极管三极管和传感器演示文稿课件

电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 第第6 6章章 半导体器件半导体器件6.1 半导体半导体6.2 二极管二极管6.3 三极管三极管6.4 传感器传感器1电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 学习目标及考核标准学习目标及考核标准 1.1.1.1.二极管部分：二极管部分：二极管部分：二极管部分：从二极管的主要用途出发了解其从二极管的主要用途出发了解其从二极管的主要用途出发了解其从二极管的主要用途出发了解其单向导电单向导电单向导电单向导电的机理，的机理，的机理，的机理，在电子电路中它主要用作在电子电路中它主要用作在电子电路中它主要用作在电子电路中它主要用作开关开关开关开关，由此弄清为何它能，由此弄清为何它能，由此弄清为何它能，由此弄清为何它能单向导电？为使其有良好的开关作用，应具备何种单向导电？为使其有良好的开关作用，应具备何种单向导电？为使其有良好的开关作用，应具备何种单向导电？为使其有良好的开关作用，应具备何种工作条件？结合它的外特性去理解。工作条件？结合它的外特性去理解。工作条件？结合它的外特性去理解。工作条件？结合它的外特性去理解。2.2.2.2.稳压管部分：稳压管部分：稳压管部分：稳压管部分：从稳压管的主要作用是从稳压管的主要作用是从稳压管的主要作用是从稳压管的主要作用是稳压稳压稳压稳压这点出发，了解其性这点出发，了解其性这点出发，了解其性这点出发，了解其性能特点，并结合其外特性。了解应具备何种工作条能特点，并结合其外特性。了解应具备何种工作条能特点，并结合其外特性。了解应具备何种工作条能特点，并结合其外特性。了解应具备何种工作条件才能使其稳压？件才能使其稳压？件才能使其稳压？件才能使其稳压？2电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 3.3.三极管部分：三极管部分：三极管部分：三极管部分：模拟电路中三极管的主要作用是模拟电路中三极管的主要作用是模拟电路中三极管的主要作用是模拟电路中三极管的主要作用是放大放大放大放大，数字电路，数字电路，数字电路，数字电路中三极管的主要作用是中三极管的主要作用是中三极管的主要作用是中三极管的主要作用是开关开关开关开关，由此了解为何能放大，由此了解为何能放大，由此了解为何能放大，由此了解为何能放大？结合其外特性了解应具备哪些条件才能使其放大？结合其外特性了解应具备哪些条件才能使其放大？结合其外特性了解应具备哪些条件才能使其放大？结合其外特性了解应具备哪些条件才能使其放大？划时代的发明划时代的发明半导体电子学半导体电子学50年年 今天今天今天今天,听广播、看电视已成为人们日常生活中最普听广播、看电视已成为人们日常生活中最普听广播、看电视已成为人们日常生活中最普听广播、看电视已成为人们日常生活中最普通的事。个人计算机正在进入寻常百姓家。人们在通的事。个人计算机正在进入寻常百姓家。人们在通的事。个人计算机正在进入寻常百姓家。人们在通的事。个人计算机正在进入寻常百姓家。人们在享用现代科技成果时，未必都能想到，就在身边的享用现代科技成果时，未必都能想到，就在身边的享用现代科技成果时，未必都能想到，就在身边的享用现代科技成果时，未必都能想到，就在身边的收音机、电视机、计算机里，曾经发生过几次翻天收音机、电视机、计算机里，曾经发生过几次翻天收音机、电视机、计算机里，曾经发生过几次翻天收音机、电视机、计算机里，曾经发生过几次翻天覆地的大革命。覆地的大革命。覆地的大革命。覆地的大革命。3电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 第一次大革命发生在第一次大革命发生在第一次大革命发生在第一次大革命发生在19061906年。那一年，美国人德年。那一年，美国人德年。那一年，美国人德年。那一年，美国人德福雷斯特发明了真空三极管。由这种真空三极管和福雷斯特发明了真空三极管。由这种真空三极管和福雷斯特发明了真空三极管。由这种真空三极管和福雷斯特发明了真空三极管。由这种真空三极管和其他一些元件（电阻、电容、电感等）组成放大电其他一些元件（电阻、电容、电感等）组成放大电其他一些元件（电阻、电容、电感等）组成放大电其他一些元件（电阻、电容、电感等）组成放大电路，可以把收音机接收的信号放大十倍、百倍乃至路，可以把收音机接收的信号放大十倍、百倍乃至路，可以把收音机接收的信号放大十倍、百倍乃至路，可以把收音机接收的信号放大十倍、百倍乃至千倍。这样，收音机就能收到更远的电台，而且音千倍。这样，收音机就能收到更远的电台，而且音千倍。这样，收音机就能收到更远的电台，而且音千倍。这样，收音机就能收到更远的电台，而且音量更大、音质更好。真空三极管是靠在真空中运动量更大、音质更好。真空三极管是靠在真空中运动量更大、音质更好。真空三极管是靠在真空中运动量更大、音质更好。真空三极管是靠在真空中运动的电子来实现放大的，所以人们也把它称为电子管。的电子来实现放大的，所以人们也把它称为电子管。的电子来实现放大的，所以人们也把它称为电子管。的电子来实现放大的，所以人们也把它称为电子管。真空管体积大、耗电多，发热量也大，寿命又不真空管体积大、耗电多，发热量也大，寿命又不真空管体积大、耗电多，发热量也大，寿命又不真空管体积大、耗电多，发热量也大，寿命又不够长，缺点不少。到了够长，缺点不少。到了够长，缺点不少。到了够长，缺点不少。到了2020世纪世纪世纪世纪4040年代，人们想把收年代，人们想把收年代，人们想把收年代，人们想把收音机和其他电子设备做得小巧些，寿命更长、可靠音机和其他电子设备做得小巧些，寿命更长、可靠音机和其他电子设备做得小巧些，寿命更长、可靠音机和其他电子设备做得小巧些，寿命更长、可靠性更高些，用真空管很难办到。于是，电子学领域性更高些，用真空管很难办到。于是，电子学领域性更高些，用真空管很难办到。