高频电路高频功率放大器课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,广东技术师范学院电子与信息学院,高频电路,第6章,6 高频功率放大器,6.2 谐振功率放大器的工作原理,6.3 晶体管谐振功率放大器的折线近似分析法,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,6.5 高频功率放大器的电路组成,6.1,概述,6.7,戊类(E类),功率放大器,6.8 宽带高频功率放大器,6.9 功率合成器,6.10 晶体管倍频器,6.6,丁类(D类)功率放大器,1.,谐振（高频）功放与非谐振（低频）功放的比较,6.1 概述,工作频率,相对频带宽,负载,工作,状态,效,率,分析,方法,共同点,低功放,高功放,低频(音频),20Hz20kHz,高频(射频),AM广播信号:,535kHz,1605kHz,1）要求输出,功率大，效率,高,2）激励信号幅度为大信号,非调谐,如：电阻、变压器,调谐,如：选频网络,甲类,乙类,甲乙类,丙类,丁类,戊类,图解法,图解法,折线法,低,高,2.,高频、低频功放与高频、低频小信号放大电路,+,E,E,+,R,C,E,E,高频,谐振功放的工作状态：大信号丙类,高频,小信号谐振放大器工作状态：甲类,低频,小信号放大器工作状态：甲类,3. 不同工作状态的功放特点,工作状态,导通角,理想效率,负载,应用,甲,(A),= 360,50%,电阻、变压器,低频,乙,(B),= 180,78.5%,电阻、变压器,低频,甲乙,(AB),180,360,50%,78.5%,电阻、变压器,低频,丙,(C),78.5%,选频回路,高频,丁,(D),开关状态,90%100%,选频回路,高频,戊,(E),开关状态,90%100%,选频回路,高频,饱和区,过压区,放大区,欠压区,截止区,A类：,B类：,C类：,Q,6.2 谐振功率放大器的工作原理,6.2.1,获得高效率所需要的条件,6.2.2,功率关系,6.3.1 晶体管特性曲线的理想化及其解析式,6.3.2 集电极余弦电流脉冲的分解,5.3.2 折线分析法,低频功放与高频功放（丙类）的工作原理,1）低功放,2）高功放,+,R,C,E,E,E,E,1. 转移特性曲线的理想化,饱和区,过压区,放大区,欠压区,截止区,V,BZ,：截止偏压、起始电压,硅=0.4V0.6V、锗=0.2V0.3V,6.3.1 晶体管特性曲线的理想化及其解析式,2. 输出特性曲线的理想化,v,CE,i,C,0,v,BE,饱和区,过压区,放大区,欠压区,截止区,为了求,i,C,和,v,CE,，,先把晶体管特性曲线理想化,选取,v,BE,为参变量是因为晶体管的输入电,压是正弦或是余弦，由于管子输入特性 的,非线性，所得的输入电流,i,B,就不是正弦或,余弦了，为了避免输入特性的非线性，常,以,v,BE,作参量测出输出特性。,根据晶体管的转移特性曲线可以得到,i,C,的波形,1）集电极电流,i,C,（尖顶余弦脉冲）,设输入信号电压：,则加到晶体管B、E极的有效电压为：,求,高频功放（丙类）的,i,C,和,v,CE,E,E,i,C,的数学表达式1,饱和区,过压区,放大区,欠压区,截止区,v,b,wt,i,c,wt,v,BE,wt,Q,6.3.2 集电极余弦电流脉冲的分解,i,C,的数学表达式2,i,C,的数学表达式3,i,c,t,c,c,i,c1,i,c2,i,c3,I,co,I,cmax,其中：,尖顶余弦脉冲的分解系数,可见产生众多的高次谐波，故采用LC谐振回路把谐波滤除，选出基波，从而消除非线性失真。,尖顶脉冲的分解系数,尖顶余弦脉冲的分解系数,还可以根据,的数值查表求出各分解系数的值。