某科技股份有限公司IC失效分析培训教材课件

江江苏长电苏长电科技股份有限公司科技股份有限公司IC失效分析培训教材IC工程部江苏长电科技股份有限公司1一般概念v失效失效：产产品失去品失去规规定的功能。定的功能。v失失效效分分析析：为为确确定定和和分分析析失失效效器器件件的的失失效效模模式式，失失效效机机理理，失失效效原原因和失效性因和失效性质质而而对产对产品所做的分析和品所做的分析和检查检查。v失效模式失效模式：失效的表：失效的表现现形式。形式。v失效机理失效机理：导导致器件失效的物理，化学致器件失效的物理，化学变变化化过过程。程。v失失效效原原因因：导导致致发发生生失失效效的的直直接接原原因因，它它包包括括设设计计，制制造造，使使用用和和管理等方面的管理等方面的问题问题。v失失效效分分析析的的目目的的：失失效效分分析析是是对对失失效效器器件件的的事事后后检检查查，通通过过失失效效分分析析可可以以验验证证器器件件是是否否失失效效，识识别别失失效效模模式式，确确定定失失效效机机理理和和失失效效原原因因，根根据据失失效效分分析析结结论论提提出出相相应应对对策策，它它包包括括器器件件生生产产工工艺艺，设设计计，材材料料，使使用用和和管管理理等等方方面面的的有有关关改改进进，以以便便消消除除失失效效分分析析报报告告中中所所涉及到的失效模式或机理，防止涉及到的失效模式或机理，防止类类似失效的再次似失效的再次发发生。生。一般概念失效：产品失去规定的功能。2失效分析的设备和相应的用途v 电电特特性性测测试试设设备备 包包括括开开短短路路测测试试设设备备（CD318A，S9100），万用表和各种万用表和各种测试测试分厂的分厂的测试测试机。机。v 观观察察测测量量设设备备 X射射线线透透视视机机，金金相相显显微微镜镜（放放大大倍倍数数50-1000），测测量量显显微微镜镜（带带摄摄像像头头并并与与显显示示器器和和终终端端处处理理电电脑脑相相连连，放大位数放大位数50-500），立体），立体显显微微镜镜，扫扫描描电电子子显显微微镜镜SEM。v 试验设备试验设备 烘箱，回流烘箱，回流焊焊机，可机，可焊焊性性测试仪测试仪，成份分析，成份分析仪仪。v 解解剖剖设设备备和和辅辅助助设设备备 开开帽帽机机，密密封封电电炉炉，超超声声清清洗洗机机，镊镊子子，研磨切割机，玻璃研磨切割机，玻璃仪仪器（器（试试管，管，烧烧杯，玻璃漏斗，滴管等）。杯，玻璃漏斗，滴管等）。v 工工作作间间设设施施 应应配配有有通通风风柜柜，清清洗洗池池，水水源源，相相关关化化剂剂（盐盐酸酸，硝酸，硫酸和无水乙醇，丙硝酸，硫酸和无水乙醇，丙酮酮，氢氢氧化氧化钠钠等）。等）。失效分析的设备和相应的用途电特性测试设备包括开短路测3分析报告v失失效效分分析析报报告告 应应包包括括：a,失失效效器器件件的的主主要要失失效效现现场场信信息息。b,失失效效器器件件的的失失效效模模式式。c,失失效效分分析析程程序序和和各各阶阶段段的的初初步步的的分分析析结结果果。d,失失效效分分析析结结论论。e,提提出出纠纠正正建建议议措措施施。报报告中告中应应附分析附分析图图片和片和测试测试数据，以及相数据，以及相应说应说明。明。v分分析析人人员员应应具具有有的的素素质质 具具有有半半导导体体集集成成电电路路的的专专业业基基础础知知识识，熟熟悉悉集集成成电电路路原原理理，设设计计，制制造造，测测试试，使使用用线线路路，可可靠靠性性试试验验，可可靠靠性性标标准准，可可靠靠性性物物理理和和化化学学等等方方面面的的有有关知关知识识，并有一定的，并有一定的实实践践经验经验，必，必须须受受过专业过专业培培训训。分析报告失效分析报告应包括：a,失效器件的主要失效现4可靠性v可可靠靠性性概概念念 指指系系统统或或设设备备在在规规定定条条件件下下和和规规定定时时间间内内完完成成规规定定功功能能的的能能力力。有有固固有有可可靠靠性性和和使使用用可可靠靠性性之之分分，固固有有可可靠靠性性指指通通过过设设计计和和制制造造形形成成的的内内在在可可靠靠性性，使使用用可可靠靠性性指指在在使使用用过过程程中中发发挥挥出出来来的的可可靠靠性性。它它受受环环境境条条件件，使使用用操操作作，维维修修等等因因素素的的影影响响，使使用用可可靠靠性性总总小于固有可靠性。小于固有可靠性。可靠性可靠性概念指系统或设备在规定条件下和规定时间内5可靠性试验（一）v温度循温度循环环TCT：判断：判断产产品在极高，极低品在极高，极低温度下抗温度下抗变变力及在极高，极低温度中交力及在极高，极低温度中交替之效替之效应应。v热热冲冲击击TST：同上，但条件更：同上，但条件更严严酷。酷。v高高压压蒸煮蒸煮PCT：利用：利用严厉严厉的的压压力，湿气力，湿气和温度加速水汽之渗透来和温度加速水汽之渗透来评评估非密估非密闭闭性性之固之固态产态产品品对对水汽渗透之效水汽渗透之效应应。v加速老化加速老化HAST：同上。：同上。可靠性试验（一）温度循环TCT：判断产品在极高，极低温度下抗6可靠性试验（二）v高温反偏高温反偏HTRB：对产对产品施加一定的高温来加速品施加一定的高温来加速产产品品电电性能的老化。性能的老化。v回流回流焊焊REFLOW：用于判断器件（：用于判断器件（SMD）在回流）在回流焊焊接接过过程中所程中所产产生之生之热热阻力及效阻力及效应应。v易易焊焊性性SOLDER：判断：判断产产品之可品之可焊焊度。度。