于是，电子学领域性更高些，用真空管很难办到。于是，电子学领域里的第二次革命爆发了。里的第二次革命爆发了。里的第二次革命爆发了。里的第二次革命爆发了。4电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 晶体管革命晶体管革命 在在在在2020世纪世纪世纪世纪3030年代，美国的贝尔实验室里有年代，美国的贝尔实验室里有年代，美国的贝尔实验室里有年代，美国的贝尔实验室里有3 3位值位值位值位值得注意的人物：得注意的人物：得注意的人物：得注意的人物：研究部主任默文研究部主任默文研究部主任默文研究部主任默文 凯利、研究人员布拉顿和肖克凯利、研究人员布拉顿和肖克凯利、研究人员布拉顿和肖克凯利、研究人员布拉顿和肖克利。凯利是一位富有创见的科技管理者，利。凯利是一位富有创见的科技管理者，利。凯利是一位富有创见的科技管理者，利。凯利是一位富有创见的科技管理者，早在早在早在早在3030年代中期，他已经意识到用于电话交换机的机电继年代中期，他已经意识到用于电话交换机的机电继年代中期，他已经意识到用于电话交换机的机电继年代中期，他已经意识到用于电话交换机的机电继电器动作速度太慢，如不淘汰势必影响电话技术的电器动作速度太慢，如不淘汰势必影响电话技术的电器动作速度太慢，如不淘汰势必影响电话技术的电器动作速度太慢，如不淘汰势必影响电话技术的进步。进步。进步。进步。19361936年，凯利明确地向肖克利表示，为了适年，凯利明确地向肖克利表示，为了适年，凯利明确地向肖克利表示，为了适年，凯利明确地向肖克利表示，为了适应通信业务的增长，电话的机械交换必将被电子交应通信业务的增长，电话的机械交换必将被电子交应通信业务的增长，电话的机械交换必将被电子交应通信业务的增长，电话的机械交换必将被电子交换取代。真空管又存在许多致命的弱点，寻求建立换取代。真空管又存在许多致命的弱点，寻求建立换取代。真空管又存在许多致命的弱点，寻求建立换取代。真空管又存在许多致命的弱点，寻求建立在新材料、新原理基础上的新型电子器件便成了当在新材料、新原理基础上的新型电子器件便成了当在新材料、新原理基础上的新型电子器件便成了当在新材料、新原理基础上的新型电子器件便成了当务之急。务之急。务之急。务之急。5电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 1956 1956年年年年1212月月月月1010日，肖克利、巴丁、布拉顿经过日，肖克利、巴丁、布拉顿经过日，肖克利、巴丁、布拉顿经过日，肖克利、巴丁、布拉顿经过2020年的努力终于攻克了这一难题，研制出晶体管。为年的努力终于攻克了这一难题，研制出晶体管。为年的努力终于攻克了这一难题，研制出晶体管。为年的努力终于攻克了这一难题，研制出晶体管。为此他们从瑞典国王手中接过了诺贝尔物理奖的证书。此他们从瑞典国王手中接过了诺贝尔物理奖的证书。此他们从瑞典国王手中接过了诺贝尔物理奖的证书。此他们从瑞典国王手中接过了诺贝尔物理奖的证书。他们为人类奉献的，不仅是一项伟大的技术发明，他们为人类奉献的，不仅是一项伟大的技术发明，他们为人类奉献的，不仅是一项伟大的技术发明，他们为人类奉献的，不仅是一项伟大的技术发明，而且是半导体物理学的划时代的新发现。而且是半导体物理学的划时代的新发现。而且是半导体物理学的划时代的新发现。而且是半导体物理学的划时代的新发现。晶体管的发明是电子学领域的一场革命。与电子晶体管的发明是电子学领域的一场革命。与电子晶体管的发明是电子学领域的一场革命。与电子晶体管的发明是电子学领域的一场革命。与电子管相比，晶体管管相比，晶体管管相比，晶体管管相比，晶体管体积仅为体积仅为体积仅为体积仅为1/1001/100，耗电量也仅为，耗电量也仅为，耗电量也仅为，耗电量也仅为1/1001/100，而寿命却要长，而寿命却要长，而寿命却要长，而寿命却要长100100倍。晶体管以咄咄逼倍。晶体管以咄咄逼倍。晶体管以咄咄逼倍。晶体管以咄咄逼“人人人人”之势占领了原被电子管占领的舞台，到之势占领了原被电子管占领的舞台，到之势占领了原被电子管占领的舞台，到之势占领了原被电子管占领的舞台，到5050年代末，年代末，年代末，年代末，采用晶体管的收音机、电视机已比比皆是了。采用晶体管的收音机、电视机已比比皆是了。采用晶体管的收音机、电视机已比比皆是了。采用晶体管的收音机、电视机已比比皆是了。6电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 到到到到5050年代末，人们越来越强烈地感到，一个个互年代末，人们越来越强烈地感到，一个个互年代末，人们越来越强烈地感到，一个个互年代末，人们越来越强烈地感到，一个个互相独立的元件、器件的小型化之路，将走到尽头。相独立的元件、器件的小型化之路，将走到尽头。相独立的元件、器件的小型化之路，将走到尽头。相独立的元件、器件的小型化之路，将走到尽头。这是因为，一个复杂的电路，里面有大量的元器件，这是因为，一个复杂的电路，里面有大量的元器件，这是因为，一个复杂的电路，里面有大量的元器件，这是因为，一个复杂的电路，里面有大量的元器件，这些这些这些这些“零件零件零件零件”之间要用导线连接起来。大量的导线也之间要用导线连接起来。大量的导线也之间要用导线连接起来。大量的导线也之间要用导线连接起来。大量的导线也限制了电路体积的缩小。限制了电路体积的缩小。限制了电路体积的缩小。限制了电路体积的缩小。在科学技术发展的关键时刻，往往需要富有想象在科学技术发展的关键时刻，往往需要富有想象在科学技术发展的关键时刻，往往需要富有想象在科学技术发展的关键时刻，往往需要富有想象力的科学家创造全新的观念。力的科学家创造全新的观念。力的科学家创造全新的观念。力的科学家创造全新的观念。19581958年，就出现了两年，就出现了两年，就出现了两年，就出现了两位这样的人物：基尔比和诺伊斯。位这样的人物：基尔比和诺伊斯。位这样的人物：基尔比和诺伊斯。位这样的人物：基尔比和诺伊斯。