,P265附录6.1余弦脉冲系数表,i,c,wt,v,CE,wt,A,B,Q,V,CC,v,CE,i,C,动态特性曲线、工作路,2),集,电极与发射极电压,推导动态特性曲线方程：,上式消去cos,wt,得：,代入：,得：,i,C,(,Z,P,),n,w,V,CC,+,-,+,+,-,-,v,CE,v,c,集电极与发射极电压,v,CE,E,E,N,1,C,N,R,(,Z,p,),nw,证明：高功放在谐振时，基波阻抗大，,而直流分量和谐振的阻抗小。,1）基波时，电路发生谐振，谐振阻抗,N,1,C,N,R,N,1,N,R,p,C,说明回路对高次谐波呈容性阻抗,2）谐波,nw,时，阻抗,R,p,结论：回路阻抗对于各次谐波来说，它们的值与谐振于,基波的值相比，小到可以忽略的程度。,1）对直流分量，电路等效为：,(,Z,P,),0,=,0,(,Z,P,),nw,=,小,i,C0,(,Z,P,),0,V,CC,+,-,+,+,-,-,v,CE,v,c,2）对基波分量，电路等效为：,(,Z,P,),w,= R,p,i,C1,(,Z,P,),w,V,CC,+,-,+,+,-,-,v,CE,v,c,电路发生谐振,3）对谐波分量，电路等效为：,i,Cn,(,Z,P,),n,w,V,CC,+,-,+,+,-,-,v,CE,v,c,饱和区,过压区,放大区,欠压区,截止区,v,b,wt,i,c,wt,v,CE,wt,v,BE,wt,A,B,Q,Q,V,CC,v,CE,i,C,动态特性曲线、工作路,v,b,V,BZ,V,BB,I,cmax,v,BE,t,i,b,t,i,c,t,v,CE,v,c,t,V,CC,V,cm,V,bm,6.2.1 获得高效率所需要的条件,1. 获得高效率的条件,2. 提高丙类谐振功放效率的途径,例：,t,w,或电压,电流,0,V,BZ,V,CC,V,BB,V,bm,V,cm,q,i,C,i,c,max,c,i,C,v,CE,v,BE,v,CE,min,1.,i,C,与,v,BE,同相，与,v,CE,反相。,2.,i,C,脉冲最大时，,v,CE,最小。,E,E,6.2.2 功率关系,电路正常工作（丙类、谐振）时，,外部电路关系式：,1. 直流功率,2. 输出交流功率,集电极电压利用系数,波形系数,3. 集电极耗散功率,4. 集电极效率,波形系数,为了兼顾功率与效率，最佳通角取70,左右。,6.3 晶体管谐振功率放大器的折线近似分析法,6.3.3,高频功率放大器的动态特性与负载特性,6.3.4,各极电压对工作状态的影响,6.3.5,工作状态的计算,(估算)举例,6.3.3 高频功率放大器的动态特性与负载特性,因此，下面分析四个参数,R,p,和电压,V,CC,、,V,BB,、,V,bm,的变化,对工作状态的影响，即谐振功放的动态特性，从而阐明各种工,作状态的特点，为工作状态的调整提供参考。,集电极效率,c,和输出功率,P,o,是否能最佳实现最终,取决于,功放中外部电路参数,R,p,和电压,V,BB,、,V,bm,、,V,CC,。,1.,高频功放的动态特性,i,c,wt,v,CE,wt,A,B,Q,V,CC,v,CE,i,C,动态特性曲线、工作路,v,BEmax,2.,高频功放的负载特性,v,BE,i,C,-V,BB,V,BZ,v,BE,i,C,g,C,V,bm,v,BEmax,i,Cmax,v,CE,i,C,V,CC,Q,v,CEmin,过压区,欠压区,A）欠压工作状态,V,CES,v,BEmax,2.,高频功放的负载特性,v,BE,i,C,-V,BB,V,BZ,v,BE,i,C,g,C,V,bm,v,BEmax,i,Cmax,v,CE,i,C,V,CC,Q,v,CEmin,过压区,欠压区,V,CES,g,cr,B）临界工作状态,临界区,v,BEmax,2.,高频功放的负载特性,v,BE,i,C,-V,BB,V,BZ,v,BE,i,C,g,C,V,bm,v,BEmax,i,Cmax,v,CE,i,C,V,CC,Q,v,CEmin,过压区,欠压区,V,CES,g,cr,临界区,g,d,v,CEmin,C）过压工作状态,P,o,i,c,v,CE,R,p,欠压区,过压区,临界区,R,p,欠压区,过压区,临界区,I,cm1,I,Co,P,=,P,c,