电工电子技术半导体二极管和三极管课件

电电工工工工电电子技子技子技子技术术半半半半导导体二极管和三极管体二极管和三极管体二极管和三极管体二极管和三极管第第七七章章 半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管第二节第二节 半导体二极管半导体二极管第三节第三节 半导体三极管半导体三极管第一节第一节 半导体的导电特性半导体的导电特性本章要求本章要求本章要求本章要求一、理解一、理解一、理解一、理解PNPN结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用；电流放大作用；电流放大作用；电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。三、会分析含有二极管的电路。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对半导学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对半导学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对半导学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对半导体器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便体器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便体器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便体器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。过分追究精确的数值。过分追究精确的数值。过分追究精确的数值。半导体器件是非线性的、特性有分散性半导体器件是非线性的、特性有分散性半导体器件是非线性的、特性有分散性半导体器件是非线性的、特性有分散性,工程上允许一定工程上允许一定工程上允许一定工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。的误差、采用合理估算的方法。的误差、采用合理估算的方法。的误差、采用合理估算的方法。对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正对于半导体器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论半导体器件的原理目的在于应用。原理目的在于应用。原理目的在于应用。原理目的在于应用。第一节第一节 半导体的导电特性半导体的导电特性 物质按导电能力的不同可分为物质按导电能力的不同可分为导体、半导体导体、半导体和和绝缘体绝缘体三大类。半导体的电阻率一般在三大类。半导体的电阻率一般在10-3109 cm量级，典型的半导体有硅量级，典型的半导体有硅(Si)和锗和锗(Ge)，以及，以及砷化镓砷化镓(GaAs)等。硅和锗在元素周期表上是四阶元等。硅和锗在元素周期表上是四阶元素，砷化镓则属于半导体化合物。素，砷化镓则属于半导体化合物。半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的间，但半导体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的：独特性能决定的：半导体的特性：半导体的特性：掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变显改变显改变显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二 极管、三极管和晶闸管等）。极管、三极管和晶闸管等）。极管、三极管和晶闸管等）。极管、三极管和晶闸管等）。光敏性光敏性光敏性光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化：当受到光照时，导电能力明显变化：当受到光照时，导电能力明显变化：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各可做成各可做成各可做成各 种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极 管等管等管等管等)。热敏性热敏性热敏性热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成 温度敏感元件，如热敏电阻）。温度敏感元件，如热敏电阻）。温度敏感元件，如热敏电阻）。温度敏感元件，如热敏电阻）。一一.本征半导体本征半导体天然的天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过高度提纯高度提纯.完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半本征半本征半本征半导体。导体。导体。