CELL制程简介课件

INTRODUCTION OF CELL PROCESS2024/5/4lAlignment Section配向段製程lAssembly Section組立段製程lLC Section液晶段製程 Cell Process of color TFT-LCD2024/5/4Page-2.LoaderPre-PICleaningBufferPIMain CurePICoaterPIInspectionBufferLoaderPre-PICleaningBufferPIMain CurePICoaterPIInspectionBufferTFTTFTelevatorCF/ArrayStocker1st CutEdge GrindCleaningLoaderUnloaderBufferRubbingM/CUnloaderBufferUnpacking M/CStockerCFCFCFCleanerCF/ArrayStockerStockerRubbingM/CUnloaderBufferPIRemover Alignment Section2024/5/4Page-3.CleanerSpacer SprayerLoaderBufferBufferTFTTFTSpacer SprayerTransferBufferCleanerSealingSealingLoaderBufferBufferSeal InspectionSeal CuringBufferBufferCFCFSealingSealOven.SealOvenPitchMeasurementBufferAssemblyAssemblyJIG Press.JIG Press Assembly Section2024/5/4Page-4.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-lineEnd SealLC Fillerin-linein-linein-lineBatchBatchBatchBatchAnnealAnnealAnnealAnnealAnnealPanel Cleaner&Isotropic OvenGapmeasurementPOL Attach Line2nd Bevel&Polarizer Attach2nd Bevel&Polarizer Attach2nd Bevel&Polarizer AttachAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveVisualInspectionVisualInspectionVisualInspectionCell LightingMDLMDLRepairOvenLaserRepair LC Section2024/5/4Page-5.TFTTFTUnpacking M/CCF/ArrayStocker1st CutEdge GrindCleaningLoaderUnloaderBuffer Alignment Section2024/5/4Page-6.l製程目的將Array部份做完的TFT基板，切割成Single or Double sizel製程參數切入量：0.25mmScribe速度：250mm/secScribe壓力 1,2：1.8kg/cm2l製程管制Bar Code 情報切割精度chipping 1st Cut2024/5/4Page-7.l全板 550 x650l2 up 550 x314.9l1 up 基板分割方式2024/5/4Page-8.l製程材料或治具刀刃角度：125l製程異常與FA分析切割偏移 Bezel衝突毛邊 Bezel衝突Chipping Shock、Vibration、可靠度破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度 1st Cut2024/5/4Page-9.l製程目的將基板的長、短邊及轉角部份，加以研磨l製程參數磨石旋轉速：5000rpm研磨速度：長邊、短邊部份：4500mm/secCorner部份：2000mm/secl製程管制面取量：0.20.1mmCorner：1.00.5mm基板外觀尺寸：150150m mm Edge Grind2024/5/4Page-10.l製程材料或治具磨石粗糙度l製程異常與FA分析Chipping Shock、Vibration、可靠度破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度 Edge Grind2024/5/4Page-11.l製程目的以DIW清洗研磨後的基板l製程參數搬送速度：2000mm/minSW1,2流量：30L/minCJ壓力：15kg/cm2Air Knife壓力：第一層上：0.9kg/cm2 第一層下：0.8kg/cm2 Cleaning2024/5/4Page-12.l Air Knife2024/5/4Page-13.l製程目的以UV O3方式清潔CF基板l製程參數搬送速度：2600mm/min1st Air knife 上、下壓：0.75kg/cm2、0.7kg/cm22nd Air knife上、下壓：0.8kg/cm2、0.75kg/cm2UV 電壓：85VUV 照度：0.99J/cm2Cooling air 流量：1600L/min CF Cleaning2024/5/4Page-14.l製程目的配向膜PI塗佈前之清洗l製程參數洗劑濃度/溫度：0.5%40C搬送速度：1600mm/minBrush押入量：1mm洗淨Shower流量：15L/minMS流量：36L/minMS輸出Level：100WAir Knife：上/下壓：0.9kg/cm2、0.8kg/cm2IR爐：150170 C Pre-PI Cleaning2024/5/4Page-15.l製程管制Particles Countl製程異常與FA分析水漬殘留 