v,BEmax,V,cm,1）欠压区,2）,I,C0,、,I,cm1,、,V,cm,与,R,P,的特性曲线,3）,P,=,、,P,o,、,P,c,、,c,与,R,P,的特性曲线,P,o,i,c,v,CE,R,p,欠压区,过压区,临界区,R,p,欠压区,过压区,临界区,I,cm1,I,Co,P,=,P,c,v,BEmax,V,cm,2）,I,C0,、,I,cm1,、,V,cm,与,R,P,的特性曲线,3）,P,=,、,P,o,、,P,c,、,c,与,R,P,的特性曲线,2）过压区,P,o,i,c,v,CE,R,p,欠压区,过压区,临界区,R,p,欠压区,过压区,临界区,I,cm1,I,Co,P,=,P,c,v,BEmax,V,cm,2）,I,C0,、,I,cm1,、,V,cm,与,R,P,的特性曲线,3）,P,=,、,P,o,、,P,c,、,c,与,R,P,的特性曲线,结论：,1）,临界状态输出功率最大,，效率也较高，可以说是最佳工作状态，常选,此状态为末级功放输出状态。过压状态，效率高，但输出功率较小。,2）在欠压状态,I,C0,，,I,cm1,几乎不变，功放相当于一个恒流源，而过压状态,V,cm,几乎不变，相当于一个恒压源。,6.3.4 各极电压对工作状态的影响,1.,改变,CC,对工作状态的影响（集电极调制）,一.,高频功放电路的调制特性,当,R,P,，,V,bm,不变，而,改变,CC,，,V,BB,与,I,cm1,，,I,C0,，,P,=,，,P,o,之间的关系。,当,R,P,、,V,bm,、,V,BB,不变，动态特性曲线与,CC,的关系。,v,ce,i,c,v,bemax,Q,V,CC,Q,V,CC,Q,V,CC,i,c,V,CC,欠压区,过压区,临界区,V,CC,欠压区,过压区,临界区,P,=,P,o,P,C,在过压区，,V,CC,能有效的控制,cm1,与,o,，因此，,集电极调幅必须工作于过压区。,V,CC,V,cm,I,co,I,cm1,E,E,E,E,+,wt,i,C,1,wt,v,V,CC,i,C,wt,wt,v,c,wt,v,c,wt,v,V,CC,利用,CC,cm,这一特性实现集电极调幅,wt,i,C,1,i,C,wt,过压区,v,v,cm,欠压区,临界,V,CC,v,wt,2.改变,BB,对工作状态的影响（基极调制）,当,R,P,、,V,bm,、,V,CC,不变，动态特性曲线与,V,BB,的关系。,v,be,V,BB,v,bemax1,v,BE,i,C,V,BB,v,bemax2,V,BB,v,bemax3,v,c,e,i,C,v,bemax1,v,bemax2,Q,V,CC,v,bemax3,i,C,进入过压状态后，随着,V,BB,向正值方向增大，集电极脉冲电流,的宽度增加，幅度几乎不变，但凹陷加深，结果使,I,co,、,I,cml,和相应,的,V,cm,增大得十分缓慢。,V,cm,I,co,I,cml,临界,V,BB,过压,欠压,O,当,V,bm,固定，,V,BB,自负值向正值方向增大时，集电极脉冲电流,i,c,的导通角,c,增大，,从,而集电极脉冲电流,i,c,的幅度和宽度均增大，,状,态由欠压区进入过压区。,基极调幅作用是通过改变,BB,来改变,cm1,与,o,才能实现的，因,此，必须工作于,欠压区,。,二.,高频功放电路的放大特性,改变,bm,对工作状态的影响,当,R,P,、,V,BB,、,V,CC,不变，动态特性曲线与,bm,的关系。,v,BE,i,c,v,BEmax1,v,BEmax2,v,b,-V,BB,v,BEmax3,V,BZ,i,c,t,饱和区,放大区,截止区,固定,V,BB,、增大,V,bm,和固定,V,bm,、增大,V,BB,的情况类似，,它们都使基极输入电压,v,BEmax,随之增大，,对,应,的,集电极脉冲电流,i,c,的幅度和宽度均增大，放大器的工作状态由欠压进入过压,。