导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子 Si Si Si Si价电子价电子 价电子在获得一定能（温价电子在获得一定能（温价电子在获得一定能（温价电子在获得一定能（温度升高或受光照）后，即可挣度升高或受光照）后，即可挣度升高或受光照）后，即可挣度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为脱原子核的束缚，成为脱原子核的束缚，成为脱原子核的束缚，成为自由电自由电自由电自由电子子子子（带负电），同时共价键中（带负电），同时共价键中（带负电），同时共价键中（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为留下一个空位，称为留下一个空位，称为留下一个空位，称为空穴空穴空穴空穴（带（带（带（带正电）正电）正电）正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子便愈多。自由电子自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补补(价电子填空穴的现象称为价电子填空穴的现象称为复合复合复合复合)。而在该原子中出现一个而在该原子中出现一个而在该原子中出现一个而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（空穴，其结果相当于空穴的运动（空穴，其结果相当于空穴的运动（空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动相当于正电荷的移动相当于正电荷的移动相当于正电荷的移动）。）。）。）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：电流：电流：电流：(1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意：(1)(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高，载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为空穴都称为空穴都称为空穴都称为载流子载流子载流子载流子。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。流子便维持一定的数目。流子便维持一定的数目。流子便维持一定的数目。二二.N型半导体和型半导体和 P 型半导体型半导体 掺杂后自由电子数目大掺杂后自由电子数目大掺杂后自由电子数目大掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为量增加，自由电子导电成为量增加，自由电子导电成为量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式这种半导体的主要导电方式这种半导体的主要导电方式这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或，称为电子半导体或，称为电子半导体或，称为电子半导体或N N型半型半型半型半导体。导体。导体。导体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个电失去一个电子变为正离子变为正离子子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂形成杂形成杂形成杂质半导体。质半导体。质半导体。质半导体。在在在在N N 型半导体中自由电型半导体中自由电型半导体中自由电型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少子是多数载流子，空穴是少子是多数载流子，空穴是少子是多数载流子，空穴是少数载流子。数载流子。数载流子。数载流子。掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种增加，空穴导电成为这种增加，空穴导电成为这种增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，半导体的主要导电方式，半导体的主要导电方式，半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或称为空穴半导体或称为空穴半导体或称为空穴半导体或 P P型半导型半导型半导型半导体。体。体。体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在在在 P P 型半导体中空穴型半导体中空穴型半导体中空穴型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是多数载流子，自由电子是多数载流子，自由电子是多数载流子，自由电子是少数载流子。是少数载流子。是少数载流子。是少数载流子。B硼原子硼原子接受一个电接受一个电接受一个电接受一个电子变为负离子变为负离子变为负离子变为负离子子子子空穴空穴 无论无论无论无论N N型或型或型或型或P P型半导体都型半导体都型半导体都型半导体都是中性的，对外不显电性。是中性的，对外不显电性。是中性的，对外不显电性。是中性的，对外不显电性。此时整个晶体此时整个晶体带电吗？为什带电吗？为什么？么？自由电子导电和空自由电子导电和空穴导电的区别在穴导电的区别在哪里？空穴载流哪里？空穴载流子的形成是否由子的形成是否由自由电子填补空自由电子填补空穴的运动形成的穴的运动形成的？何谓杂质半导体中的多子和少子？N型半导体中的多子是什么？少子是什么？