19581958年年年年9 9月月月月1212日，基尔比的第一个集成电路实验日，基尔比的第一个集成电路实验日，基尔比的第一个集成电路实验日，基尔比的第一个集成电路实验获得成功。在这一年里，美国仙童公司的获得成功。在这一年里，美国仙童公司的获得成功。在这一年里，美国仙童公司的获得成功。在这一年里，美国仙童公司的RNRN诺伊诺伊诺伊诺伊斯也研制出第一块集成电路片。斯也研制出第一块集成电路片。斯也研制出第一块集成电路片。斯也研制出第一块集成电路片。7电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 到今天，集成电路已走过到今天，集成电路已走过到今天，集成电路已走过到今天，集成电路已走过4040多年的历程。在这多年的历程。在这多年的历程。在这多年的历程。在这4040多年中，集成电路发生了巨大的变化。多年中，集成电路发生了巨大的变化。多年中，集成电路发生了巨大的变化。多年中，集成电路发生了巨大的变化。先说说在一个芯片上能集成多少个器件。先说说在一个芯片上能集成多少个器件。先说说在一个芯片上能集成多少个器件。先说说在一个芯片上能集成多少个器件。19581958年，集成电路诞生时，那个芯片上只有年，集成电路诞生时，那个芯片上只有年，集成电路诞生时，那个芯片上只有年，集成电路诞生时，那个芯片上只有5 5个元器件；个元器件；个元器件；个元器件；19711971年发明的微处理器，上面集成了年发明的微处理器，上面集成了年发明的微处理器，上面集成了年发明的微处理器，上面集成了2 2，300300个器个器个器个器件；件；件；件；19891989年英特尔公司年英特尔公司年英特尔公司年英特尔公司8048680486芯片，集成了芯片，集成了芯片，集成了芯片，集成了120120万万万万个晶体管；今天，一个高性能的微处理器上有个晶体管；今天，一个高性能的微处理器上有个晶体管；今天，一个高性能的微处理器上有个晶体管；今天，一个高性能的微处理器上有1 1，000000万万万万个器件。个器件。个器件。个器件。19981998年年年年3 3月，英特尔公司宣布的数月，英特尔公司宣布的数月，英特尔公司宣布的数月，英特尔公司宣布的数字令人吃惊：它在一个硅芯片上集成了字令人吃惊：它在一个硅芯片上集成了字令人吃惊：它在一个硅芯片上集成了字令人吃惊：它在一个硅芯片上集成了7.27.2亿亿亿亿个晶个晶个晶个晶体管。体管。体管。体管。再看集成电路里半导体器件的尺寸：再看集成电路里半导体器件的尺寸：再看集成电路里半导体器件的尺寸：再看集成电路里半导体器件的尺寸：19591959年大年大年大年大约是约是约是约是100100微米微米微米微米，到，到，到，到19611961年下降到年下降到年下降到年下降到2525微米微米微米微米。19841984年年年年8电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 研制的研制的研制的研制的1 1兆位半导体存储器，线宽大约兆位半导体存储器，线宽大约兆位半导体存储器，线宽大约兆位半导体存储器，线宽大约1 1微米微米微米微米；19901990年的年的年的年的6464兆位半导体存储器，线宽降至兆位半导体存储器，线宽降至兆位半导体存储器，线宽降至兆位半导体存储器，线宽降至0.30.3微米微米微米微米。人。人。人。人们预期，到们预期，到们预期，到们预期，到20002000年，半导体存储器容量可达年，半导体存储器容量可达年，半导体存储器容量可达年，半导体存储器容量可达1 1，024024兆位，那时，线宽就仅有兆位，那时，线宽就仅有兆位，那时，线宽就仅有兆位，那时，线宽就仅有0.10.1微米微米微米微米了。了。了。了。0.10.1微米约为微米约为微米约为微米约为一般原子尺度的一般原子尺度的一般原子尺度的一般原子尺度的100100倍，集成电路与分子电路已经倍，集成电路与分子电路已经倍，集成电路与分子电路已经倍，集成电路与分子电路已经很接近。很接近。很接近。很接近。此外，芯片的进步还表现在运算速度上。时钟频此外，芯片的进步还表现在运算速度上。时钟频此外，芯片的进步还表现在运算速度上。时钟频此外，芯片的进步还表现在运算速度上。时钟频率决定着芯片完成一次运算的速度。目前，高性能率决定着芯片完成一次运算的速度。目前，高性能率决定着芯片完成一次运算的速度。目前，高性能率决定着芯片完成一次运算的速度。目前，高性能微处理器运算速度高达微处理器运算速度高达微处理器运算速度高达微处理器运算速度高达每秒近每秒近每秒近每秒近1010亿亿亿亿次。次。次。次。9电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、器件是非线性的、特性有分散性、RC RC 的值有误差、的值有误差、的值有误差、的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。的目的在于应用。的目的在于应用。的目的在于应用。学习方法学习方法10电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 6.1 6.1 半导体半导体半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性半导体的导电特性(可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性掺杂性掺杂性掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变。明显改变。明显改变。明显改变。(可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管）。极管、三极管和晶闸管）。极管、三极管和晶闸管）。极管、三极管和晶闸管）。光敏性：光敏性：光敏性：光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化当受到光照时，导电能力明显变化 。