《存储器系统 》PPT课件

南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 第 四 章 存 储 器 系 统 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳v存 储 器 的 分 类 及 分 层 结 构分 类 、 工 作 原 理 及v辅 助 存 储 器 的 分 类 及 工 作 原 理v并 行 存 储 系 统v虚 拟 存 储 器 本 章 学 习 内 容 1. 存 储 器 的 分 类1） 按 与 CPU的 连 接 和 功 能 分 类4.1 存 储 器 概 述 2） 按 存 取 方 式 分 类 随 机 存 取 存 储 器 （ RAM） 存 储 器 单 元 的 内 容 可 。 只 读 存 储 器 （ ROM） 存 储 器 单 元 的 内 容 只 能 。 用 于 存 放 不 变 的 程 序 和 数 据 ， 或 用 作 固 定 存 储 器 （ 如存 放 微 程 序 的 控 制 存 储 器 、 存 放 字 符 点 阵 图 案 的 字 符发 生 器 等 ） 。 顺 序 存 取 存 储 器 （ SAM） 信 息 的 排 列 、 寻 址 和 读 写 操 作 均 是 ， 信 息在 载 体 上 。 。 直 接 存 取 存 储 器 （ DAM） 半 顺 序 存 储 器 存 取 方 式 介 于 RAM和 SAM之 间 的 存 储 器 ， 既 不 是 完全 的 随 机 存 取 ， 也 不 是 完 全 的 顺 序 存 取 。 典 型 如 磁 盘 。 当 进 行 信 息 存 取 时 先 进 行； 然 后 在 磁 道 中 。如 ： 磁 带 。 信 息 以 文 件 或 数 据 块 形 式 按 顺 序 存 放 ， 按 顺 序 存 放或 读 取 。 3） 按 存 储 介 质 分 类 磁 存 储 器 采 用 磁 性 材 料 制 成 存 储 器 磁 存 储 器 是 利 用 磁 性 材 料 的 的 两 个 不 同 剩 磁 状 态 存 放二 进 制 代 码 “ 0”和 “ 1”。 早 期 有 磁 芯 存 储 器 。 现 多 为磁 表 面 存 储 器 ， 如 磁 盘 、 磁 带 等 。 半 导 体 存 储 器 半 导 体 器 件 组 成 的 存 储 器 根 据 工 艺 不 同 ， 可 分 为 双 极 型 和 MOS型 双 极 型 速 度 快 ， 集 成 度 高 ， 成 本 低 ， 功 耗 小 光 存 储 器 利 用 光 学 原 理 制 成 的 存 储 器 通 过 能 量 高 度 集 中 的 激 光 束 照 在 基 体 表 面 引 起 物 理 的或 化 学 的 变 化 ， 记 忆 二 进 制 信 息 。 如 光 盘 存 储 器 。 4） 按 信 息 的 可 保 存 性 分 类 易 失 性 存 储 器 电 源 掉 电 后 信 息 自 动 丢 失 ， 如 半 导 体 RAM。 非 易 失 性 存 储 器 电 源 掉 电 后 信 息 仍 能 继 续 保 存 ， 如 ROM、 磁盘 、 光 盘 等 。 1） 基 本 概 念 存 储 元 件 （ 存 储 元 /存 储 位 ） 最 小 的 存 储 单 位 存 储 一 位 二 进 制 信 息 的 物 理 器 件 。 存 储 元 件 的 条 件v 有 两 个 稳 定 状 态 ， 可 以 存 储 “ 0”、 “ 1” 。v 在 外 界 的 激 励 下 ， 能 够 可 以 写 入 “ 0”、 “ 1”。v 能 够 识 别 器 件 当 前 的 状 态 ， 可 以 读 出 所 存 的 “ 0”、 “ 1”。2. 主 存 的 组 成 和 基 本 操 作如 ： 一 个 CMOS晶 体 管 等 。 存 储 单 元 可 以 同 时 进 行 读 写 操 作 的 的 集 合 。 存 储 体 （ 存 储 阵 列 ） 把 按 一 定 形 式 起 来 ， 一 般 排 列成 阵 列 形 式 ， 即 构 成 存 储 体 ， 又 称 存 储 阵 列 。 存 储 单 元 的 地 址 /地 址 码 存 储 体 中 每 个 存 储 单 元 被 赋 予 的 一 个 以 区别 不 同 的 存 储 单 元 。 要 对 某 一 存 储 单 元 进 行 存 取 操 作 ， 必 须 首 先 给 出 被 访问 的 存 储 单 元 的 地 址 。 存 储 单 元 的 编 址 单 位 可 寻 址 的 最 小 单 位 按 字 节 编 址 ： 相 邻 的 两 个 单 元 是 两 个 字 节 。 按 字 编 址 ： 相 邻 的 两 个 单 元 是 两 个 字 。