v耐耐焊焊接接热热：判断直插式：判断直插式产产品在品在焊焊接接过过程中程中产产生的生的热热阻阻力及效力及效应应。v引引线线弯曲弯曲：考核：考核产产品管脚抗机械品管脚抗机械应变应变力之能力。力之能力。可靠性试验（二）高温反偏HTRB：对产品施加一定的高温来加速7可靠性试验（三）v交交变试验变试验：评评估估产产品在品在经过经过极高，极低温度后，再放入温极高，极低温度后，再放入温湿度湿度变变化之化之环环境后境后产产生的效生的效应应。v稳态稳态湿湿热热THT：评评估非密估非密闭闭性之固性之固态产态产品在湿气品在湿气环环境下之境下之可靠度，使用温度条件加速水汽渗透。可靠度，使用温度条件加速水汽渗透。v高温高温贮贮存存HTST：判断高温：判断高温对产对产品之效品之效应应。v低温低温试验试验LT：判断低温：判断低温对产对产品之效品之效应应。v电电耐久耐久BURN-IN：对产对产品施加一定的品施加一定的电压电压，电电流来加速流来加速产产品的品的电电老化。老化。可靠性试验（三）交变试验：评估产品在经过极高，极低温度后，再8可靠性试验设备v试验设备试验设备：高低温循：高低温循环环箱，高速老化箱，箱，高速老化箱，调调温温调调湿箱，可湿箱，可焊焊性性测试仪测试仪，高温烘箱，分立，高温烘箱，分立器件器件综综合老化系合老化系统统，高温反偏系，高温反偏系统统。v测试设备测试设备：多功能晶体管：多功能晶体管筛选仪筛选仪，晶体管，晶体管图图性特示性特示仪仪（XJ4810,370B等）。等）。可靠性试验设备试验设备：高低温循环箱，高速老化箱，调温调湿箱9失效率v失失效效率率指指产产品品工工作作到到t时时刻刻后后在在单单位位时时间间内内失失效效的的概概率率。单单位位：%/103小小时时。（每工作（每工作1000小小时时后后产产品失效的百分数）品失效的百分数）失效率失效率指产品工作到t时刻后在单位时间内失效的概率。单位10失效曲线v也称失效浴盆曲也称失效浴盆曲线线，因形状象浴盆。，因形状象浴盆。v早早期期失失效效期期：（t）大大，随随时时间间迅迅速速下下降降。通通过过改改进进设设计计，加加强强监监控控可可减减少少早早期期失失效效，通通过过筛筛选选可可减减小小（缩缩短短或或去去掉掉）早早期期失失效效期期.工工艺艺缺缺陷陷、材材料料缺陷、缺陷、筛选筛选不充分引起。不充分引起。v 偶偶然然失失效效期期：（t）小小，为为常常数数，时时间间较较长长，失失效效带带有有偶偶然然性性，是是使使用用的的良良好好时时间间。很很多多是是静静电电损损伤伤、过过电电损损伤伤引起。有突引起。有突发发性和明性和明显显性性 v 耗耗损损失失效效期期：产产品品使使用用后后期期，（t）迅迅速速增增加加，因因老老化化，磨磨损损，疲疲劳劳等等使使器器件件失失效效。元元器器件件老老化化引引起起。有有时时间间性和性和隐隐蔽性蔽性失效曲线也称失效浴盆曲线，因形状象浴盆。11静电，静电放电v静静电电 当当两两种种材材料料一一起起摩摩擦擦，一一种种材材料料丢丢失失电电子子，另另一一种种则则收收集集电电子子，前前者者带带正正电电，后后者者则则带带负负电电，如如果果两两种种摩摩擦擦的的物物体体在在分分离离的的过过程程中中电电荷荷难难以以中中和和，电电荷荷即即会会积积累累使使物物体体带带上上静静电电。静静电电就是一种物体上的非移就是一种物体上的非移动动的充的充电电。v静静电电放放电电 如如果果带带静静电电的的物物体体遇遇到到合合适适的的机机会会，它它会会将将所所带带的的电电荷荷放放掉掉，又又回回到到中中性性，此此过过程程即是静即是静电电放放电电ESD。静电，静电放电静电当两种材料一起摩擦，一种材料丢失电子，12静电对电子元件之影响v物物体体放放电电形形式式主主要要通通过过低低电电阻阻区区域域，放放电电电电流流I=Q/t,即即静静电电电电荷荷变变化化量量与与完完成成这这些些静静电电电电荷荷变变化化所所用用的的时时间间之之比比。当当I足足够够大大时时，能能影影响响P-N结结热热击击穿穿接接合合点点，导导致致氧氧气气层层击击穿穿，引引起起即即时时的的和和不不可可逆逆转转的的损损坏坏，但但这这种种损损坏坏只只有有10%可可引引起起产产品品即即时时损损坏坏，90%的的产产品品可可毫毫无无觉觉察察地地通通过过测测试试，流流到到客客户户手手里里，但但它它的的可可靠靠性性却却大大大大地地降降低低了了，并并且且静静电电可可吸吸附附灰灰尘尘，降降低低基基片片净净化度，使化度，使IC成品率下降。成品率下降。静电对电子元件之影响物体放电形式主要通过低电阻区域，放电电流13静电产生的宏观原因v 环环境境如地面，装修隔如地面，装修隔间间，温湿度。，温湿度。v 工工具具和和材材料料 清清洗洗机机，吸吸管管，镊镊子子，物物流流车车，周周转转箱，烘箱，箱，烘箱，纸纸片，工作机台等。片，工作机台等。v 工工作作者者及及其其活活动动 人人的的动动作作如如脱脱衣衣，起起立立，被被感感应应，接触，接触带电带电，剥离，冲，剥离，冲击击，摩擦。，摩擦。静电产生的宏观原因环境如地面，装修隔间，温湿度。14静电的防护v静静电电防防护护原原则则：少少产产生，不生，不积积累，快泄放。累，快泄放。v静静电电防防护护基本方法基本方法：泄漏，中和，屏蔽：泄漏，中和，屏蔽v 环环境境方方面面，铺铺设设防防静静电电地地毯毯，地地板板，台台垫垫，入入口口处处工工作作处处接接地地线线等等防防静静电电消消除除器器。控控制制温温湿湿度度，使使用用离离子子风风机，静机，静电环电环。