,v,ce,i,C,v,bemax1,v,bemax2,Q,V,CC,v,bemax4,i,C,v,bemax3,V,cm,I,cml,I,co,V,bm,过压,临界,欠压,O,O,t,i,c,O,t,i,c,V,bm,增大,O,t,i,c,t,O,i,c,当谐振功率放大器作为线性功率,放大器，为了使输出信号振幅,V,cm,反映,输入信号振幅,V,bm,的变化，,放大器必须,在,V,bm,变化范围内工作在欠压状态。,当谐振功率放大器用作振幅限幅器,时，,放大器必须在,V,bm,变化的范围内工作,在过压状态。,t,V,bm,线性功率,放 大 器,t,V,cm,V,bm,V,cm,振 幅,限幅器,V,cm,t,V,bm,V,cm,6.3.5 工作状态的计算(估算)举例,例6.3.1 有一个用硅NPN外延平面型高频功率管3DA1做成的谐振功率放大器，设已知,CC,24，,，工作频率MHz。试求它的能量关系。由晶体管手册已知其有关参数为,f,70MHz ，,A,p,（功率增益）13 dB，,Cmax,750,CE(sat),(集电极饱和压降)1.5,CM,W。,解：,）由前面的讨论已知，工作状态最好选用临界状态。作为工程近似估算，可以认为此时集电极最小瞬时电压,2）,3）选,c,=70,o,，,4）,未超过电流安全工作范围。,5）,6）,7）,8）,9）,v,be,t,-V,BB,V,BZ,低频,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,高频效应,当低频时：信号周期 ，基区载流子的分布与外加瞬,时电压是一一对应的。,v,be,t,-V,BB,V,BZ,低频,高频,6.5 高频功率放大器的电路组成,6.5.1,馈电线路,6.5.2,输出、输入与级间耦合回路,6.5.1 馈电线路,以上的高频功率放大器的电路仅仅是其原理图。欲使高频功率放大器正常工作于丙类某一最佳状态，与小信号谐振放大器同样，必须有正确的直流通路和交流通路。除此之外，还要尽量减少功率传输中的损耗。这就涉及其馈电线路的实际问题。,直流馈电线路：,为晶体管各级提供合适的偏置。,1.集电极馈电电路,（1）集电极馈电电路的组成原则,i,C,的直流分量,I,C0,除晶体管的内阻外,应予以短路,以保证,V,CC,全部加在集电极上，产生直流功率。,i,C,的基波分量,I,cm1,通过负载回路，,产生高频输出功率。,i,C,的高次谐波分量,I,cmn,不应消耗功率，因此,I,cmn,对晶体管,外的电路应尽可能短路。,R,P,判断原理电路集电极馈电是否满足3个原则？,I,C0,满足第一原则,。,I,cm1,通过负载回路，同时也流过电源产生能量损耗,。,I,cmn,流过电源产生能量损耗。,L,C,C,C,C,C1,E,C,L,C,u,c1,VT,L,C,C,C,E,C,L,C,u,c1,VT,I,CO,直流通路,I,CO,E,C,L,C,C,C,C,C1,E,C,L,C,u,c1,VT,L,C,C,C,E,C,L,C,u,c1,VT,I,C1,交流通路,I,c,1,L,C,C,C,C,C1,V,CC,L,C,u,c1,VT,L,C,C,C,V,CC,L,C,u,c1,VT,I,Cn,交流通路,I,Cn,L,C,C,C,C,C1,V,CC,L,C,v,c1,VT,L,C,C,C,V,CC,L,C,v,c1,VT,2 基极馈电线路,2 基极馈电线路,功 率,放大器,输入,匹配,网络,输出,匹配,网络,R,L,R,S,u,S,(1),使负载阻抗与放大器所需要的最佳阻抗相匹配，以保证放大器传输到,负载的功率最大,，即它起着匹配网络的作用。,(2),抑制工作频率范围以外的不需要频率，即它,有良好的滤波作用。,(3),同时,有几个电子器件输出功率的情况下，保证都,能有效地传送功率到,公共负载,，同时又尽可能地使这几个电子器件,彼此隔离，互不影响,。,输入匹配网络或级间耦合网络:,是用以与下级放大器的输入端相连接,输出匹配网络:,是用以输出功率至天线或其他负载,6.5.2 输出、输入与级间耦合回路,高频功放都要采用一定的耦合回路，以使,P,o,能有效地传输到负载（下级输入回路或天线回路），一般说来，放大器与负载之间的耦合可采用下图所示四端网络来表示。