字 长 16位字 地 址 字 节 地 址 111098 7654 3210840 字 节 地 址字 地 址 45 23 01420字 长 32位设 地 址 线 24 根 按 字 节 寻 址按 字 寻 址若 字 长 为 16 位若 字 长 为 32 位 2 24 = 16 M按 字 寻 址 8 M4 M 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 2） 主 存 的 最 基 本 组 成时 序 控 制 电 路 数据寄存器地址寄存器 存储体 /阵列存 放 要 访 问的 存 储 单 元的 地 址地址总线 地址译码与驱动电路 根 据 CPU发 出 的 读 写控 制 命 令 ， 控 制 对 存储 单 元 的 读 写读写电路用 于 对 地 址 寄 存 器 中的 地 址 进 行通 过 对 应 的 地 址 选 择线 到 存 储 阵 列 中所 要 访 问 的 存 储 单 元驱 动 其完 成 指 定 的 存 取 操 作R/W MFC 用 于 暂 存 从 存 储 器 读 出(输 出 )或 向 存 储 器 中 写 入(输 入 )的 信 息 R/W 存 储 器 操 作 完 成 信 号MFC读 主 存 ： 写 主 存 ：1） 被 读 单 元 的 地 址 MAR 1） 被 写 单 元 的 地 址 MAR2） 发 读 命 令 2） 要 写 入 的 数 据 MDR3） 读 出 的 数 据 MDR 3） 发 写 命 令3） 主 存 与 CPU的 连 接 及 主 存 的 操 作MDRMARCPU 主 存数 据 总 线地 址 总 线 1） 存 储 容 量 ： 存 储 器 所 能 存 储 的 二 进 制 信 息 总 量 。 存 储 容 量 的 表 示 M N M表 示 存 储 单 元 个 数 ， N表 示 每 个 存 储 单 元 可 以 存 放 的二 进 制 位 数 。 在 以 字 节 为 编 址 单 位 的 机 器 中 常 用 字 节 表 示 存 储 容 量 。3. 主 存 的 主 要 技 术 指 标如 ： 512k 16， 表 示 主 存 有 512k个 单 元 ， 每 个 单 元 可 以 存放 16个 二 进 制 位 。如 ： 512k 16 = 512k 16/8=1KB。 存 储 容 量 的 主 要 计 量 单 位 ： 1K= 210 = 1024 1M= 220= 1024K = 1048576 1G = 230= 1024M= 1073741824 存 储 器 容 量 与 地 址 线 的 关 系 1K= 210 需 要 10根 地 址 线 1M= 220 需 要 20根 地 址 线 256M=2 28 需 要 28根 地 址 线 2） 速 度 访 问 时 间 TA（ 读 写 时 间 / 取 数 时 间 ） 一 次 存 储 器 存 取 的 启 动 完 成 所 需 的 全 部 时 间即 ： 从 接 到 CPU发 出 的 地 址 信 号 和 读 写 命 令 开 始 数 据 读 入 MDR / 从 MDR写 入 主 存 结 束 存 取 周 期 TM （ 存 储 周 期 / 读 写 周 期 ） 相 邻 两 次 存 取 操 作 所 需 的 由 于 半 导 体 存 储 器 一 次 存 取 操 作 后 需 要 有 一 定的 ， 即 TM =TA + T恢 复 ， 所 以如 ： MOS型 存 储 器 的 TM约 100ns双 极 型 TTL存 储 器 的 TM约 10ns 3） 带 宽 （ 存 储 器 数 据 传 输 率 、 频 宽 Bm） 存 储 器 单 位 时 间 所 存 取 的 二 进 制 信 息 的 位 数 。 带 宽 Bm= W/TM （ KB/S、 MB/S）W存 储 器 总 线 的 宽 度 ， 对 于 单 体 存 储 器 ， W就 是 数 据 总 线 的 根 数 。v 提 高 存 储 器 速 度 的 途 径 提 高 总 线 宽 度 W， 如 采 用 。 减 少 T M， 如 引 入 。如 W=16位 ， TM=500ns， 则 Bm=32Mbit/s=4MB/s 4） 价 格 用 每 位 的 价 格 来 衡 量 设 存 储 器 容 量 为 S位 ， 总 价 格 为 C总 ， 每 位 价 格 c c = C总 / S C总 不 仅 包 含 存 储 器 组 件 本 身 的 价 格 ， 也 包 括 为 该 存 储器 操 作 服 务 的 外 围 电 路 的 价 格 。 存 储 器 总 价 与 存 储 容 量 成 正 比 ， 与 存 储 周 期 成 反 比 。v 影 响 存 储 器 性 能 的 还 有 功 耗 、 可 靠 性 等 因 素 。 4. 