CMOS模拟集成电路设计巢明05

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,大连理工大学 电信学院,*,CMOS,模拟集成电路设计,1,CMOS放大器,课程目的：,掌握CMOS反相器的分析设计方法,掌握CMOS差分放大器的分析设计方法,掌握CMOS叠接放大器的分析设计方法,掌握CMOS电流放大器的分析设计方法,掌握CMOS输出放大器的分析设计方法,掌握各种放大器的噪声分析方法,2,运算放大器的层级结构,3,运算放大器的性能指标,大信号：,电压转移特性,摆幅限制,小信号：,增益,输入输出阻抗,频率特性,其他：,噪声,功耗,温度特性,4,CMOS反相器,5,有源负载电压转移特性,Vout摆幅？,复习：,负载线如何确定？,6,Vout摆幅的求解过程,7,有源负载反相器：小信号模型,8,有源负载反相器：频率特性,电容间的对应关系？,（假设Vin接低阻抗电压源）,9,有源负载反相器：频率特性,10,有源负载反相器：频率特性,-3dB点的位置？,11,例题,有源PMOS电阻反相器，,(W/L),1,=2um/1um，(W/L),2,=1um/1um，C,gd1,=100fF，C,bd1,=200fF，C,bd2,=200fF，C,gs2,=200fF，C,L,=1pF，I,D1,=I,D2,=100uA，VDD=5V。,求：输出电压摆幅，小信号增益，输出电阻，-3dB频率,0.4184.3V，1.92V/V，9.17/10k,，10.2MHz,12,电流源负载反相器,Vout摆幅？,13,Vout摆幅,14,电流源负载反相器：小信号模型,重要结论！,15,有源负载反相器：频率特性,电容间的对应关系？,（假设Vin接低阻抗电压源）,16,有源负载反相器：频率特性,17,推挽反相器,Vout摆幅？,18,推挽反相器：小信号模型,19,推挽反相器：小信号特性,20,反相放大器的噪声分析,将MOS管中所有噪声等效为栅级电压噪声,由此计算出噪声输出电压,将噪声输出电压折合到输入端，得到等效输入噪声公式,将不同性质的噪声（热噪声，1/f噪声）带入,21,反相放大器的噪声分析,减小1/f噪声：,让L1L2,减小W1,M1使用PMOS,减小热噪声：,增加放大器增益,22,课后作业,推导三种反相放大器的噪声特性,P188，5.1-6,P188，5.1-9,P188，5.1-10,P189，5.1-14,23,CMOS差分放大器,A,VD,：差分增益,A,VC,：共模增益,A,VD,/A,VC,：共模抑制比,V,OS,(out)/A,VC,：输入失调电压,V,ICMR,：共模输入电压范围,PSRR：电源抑制比,噪声,24,