PI水紋狀MuraParticles Cell內異物 Pre-PI Cleaning2024/5/4Page-16.Pre-PI CleaninglRoll/Brush Shower(LH-300)lHigh Pressure Shower(DIW)lUltraSonic Clean(DIW)lMegaSonic Clean(DIW)lSilane Shower(DIW)lAir KnifelIRlCooling Dry Air(CDA)2024/5/4Page-17.l UltraSonic Vibrator2024/5/4Page-18.MegaSonic Vibrator2024/5/4Page-19.l製程目的利用APR板轉印的方式塗佈配向材料Polyimidel製程參數Anylox Roller和印刷Roller間的nip值印刷Roller和基板間的nip值Stage走行速度，film thickness Dispenser的PI滴下量，film thickness Doctor Roller的押入量，film thickness Doctor Roller的速度，film thickness PI Coating2024/5/4Page-20.l製程管制製程時的濕度必須保持在455%Coating 初步的厚度約10000Pre-Curing 完之厚度約750 250l製程材料PISE-7492，polyimide+r-butyllacton 混合溶液比例：5%solid content特性：Pre-tilt角度小，高保持率，低殘留DC PI Coating2024/5/4Page-21.l製程治具APR板l製程異常與FA分析PI膜厚不均PI斑、PI MuraRoller刮傷PI MuraParticle殘留Cell內異物APR板不潔 Cell內異物、Pin-Hole溼度過高殘留DC值高 殘像 PI Coating2024/5/4Page-22.l製程目的Leveling of PI Film溶媒的蒸發l製程參數Pre-Curing的溫度排氣的風壓Hot Plate上頂出pin的位置與高低l製程管制Hot Plate的設定溫度150C基板上的實際溫度80CHot Plate到基板間的距離 2.5mm PI Pre-Curing2024/5/4Page-23.l製程異常與FA分析溫度過高或過低膜厚不均PI Mura排氣的風壓不均勻溶媒揮發不一致 PI MuraPin的位置於面內PI MuraPin的位置太高或太低溫度不均 PI Mura PI Pre-Curing2024/5/4Page-24.l製程目的自動檢查及人工檢查PI Coating製程之異常l檢查項目PI剝落Pin-HoleMuraPriticles PI Inspection2024/5/4Page-25.l製程目的為使polyamic acid完全轉化polyimide，並將溶媒完全蒸發，而使配向膜定形，達到硬化目的l製程參數Main-Curing的溫度Chamber內以N2氣體Purgel製程管制IR溫度220C時間12分鐘N2氣體Purge流量300L/min PI Main-Curing2024/5/4Page-26.l製程異常與FA分析溫度過高Color Filter變質溫度過低Pre-tilt angle下降、Polyimide轉化率低溼度過高殘留DC值高 殘像 PI Main-Curing2024/5/4Page-27.l製程目的利用摩擦配向法使液晶分子均一地往相同方向排列l製程參數滾輪基板間間隔：1.5mm滾輪旋轉數：480rpm Rubbing Stage Speed：60mm/sec滾輪角度設定：45.7Air Knife Stage Speed：500mm/sec Rubbing2024/5/4Page-28.l製程材料或治具研磨布：棉(8007-090D)YA25-Cl製程異常與FA分析壓毛量過深 PI會剝落壓毛量過淺 Rubbing的密度不均勻Rubbing-siju 對角線方向等間隔的線狀Mura Rubbing2024/5/4Page-29.l製程目的與原理清除Rubbing製程後所殘留的毛屑或particlesl製程參數及製程管制洗淨液溫度：40洗淨區US輸出：300WMS輸出Level：100W頻率：1.6MHzSpin旋轉速：2000rpmIR爐：160冷卻Air量：1600L/min After Rubbing Cleaning2024/5/4Page-30.l製程材料或治具LH-300l製程異常與FA分析Rubbing毛屑 Cell內異物Particles Cell內異物水漬殘留 PI水紋狀Mura After Rubbing Cleaning2024/5/4Page-31.l製程目的與原理塗佈CF and TFT基板組立時的封著劑l製程參數及製程管制纖維徑：6m mm纖維混合比：（：（1：100）脫泡：游星式脫泡330sec，真空脫泡900sec噴嘴內徑：0.3mm噴嘴基板間間隔：70m mm塗布速度：50mm/s塗布量：6700200m mm2 Sealing2024/5/4Page-32.l製程材料或治具Sealant(99%)：XN-256A-YGlass Fiber(1%)：PF-60Sl製程異常與FA分析精度偏移 2nd Cut切割裂片不良Pattern斷線 液晶注入不良Seal塗佈量不足 基板間接著不密合 液晶注入不良 Sealing2024/5/4Page-33.l製程目的與原理使用光切斷顯微鏡，檢查Seal的塗佈量l製程參數及製程管制塗布量：6700200m mm2全周檢查：共檢查12點的寬幅 Seal Inspection2024/5/4Page-34.l製程目的與原理加熱去除Sealant中的水份及溶劑，並使Epoxy進行初步聚合反應l製程參數及製程管制暖爐設定：80爐內處理時間：10min Seal Curing802024/5/4Page-35.l製程異常與FA分析溫度過高 Epoxy已產生硬化反應溫度過低 