(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等二极管、光敏三极管等二极管、光敏三极管等二极管、光敏三极管等)。热敏性：热敏性：热敏性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。当环境温度升高时，导电能力显著增强。11电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 6.1.1 6.1.1 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。半导体。半导体。半导体。如纯净的如纯净的如纯净的如纯净的硅硅硅硅或或或或锗锗锗锗等。等。等。等。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构硅单晶中的共价健结构共价健共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子12电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 Si Si Si Si价电子价电子 价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量价电子在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束后，即可挣脱原子核的束后，即可挣脱原子核的束后，即可挣脱原子核的束缚，成为缚，成为缚，成为缚，成为自由电子自由电子自由电子自由电子（带负（带负（带负（带负电），同时共价键中留下电），同时共价键中留下电），同时共价键中留下电），同时共价键中留下一个空位，称为一个空位，称为一个空位，称为一个空位，称为空穴空穴空穴空穴（带（带（带（带正电）正电）正电）正电）。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理这一现象称为这一现象称为本征激发本征激发。空穴空穴 温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。生的自由电子便愈多。自由电子自由电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。13电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：两部分电流：两部分电流：两部分电流：(1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流空穴电流空穴电流注意：注意：注意：注意：(1)(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)温度愈高，温度愈高，温度愈高，温度愈高，载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多载流子的数目愈多,半导体的导电性能半导体的导电性能半导体的导电性能半导体的导电性能也就愈好。也就愈好。也就愈好。也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。所以，温度对半导体器件性能影响很大。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴都称为空穴都称为空穴都称为空穴都称为载流子载流子载流子载流子。自由电子和自由电子和自由电子和自由电子和空穴成对产生的同时，又不断复合。空穴成对产生的同时，又不断复合。空穴成对产生的同时，又不断复合。空穴成对产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。146.1.2 N6.1.2 N型半导体和型半导体和型半导体和型半导体和P P型半导体型半导体型半导体型半导体 掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数掺杂后自由电子数目大量增加，自由电目大量增加，自由电目大量增加，自由电目大量增加，自由电子导电成为这种半导子导电成为这种半导子导电成为这种半导子导电成为这种半导体的主要导电方式，体的主要导电方式，体的主要导电方式，体的主要导电方式，称为称为称为称为电子半导体或电子半导体或电子半导体或电子半导体或N N型半导体型半导体型半导体型半导体。掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素掺入五价元素 Si Si Si Sip+多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子 在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入在本征半导体中掺入微量的杂质微量的杂质微量的杂质微量的杂质（某种元素）（某种元素）（某种元素）（某种元素）,形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。形成杂质半导体。在在在在N N 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中自由电子是自由电子是自由电子是自由电子是多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流多数载流子，空穴是少数载流子。子。子。子。15 掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方种半导体的主要导电方式，称为式，称为式，称为式，称为空穴半导体或空穴半导体或空穴半导体或空穴半导体或 P P型半导体型半导体型半导体型半导体。掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素掺入三价元素 Si Si Si Si 在在在在 P P 型半导体中型半导体中型半导体中型半导体中空穴是空穴是空穴是空穴是多多多多数载流子数载流子数载流子数载流子，自由电子是，自由电子是，自由电子是，自由电子是少数载少数载少数载少数载流子流子流子流子。B硼原子硼原子接受一个接受一个接受一个接受一个电子变为电子变为电子变为电子变为负离子负离子负离子负离子空穴空穴无论无论无论无论N N型或型或型或型或P P型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。型半导体都是中性的，对外不显电性。16电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 1.1.在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与在杂质半导体中多子的数量与 （a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。2.2.在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与在杂质半导体中少子的数量与 （a.a.掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、掺杂浓度、b.b.温度）有关。温度）有关。温度）有关。温度）有关。3.3.当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量当温度升高时，少子的数量 （a.a.减少、减少、减少、减少、b.b.不变、不变、不变、不变、c.c.增多）。增多）。增多）。增多）。a ab bc c 4.4.在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，在外加电压的作用下，P P 型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流型半导体中的电流主要是主要是主要是主要是 ，N N 型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是型半导体中的电流主要是 。（a.a.电子电流、电子电流、电子电流、电子电流、b.b.空穴电流）空穴电流）空穴电流）空穴电流）b ba a思思 考考 题题176.1.3 PN6.1.3 PN结结1.PN1.PN1.PN1.PN结的形成结的形成结的形成结的形成多子的扩散运动多子的扩散运动内电场内电场少子的漂移运动少子的漂移运动浓度差浓度差P P 型半导体型半导体型半导体型半导体N N 型半导体型半导体型半导体型半导体 内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间动越强，而漂移使空间电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷扩散的结果使空间电荷区变宽。区变宽。空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 扩散和漂扩散和漂扩散和漂扩散和漂移这一对相移这一对相移这一对相移这一对相反的运动最反的运动最反的运动最反的运动最终达到动态终达到动态终达到动态终达到动态平衡，空间平衡，空间平衡，空间平衡，空间电荷区的厚电荷区的厚电荷区的厚电荷区的厚度固定不变度固定不变度固定不变度固定不变+形成空间电荷区形成空间电荷区18电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 2.PN结的单向导电性结的单向导电性 (1)PN 结加正向电压结加正向电压（正向偏置）（正向偏置）PN 结变窄结变窄 P P接正、接正、接正、接正、N N接负接负接负接负 外电场外电场IF 内电场被内电场被内电场被内电场被削弱，多子削弱，多子削弱，多子削弱，多子的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，的扩散加强，形成较大的形成较大的形成较大的形成较大的扩散电流。扩散电流。扩散电流。扩散电流。PN PN 结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，结加正向电压时，PNPN结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，大，正向电阻较小，PNPN结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。结处于导通状态。内电场内电场PN+19电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 外电场外电场外电场外电场 P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 内电场内电场内电场内电场P PN N+(2)PN(2)PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）20电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 PN PN 结变宽结变宽结变宽结变宽外电场外电场外电场外电场 内电场被加内电场被加强，少子的漂强，少子的漂移加强，由于移加强，由于少子数量很少，少子数量很少，形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR P P接负、接负、接负、接负、N N接正接正接正接正 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。