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单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,模拟电子技术基础,电子学教研室 段东兴,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,2.4,特殊二极管,一、齐纳二极管(稳压管),1,、组成结构:,一种特殊的面接触型半导体硅二极管。,2,、伏安特性:,稳压管主要工作于反向击穿区,与普通二极管主要的区别是:,(,1,),反向击穿可逆,。击穿后管子并没有烧坏,可恢复。,(,2,),反向特性曲线较陡,。两端电压在反向击穿后基本稳定不变。,1,稳压二极管的主要参数,1.,稳定电压,U,Z,流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。,2.,稳定电流,I,Z,越大稳压效果越好,小于,I,zmin,时不稳压。,3.,最大耗散功率,P,ZM,;最大工作电流,I,ZM,(,I,z,max,),P,ZM,=,U,Z,I,ZM,4.,动态电阻,r,Z_,稳压区,端电压变化量与其电流量变化之比。,r,Z,=,U,Z,/,I,Z,(几, ,几十,)越小稳压效果越好。,5.,电压温度系数,稳压值受温度变化影响的的系数。,2,2.4.3 稳压二极管基本应用电路,1.,稳压原理,输入电压变化时:,负载变化时:,3,电路如图,,U,Z,=6V,R,=2k,,,R,L,=12k.,求输出电压及各器件上电流大小。,解:,U,I,U,Z,,稳压管反向击穿,U,O,=,U,Z,=,6V.,I,L,=,U,O,/,R,L,=0.5mA,I,R,=(,U,I,-,U,O,)/,R,=2mA,I,DZ,=,I,R,-,I,L,=,1.5mA,稳压二极管的应用举例,4,稳压管的技术参数,:,负载电阻,R,L,600,,求限流,电阻,R,取值范围。,解:由电路可得:,+,V,Z,-,I,Z,D,Z,R,I,L,I,R,+,V,i,-,R,L,15V,2.,稳压管应用举例,5,2.4.3 稳压二极管基本应用电路,3.,稳压管和普通二极管的区分,普通二极管一般在正向电压下工作,而稳压管则在反向击穿状态下工作,二者用法不同。此外,普通二极管的反向击穿电压一般较大,高的可达几百伏至上千伏,而且反向击穿区的伏安特性曲线不陡,即反向击穿电压的范围较大,动态电阻也比较大。当稳压管的反向电压超过其工作电压 时,反向电流将突然增大,而端电压基本保持恒定,对应的反向伏安特性曲线非常陡,动态电阻很小。,6,二、发光二极管,通常用砷化镓、磷化镓等制成,当有电流通过时将发光。常用作,显示器件,。,7,2.5.1发光二极管,符号,【,例,2.7】,电路如图所示,已知发光二极管的导通电压,U,D,1.6V,,正向电流为,5,20mA,时才能发光。试问:,(,2,)为使发光二极管有可能发光,电路中,R,的取值范围为多少?,解:(,1,)当开关断开时发光二极管有可能发光。,(,2,),因此,,R,的取值范围为,220,880,。,8,三、光电二极管,光照产生反向电流,且随光照强度增加而上升。,可用作,测光器件,;制成大面积光电二极管时可作为一种能源,称,光电池,。,9,2.5.2 光电二极管,(,a,)符号 (,b,)电路模型 (,c,)特性曲线,特点:反向饱和电流与照度成正比,10,2.5.2 光电二极管,光电传输系统,11,12,13,2.5.3 变容二极管,(,a,)符号 (,b,)结电容与电压的关系(纵坐标为对数刻度),利用结电容随反向电压的增加而减小的原理制成,14,2.5.3 肖特基二极管,(,a,)符号 (,b,)正向,V,-,I,特性,电容效应非常小,正向导通门坎电压和正向压降较低,,但反向击穿电压较低,反向漏电流大,15,二极管及常见,PCB,封装如图所示。,二极管,PCB,封装图形,16,
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