P型半导体中的空穴多于自由电子，是否意味着带正电？三三.PN结及其单相导电性结及其单相导电性1.PN结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。扩散的结果使扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区变宽。扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移扩散和漂移这一对相反的这一对相反的这一对相反的这一对相反的运动最终达到运动最终达到运动最终达到运动最终达到动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空动态平衡，空间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。度固定不变。度固定不变。+形成空间电荷区形成空间电荷区2.PN结的单向导电性结的单向导电性 (1)PN 结加正向电压（正向偏置）结加正向电压（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF 内电场被削内电场被削内电场被削内电场被削弱，多子的扩弱，多子的扩弱，多子的扩弱，多子的扩散加强，形成散加强，形成散加强，形成散加强，形成较大的扩散电较大的扩散电较大的扩散电较大的扩散电流。流。流。流。PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较大，正向结变窄，正向电流较大，正向结变窄，正向电流较大，正向结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，电阻较小，电阻较小，电阻较小，PNPN结处于结处于结处于结处于导通状态导通状态导通状态导通状态。内电场内电场PN+PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽(2)PN 结加反向电压（反向偏置）结加反向电压（反向偏置）外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。+PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，反向电结变宽，反向电流较小，反向电结变宽，反向电流较小，反向电结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，阻较大，阻较大，阻较大，PNPN结处于结处于结处于结处于截止状态截止状态截止状态截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+能否说出能否说出PNPN结结有何特性？半有何特性？半导体的导电机导体的导电机理与金属导体理与金属导体有何不同？有何不同？什么是本征激发？什么是复合？少数载流子和多数载流子是如何产生的？空间电荷区的电阻率为什么很高？把PN结用管壳封装，然后在P区和N区分别向外引出一个电极，即可构成一个二极管。二极管是电子技术中最基本的半导体器件之一。根据其用途分有检波管、开关管、稳压管和整流管等。硅高频检波管开关管稳压管整流管发光二极管 电子工程实际中，二极管应用得非常广泛，上图所示即为各类二极管的部分产品实物图。第二节第二节 半导体二极管半导体二极管一一.基本结构基本结构(a)(a)点接触型点接触型点接触型点接触型(b)(b)面接触型面接触型面接触型面接触型 结面积小、结面积小、结面积小、结面积小、结电容小、正向结电容小、正向结电容小、正向结电容小、正向电流小。用于检电流小。用于检电流小。用于检电流小。用于检波和变频等高频波和变频等高频波和变频等高频波和变频等高频电路。电路。电路。电路。结面积大、结面积大、结面积大、结面积大、正向电流大、结正向电流大、结正向电流大、结正向电流大、结电容大，用于工电容大，用于工电容大，用于工电容大，用于工频大电流整流电频大电流整流电频大电流整流电频大电流整流电路。路。路。路。(c)(c)平面型平面型平面型平面型 用于集成电用于集成电用于集成电用于集成电路制作工艺中。路制作工艺中。路制作工艺中。路制作工艺中。PNPN结结面积可大结结面积可大结结面积可大结结面积可大可小，用于高频可小，用于高频可小，用于高频可小，用于高频整流和开关电路整流和开关电路整流和开关电路整流和开关电路中。中。中。中。阴极引线阴极引线阳极引线阳极引线二二氧化硅保护层氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极(d)表示符表示符号号D(a)点接触型点接触型(c)平面型平面型(b)面接触型面接触型二二.伏安特性伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V0.5V锗管锗管锗管锗管0.1V0.1V反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去电压二极管被击穿，失去单向导电性。单向导电性。单向导电性。单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.8V.60.8V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数。常数。常数。常数。三三.半导体二极管的参数半导体二极管的参数1.1.