传感器及应用第7章压阻式传感器课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,*,07,传感器及应用,第7,章 压阻式传感器,9/16/2024,1,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,7.1,晶体的晶面、晶向,压阻传感器用单晶半导体材料制作,单晶体是指在同一块材料中原子基本上按照同一种方式排列的晶体。晶体中原子排列非常有规则：对称性和周期性,晶体中不同方向原子排列方式不同，所以性质也不同，这就是各向异性,需要有共认的方法，将晶体中不同方向和面（晶面）表示出来，以便根据需要选用晶面或晶向,9/16/2024,2,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,如图,7.1,所示，将坐标轴确定后，将要表示晶面在轴上截距的倒数比取整数比就可表示晶面，与晶面垂直的方向称晶向,9/16/2024,3,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,图,7.2是单晶体几组重要的晶面与晶向,9/16/2024,4,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,7.,2 扩散型压阻式传感器,随着微电子技术发展，将集成电路工艺用于制作半导体集成力（压力）传感器,目前基本不用硅应变片作压力传感器，而是利用半导体电阻率（扩散电阻）随应力变化的性质直接制作半导体器件,利用集成工艺制作扩散电阻，并将扩散电阻直接制成敏感元件（不用粘贴硅片）,9/16/2024,5,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,制作的半导体基片，受到外界振动、压力、加速度等作用将发生变形，其内部应力变化，扩散电阻的阻值也随之而变,根据电阻值的变化大小就可以确定振动、压力和加速度的大小。,这种传感器称扩散型压阻传感器，更为一般的名字是固态压力传感器,目前已有压阻式的加速度传感器与不同量程的压阻式压力传感器,9/16/2024,6,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,由于半导体电阻率会受温度的影响，所以这种压阻式力传感器需要温度补偿，目前温度补偿技术比较成熟,随着集成化技术的速猛发展，这类传感器将会发展成力传感器的主流，而且还可能智能化,9/16/2024,7,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,7.3,压阻式传感器原理与设计,7.3.,1,压阻效应,对于条形金属与半导体其电阻的表示式为,当受外力作用而使形状变化后的电阻相对变化为,9/16/2024,8,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,对金属而言，电阻变化率,d,/,很小，往往略去不计，所以电阻的变化是由应变所致,电阻变化为,金属的,=0.5，,K,s,2,对半导体来说，,电阻变化率,d,/,很大，通常表示为,d,/,=E,。,9/16/2024,9,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,上式中,称压阻系数，,E,为弹性模量，,为应力，,应变。, ,E,在半导体中压力引起电阻变化,E,（50-150），,一般比金属,K,s,（2,）,大几十倍甚至上百倍,引起半导体电阻随压力变化的原因不是材料的几何形状的变化，而是压力引起电阻率的变化，故称压阻效应,这是一种物性型传感器,在半导体中电阻变化可表示为,9/16/2024,10,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,为什么半导体的电阻率会随压力变化？,由于半导体的能带结构复杂，它有几个能谷（多能谷能带模型）,当力作用于硅晶体时，晶体的晶格发生形变，它使载流子产生一个能谷到另一个能谷的散射，这时载流的迁移率会发生变化，这会导致硅的电阻变化,e,为电子电荷，,N,为载流子浓度，,称迁移率,9/16/2024,11,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,压力会引起载流子数目和迁移率的改变，电阻率随之变化,由于晶体和各向异性，电阻率随压力的变化会随单晶的取向不同而不同，故,Si,的压阻效应与晶体取向有关。,所以切各种不同的晶面来制作压阻芯片，并在芯片的不同方向上扩散电阻条,9/16/2024,12,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,7.3.,2,压阻系数,1.,定义,压阻系数用,表示，其定义为,由于晶体的各向异性，要用张量表示,这个张量矩阵是,6,行6列共,36,个元素，,由于晶体的对称性，独立的数目少于,36,，如单晶硅就只有,3,个,9/16/2024,13,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,单晶硅的压阻系数为,如果坐标轴与晶轴一致硅晶体的电阻率可表示为,l,为纵向应力，,t,为横向应力，,s,为与,l,、,t,垂直方向的应力；,l,表示应力作用方向与电流方向一致的压阻系数，,t,表示应力作用方向与电流方向垂直时的压阻系数，,s,s,通常很小,9/16/2024,14,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,电阻变化可表示为,l,、,t,可由纵向压阻系数,11,、横向压阻系数,12,和剪切压阻系数,44,按照分式,P103（7.10）,计算。