Epoxy中的水份或溶劑含量過多 Sealant形狀變形 Seal Curing2024/5/4Page-36.l製程目的與原理在Seal外緣適當位置點膠，做為和TFT基板導通用電氣訊號通路l製程參數及製程管制噴嘴內徑：0.15mm押入量：300m mm塗布時間：100ms塗布量規格：950019500m mm2只檢查最終打點/塗布前有塗布Dummy Transfer2024/5/4Page-37.l製程材料或治具銀膠：XA-220Fl製程異常與FA分析塗佈高度異常 漏光,Transfer2024/5/4Page-38.l製程目的與原理噴灑散佈直徑一致的Spacer，用以保持CF與TFT基板間的液晶層的Cell Gapl製程參數及製程管制平均密度：11030 ea/mm2散佈時間：10secNozzle距離：1150mmFeeder回轉數：1.65rpmN2壓：3.0kgf/cm2Nozzle往復回數：2回槽內溼度：35%Spacer Spray2024/5/4Page-39.l製程材料或治具Spacer：KXM-520l製程異常與FA分析溼度過高 Spacer散佈時結塊 Spacer聚集平均密度不良 Gap Mura面內均勻度不良 Gap Mura經後製程加壓 Spacer 破裂 點 Mura Spacer Spray2024/5/4Page-40.CleanerSpacer SprayerLoaderBufferBufferTFTTFTSpacer SprayerTransferBufferCleanerSealingSealingLoaderBufferBufferSeal InspectionSeal CuringBufferBufferCFCFSealingSealOven.SealOvenPitchMeasurementBufferAssemblyAssemblyJIG Press.JIG Press Assembly Section2024/5/4Page-41.l製程目的與原理利用UV假固定劑，在CF與TFT做精確對位後貼合，以UV光照射硬化，以固定基板間位置l製程參數及製程管制Alignment目標：06m mmMount壓：2 kgf/cm2時間：2.5secUV照射量：100mW/cm2Delay時間：初次：4sec(1520m mm)第二次以後：1sec(5m mm)Assembly2024/5/4Page-42.l製程目的與原理利用加壓治具施給固定壓力於貼合後之基板，再將Sealant置於Oven中，加熱加壓使Sealant完全硬化後，可以達到所設計之Gap值l製程參數及製程管制加壓力：350kgf150保持約110min Sealing Hot Press&Oven2024/5/4Page-43.l製程參數及製程管制空CellGap組立精度組立後Seal寬組立後Transfer大小注入口形狀 Pitch Measurement2024/5/4Page-44.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-line LC Section2024/5/4Page-45.l製程目的與原理將Full size或Half size切開成Single size，並將基板邊緣及Pad上方之CF切除l製程參數及製程管制Scribe速度 1：(MS1)260;(MS2)260 mm/secScribe速度 2：(MS1)255;(MS2)200 mm/secChip押入量：0.15 mmBreak壓力1：0.17/0.12/0.11Break壓力2：0.16/0.11/0.12Break Bar Timer：0.6 sec 2nd Cut2024/5/4Page-46.l製程材料或治具刀刃角度：125墊子：sun-map 0.5(t)mml製程異常與FA分析切割偏移 Bezel衝突毛邊 Bezel衝突Chipping Shock、Vibration、可靠度破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度製程異常與FA分析 2nd Cut2024/5/4Page-47.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-lineLC Fillerin-linein-linein-lineBatchBatchBatchBatchAnnealAnnealAnnealAnnealAnneal LC Section2024/5/4Page-48.l製程目的與原理加熱加壓將水氣及溶劑分子由Cell中釋出，再利用真空排氣將之抽出l製程參數及製程管制加壓力：1.5 atm加壓加熱溫度：140加壓加熱時間：130 min排氣(真空)時間：35 min真空加熱溫度及時間：135、74 min冷卻時間：62 min Vacuum Annealing2024/5/4Page-49.l製程異常與FA分析加熱真空抽氣不完全 Sealant將於Cell內釋出氣體 在液晶注入時Cell的角落將有氣泡產生 Vacuum Annealing2024/5/4Page-50.l製程目的與原理利用大氣壓力及毛細管原理，將液晶注入到CF及TFT基板間的Gap內l製程參數及製程管制真空排氣時間：10 min真空保持壓力：0.09 torr(12 pa)真空保持時間：215 minCell Dip 時間：0 min大氣壓注入時間：240 min LC Injection2024/5/4Page-51.l製程材料或治具液晶：TM-9808 LV(Merck)l製程異常與FA分析Cell注入口沒有完全接觸到液晶 液晶未灌滿液晶真空抽氣、脫泡不完全 在液晶注入時Cell的角落將有氣泡產生液晶注入太快 Spacer被沖力移動 Spacer刮痕 LC Injection2024/5/4Page-52.