+PN PN 结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，结加反向电压时，PNPN结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，反向电阻较大，PNPN结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。结处于截止状态。内电场内电场内电场内电场P PN N+(2)PN(2)PN 结加反向电压结加反向电压结加反向电压结加反向电压（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）（反向偏置）216.2 6.2 二极管二极管6.2.1 6.2.1 二极管的基本结构二极管的基本结构二极管的基本结构二极管的基本结构1.1.点接触型点接触型点接触型点接触型2.2.面接触型面接触型面接触型面接触型 结面积结面积结面积结面积小、结电小、结电小、结电小、结电容小、正容小、正容小、正容小、正向电流小。向电流小。向电流小。向电流小。用于检波用于检波用于检波用于检波和变频等和变频等和变频等和变频等高频电路。高频电路。高频电路。高频电路。结面积结面积结面积结面积大、正向大、正向大、正向大、正向电流大、电流大、电流大、电流大、结电容大，结电容大，结电容大，结电容大，用于工频用于工频用于工频用于工频大电流整大电流整大电流整大电流整流电路。流电路。流电路。流电路。22电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳(a )点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线(b )面接触型面接触型二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的结构示意图阴极阴极阳极阳极(d )符号符号D236.2.2 6.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性硅管硅管硅管硅管0.5V,0.5V,锗管锗管锗管锗管0.1V0.1V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)导通压降导通压降导通压降导通压降 外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电外加电压大于死区电压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。压二极管才能导通。外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。失去单向导电性。正向特性正向特性正向特性正向特性反向特性反向特性特点：非线性特点：非线性特点：非线性特点：非线性硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3VUI死区电压死区电压死区电压死区电压PN+PN+反向电流反向电流反向电流反向电流在一定电压在一定电压在一定电压在一定电压范围内保持范围内保持范围内保持范围内保持常数常数常数常数246.2.3 6.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数1.1.最大整流电流（额定正向平均电流）最大整流电流（额定正向平均电流）最大整流电流（额定正向平均电流）最大整流电流（额定正向平均电流）I IF F二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。平均电流。平均电流。平均电流。2.2.最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压最高反向工作电压U UR R是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压一般是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.3.最大反向电流最大反向电流最大反向电流最大反向电流I IRMRM指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，向电流大，说明管子的单向导电性差，I IRMRM受温度的受温度的受温度的受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。25电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 二极管二极管的单向导电性的单向导电性 1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负正、阴极接负）时，）时，二极管处于正向导通状二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。极管反向电阻较大，反向电流很小。3.3.3.3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。去单向导电性。去单向导电性。去单向导电性。4.4.4.4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。向电流愈大。向电流愈大。向电流愈大。