v 器器材材方方面面，防防静静电电工工作作服服，鞋鞋，腕腕带带，导导电电泡泡沫沫板板，防防静静电电文文件件盒盒，周周转转箱箱，物物流流车车，包包装装袋袋，抗抗静静电电剂剂等。等。v 产产品品设设计计方方面面，将将静静电电防防护护体体现现到到元元件件和和产产品品设设计计中中，尽尽量量使使用用对对静静电电不不敏敏感感的的元元件件，或或者者在在器器件件内内部部设设置置静静电电防防护护元元件件，对对使使用用的的静静电电放放电电敏敏感感器器件件提提供供适适当当的的输输入保入保护护。静电的防护静电防护原则：少产生，不积累，快泄放。15 封装基本流程v磨磨片片划划片片装装片片球球焊焊包包封封后后固固化化电电镀镀打打印印冲冲切切成成型型测测试试包包装装入入库库。v上述流程上述流程视产视产品不同有品不同有较较大的大的变变化。化。封装基本流程磨片划片装片球焊包封后固化电镀16流程简述（一）v磨磨片片将将芯芯片片的的反反面面（非非布布线线的的一一面面）根根据据工工艺艺标标准准，客客户户要要求求或或一一些些特特殊殊要要求求磨磨去去一一层层，使使芯芯片片的的厚厚度度达达到要求。到要求。v 划划片片用用划划片片刀刀（或或其其它它手手段段如如激激光光）在在圆圆片片上上的的划划片片槽槽中中割割划划，使使整整个个大大圆圆片片分分割割成成很很多多细细小小的的晶晶片片（单单个芯片），以利装片。个芯片），以利装片。v 装装片片将将已已划划好好片片的的大大圆圆片片上上的的单单个个芯芯片片用用吸吸嘴嘴取取下下后后装装在在引引线线框框的的基基岛岛上上。此此时时芯芯片片背背面面上上须须用用粘粘接接剂剂粘在基粘在基岛岛上。上。v 球球焊焊用用金金丝丝（在在一一定定的的温温度度，超超声声，压压力力下下）将将芯芯片片上上某某一一点点（压压焊焊区区）与与引引线线框框适适当当位位置置（第第二二点点）相相连连。v 流程简述（一）磨片将芯片的反面（非布线的一面）根据工艺标准17流程简述（二）v包包封封用用树树脂脂体体将将装装在在引引线线框框上上的的芯芯片片封封起起来来，对对芯芯片片起起保保护护作用和支撑作用。作用和支撑作用。v 后固化后固化使包封后的使包封后的树树脂体脂体进进一步固化。一步固化。v 电电镀镀在在引引线线条条上上所所有有部部位位镀镀上上一一层层锡锡，保保证证产产品品管管脚脚的的易易焊焊性。性。v 打打印印在在树树脂脂体体上上打打上上标标记记，说说明明产产品品的的型型号号和和其其它它相相关关信信息。息。v 冲切成形冲切成形将整条将整条产产品切割成形品切割成形为单为单只只产产品。品。v 测试测试筛选筛选出符合功能要求的出符合功能要求的产产品。品。v 包包装装，入入库库将将产产品品按按要要求求包包装装好好后后进进入入成成品品库库。待待机机发发往往客客户户。流程简述（二）包封用树脂体将装在引线框上的芯片封起来，对芯18为何分析？信息反馈？（一）v客客户户投投诉诉。如如客客户户反反映映良良率率低低，产产品品的的某某一一参参数数不不达达标标，开开短短路路，产产品品使使用用时时功功能能不不良良等等。一一般般由由业业务务或或外外经经部部转转品管，再品管，再转总转总厂厂进进行失效分析。行失效分析。v测测试试分分厂厂测测试试良良率率低低，或或某某批批产产品品开开短短路路产产品品太太多多，不符合客不符合客户户良率要求，分厂良率要求，分厂应应出具出具测试测试异常分析异常分析报报告。告。v品品管管抽抽测测异异常常 产产品品经经外外观观检检后后品品管管开开短短路路抽抽测测异异常常。通通常常每每批批抽抽100只只如如次次品品超超过过3只只，则则加加抽抽300只只，仍仍超超标标则则要要分分析析。对对测测试试分分厂厂已已测测产产品品抽抽测测异异常常。通通常常测测试试分分厂厂送送样样一一只只,仅仅要要求求开开帽帽分分析析。测测试试分分厂厂应应附失效分析申附失效分析申请单请单。为何分析？信息反馈？（一）客户投诉。如客户反映良率低，产品的19为何分析？信息反馈？（二）v组组装装分分厂厂隔隔离离流流到到测测试试或或外外检检，要要求求测测试试或或外外检检后后将将测测试试情情况况或或品品管管抽抽测测结结果果反反馈馈组组装装。此此时时出出现现的的一些异常，可能要求分析。一些异常，可能要求分析。v客客户户要要求求的的其其它它分分析析。如如看看金金丝丝，布布线线图图，芯芯片片表表面，芯片粘面，芯片粘结结形式等。形式等。v所所有有的的分分析析结结束束后后，均均应应出出报报告告，且且要要将将报报告告送送到到原原发发出部出部门门，并做好相，并做好相应应分析分析报报告交接工作。告交接工作。为何分析？信息反馈？（二）组装分厂隔离流到测试或外检，要求测20金丝布线和芯片表观（一）v金金丝丝v导电导电胶胶v芯片芯片v基基岛岛v管脚管脚v树树脂体（阴影部脂体（阴影部份）份）金丝布线和芯片表观（一）金丝21金丝布线和芯片表观（二）粉粉红红色色是是腐腐球球后后的的压压区区，实实质质上是氧化硅的上是氧化硅的颜颜色。色。铝线铝线氧化硅氧化硅金丝布线和芯片表观（二）粉红色是腐球后的压区，实质上是氧化硅22金丝布线和芯片表观（三）v中中测测点点v金球金球v金金丝丝v未腐球未腐球时时的的压压区区v通通常常芯芯片片上上的的白白色色部部分分为为铝铝线线。