,M5,饱和,OX,W,C,L,?,?,?,镜像极点和零点基本可以抵消,63,0,1,p,GB,A,w,?,max,3,1,3,3,1,cm,SG,TH,od,TH,TH,V,VDD,V,V,VDD,V,V,V,?,?,?,?,?,?,?,2,、设计思路及步骤,1,、选择器件栅长,L,1,L,?,?,2,、由负载电容,C,L,,以及相位裕度,确定补偿电容,C,C,2,10,2.2,z,p,GB,w,GB,?,?,?,由于,才能满足,60,相位裕度,(2),(1),(2),(1),10,2.2,m,m,C,C,m,m,L,C,g,g,C,C,g,g,C,C,?,?,即,得:,0.22,C,L,C,C,?,64,0,1,2,(1,/,),(,),(1,/,)(1,/,),z,w,GB,p,p,A,s,w,A,s,s,w,s,w,?,?,?,?,?,3,、由,SR,、,C,C,确定差分输入对尾电流,I,5,5,C,I,SR,C,?,?,4,、根据最大共模输入电压,确定,M,3,/M,4,的过驱及参数,max,3,1,3,3,1,3,max,1,3,cm,SG,TH,od,TH,TH,od,cm,TH,TH,V,VDD,V,V,VDD,V,V,V,V,VDD,V,V,V,?,?,?,?,?,?,?,?,?,?,?,3,5,3,2,2,3,3,3,3,2,(,),od,od,p,OX,I,I,V,V,W,L,C,?,?,?,?,?,?,5,、根据,GB,,确定,M1,的跨导,g,m1,,过驱,以及参数,65,1,5,1,1,1,1,5,1,1,5,1,1,2,2,1,1,2,2,m,C,m,od,od,od,m,od,od,g,GB,C,I,I,g,V,V,I,V,g,I,I,V,V,?,?,?,?,?,?,?,?,6,、根据最小共模输入电压,确定尾电流管,M5,的过驱及参数,min,1,5,1,1,5,5,min,1,1,5,5,2,5,(,),2,cm,GS,od,od,TH,od,od,cm,od,TH,od,V,V,V,V,V,V,V,V,V,V,I,V,?,?,?,?,?,?,?,?,?,?,66,7,、为了达到,60,相位裕度,,w,p2,2.2GB,,由此确定,g,m6,,,I,6,,,M6,过驱及参数,6,1,6,1,2.2,=2.2,m,m,L,C,L,m,m,C,g,g,C,C,C,g,g,C,?,取,由,M6,、,M4,的镜像关系,确定,M6,参数,6,6,4,4,6,6,6,2,6,6,6,(,),=,(,),=,1,=,2,m,m,m,od,od,g,W,W,L,g,L,g,V,I,V,?,?,检查,M6,过驱,V,od6,是否满足最大输出电压要求,若不满,足,减小,V,od6,,(,W/L),6,减小,,g,m6,减小,67,方法,1,:,方法,2,:选择合适的,Vod6,,满足最大输出,电压,6,6,6,2,6,6,6,=,1,=,2,m,od,od,g,V,I,V,?,?,8,、确定第二级负载管,M7,的尺寸,M5,、,M7,成镜像关系:,6,7,5,5,(,),=,(,),I,W,W,L,I,L,检查输出摆幅要求,若不满足,减小,M7,过驱,,(W/L,),7,增大,,I,6,增大,,g,m6,增大,9,、检查,A,V,和功耗,1,2,=,V,V,V,A,A,A,?,若不满足要求:,1,)减小,I5,或,I6,2,)增加,M2,、,M4,或,M6,、,M7,的,L,,但需同比例增加,W,diss,=,P,5,6,DD,SS,(,I,+I,)(V,-V,),68,直流电流、,W/L,和补偿电容与性能的关系,69,
展开阅读全文
相关资源
正为您匹配相似的精品文档
相关搜索

最新文档


当前位置:首页 > 办公文档 > 教学培训


copyright@ 2023-2025  zhuangpeitu.com 装配图网版权所有   联系电话:18123376007

备案号:ICP2024067431-1 川公网安备51140202000466号


本站为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,本站只是中间服务平台,本站所有文档下载所得的收益归上传人(含作者)所有。装配图网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。若文档所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知装配图网,我们立即给予删除!