26电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 6.2.4 二极管的主要应用二极管的主要应用 定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降否则，正向管压降硅硅硅硅0 0 0 0.60.7V.60.7V锗锗锗锗0 0.20.3V.20.3V 分析方法：分析方法：分析方法：分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的将二极管断开，分析二极管两端电位的将二极管断开，分析二极管两端电位的将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压高低或所加电压高低或所加电压高低或所加电压U UD D的正负。的正负。的正负。的正负。若若若若 V V阳阳阳阳 V V阴阴阴阴或或或或 U UD D为正为正为正为正(正向偏置正向偏置正向偏置正向偏置)，二极管导通，二极管导通，二极管导通，二极管导通若若若若 V V阳阳阳阳 V V阴阴阴阴或或或或 U UD D为负为负为负为负(反向偏置反向偏置反向偏置反向偏置)，二极管截止，二极管截止，二极管截止，二极管截止 若二极管是理想的，若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，正向导通时正向管压降为零，正向导通时正向管压降为零，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。反向截止时二极管相当于断开。反向截止时二极管相当于断开。反向截止时二极管相当于断开。27电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 1.1.整流整流整流整流RLuiuouiuott利用二极管的单向导电性将利用二极管的单向导电性将利用二极管的单向导电性将利用二极管的单向导电性将交流电压交流电压交流电压交流电压变为变为变为变为单向脉单向脉单向脉单向脉动直流电压动直流电压动直流电压动直流电压，称为整流。称为整流。称为整流。称为整流。在正半周时，二极管导通（理想二极管相当于短在正半周时，二极管导通（理想二极管相当于短在正半周时，二极管导通（理想二极管相当于短在正半周时，二极管导通（理想二极管相当于短路），在负半周时，二极管截止（理想二极管相当路），在负半周时，二极管截止（理想二极管相当路），在负半周时，二极管截止（理想二极管相当路），在负半周时，二极管截止（理想二极管相当于开路）。于开路）。于开路）。于开路）。2.2.检波检波检波检波收音机从载波信号中检出音频信号的过程称为检波。收音机从载波信号中检出音频信号的过程称为检波。收音机从载波信号中检出音频信号的过程称为检波。收音机从载波信号中检出音频信号的过程称为检波。28电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 RLC Cuiuot tt tt t3.3.限幅限幅限幅限幅限制输出电压的幅度限制输出电压的幅度限制输出电压的幅度限制输出电压的幅度U US Su ui iU UmmO OU US Su uo oO ORuiuo当当当当U Ui i U US S时时时时,管导通管导通管导通管导通,U U0 0U US SU US S29电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 4.4.钳位与隔离钳位与隔离钳位与隔离钳位与隔离 已知电路如图所示，已知电路如图所示，已知电路如图所示，已知电路如图所示，D DA A和和和和D DB B为硅二极管。求下列为硅二极管。求下列为硅二极管。求下列为硅二极管。求下列两种情况下输出的电压两种情况下输出的电压两种情况下输出的电压两种情况下输出的电压U UF F：(1)(1)U UA A=U UB B=3V=3V；(2)(2)U UA A=3V=3V，U UB B=0=0。DBDA+6V+6VU UF FU UA AU UB BR R解：解：解：解：(1)1)D DA A和和和和D DB B同时导通，设同时导通，设同时导通，设同时导通，设U UD D=0.6V=0.6V，则，则，则，则 U UF F=U UA A+U UD D=3.6V=3.6V (2)D (2)DB B优先导通，所以优先导通，所以优先导通，所以优先导通，所以 U UF F=U UB B+U UD D=0.6V=0.6V 此时此时此时此时D DA A截止，截止，截止，截止，U UA A对对对对U UF F无无无无影响，影响，影响，影响，D DA A起起起起隔离隔离隔离隔离作用，作用，作用，作用，D DB B起起起起钳位钳位钳位钳位作用。作用。作用。作用。306.2.5 稳压二极管稳压二极管1.1.稳压二极管符号稳压二极管符号稳压二极管符号稳压二极管符号 UZIZIZM UZ IZ2.2.稳压二极管伏安特性稳压二极管伏安特性稳压二极管伏安特性稳压二极管伏安特性 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作时加反向电压时加反向电压时加反向电压时加反向电压使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其电流变化很大，但其电流变化很大，但其电流变化很大，但其两端电压变化很小，两端电压变化很小，两端电压变化很小，两端电压变化很小，利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作在电路中可起稳压作用用用用_+UIO313.3.稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数稳压二极管的主要参数(1)(1)(1)(1)稳定电压稳定电压稳定电压稳定电压U UZ Z 稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作稳压管正常工作(反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿)时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。时管子两端的电压。