,匹配网络的电路形式,1）简单的耦合回路,a）电容耦合,b）电感耦合,c）自感耦合,2）滤波器形式：用于大功率、低阻抗宽带输出级,a）L型,b）,型,c）T型,3）并联谐振回路形式：用于前级、中间级放大器,4）复合形式,一、滤波器形式的匹配网络,复习：串并转换,当,Q,L,1,10,时,，,1、,L,型网络,1）定义：由两个,异性,电抗支路连成“L”型结构的匹配网路构成。,2）电路形式,电路形式1：能将低电阻变成高电阻。（,R,1,R,2,）,X,1,R,2,R,1,X,2,C,L,R,X,2,R,2,R,1,X,1,C,L,R,电路形式2：能将高电阻变成低电阻。（,R,1,R,AB,，设其品质因数为,Q,L1,则有：,X,1,与,X,2,要互为异性电抗,若T型网络的两个串联臂电抗X,1,、X,3,是同性质的，则X,2,则应分割,为两个同性质电抗，反之，X,2,应分割为两个异性电抗。,X,1,R,2,R,1,X,2,X,3,X,1,R,2,R,1,X,3,X,2,X,2,R,AB,2）对于右边L型网络，应有,R,AB,R,2,，设其品质因数为,Q,L2,则有：,X,2,X,3,R,2,R,AB,X,3,与,X,2,要互为异性电抗,X,1,R,2,R,1,X,2,X,3,X,1,R,2,R,1,X,3,X,2,X,2,R,AB,3）结论：,C,1,L,1,R,C,2,L,1,R,C,2,C,1,P234例6.5.2,P272习题6.10,3、,T,型网络,1）定义：由三个电抗支路连成“,T,”型结构的匹配网路，其中,两个支路是同性电抗，另一支路是异性电抗。,2）电路形式,X,2,R,2,R,1,X,1,X,3,C,L,R,C,C,L,R,L,X,2,R,2,R,1,X,1,X,3,X,3,R,2,R,1,X,1,X,2,X,2,R,AB,思路:将,X,2,分成,X,2,和,X,”,2,分别和,X,1,和,X,3,组成两个“,L,”型网络。,若T型网络的两个串联臂电抗X,1,、X,3,是同性质的，则X,2,则应分割,为两个同性质电抗，反之，X,2,应分割为两个异性电抗。,1）对于左边L型网络，应有,R,1,R,2,，设其品质因数为,Q,L2,则有：,X,3,与,X,2,要互为异性电抗,X,2,R,2,R,1,X,1,X,3,X,3,R,2,R,1,X,1,X,2,X,2,R,AB,3）结论：,二、复合形式的匹配网络,介于放大器与天线回路之间的,L,1,C,1,回路叫做中介并联谐振回路,。,R,A,、,C,A,分别代表天线的幅射电阻与等效电容,；,L,n,、,C,n,为天线回路的调谐元件。,它们的作用是使天线回路,处于串联谐振状态，以使天线回路的电流,I,A,达到最大值，,亦即使天线幅射功率达到最大。,C,N,、L,N,、C,A,、R,A,串联谐振时，则,C,1,L,1,L,2,R,A,r,1,M,把R,A,反映到L,1,C,1,中介回路,C,1,L,1,r,1,r,C,1,L,1,R,P,R,P,改变互感系数,M,和接入系数,p,就可以在不影响回路调谐的情况下。调整晶体管的输出回路的等效负载电阻,R,p,，以达到阻抗匹配的目的。,R,P,C,1,L,1,为了使器件的输出功率绝大部分能送到负载,R,A,上，就希望反映电阻,r ,回路损耗电阻,r,1,。,衡量回路传输能力优劣的标准，引入中介回路传输效率,k,要想,k,高，,空载,Q,o,越大越好，有载,Q,L,越小越好，,即，,中介回路本身的损耗越小越好,。,但从,回路滤波作用良好考虑，则,Q,L,值又应足够大。,兼顾两方面，,Q,L,值一般不应小于,10,。,晶体管,中介回路,天线回路,P,=,、,P,C,、,P,O,P,K,P,A,能量守恒,效率,对效率的理解,相关题：6.9、6.29、6.30,2.,输入匹配网络与级间耦合网络,）中间放大级工作于过压状,态，此时它等效为一个理想电,压源，其输出电压几乎不随负,载变化。