图图片片上上黑黑色色的的小小圆圆球球是是金金球球（放放大大后后为为金金色色），金金球球周周围围一一小小块块蓝蓝色色（或或白白色色）区区域域是是压压区区，另另有有小小块块白白色色区区域域是是中中测测点点（芯芯片片制制造造厂厂用用来来测测试试芯芯片片合合格格与与否否的的地地方方），上上图图中中芯芯片片表表面面粉粉红红色色部部位位为为氧氧化化硅硅。整整个个芯芯片片表表面面有有一一层层薄薄薄薄的的芯芯片片保保护护层层。腐腐球球后后的的压压区区有有不不同同的的颜颜色色，如如红红，黄黄，绿绿，蓝蓝，紫紫等等，这这是是因因为为氧氧化化层层厚厚度度不不同同的的缘缘故故。上上图图为为一一例例，实实际际上上视视芯芯片片不不同同各部位各部位颜颜色或形状有很大区色或形状有很大区别别。v 金丝布线和芯片表观（三）中测点23失效分析的原则v先无先无损损，后有，后有损损。v先先电测试电测试，外，外观检观检，后开盖。，后开盖。v开盖后也要先无开盖后也要先无损损（不引入新破坏），后破（不引入新破坏），后破坏。坏。失效分析的原则先无损，后有损。24失效分析程序v失失效效现现象象记记录录。了了解解情情况况，了了解解失失效效现现场场信信息息，失失效效样样品品的的参参数数测试结测试结果，失效果，失效样样品的一些品的一些产产品信息。品信息。v鉴鉴别别失失效效模模式式。用用现现有有设设备备确确认认产产品品失失效效是是否否与与客客户户所所述述一一致致，并如并如实记录实记录下失效情况。下失效情况。v用自已的用自已的语语言言描述失效特征描述失效特征。v按按照照失失效效分分析析程程序序一一一一检检查查，分分析析。通通常常有有下下述述几几步步：外外观观检检查查，电电参参数数测测式式，开开短短路路测测试试，X-RAY检检查查，超超声声清清洗洗，超超声声波波离离层层分分析析，开开帽帽，内内部部目目检检，电电子子扫扫描描显显微微镜镜，腐腐球球并并检检查查压压区区。上上面面几几步步不不是是每每步步都都要要，要要有有针针对对性性地地做做，做做到到哪哪一一步步发发现现问问题题了了，后面几步后面几步视视情况也可省去。情况也可省去。v归纳归纳分析分析结论结论，提出自已，提出自已对对分析分析结结果的看法。果的看法。v提出提出纠纠正建正建议议措施。措施。v出具分析出具分析报报告告。失效分析程序失效现象记录。了解情况，了解失效现场信息，失效样25失效信息收集v 产产品品信信息息：生生产产日日期期，客客户户，封封装装形形式式，型型号号，批批号号，良良率率情情况况，生生产产批批还还是是试试验验批批，失失效效Bin值值，焊焊丝丝规规格格，图图形形密密集集区区典典型型线线宽宽，芯芯片片厚厚度度，导导电电胶胶，采采用用的的料料饼饼，印印章章内内容容，是否是否测试过测试过，测试测试机台状况等。机台状况等。v失失效效现现象象记记录录。失失效效日日期期，失失效效地地点点，数数量量，失失效效环环境境，是是否否工工作作过过（即即是是否否焊焊在在整整机机上上使使用用过过），客客户户是是否否在在使使用用前前对对产产品品测测试试过过，工工作条件是否超作条件是否超过规过规格范格范围围。失效信息收集产品信息：生产日期，客户，封装形式，型号，26鉴别失效模式v电电参数参数测试测试。v开短路开短路测试测试。目前有。目前有5台台专专用开短路用开短路测试测试机：机：S9100，测试测试品种有品种有PQFP44，LQFP44，PQFP52，PQFP64，DIP和和SDIP中的部份。中的部份。CD318A，测试测试品种有，品种有，SOP8/SOP16/SOP20/24/28，DIP8/14/16，密密间间距距产产品，手工机品，手工机测试测试DIP系列。系列。测试时测试时要要了解了解对应对应主机主机电脑电脑中是否有中是否有该该品种的品种的测试测试程序，程序，如果没有如果没有则则要要请请相关人相关人员编员编写程序。写程序。鉴别失效模式电参数测试。27失效分析顺序v外部目外部目检检vX-RAY检查检查v超声清洗超声清洗v复复测测vSAT即超声即超声检查检查v开帽后内部目开帽后内部目检检v腐球腐球检查检查失效分析顺序外部目检28X-RAY检查vX-RAY检检查查。X-RAY射射线线又又称称伦伦琴琴射射线线，一一种种波波长长很很短短的的电电磁磁辐辐射射，由由德德国国物物理理学学家家伦伦琴琴在在1895年年发发现现。一一般般指指电电子子能能量量发发生生很很大大变变化化时时放放出出的的短短波波辐辐射射，能能透透过过许许多多普普通通光光不不能能透透过过的的固固态态物物质质。利利用用可可靠靠性性分分析析室室里里的的X-RAY分分析析仪仪，可可检检查查产产品品的的金金丝丝情情况况和和树树脂脂体体内内气气孔孔情情况况，以以及及芯芯片片下下面面导导电电胶胶内内的的气气泡泡，导导电电胶的分布范胶的分布范围围情况。情况。X-RAY检查X-RAY检查。X-RAY射线又称伦琴射线，一29X-RAY判断原则不良情况不良情况原因或原因或责责任者任者 球脱球脱 组组装装 点脱点脱 如大量点脱是同一只脚，如大量点脱是同一只脚，则为组则为组装不良。如点脱金装不良。如点脱金丝丝形状形状较规较规则则，则为组则为组装或包封之前装或包封之前L/F变变形，运形，运转过转过程中震程中震动动，上料框架，上料框架牵牵拉拉过过大，大，L/F打在予打在予热热台上台上动动作大，两道工序都要作大，两道工序都要检查检查。如点。如点脱金脱金丝丝弧度和旁弧度和旁边边的金的金丝丝弧度差不多，弧度差不多，则为组则为组装造成。装造成。