最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流 I IF F二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.2.反向击穿电压反向击穿电压反向击穿电压反向击穿电压 U UBR BR 和最大反向工作电压和最大反向工作电压和最大反向工作电压和最大反向工作电压 U URMRM 二二二二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压穿电压穿电压穿电压UBRUBRUBRUBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压URMURMURMURM一般只按反向击穿电压一般只按反向击穿电压一般只按反向击穿电压一般只按反向击穿电压UBRUBRUBRUBR的一半计算。的一半计算。的一半计算。的一半计算。3.3.反向电流反向电流反向电流反向电流 I I I IR R R R 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。小功率硅二极管的反向电流一般在纳安压下的反向电流值。小功率硅二极管的反向电流一般在纳安压下的反向电流值。小功率硅二极管的反向电流一般在纳安压下的反向电流值。小功率硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)(nA)级；锗二极管在微安级；锗二极管在微安级；锗二极管在微安级；锗二极管在微安(A)A)级。级。级。级。4.4.4.4.正向压降正向压降正向压降正向压降 U U U UF F F F 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.60.8 V；锗二极管；锗二极管约约0.20.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与正与正向电流的大小有关，也就是求正向曲线上某一点向电流的大小有关，也就是求正向曲线上某一点Q的动态电的动态电阻。所以动态电阻是一个交流参数，前几个是直流参数，或阻。所以动态电阻是一个交流参数，前几个是直流参数，或称为静态参数。动态电阻的定义如下称为静态参数。动态电阻的定义如下 5.5.5.5.动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻 r r r rd d d d 6.6.6.6.正向压降温度系数正向压降温度系数正向压降温度系数正向压降温度系数 反映了二极管正向压降随温度变化的规律，具有负温反映了二极管正向压降随温度变化的规律，具有负温度系数。不论是锗管还是硅管基本上是一个常数度系数。不论是锗管还是硅管基本上是一个常数 所以，二极管的正向特性曲线，当温度升高时，会向所以，二极管的正向特性曲线，当温度升高时，会向Y轴移动，若正向特性曲线画在第一象限，曲线向左移动。轴移动，若正向特性曲线画在第一象限，曲线向左移动。使用二极管时，必须注意极性不能接反，否则电路非但不能正常工作，还有毁坏管子和其他元件的可能。总结总结:二极管二极管的单向导电性的单向导电性 1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。向电流很小。3.3.3.3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。向导电性。向导电性。向导电性。4.4.4.4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。流愈大。流愈大。流愈大。5.5.二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。元件保护、温度补偿等。二极管的应用举例二极管的应用举例注意：注意：注意：注意：分析实际电路时为简单化，通常把二极管进行理想分析实际电路时为简单化，通常把二极管进行理想化处理，即正偏时视其为化处理，即正偏时视其为“短路短路”，截止时视其为，截止时视其为“开路开路”。U UD D=0=0U UD D=正向导通时相当正向导通时相当一个闭合的开关一个闭合的开关+D D D D+D D D D+D D D DP P P PN N N N+反向阻断时相当反向阻断时相当一个打开的开关一个打开的开关+D D D DP P P PN N N N(1)(1)二极管的二极管的开关作用开关作用(2)(2)二极管的二极管的限幅作用限幅作用+D Du uS S10K10KIN4148IN4148+u u0 0i iD D 图示为一限幅电路。电源图示为一限幅电路。电源u uS S是一个周期性的矩形脉冲，是一个周期性的矩形脉冲，高电平幅值为高电平幅值为+5V+5V，低电平幅值为，低电平幅值为-5V-5V。试分析电路的输出。试分析电路的输出电压为多少。电压为多少。u uS S+5V+5V-5V-5Vt t0 0当输入电压当输入电压u ui i=5V5V时，二极管反偏截止，此时电路时，二极管反偏截止，此时电路可视为开路，输出电压可视为开路，输出电压u u0 0=0V=0V；当输入电压当输入电压u ui i=+5V=+5V时，二极管正偏导通，导通时二极时，二极管正偏导通，导通时二极管压降近似为零，故输出电压管压降近似为零，故输出电压u u0 0+5V+5V。显然输出电压显然输出电压u u0 0限幅限幅在在0 0+5V+5V之间。之间。