(2)(2)(2)(2)电压温度系数电压温度系数电压温度系数电压温度系数 环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化环境温度每变化1 1 1 1 C C引起引起引起引起稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的稳压值变化的百分数百分数百分数百分数。(3)(3)(3)(3)动态电阻动态电阻动态电阻动态电阻(4)(4)(4)(4)稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流 I IZ Z、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流、最大稳定电流 I IZMZM(5)(5)(5)(5)最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率最大允许耗散功率 P PZM ZM=U UZ Z I IZMZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。32电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 4.4.稳压电路稳压电路稳压电路稳压电路+UIRL+CIOUO+uIRDZIz限流调压限流调压稳压电路稳压电路33电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 有正向电流流过时，发有正向电流流过时，发有正向电流流过时，发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目出一定波长范围的光，目出一定波长范围的光，目出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红前的发光管可以发出从红前的发光管可以发出从红前的发光管可以发出从红外到可见波段的光。外到可见波段的光。外到可见波段的光。外到可见波段的光。6.2.6 发光二极管和光敏二极管发光二极管和光敏二极管D DE EI I正向工作电压一般不超过正向工作电压一般不超过正向工作电压一般不超过正向工作电压一般不超过2V2V，正向工作电流为，正向工作电流为，正向工作电流为，正向工作电流为10mA10mA左右。左右。左右。左右。发光二极管常用作数字仪表和音响设备中的显示发光二极管常用作数字仪表和音响设备中的显示发光二极管常用作数字仪表和音响设备中的显示发光二极管常用作数字仪表和音响设备中的显示器。器。器。器。1.1.发光二极管发光二极管发光二极管发光二极管34电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 2.2.光敏二极管光敏二极管光敏二极管光敏二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。I IU U 照度增加照度增加照度增加照度增加R RL LD DE E光电二极管处于反向偏置状态，无光照时，电路光电二极管处于反向偏置状态，无光照时，电路光电二极管处于反向偏置状态，无光照时，电路光电二极管处于反向偏置状态，无光照时，电路中电流很小，有光照时，电流会急剧增加。中电流很小，有光照时，电流会急剧增加。中电流很小，有光照时，电流会急剧增加。中电流很小，有光照时，电流会急剧增加。356.3 三极管三极管6.3.1 6.3.1 三极管的基本结构三极管的基本结构三极管的基本结构三极管的基本结构NNP基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极NPNNPN型型型型BECB BE EC CPNPPNP型型型型P PP PN N基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极符号：符号：符号：符号：BECIBIEICBECIBIEICNPNNPN型三极管型三极管型三极管型三极管PNPPNP型三极管型三极管型三极管型三极管36电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，基区：最薄，掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低掺杂浓度最低发射区：掺发射区：掺发射区：掺发射区：掺杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高杂浓度最高发射结发射结发射结发射结集电结集电结集电结集电结B B B BE E E EC C C CN N N NN N N NP P P P基极基极基极基极发射极发射极发射极发射极集电极集电极集电极集电极结构特点：结构特点：结构特点：结构特点：集电区：集电区：集电区：集电区：面积最大面积最大面积最大面积最大发射区用发射区用发射区用发射区用来发射载流来发射载流来发射载流来发射载流子。子。子。子。集电区用集电区用集电区用集电区用来收集载流来收集载流来收集载流来收集载流子。子。子。子。基区用来基区用来基区用来基区用来控制载流子。控制载流子。控制载流子。控制载流子。晶体管有晶体管有晶体管有晶体管有锗管锗管锗管锗管和和和和硅管硅管硅管硅管37电工电子技术电工电子技术电工电子技术电工电子技术 6.3.2 6.3.2 三极管的电流分配和电流放大原理三极管的电流分配和电流放大原理三极管的电流分配和电流放大原理三极管的电流分配和电流放大原理PNPN结的偏置方式决定了晶体管结的偏置方式决定了晶体管结的偏置方式决定了晶体管结的偏置方式决定了晶体管的导通与截止。的导通与截止。的导通与截止。的导通与截止。晶体管有两个晶体管有两个晶体管有两个晶体管有两个PNPN结、三个电极，结、三个电极，结、三个电极，结、三个电极，需要以一个电极为公用端接两个需要以