存 储 器 层 次 结 构 高低小大快慢辅存寄 存 器缓 存主 存磁 盘光 盘磁 带光 盘磁 带 速 度 容 量 价 格 位1） 存 储 器 三 个 主 要 特 性 的 关 系CPU CPU 主机 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳CacheCPU 主 存 辅 存Cache 主 存 辅 存主 存虚 拟 存 储 器 10 ns 20 ns 200 ns ms虚 地 址逻 辑 地 址实 地 址物 理 地 址主 存 储 器 （ 速 度 ） （ 容 量 ）2） 缓 存 -主 存 层 次 和 主 存 -辅 存 层 次 4.2 半 导 体 存 储 器SRAM（ 静 态 随 机 存 取 存 储 器 ）DRAM（ 动 态 随 机 存 取 存 储 器 ）固 定 掩 膜 ROM可 编 程 ROM（ PROM）可 擦 除 可 编 程 ROM（ EPROM）电 可 擦 除 可 编 程 ROM（ EEPROM）闪 烁 存 储 器 （ 闪 存 ， Flash Memory）RAMROM 双 极 型MOS型半 导 体 存 储 器 的 分 类非 易 失 性 RAM路 由 器 中 可 使 用 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 1. 静 态 RAM工 作 原 理 及 其 芯 片 结 构1） 6管 静 态 基 本 MOS存 储 单 元 电 路 1位 DD（ 位 线 ） W（ 字 线 ）T 5 T6VccQ QT1 T2T3 T4读 ： W=高 电 平 ， T5、 T6导 通 ，数 据 通 过 位 线 D读 出 。写 ： W=高 电 平 ， T5、 T6导 通 ，数 据 通 过 位 线 D写 入 。 若 写 0， D加 低 电 平 ； 若 写1， D加 高 电 平 。保 持 ： W=低 电 平 ， T5、 T6截止 ， Q的 状 态 不 变 。Q=1， Q=0信 息 =1 Q=0， Q=1信 息 =0一 个 M N的 芯 片字 线 地 址 选 择 线 （ 地 址 译 码 输 出 ）位 线 数 据 线 （ 实 际 输 出 一 条 位 线 D） 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳2） 静 态 RAM芯 片 的 结 构 存 储 器 芯 片 把 存 储 体 及 其 外 围 电 路 （ 包 括地 址 译 码 与 驱 动 电 路 、 读 写 放 大 电 路 及 时 序 控制 电 路 等 ） 集 成 在 一 块 硅 片 上 ， 经 过 封 装 ， 引出 地 址 线 、 数 据 线 、 控 制 线 、 电 源 、 地 线 等 。 存 储 器 芯 片 一 般 做 成 双 列 直 插 形 式 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 半 导 体 存 储 芯 片 的 基 本 结 构译码驱动 存储矩阵 读写电路片 选 线 读 /写 控 制 线地址线 数据线片 选 线 读 /写 控 制 线 （ 低 电 平 写 高 电 平 读 ）（ 允 许 读 ）CS CEWE （ 允 许 写 ）WEOE 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v半 导 体 存 储 器 芯 片 一 般 有 两 种 结 构 字 片 式 结 构 （ 线 选 式 /一 维 /单 译 码 ）控 制 一 个 存 储 单 元v对 一 个 存 储 单 元 的 所 有 位 同 时 读 写 位 片 式 结 构 （ 重 合 式 /二 维 /双 译 码 ）一 个 存 储 单 元v可 对 一 根 行 选 择 线 控 制 的 一 组 存 储 单 元 同 时 进 行 读 写 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 D1D1W1 T5 T6VccQ QT1 T2T3 T4 D2D2T5 T6VccQ QT1 T2T3 T4 W2 T5 T6VccQ QT1 T2T3 T4 T5 T6VccQ QT1 T2T3 T4u 同 一 存 储 单 元 的 不同 位 ， 字 线 相 同u 不 同 存 储 单 元 的 相同 位 ， 位 线 相 同u M个 存 储 单 元 就 有M个 字 线 ， 每 个 存储 单 元 的 N个 二 进制 位 都 具 有 2条 位 线 字 片 式 结 构下 静 态 RAM的 矩 阵 特 点 W1W2D1 D0 0,015,0 15,70,7 读 /写 控 制 电 路 地址译码器 字 线015 16 8矩 阵 0 7D 0 7D 位 线 读 / 写 选 通 A 3A 2A 1A 0 