u u0 0半导体二极管工作在半导体二极管工作在击穿区，是否一定被击穿区，是否一定被损坏？为什么？损坏？为什么？何谓死区电压？硅管何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典和锗管死区电压的典型值各为多少？为何型值各为多少？为何会出现死区电压？会出现死区电压？把一个把一个1.5V1.5V的干电池直接的干电池直接正向联接到二极管的两端，正向联接到二极管的两端，会出现什么问题？会出现什么问题？二极管的伏安特性曲线上二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电极管工作在各个区时的电 压、电流情况？压、电流情况？为什么二极管的反为什么二极管的反向电流很小且具有向电流很小且具有饱和性？当环境温饱和性？当环境温度升高时又会明显度升高时又会明显增大增大？例例例例1 1.电路如图，求：电路如图，求：电路如图，求：电路如图，求：U UABAB V V阳阳阳阳=6 V 6 V V V阴阴阴阴 =12 V 12 V V V阳阳阳阳VV阴阴阴阴 二极管导通二极管导通二极管导通二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，U UABAB=6V 6V否则，否则，否则，否则，U UABAB低于低于低于低于6V6V一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为一个管压降，为6.36.3或或或或6.7V6.7V 解解解解:取取取取 B B 点作参考点，断点作参考点，断点作参考点，断点作参考点，断开二极管，分析二极管阳开二极管，分析二极管阳开二极管，分析二极管阳开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。极和阴极的电位。极和阴极的电位。极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3k BAUAB+u ui i 8V 8V，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路，二极管导通，可看作短路 u uo o=8V=8V u ui i 8V 8V，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路，二极管截止，可看作开路 u uo o=u ui i已知：已知：已知：已知：二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出二极管是理想的，试画出 u uo o 波形。波形。波形。波形。8V8Vu ui i18V18V参考点参考点参考点参考点解解解解:二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为二极管阴极电位为 8 V 8 VD D8V8VR Ru uo ou ui i+例例2四四.稳压二极管稳压二极管1.符号符号 UZIZIZM UZ IZ2.2.伏安特性伏安特性伏安特性伏安特性 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。中可起稳压作用。_+UIO主要参数主要参数(1)(1)(1)(1)稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)(2)(2)最小稳定电压最小稳定电压最小稳定电压最小稳定电压 U UZminZmin 保证稳压管可靠击穿所允许的最小反向电压。保证稳压管可靠击穿所允许的最小反向电压。保证稳压管可靠击穿所允许的最小反向电压。保证稳压管可靠击穿所允许的最小反向电压。(3)(3)(3)(3)最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流最大稳定电流 I IZMZM(4)(4)(4)(4)最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率 P P P PZMZM 管子不至于发生热击穿的最大功率损耗。管子不至于发生热击穿的最大功率损耗。管子不至于发生热击穿的最大功率损耗。管子不至于发生热击穿的最大功率损耗。P PZM ZM=U UZ Z I IZMZM保证稳压管安全工作所允许的最大反向电流。保证稳压管安全工作所允许的最大反向电流。+U US SD DZ Z使用稳压二极管时应该注意的事项使用稳压二极管时应该注意的事项(1)(1)稳压二极管正负极的判别稳压二极管正负极的判别D DZ Z+(2)(2)稳压二极管使用时，应反向接入电路稳压二极管使用时，应反向接入电路U UZ Z(3)(3)稳压管应接入限流电阻稳压管应接入限流电阻(4)(4)电源电压应高于稳压二极管的稳压值电源电压应高于稳压二极管的稳压值(5)(5)稳压管都是硅管。稳压管都是硅管。其稳定电压其稳定电压U UZ Z最低为最低为3V3V，高的可达，高的可达 300V 300V，稳压二极管在工作时的正向压降约为，稳压二极管在工作时的正向压降约为0.6V0.6V。光电二极管也称光电二极管也称光敏二极管光敏二极管，是将光信号变成电信号的半，是将光信号变成电信号的半导体器件，其核心部分也是一个导体器件，其核心部分也是一个PNPN结。光电二极管结。光电二极管PNPN结的结结的结面积较小、结深很浅，一般小于一个微米。面积较小、结深很浅，一般小于一个微米。