,9/16/2024,15,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,2.,影响压阻系数的因素,影响压阻系数的因素较多，由于晶体的各向异性不同的晶面与晶向的压阻系数有明显的差别,表面杂质浓度与温度也会对它有影响。图,7.6,为压阻系数与表面杂质浓度的关系曲线,由图可见,p,型硅的压阻系数明显大于,n,型硅,9/16/2024,16,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,表面杂质浓度低时，温度增加压阻系数下降得很快，而表面杂质浓度较高时压阻系数受温度的影响较小,为了使灵敏度较高，温漂小，在确定半导体材料的型号和掺杂浓度方面要从多方面考虑,9/16/2024,17,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,3,. 硅不同晶面上的压阻系数,（1,）（,100,）晶面,上的压阻系数,图,7.4是,p,型,Si,（100）,晶面上不同晶向的压阻系数,可看出只有四个对称晶向,压阻系数最大,故这是传感器制作的最佳方向。,9/16/2024,18,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,（2,）（,110,）晶面内的压阻系数,在（,110),面上横向压阻系数小于纵向。,图,7.5,为（,110,）晶面内的压阻系数图。此图中内圈为横向压阻系数,当 纵向压阻系数最大,此晶面中还有值得注意的一对晶向,9/16/2024,19,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,9/16/2024,20,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,（3,）（,111,）晶面内的压阻系数,根据计算，在晶面上的压阻系数与方向无关,对于,p,型硅,因此制作电阻条时不需定向，但灵敏度较低；在（,111,）面上腐蚀速率是各向同性的，在制作时便于加工,9/16/2024,21,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,7.3.,3,压阻式传感器的设计与制作,1.,半导体应变片,早期的压阻式传感器类似于金属应变片，利用它的高灵敏度来工作，称半导体应变片。,9/16/2024,22,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,2.,压阻式压力传感器中扩散电阻的设计,目前的压阻式压力传感器用微电子工艺，将感应区制作在同一片硅片上,硅有良好的物理性能，作为弹性元件，电阻直接扩散而成，响应速度快，可靠性高,可将温度补偿、处理和测量电路等同时集成在硅片上，向集成化、微型化和智能化方面发展,下面简要介绍主要结构上电阻的分布情况,9/16/2024,23,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,（1,）圆平膜片的设计,外力作用在圆形硅环膜片应力分布如图,7.8,所示。中间正应力最大，应该将扩散电阻放在这些位置以增大灵敏度,9/16/2024,24,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,图7.9,是在（,100,）圆膜上扩散电阻的分布,左图四臂电阻集中分布，扩散电阻阻值容易控制，温度系数也能一致，便于温度补偿,右图电阻靠边，应力最大易于测量，但一致性不易控制,在压阻传感器中受力发生变化的是电阻的大小所以仍用电桥进行信号转换,9/16/2024,25,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,图7.10,是（,110,）圆膜上扩散电阻的两种分布情况,左图一对中心，一对边缘，计算方便,右图的两对电阻沿不同方向，灵敏度高，但设计和制作均有一定难度,两种方案均可获最高灵敏度,9/16/2024,26,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,（2,）方形平膜片设计,方形边长,a,等于圆膜片直径,D,时，边应力比圆片大,60%,因此会有较高的灵敏度。图,7.11,为两促典型的（,100,）矩形膜上的电阻分布,实际上圆形有最大面积利用率加工也比较方便，在压阻式传感器中通常不采用方形结构,9/16/2024,27,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,（3,）其它膜片设计,其它还有,E,型膜片、双岛结构膜和梁结构膜等。见图,7.12-图7.15,9/16/2024,28,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,第7,章复习思考题,1.,什么是压阻效应？,2.,比较金属应变片与半导体应变片和它们的优缺点。,3.,影响压阻系数的主要因素。,4.,什么是扩散型压阻传感器（固态压阻传感器）？,5.,什么叫的各向异性？目前压阻传感器用哪种材料制作？常用的有那些晶面？,9/16/2024,29,07传感器及应用第7章压阻式传感器讲稿,