整体冲歪，乱，断整体冲歪，乱，断 为为包封不良，原因包封不良，原因为为吹模不尽，料吹模不尽，料饼饼沾有生粉，予沾有生粉，予热热不当或不不当或不均匀，工均匀，工艺艺参数不当，洗模异常从而参数不当，洗模异常从而导导致模塑料在型腔中流致模塑料在型腔中流动动异常。异常。个个别别金金丝丝断断 组组装擦断或装擦断或产产品使用品使用时时金金丝丝熔断。熔断。只有局部冲歪只有局部冲歪 多数多数为为包封定位包封定位时动时动作作过过大，大，牵牵拉上料框架拉上料框架时时造成，也有部份造成，也有部份为为内部气泡造成。内部气泡造成。金金丝丝相碰相碰 弧度正常，小于正常冲歪率弧度正常，小于正常冲歪率时时，为为装片或装片或焊焊点位置欠妥点位置欠妥 内内焊焊脚偏移脚偏移 多数多数为组为组装碰到内引脚。装碰到内引脚。塌塌丝丝 多数多数为为排片排片时时碰到。碰到。导电导电胶分布情况胶分布情况 应应比芯片面比芯片面积积稍大，且呈基本稍大，且呈基本对对称情形。称情形。X-RAY判断原则不良情况原因或责任者球脱组装点脱如30超声清洗超声清洗v清清洗洗仅仅用用来来分分析析电电性性能能有有异异常常的的，失失效效可可能能与与外外壳壳或或芯芯片片表表面面污污染染有有关关的的器器件件。此此时时应应确确认认封封装装无无泄泄漏漏，目目的的是是清清除除外外壳壳上上的的污污染染物物。清清洗洗前前应应去去除除表表面面上上任任何何杂杂物物，再再重重测测电电参参数数，如如仍仍失失效效再再进进行行清清洗洗，清清洗洗后后现现测测电电参参数数，对对比比清清洗洗前前后后的的电电参参数数变变化化。清清洗洗剂剂应应选选用用不不损损坏坏外外壳壳的的，通通常常使使用用丙丙酮酮，乙乙醇醇，甲甲苯苯，清清洗洗后后再再使使用用纯纯水水清清洗洗，最最后后用用丙丙酮酮，无无水水乙乙醇醇等等脱脱水水，再再烘烘干干。清清洗洗要要确确保保不不会会带带来来由由于于清清洗洗剂剂而引起的失效。而引起的失效。超声清洗清洗仅用来分析电性能有异常的，失效可能与外壳或芯片31超声检测分析。超声检测分析。vSAT即超声波形即超声波形显显示示检查检查。v超超声声波波，指指频频率率超超过过20KHZ的的声声波波（人人耳耳听听不不见见，频频率率低低于于HZ的的声声波波称称为为次次声声波波），它它的的典典型型特特征征：碰碰到到气气体体100%反反射射，在在不不同同物物质质分界面分界面产产生反射生反射,和光一和光一样样直直线传线传播。播。vSAT就就是是利利用用这这些些超超声声波波特特征征来来对对产产品品内内部部进进行行检检测测，以以确确定定产产品品密密封封性性是是否否符符合合要要求求，产产品是否有内部离品是否有内部离层层。超声检测分析。SAT即超声波形显示检查。32超声判别原则超声判别原则v 芯片表面不可有离芯片表面不可有离层层v 镀银镀银脚精脚精压压区域不可有离区域不可有离层层v内内引引脚脚部部分分离离层层相相连连的的面面积积不不可可超超过过胶胶体体正正面面面面积积的的20%或或引引脚脚通通过过离离层层相相连连的的脚脚数数不不可可超超过过引脚引脚总总数的数的1/5v芯芯片片四四周周导导电电胶胶造造成成的的离离层层在在做做可可靠靠性性试试验验通通过过或或做做Bscan时时未未超超出出芯芯片片高高度度的的2/3应应认认为为正常。正常。v判断超声判断超声图图片片时时要以波形要以波形为为准，要注意准，要注意对颜对颜色色黑白异常区域的波形黑白异常区域的波形检查检查 超声判别原则芯片表面不可有离层33 超声检查时应注意v对对焦焦一一定定要要对对好好，可可反反复复调调整整，直直到到扫扫描描出出来来的的图图像像很很“干脆干脆”，不出，不出现现那种零零碎碎的那种零零碎碎的红红点。点。v注意增益，注意增益，扫扫描出来的描出来的图图像不能太亮，也不能太暗。像不能太亮，也不能太暗。v注注意意产产品品不不能能放放反反，产产品品表表面面不不能能有有任任何何如如印印记记之之类类造造成成的坑坑洼洼，或其它的坑坑洼洼，或其它杂质杂质，气泡。，气泡。v探探头头有有高高频频和和低低频频之之分分，针针对对不不同同产产品品选选用用不不同同的的探探头头（由由分分析析室室工工作作人人员员调调整整）。通通常常树树脂脂体体厚厚的的产产品品，采采用用低低频频探探头头，否，否则则采用高采用高频频探探头头。因。因频频率高穿透能力差。率高穿透能力差。超声检查时应注意对焦一定要对好，可反复调整，直到扫描出来34开帽开帽v高高分分子子的的树树脂脂体体在在热热的的浓浓硝硝酸酸（98%）或或浓浓硫硫酸酸作作用用下下，被被腐腐去去变变成成易易溶溶于于丙丙酮酮的的低低分分子子化化合合物物，在在超超声声作作用用下下，低低分分子子化化合合物物被清洗掉，从而露出芯片表被清洗掉，从而露出芯片表层层。v 开开帽帽方方法法一一：取取一一块块不不锈锈钢钢板板，上上铺铺一一层层薄薄薄薄的的黄黄沙沙（也也可可不不加加沙沙产产品品直直接接在在钢钢板板上上加加热热），放放在在电电炉炉上上加加热热，砂砂温温要要达达100-10度度，将将产产品品放放在在砂砂子子上上，芯芯片片正正面面方方向向向向上上，用用吸吸管管吸吸取取少少量量的的发发烟烟硝硝酸酸（浓浓度度98%）。滴滴在在产产品品表表面面，这这时时树树脂脂表表面面起起化化学学反反应应，且且冒冒出出气气泡泡，待待反反应应稍稍止止再再滴滴，这这样样连连滴滴5-10滴滴后后，用用镊镊子子夹夹住住，放放入入盛盛有有丙丙酮酮的的烧烧杯杯中中，在在超超声声机机中中清清洗洗2-5分分钟钟后后，取取出出再再滴滴，如如此此反反复复，直直到到露露出出芯芯片片为为止止，最最后后必必须须以以干干净净的的丙丙酮酮反复清洗确保芯片表面无残留物。