D 光电二极管和稳压管类似，也是工作在反向电压下。无光光电二极管和稳压管类似，也是工作在反向电压下。无光照时，反向电流很小，称为照时，反向电流很小，称为暗电流暗电流；有光照射时，携带能量；有光照射时，携带能量的光子进入的光子进入PNPN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分价电子挣脱共价键的束缚，产生电子分价电子挣脱共价键的束缚，产生电子空穴对，称为空穴对，称为光生光生载流子载流子。光生载流子在反向电压作用下形成反向光电流，其。光生载流子在反向电压作用下形成反向光电流，其强度与光照强度成正比。强度与光照强度成正比。光电二极管光电二极管 光电二极管也称光敏二极管，同光电二极管也称光敏二极管，同样具有单向导电性，光电管管壳上样具有单向导电性，光电管管壳上有一个能射入光线的有一个能射入光线的“窗口窗口”，这个，这个窗口用有机玻璃透镜进行封闭，入窗口用有机玻璃透镜进行封闭，入射光通过透镜正好射在管芯上。射光通过透镜正好射在管芯上。实物图实物图图符号和图符号和文字符号文字符号 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PNPN结构成，具有结构成，具有单向导电性。单向导电性。实物图实物图图符号和图符号和文字符号文字符号D 单个发光二极管常作为电子设备通单个发光二极管常作为电子设备通断指示灯或快速光源及光电耦合器中断指示灯或快速光源及光电耦合器中的发光元件等。发光二极管一般使用的发光元件等。发光二极管一般使用砷化镓、磷化镓等材料制成。现有的砷化镓、磷化镓等材料制成。现有的发光二极管能发出红黄绿等颜色的光发光二极管能发出红黄绿等颜色的光。发光管正常工作时应正向偏置，因死区电压发光管正常工作时应正向偏置，因死区电压较普通二极管高，因此其正偏工作电压一般在较普通二极管高，因此其正偏工作电压一般在1.3V1.3V以上。以上。发光管属功率控制器件，常用来作为数字电发光管属功率控制器件，常用来作为数字电路的数码及图形显示的七段式或阵列器件路的数码及图形显示的七段式或阵列器件。发光二极管发光二极管第三节第三节 半导体三极管半导体三极管一一.基本结构基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管 根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的时参与导电，就是所谓的双极型。双极型。如果只有一种载流子参与如果只有一种载流子参与导电，即为导电，即为单极型单极型。大功率低频三极管大功率低频三极管小功率高频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管中功率低频三极管 目前国内生产的双极型硅晶体管多为目前国内生产的双极型硅晶体管多为NPNNPN型型(3D(3D系列系列)，锗，锗晶体管多为晶体管多为PNPPNP型型(3A(3A系列系列)，按频率高低有高频管、低频管，按频率高低有高频管、低频管之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。之别；根据功率大小可分为大、中、小功率管。基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大二二.三极管的电流分配和放大原理三极管的电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件三极管放大的外部条件B BEC CN NN NP PEBRBE EC CRC发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏发射结正偏、集电结反偏 PNP PNP发射结正偏发射结正偏发射结正偏发射结正偏 V VB B V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VE E集电结反偏集电结反偏集电结反偏集电结反偏 V VC C V VB B ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+2.三极管的电流分配和放大原理三极管的电流分配和放大原理 实验如图，把三极管接成二个电路，基极电路和集实验如图，把三极管接成二个电路，基极电路和集电极电路，发射极是公共端，这种接法称为三极管电极电路，发射极是公共端，这种接法称为三极管的共发射极接法。以的共发射极接法。以NPN管为例，发射结加正向电压，管为例，发射结加正向电压，集电极加反向电压，三极管才能起放大作用。集电极加反向电压，三极管才能起放大作用。三极管电流测量数据三极管电流测量数据I IB B(mA)(mA)I IC C(mA)(mA)I IE E(mA)(mA)0 00.020.020.040.040.060.060.080.080.100.100.0010.0010.700.701.501.502.302.303.103.103.953.950.0010.0010.720.721.541.542.362.363.183.184.054.05结论结论结论结论:（1）三电极电流关系三电极电流关系 IE=IB+IC（2）IC IB，IC IE （3）IB=0，IC0.001 mABECNNPEBRBECIEIBEICEICBO 把基极电流的微小变化把基极电流的微小变化把基极电流的微小变化把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变能够引起集电极电流较大变能够引起集电极电流较大变能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流化的特性称为晶体管的电流化的特性称为晶体管的电流化的特性称为晶体管的电流放大作用。