,）降低级间耦合回路的效率。,因为回路效率降低，意味着回路本身损耗加大，这样就使下级输入电路的损耗功率相对来说显得不重要，也就是减弱了下级对本级工作状态的影响。,6.6 丁类(D类)功率放大器,高频功率放大器的主要问题是如何尽可能地提高,它的输出功率与效率。甲、乙、丙类放大器就是沿着,不断减小电流通角,c,的途径，来不断提高放大器效,率的。,c,的减小是有一定限度的。因为,c,太小时，效,率虽然很高，但因,I,cm1,下降太多，输出功率反而下降。,要想维持,I,cm1,不变，就必须加大激励电压，这又可能,因激励电压过大，而引起管子的击穿。,丁类、戊类等放大器就是采用固定,c,为90，,但尽量降低管子的耗散功率的办法，来提高功率放大,器的效率的。,丁类放大器的晶体管工作于开关状态：导通时，,管子进入饱和区，器件内阻接近于零；截止时，电流,为零，器件内阻接近于无穷大。这样，就使集电极功,耗大为减小，效率大大提高。在理想情况下，丁类放,大器的效率可达100%。,晶体管丁类放大器都是由两个晶体管组成的，它,们轮流导电，来完成功率放大任务。控制晶体管工作,于开关状态的激励电压波形可以是正弦波，也可以是,方波。晶体管丁类放大器有两种类型的电路：一种是,电流开关型，另一种是电压开关型。,VT,1,VT,2,T,1,L,C,R,L,E,C,C,C,1. D,类功率放大器的原理分析,u,i,u,b1,u,b2,i,c1,i,c2,u,L,u,A,u,b1,和,u,b2,是由,u,i,通过变压器,T,1,产生的两个极性相反的输入激励电压,u,i,正半周时,VT,1,管饱和导通，,VT,2,管截止，电源,E,C,对电容,C,充电，电容上的电压很快充至（,E,C,-,V,CES1,）值，,A,点对地的电压,u,A,=,（,E,C,-,V,CES1,）,。,u,i,负半周时VT,2,管饱和导通，VT,1,管截止。VT,2,管的直流电源由电容,C,上充的电荷供给，,u,A,=,V,CES2,0,u,A,近似为矩形波电压，幅值为（,E,C,-2,V,CES,）。若,L,、,C,和,R,L,串联谐振回路调谐在输入信号的角频率,上，且回路的,Q,值足够高，则通过回路的电流,i,c1,或,i,c2,是角频率为,的余弦波，,R,L,上可得相对输入信号不失真的输出功率。,V,CC,V,CES,V,CC,-2,V,CES,u,A,t,i,c1,t,i,c2,t,u,L,t,尽管每管饱和导通时的电流很大，但相应的管压降很小，这样每管的管耗就很小，放大器的效率也就很高。,VT,1,VT,2,T,1,L,C,R,L,E,C,C,C,u,i,u,b1,u,b2,i,c1,i,c2,u,L,u,A,2.,输出功率及效率计算,u,A,为矩形方波，用傅里叶级数展开后可求得其基波分量的振幅为,：,VT,1,管电流,i,c1,(,或,VT,2,管电流,i,c2,),的直流电流为：,E,C,E,C,-2,U,CES,u,A,t,U,CES,i,c1,t,i,c2,t,u,L,t,U,Am1,E,C,I,D,电源供给的直流功率：,P,D,=2,E,C,I,D,放大器的输出功率,P,o,为,；,效率,=,P,o,P,D,=100,实际晶体管的饱和压降不可能为零，又考虑到管子结电容、电路分布电容的影响(使管压降波形,u,A,有一定上升沿和下降沿)，从而使D类功放的效率小于100，典型值大于90。,6.10 晶体管倍频器,i,C,+,u,ce,-,- E,c,+,-,u,c2,+,i,c,i,C1,i,C2,i,c,频谱,0,I,CO,I,C1,I,C2,I,C3,I,C4,LC,谐振特性,i,C1,i,C1,i,C1,i,C2,i,C2,i,C2,本章要点小结,高频谐功放的工作原理,丙类：,电压关系：,电流：,功率关系：,高频谐功放的动态分析,负载线：,电路形式,馈电线路：集电极电路、基极电路,匹配电路：,常用电路：,转换效率：,