反复清洗确保芯片表面无残留物。开帽高分子的树脂体在热的浓硝酸（98%）或浓硫酸作用下，被35开帽方法二v将所有产品一次性放入将所有产品一次性放入98%的浓硫酸中煮的浓硫酸中煮沸。这种方法对于量多且只要看芯片是否沸。这种方法对于量多且只要看芯片是否破裂的情况较合适。缺点是操作较危险。破裂的情况较合适。缺点是操作较危险。要掌握要领。要掌握要领。开帽方法二将所有产品一次性放入98%的浓硫酸中煮沸。这种方法36开帽注意点开帽注意点v所所有有一一切切操操作作均均应应在在通通风风柜柜中中进进行行，且且要要戴戴好好防防酸酸手手套。套。v产产品品开开帽帽越越到到最最后后越越要要少少滴滴酸酸，勤勤清清洗洗，以以避避免免过过腐腐蚀蚀。v清清洗洗过过程程中中注注意意镊镊子子勿勿碰碰到到金金丝丝和和芯芯片片表表面面，以以免免擦擦伤伤芯片和金芯片和金丝丝。v根根据据产产品品或或分分析析要要求求有有的的开开帽帽后后要要露露出出芯芯片片下下面面的的导导电电胶胶.,或者第二点或者第二点.v另另外外，有有的的情情况况下下要要将将已已开开帽帽产产品品按按排排重重测测。此此时时应应首首先先放放在在80倍倍显显微微镜镜下下观观察察芯芯片片上上金金丝丝是是否否断断，塌塌丝丝，如无如无则则用刀片刮去管脚上黑膜后送用刀片刮去管脚上黑膜后送测测。v注意控制开帽温度不要太高。注意控制开帽温度不要太高。开帽注意点所有一切操作均应在通风柜中进行，且要戴好防酸手套。37附:分析中常用酸v1，浓硫酸。这里指，浓硫酸。这里指98%的浓硫酸的浓硫酸,它有强烈的脱水它有强烈的脱水性性,吸水性和氧化性。开帽时用来一次性煮大量的产吸水性和氧化性。开帽时用来一次性煮大量的产品，这里利用了它的脱水性和强氧化性。品，这里利用了它的脱水性和强氧化性。v浓盐酸。指浓盐酸。指37%（V/V）的盐酸，有强烈的挥发性，）的盐酸，有强烈的挥发性，氧化性。分析中用来去除芯片上的铝层。氧化性。分析中用来去除芯片上的铝层。v发烟硝酸，指浓度为发烟硝酸，指浓度为98%（V/V）的硝酸。用来开）的硝酸。用来开帽。有强烈的挥发性，氧化性，因溶有帽。有强烈的挥发性，氧化性，因溶有NO2而呈红而呈红褐色。褐色。v王水，指一体积浓硝酸和三体积浓盐酸的混合物。王水，指一体积浓硝酸和三体积浓盐酸的混合物。分析中用来腐金球，因它腐蚀性很强可腐蚀金。分析中用来腐金球，因它腐蚀性很强可腐蚀金。附:分析中常用酸38内部目检内部目检v视视产产品品不不同同分分别别放放在在200倍倍或或500倍倍金金相相显显微微镜镜下下或或立立体体显显微微下下仔仔细细观观察察芯芯片片表表面面是是否否有有裂裂缝缝，断断铝铝，擦擦伤伤，烧烧伤伤，沾沾污污等等异异常常。对对于于芯芯片片裂裂缝缝要要从从反反面面开开帽帽以以观观察察芯芯片片反反面面有有否否装装片片时时顶顶针针顶顶坏坏点点，因因为为正正面面开开帽帽取取下下芯芯片片时时易易使使芯芯片片破破裂裂。反反面面的的导导电电胶胶可可用用硝硝酸酸慢慢慢慢腐腐，再再用用较较软软的的细铜丝轻轻细铜丝轻轻刮去。刮去。内部目检视产品不同分别放在200倍或500倍金相显微镜下或39腐球分析腐球分析v将将已已开开帽帽的的产产品品放放在在加加热热到到沸沸腾腾的的10%20%的的KOH（或或NaOH）溶溶液液中中或或加加热热到到沸沸腾腾的的王王水水（即即3：1的的浓浓盐盐酸酸和和浓浓硝硝酸酸混混合合溶溶液液）中中。浸浸泡泡约约3到到5分分钟钟（个个别别产产品品浸浸泡泡时时间间要要求求较较长长，达达10分分钟钟以以上上）。在在100到到200倍倍显显微微镜镜下下用用细细针针头头轻轻轻轻将将金金丝丝从从芯芯片片上上移移开开（注注意意勿勿碰碰到到芯芯片片），如如发发现现金金球球仍仍牢牢牢牢地地粘粘在在芯芯片片上上，则则说说明明还还需需再再腐腐球球，千千万万不不要要硬硬拉拉金金丝丝，以以免免造造成人成人为为的凹坑，造成的凹坑，造成误误判。判。腐球分析将已开帽的产品放在加热到沸腾的10%20%的KOH40分析过程中要检查的内容v 外外部部目目检检。是是否否有有树树脂脂体体裂裂缝缝，管管脚脚间间杂杂物物致致短短路路，管管脚脚是是否否被被拉拉出出树树脂脂体体，管管脚脚根部是否露根部是否露铜铜，管脚和，管脚和树树脂体是否被沾脂体是否被沾污污，管脚是否弯曲，管脚是否弯曲变变形等不良。形等不良。v X-RAY 是是否否有有球球脱脱、点点脱脱、整整体体冲冲歪歪，金金丝丝乱乱，断断、局局部部冲冲歪歪、塌塌丝丝、金金丝丝相相碰碰、焊焊脚脚偏偏移移、胶胶体体空空洞洞、焊焊料料空空洞洞，焊焊料料覆覆盖盖面面积积，管管脚脚间间是是否否有有杂杂物物导导致致管管脚脚短短路路等等异常。异常。v 超声超声检测检测。是否有芯片表面、。是否有芯片表面、焊线焊线第二点、胶体与引第二点、胶体与引线线框之框之间间等的内部离等的内部离层层。v 开开帽帽后后的的内内部部目目检检。41，用用30-50倍倍立立体体显显微微镜镜检检查查：键键合合线线过过长长而而下下塌塌碰碰坏坏芯芯片片；键键合合线线尾尾部部过过长长而而引引起起短短路路；键键合合线线颈颈部部损损伤伤或或引引线线断断裂裂；键键合合点点或或键键合合线线被被腐腐蚀蚀；键键合合点点尽尽寸寸或或位位置置不不当当；芯芯片片粘粘接接材材料料用用量量不不当当或或裂裂缝缝；芯芯片片抬抬起起，芯芯片片取取向向不不当当，芯芯片片裂裂缝缝；多多余余的的键键合合线线头头或或外外来来颗颗粒粒等等。