放大作用。放大作用。放大作用。实质实质实质实质:用一个微小电流的用一个微小电流的用一个微小电流的用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化去控制一个较大电流的变化去控制一个较大电流的变化去控制一个较大电流的变化，变化，变化，变化，三极管内载流子运动过程三极管内载流子运动过程1.发射区向基区注入电子发射区向基区注入电子2.基区中电子的扩散与复合基区中电子的扩散与复合3.集电区收集扩散过来的电子集电区收集扩散过来的电子三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发基区空穴向发基区空穴向发基区空穴向发射区的扩散可射区的扩散可射区的扩散可射区的扩散可忽略。忽略。忽略。忽略。发射结正偏，发射发射结正偏，发射发射结正偏，发射发射结正偏，发射区电子不断向基区区电子不断向基区区电子不断向基区区电子不断向基区扩散，形成发射极扩散，形成发射极扩散，形成发射极扩散，形成发射极电流电流电流电流I I I IE E E E。进入进入进入进入P P P P 区的电子少部分与基区的电子少部分与基区的电子少部分与基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流区的空穴复合，形成电流区的空穴复合，形成电流区的空穴复合，形成电流I I I IBE BE BE BE，多数扩散到集电结。，多数扩散到集电结。，多数扩散到集电结。，多数扩散到集电结。从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的从基区扩散来的电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结电子作为集电结的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进的少子，漂移进入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收入集电结而被收集，形成集，形成集，形成集，形成I I I ICECECECE。集电结反偏，有集电结反偏，有集电结反偏，有集电结反偏，有少子形成的反向少子形成的反向少子形成的反向少子形成的反向电流电流电流电流I I I ICBOCBOCBOCBO。三三.三极管的输入、输出特性三极管的输入、输出特性 1.1.输入特性曲线的描述与分析输入特性曲线的描述与分析 三极管的输入特性是指当集电极与发射极之间的电压三极管的输入特性是指当集电极与发射极之间的电压 为常数时为常数时,输入回路中基极静态电流输入回路中基极静态电流 与发射结二端的静态电与发射结二端的静态电压压 之间的关系特性之间的关系特性,即即:IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO特征特征（1）变化一点，基极电流变化变化一点，基极电流变化很大，呈现出恒压特性。很大，呈现出恒压特性。（2）不同材料的三极管，完全导不同材料的三极管，完全导通时的发射结电压降也不同。另外通时的发射结电压降也不同。另外当当 1 V 后，曲线基本不移动了。后，曲线基本不移动了。三极管的输入特性曲线是一条非线性曲线，发射结二端三极管的输入特性曲线是一条非线性曲线，发射结二端三极管的输入特性曲线是一条非线性曲线，发射结二端三极管的输入特性曲线是一条非线性曲线，发射结二端电压电压电压电压 与基极电流与基极电流与基极电流与基极电流 的关系随曲线上的点的位置不同而不的关系随曲线上的点的位置不同而不的关系随曲线上的点的位置不同而不的关系随曲线上的点的位置不同而不同，因此要确定一个合适的电压和电流，即在输入特性曲线同，因此要确定一个合适的电压和电流，即在输入特性曲线同，因此要确定一个合适的电压和电流，即在输入特性曲线同，因此要确定一个合适的电压和电流，即在输入特性曲线上找一个合适的点，这个点称之为三极管的上找一个合适的点，这个点称之为三极管的上找一个合适的点，这个点称之为三极管的上找一个合适的点，这个点称之为三极管的静态工作点静态工作点静态工作点静态工作点，通，通，通，通常用常用常用常用 Q Q Q Q 表示。表示。表示。表示。2.输出特性曲线的描述与分析 三极管的输出特性是指在基极电流三极管的输出特性是指在基极电流 一定的情况下，一定的情况下，三极管输出回路中的集电极电流三极管输出回路中的集电极电流 与集电极和发射极之间的与集电极和发射极之间的电压电压 之间的关系特性，即：之间的关系特性，即：当电流当电流 和温度为某一定值时，输出特性曲线为一根特性和温度为某一定值时，输出特性曲线为一根特性曲线。当基极电流取值不同时，输出特性曲线是一簇曲线。曲线。当基极电流取值不同时，输出特性曲线是一簇曲线。当当 1V后，集电极电流后，集电极电流 不再有明显的增加。不再有明显的增加。2 .