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-lineEnd SealLC Fillerin-linein-linein-lineBatchBatchBatchBatchAnnealAnnealAnnealAnnealAnneal LC Section2024/5/4Page-53.l製程目的與原理利用接觸式加壓，將多餘液晶由Cell內壓出拭去，再使用UV封止劑將注入口封住l製程參數及製程管制Gap值：4.80.4m mm吸入量：0.10.6mm封止劑高度：0.5mm以下加壓保持：299 KG210 min減壓：216 KG60 secUV照射量：2000 mj/sec End Sealing2024/5/4Page-54.l製程材料或治具封止劑：A-704-400l製程異常與FA分析加壓不足 Gap過高 面狀MuraDispenser點膠偏移 注入口液晶漏減壓時間過久 封止劑吸入量過多 注入口處MuraPolyfron Spacer上有異物殘留 加壓不均勻 Gap Mura封止劑中雜質污染液晶 End Seal Mura End Sealing2024/5/4Page-55.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-lineEnd SealLC Fillerin-linein-linein-lineBatchBatchBatchBatchAnnealAnnealAnnealAnnealAnnealPanel Cleaner&Isotropic OvenGapmeasurement LC Section2024/5/4Page-56.l製程目的與原理清洗基板表面及基板在加壓時所被擠出的液晶l製程參數及製程管制洗淨濃度：99.25%(25%原液濃度)洗劑溫度：53 2US輸出：80%溫純水溫度時間：60 60 秒 液晶取洗2024/5/4Page-57.l製程材料或治具Nature sweeper 2（烏龍茶）l製程異常與FA分析UltraSonic頻率及功率設定不當 導致洗劑或水分由注入口封止處滲入 注入口處Mura 真空氣泡 End Seal Cleaning2024/5/4Page-58.l製程目的與原理加熱至液晶的Tc點後，恒溫至設定時間結束，再以冷卻方式使液晶再配向l製程參數及製程管制昇溫溫度：120恒溫溫度：120l製程異常與FA分析Annealing不良 影響Pre-tilt angle、Reverse-tilt domain、Reverse-twist domain Isotropic oven2024/5/4Page-59.l製程目的與原理在基板上下各放罝一片偏光片，並使用光箱來檢查l製程參數及製程管制Gap值：4.80.4m mmEnd Seal進入Cell的距離：0.10.6mmEnd Seal的塗佈高度End Seal的塗佈寬度 Inspection2024/5/4Page-60.2nd CutLoaderLoader2nd Cutin-line2nd Cutin-line2nd Cutoff-line2nd Cutoff-lineEnd SealLC Fillerin-linein-linein-lineBatchBatchBatchBatchAnnealAnnealAnnealAnnealAnnealPanel Cleaner&Isotropic OvenGapmeasurementPOL Attach Line2nd Bevel&Polarizer Attach2nd Bevel&Polarizer Attach2nd Bevel&Polarizer AttachAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveAuto ClaveVisualInspectionVisualInspectionVisualInspection LC Section2024/5/4Page-61.l製程目的與原理磨掉Shorting Ring部份，研磨Pad邊緣處玻璃銳角，並且磨掉Pad處之轉角l製程參數及製程管制 磨石轉速,研磨速度,水量：外形整形 ：5000rpm,5000mm/min,15L/min面取 ：5000rpm,5000mm/min,7.5L/minCorner Cut：5000rpm,5000mm/min,10L/min Outward Grinding2024/5/4Page-62.l製程材料或治具磨石種類磨石型號l製程異常與FA分析精度偏移 Shorting Ring殘留 Cell Lighting短路磨損破裂 導致OLB製程異常Chipping 導致OLB製程異常 Outward Grinding2024/5/4Page-63.l製程目的與原理過濾光線的方向，使光線在通過偏光片後，只有一個方向出去l製程參數及製程管制貼附壓力：3kgf滾輪間隙CF側：1.62mm Array側：2.06mm Polarizer Attachment2024/5/4Page-64.l製程材料或治具偏光片：NWF-FDSEAGl製程異常與FA分析Particles 偏貼異物、偏貼氣泡Rework工程不良 Rework Mura Polarizer Attachment2024/5/4Page-65.l製程目的與原理將偏光片與基板間之極微小氣泡擠出，提高界面的接著性l製程參數及製程管制加壓力：5 kgf/cm2加熱溫度：50保持時間：30 min排氣時間：9 min Auto Clave2024/5/4Page-66.p经常不断地学习,你就什么都知道。你知道得越多,你就越有力量pStudyConstantly,AndYouWillKnowEverything.TheMoreYouKnow,TheMorePowerfulYouWillBe写在最后谢谢大家荣幸这一路，与你同行ItS An Honor To Walk With You All The Way演讲人：XXXXXX 时 间：XX年XX月XX日