4.2，金金属属化化，薄薄膜膜电电阻阻器器缺缺陷陷在在50-200倍倍显显微微镜镜下下检检查查，主主要要有有腐腐蚀蚀，烧烧毁毁，严严重重的的机机械械损损伤伤；光光刻刻缺缺陷陷，电电迁迁移移现现象象，金金属属化化层层过过薄薄，台台阶阶断断铝铝，表表面面粗粗糙糙发发黑黑，外外来来物物沾沾污污等等。4.3 金金属属化化覆覆盖盖接接触触孔孔不不全全，氧化氧化层层/钝钝化化层层缺陷出缺陷出现现在金属化条下面或有源区内，在金属化条下面或有源区内，钝钝化化层层裂裂纹纹或划或划伤伤。v腐腐球球分分析析。主主要要目目的的是是检检查查球球焊焊时时采采用用的的工工艺艺是是否否对对压压焊焊区区造造成成不不良良影影响响如如弹弹坑坑即即压压区破裂。此区破裂。此时对时对其它部位可其它部位可检查检查可忽略。可忽略。分析过程中要检查的内容外部目检。是否有树脂体裂缝，管脚41镜检能发现的问题（一）v寻寻找找多多余余物物和和外外来来沾沾污污物物如如残残留留金金丝丝，芯芯片片边边缘缘碎碎裂裂留留下下的的硅硅碴碴，焊焊料料碴碴，口口水水星星子子（高高温温存存放放后后常常呈呈现现棕棕黄黄色色小小圆圆点点），水水渍渍，残残存存光光刻刻胶胶，灰灰尘尘。v 判判断断金金属属化化层层表表面面有有无无钝钝化化层层。如如果果方方形形键键合合电电极极周周围围有有方方框框则则说说明明表表面面有有钝钝化化层层，与与键键合合点点下下的的电电极极相相比比有有明明显显的的色色差差。同同时时有有钝钝化化层层时时的的芯芯片片各各扩扩散散区区之之间间的的颜颜色色不不如如无无钝钝化化层层时时鲜鲜艳艳，如如果果钝钝化化层层呈呈现现浅浅黄黄色，色，说说明明钝钝化化层层是聚是聚酰亚酰亚胺有机涂胺有机涂层层。v根根据据颜颜色色寻寻找找工工艺艺缺缺陷陷。芯芯片片表表面面的的二二氧氧化化硅硅钝钝化化层层不不同同的的厚厚度度有有不不同同的的干干涉涉颜颜色色，如如灰灰0.01微微米米，黄黄褐褐色色0.03微微米米，茶茶色色0.05微微米米,蓝蓝0.08微微米米，紫紫色色0.1微微米米,绿绿色色0.18微微米米,黄黄色色0.21微微米米,橙橙色色0.22微微米米,红红色色0.25微微米米(指指一一次次干干涉涉颜颜色色)，故故根根据据芯芯片片表表面面的的颜颜色色可可判判断断不不同同扩扩散散区区，或或根据芯片表面上反常的根据芯片表面上反常的颜颜色斑点来判断色斑点来判断钝钝化化层层和光刻和光刻/扩扩散缺陷。散缺陷。镜检能发现的问题（一）寻找多余物和外来沾污物如残留金丝，42镜检能发现的问题（二）v根根据据几几何何形形状状判判断断。可可判判断断线线路路设设计计结结构构缺缺陷陷，金金属属化化伤伤痕痕和和裂裂断断，金金属属化化烧烧毁毁，键键合合点点形形状状和和位位置置，键键合合线线与与芯芯片片的的夹夹角角，MOS管管的的沟沟道道露露出出，接接触触孔孔的的覆盖情况，芯片缺口或裂覆盖情况，芯片缺口或裂缝缝接近有源区，芯片安装方向和接近有源区，芯片安装方向和焊焊料多少。料多少。通常可通常可鉴别鉴别出的失效模式或机理如下：出的失效模式或机理如下：v过电应过电应力引起的力引起的键键合合线线或金属化的开路或短路，以及或金属化的开路或短路，以及较轻较轻的的电损伤电损伤痕迹如静痕迹如静电击电击穿点。穿点。v键键合合线线或金属化或金属化焊焊接区的开路及短路。接区的开路及短路。v金属金属电电迁移。迁移。v金属化缺金属化缺损损或剥皮。或剥皮。v封装内部的金属腐封装内部的金属腐蚀蚀。v氧化氧化层污层污染，染，变变色，缺陷，裂色，缺陷，裂缝缝。v芯片表面或芯片芯片表面或芯片衬衬底的裂底的裂缝缝。v掩模未套准。掩模未套准。v外来多余物，特外来多余物，特别别是是导电导电的可的可动动多余物。多余物。v键键合位置不良。合位置不良。v管脚腐管脚腐蚀蚀或或镀层镀层脱落。脱落。v经过经过介介质层质层或氧化或氧化层层的短路。的短路。镜检能发现的问题（二）根据几何形状判断。可判断线路设计43内涂料的去除v开开帽帽后后目目检检时时要要去去除除芯芯片片表表面面的的钝钝化化层层或或内内涂涂料料（我我们们所所说说的的点点胶胶），内内涂涂料料去去除除：聚聚脂脂涂涂料料6235，1730，1152等等可可用用甘甘油油热热裂裂解解的的方方法法（甘甘油加油加热热到沸到沸腾腾保持一定保持一定时间时间）vGN521，6235，1152用用低低分分子子的的溶溶剂剂如如二二甲甲基基甲甲酰酰胺胺浸浸泡泡12-24小小时时（1152），6235用用环环已已酮酮或或三三氯氯甲甲烷烷，甲甲酚酚和和石石蜡蜡混混合合液液浸浸泡泡6-12小小时时，GN521用用甲甲苯苯或或环环已已酮酮，香香蕉蕉水水，醋醋酸酸乙乙酯酯的的混混合液浸泡合液浸泡8-20小小时时而溶解。而溶解。vA006等内涂料用等离子去除胶。等内涂料用等离子去除胶。内涂料的去除开帽后目检时要去除芯片表面的钝化层或内涂料（我们44 钝化层的去除 塑料（塑封塑料（塑封树树脂）脂）125160度在度在发发烟硝酸中腐烟硝酸中腐蚀蚀3-5分分钟钟，再用丙，再用丙酮酮超声清洗。超声清洗。SiO2 在在HF酸中腐酸中腐蚀约蚀约1分分钟钟去除去除0.5m.Si3N4 用磷酸腐用磷酸腐蚀蚀，或用氟化，或用氟化铵铵与冰醋酸各一份的混与冰醋酸各一份的混合液腐合液腐蚀蚀。金属化金属化铝层铝层 用硝酸用硝酸5%，磷酸，磷酸80%，醋酸，醋酸5%，在，在110-170度度腐腐蚀蚀1分分钟钟，不影响氧化，不影响氧化层层或用或用85%磷酸加磷酸加热热到到70-80度。