输出特性曲线的描述与分析输出特性曲线的描述与分析IB=020 A40 A60 A80 A100 A36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：输出特性曲线通常分三个工作区：(1)(1)放大区放大区放大区放大区 在放大区有在放大区有在放大区有在放大区有 I IC C=I IB B ，也，也，也，也称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。称为线性区，具有恒流特性。在放大区，在放大区，在放大区，在放大区，发射结处于正发射结处于正发射结处于正发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。置，晶体管工作于放大状态。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 91212O（2 2）截止区截止区截止区截止区I IB B 0 0 以下区域为以下区域为以下区域为以下区域为截止区，有截止区，有截止区，有截止区，有 I IC C 0 0 。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。晶体管工作于截止状态。晶体管工作于截止状态。晶体管工作于截止状态。饱饱饱饱和和和和区区区区截止区截止区截止区截止区（3 3）饱和区饱和区饱和区饱和区当当当当U UCECE U UBEBE时时时时，晶体管工晶体管工晶体管工晶体管工作于饱和状态。作于饱和状态。作于饱和状态。作于饱和状态。在饱和区，在饱和区，在饱和区，在饱和区，I IB B I IC C，发射发射发射发射结处于正向偏置，结处于正向偏置，结处于正向偏置，结处于正向偏置，集电结集电结集电结集电结也处于正也处于正也处于正也处于正偏。偏。偏。偏。深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时，深度饱和时，硅管硅管硅管硅管U UCES CES 0.3V 0.3V，锗管锗管锗管锗管U UCES CES 0.1V 0.1V。四四.三极管的主要参数三极管的主要参数1.电流放大系数电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数直流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数交流电流放大系数 三极管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，是三极管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，是三极管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，是三极管的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，是选用三极管的依据。选用三极管的依据。选用三极管的依据。选用三极管的依据。注意注意注意注意：和和和和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且且且且I ICE0 CE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的常用晶体管的 值在值在值在值在20 20020 200之间。为了使三极管具有之间。为了使三极管具有之间。为了使三极管具有之间。为了使三极管具有电流放大能力，必须使三极管工作在放大区，并且工作在电流放大能力，必须使三极管工作在放大区，并且工作在电流放大能力，必须使三极管工作在放大区，并且工作在电流放大能力，必须使三极管工作在放大区，并且工作在一个合适的点，这个点称为三极管的一个合适的点，这个点称为三极管的一个合适的点，这个点称为三极管的一个合适的点，这个点称为三极管的静态工作点静态工作点静态工作点静态工作点，即具有，即具有，即具有，即具有一个合适的电压一个合适的电压一个合适的电压一个合适的电压 与电流与电流与电流与电流 。例：在例：在例：在例：在U UCECE=6 V=6 V时，时，时，时，在在在在 Q Q1 1 点点点点I IB B=40=40 A,A,I IC C=1.5mA=1.5mA；在在在在 Q Q2 2 点点点点I IB B=60=60 A,A,I IC C=2.3mA=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理：=。I IB B=0=02020 A A4040 A A6060 A A8080 A A100100 A A3 36 6I IC C(mmA )A )1 12 23 34 4U UCECE(V)(V)9 912120 0QQ1 1QQ2 2在在在在 Q Q1 1 点，有点，有点，有点，有由由由由 Q Q1 1 和和和和QQ2 2点，得点，得点，得点，得（1 1）集集集集-基极反向饱和电流基极反向饱和电流基极反向饱和电流基极反向饱和电流 I ICBOCBO I ICBOCBO是由少数载流子的漂移是由少数载流子的漂移是由少数载流子的漂移是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的运动所形成的电流，受温度的运动所形成的电流，受温度的运动所形成的电流，受温度的影响大。影响大。影响大。影响大。温度温度温度温度I ICBOCBO ICBO A+EC（2 2）集集集集-射极反向饱和电流射极反向饱和电流射极反向饱和电流射极反向饱和电流(穿透电流穿透电流穿透电流穿透电流)I ICEOCEO AICEOIB=0+I ICE