度。铝铝-硅合金硅合金 6：1的的HNO3：HF或或10-20%的的NaOH溶液加溶液加热热煮沸。煮沸。镍镍-铬铬合金合金 用用1.5克硫酸高克硫酸高铈铈，12ml HNO3,10 ml H2O腐腐蚀蚀.玻璃玻璃钝钝化化层层/铝铝 低温等离子刻低温等离子刻蚀蚀.铝铝或或镍镍-铬铬/硅硅 低温等离子刻低温等离子刻蚀蚀.芯片上涂有黑胶芯片上涂有黑胶 将芯片泡在冷将芯片泡在冷浓浓硫酸中硫酸中(25 OC)。钝化层的去除塑料（塑封树脂）125160度在发45芯片焊接的失效机理（一）v目的：芯片与管座牢固粘目的：芯片与管座牢固粘结结v要求：芯片与管座之要求：芯片与管座之间间形成良好形成良好的欧姆接触并有良好的的欧姆接触并有良好的导电导电性。性。v方式：方式：银浆烧结银浆烧结，合金（共晶），合金（共晶）粘粘结结，导电导电胶胶烧结烧结，环环氧氧树树脂粘脂粘结结，高温聚，高温聚酰亚酰亚胺粘胺粘结结。芯片焊接的失效机理（一）目的：芯片与管座牢固粘结46芯片焊接的失效机理（二）对对于于银浆烧结银浆烧结1，银浆问题银浆问题2，杂质问题杂质问题3，硅的氧化及，硅的氧化及镀镍镀镍，镀银镀银的不良。的不良。4，银浆银浆与基材与基材结结合力合力差引起的差引起的问题问题。芯片焊接的失效机理（二）对于银浆烧结47芯片焊接的失效机理（三）对于合金粘结对于合金粘结1，金，金-铅系统铅系统2，锡，锡-铅系统铅系统芯片焊接的失效机理（三）对于合金粘结48引线键合的失效机理（一）v引引线键线键合的主要方法：合的主要方法：热压焊热压焊，超声，超声焊焊，面，面键键合。合。v引引线线：铝铝-铝铝超声超声焊焊，金，金-铝热压焊铝热压焊（包括楔形和球（包括楔形和球焊焊）引线键合的失效机理（一）引线键合的主要方法：49引线键合的失效机理（二）v工工艺问题艺问题。v金属互化物使金金属互化物使金铝铝系系统统失失效。效。v热热循循环环使引使引线线疲疲劳劳。v沾沾污污造成引造成引线线腐腐蚀蚀而开路。而开路。v内涂料开裂造成断内涂料开裂造成断丝丝。v压焊应压焊应力力过过大造成失效。大造成失效。v外引外引线线的失效。的失效。引线键合的失效机理（二）工艺问题。50开短路的可能原因（一）v封装工封装工艺艺方面方面 表表现为现为断断丝丝，塌，塌丝丝，碰，碰丝丝，内，内引脚相碰，点脱，球脱，球引脚相碰，点脱，球脱，球飘飘等。占封装造成开短路的等。占封装造成开短路的90%以上。以上。开短路的可能原因（一）封装工艺方面51开短路的可能原因（二）v芯片表面水汽吸附。芯片表面水汽吸附。v钝化层不良。钝化层不良。v芯片氧化层不良。芯片氧化层不良。v内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。或金丝脱落。v电迁移。电迁移。开短路的可能原因（二）芯片表面水汽吸附。52开短路的可能原因（三）v铝铝硅共溶。硅共溶。v金属金属间间化合物。化合物。v芯片芯片焊焊接疲接疲劳劳。v热热不匹配。不匹配。v外来异物。外来异物。v氧化氧化层层台台阶处阶处金属膜断路金属膜断路。开短路的可能原因（三）铝硅共溶。53激励学生学习的名言格言激励学生学习的名言格言220、每一个成功者都有一个开始。勇于开始，才能找到成功的路。221、世界会向那些有目标和远见的人让路（冯两努香港著名推销商）222、绊脚石乃是进身之阶。223、销售世界上第一号的产品不是汽车，而是自己。在你成功地把自己推销给别人之前，你必须百分之百的把自己推销给自己。224、即使爬到最高的山上，一次也只能脚踏实地地迈一步。225、积极思考造成积极人生，消极思考造成消极人生。226、人之所以有一张嘴，而有两只耳朵，原因是听的要比说的多一倍。227、别想一下造出大海，必须先由小河川开始。228、有事者，事竟成；破釜沉舟，百二秦关终归楚；苦心人，天不负；卧薪尝胆，三千越甲可吞吴。229、以诚感人者，人亦诚而应。230、积极的人在每一次忧患中都看到一个机会，而消极的人则在每个机会都看到某种忧患。231、出门走好路，出口说好话，出手做好事。232、旁观者的姓名永远爬不到比赛的计分板上。233、怠惰是贫穷的制造厂。234、莫找借口失败，只找理由成功。（不为失败找理由，要为成功找方法）235、如果我们想要更多的玫瑰花，就必须种植更多的玫瑰树。236、伟人之所以伟大，是因为他与别人共处逆境时，别人失去了信心，他却下决心实现自己的目标。237、世上没有绝望的处境，只有对处境绝望的人。238、回避现实的人，未来将更不理想。239、当你感到悲哀痛苦时，最好是去学些什么东西。学习会使你永远立于不败之地。240、伟人所达到并保持着的高处，并不是一飞就到的，而是他们在同伴们都睡着的时候，一步步艰辛地向上爬241、世界上那些最容易的事情中，拖延时间最不费力。242、坚韧是成功的一大要素，只要在门上敲得够久、够大声，终会把人唤醒的。243、人之所以能，是相信能。244、没有口水与汗水，就没有成功的泪水。245、一个有信念者所开发出的力量，大于99个只有兴趣者。246、环境不会改变，解决之道在于改变自己。247、两粒种子，一片森林。248、每一发奋努力的背后，必有加倍的赏赐。249、如果你希望成功，以恒心为良友，以经验为参谋，以小心为兄弟，以希望为哨兵。250、大多数人想要改造这个世界，但却罕有人想改造自己。激励学生学习的名言格言54