0000读 写 选 通字 片 式 结 构 的 存 储 器 芯 片 (16 8位 ) 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 片 式 结 构 的 存 储 器 芯 片 (64 8位 )1111110 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 片 式 结 构 的 缺 点v单 译 码 的 方 案 使 得 ， 有 多 少 个 存 储 单 元 就 有多 少 个 译 码 驱 动 电 路 ， 所 需 的 译 码 驱 动 电 路较 多 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 位 片 式 结 构 下 静 态 RAM基 本 电 路位 线 D列 地 址 选 择行 地 址 选 择 T1 T4T5 T6T7 T8Q写 放 大 器 写 放 大 器D IN 写 选 择 读 选 择 DOUT读 放 Q D 位 片 式 结 构 的 存 储 器 芯 片 (1K 1位 )A 3A 2A 1A 0A 4 0,310,031,0 31,31 Y 地 址 译 码 器 X地址译码器 32 32 矩 阵 A 9 I/OA 8 A 7 A 56AY0 Y31X 0X 31 D读 /写0 0 0 0 000000 读 位 片 式 结 构 的 存 储 器 芯 片 (4K 1位 )100000 0 0 0 0 0 00 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 译 码 驱 动 电 路 对 比译 码 方 式 驱 动 电 路 数 （ 4K*1）字 片 式 4K=212=4096位 片 式 26+26=128 3） 静 态 RAM举 例 Intel 2114(1K*4位 )双 列 直 插 式 ， 18个 引 脚 10根 地 址 线 ， 用 于 寻址 1024个 存 储 单 元4根 双 向 数 据 线读 /写 控 制 线片 选 信 号 线 读 写 电 路 A3A4A5A6A7A8A0A1A2A9 150 3116 4732 6348150 3116 4732 6348读 写 电 路 读 写 电 路 读 写 电 路 读 写 电 路 0163015行地址译码列地址译码 I/O 1 I/O2 I/O3 I/O4WECS 第 一 组 第 二 组 第 三 组 第 四 组 2114的 内 部 矩 阵 结 构000000000 15 31 47 6364*64矩 阵 （ 1K*4=210*4=26*24*4=64 * 16 *4）64行 64根 行 选 择 线 ， 一 次 选 中 64个 存 储 单 元64列分 成 4组 每 组 1个 读 写 电 路 ， 1位 输 出每 组 16列 16根 列 选 择 线 ， 一 次 选 中 每 组 的 1列 ，共 选 中 4列 1） 单 管 动 态 MOS存 储 电 路CS有 电 荷 信 息 = 1 CS无 电 荷 信 息 =0D线 CsTW字 线 01无 电 流有 电 流2. 动 态 RAM工 作 原 理 及 其 芯 片 结 构读 ： W=高 电 平 ， T导 通 。 若 D线 有电 流 ， 则 为 1， 否 则 为 0；写 ： W=高 电 平 ， T导 通 。 若 D线 加高 电 平 ， 对 CS充 电 ， 则 为 写 1；若 D线 加 低 电 平 ， 使 CS经 T放 电 ，则 为 写 0 。保 持 ： W=低 电 平 ， T截 止 ， C S上 的电 荷 不 变 。u 读 出 信 息 的 过 程 是 CS的 放 电过 程 ， 读 操 作 结 束 时 ， CS放电 完 毕 ， 所 以 是 破 坏 性 读 出u CS上 不 可 避 免 会 有 漏 电 流 ，故 电 荷 只 能 维 持 12msu 需 要 对 存 储 单 元 恢 复 状 态 ，称 为 再 生 （ ） 2） 动 态 RAM举 例 4116 (16K*1位 )时 序 与 控 制 RAS CAS 基 准 单 元行译码 列 译 码 器128个读 出 再 生 放 大 器列 译 码 器读出放大 基 准 单 元行译码 I/O缓 存 器数 据 输 出驱 动数 据 输 入寄 存 器 DINDOUT R/WA6A0 行 地 址缓 存 器列 地 址缓 存 器 TMS4116引 脚 v因 为 电 容 电 荷 的 泄 放 会 引 起 信 息 的 丢 失 ， 因 此 动 态 MOS存储 器 每 隔 一 定 时 间 需 进 行 一 次 操 作 。v刷 新 的 间 隔 时 间 主 要 根 据 电 容 电 荷 泄 放 速 度 决 定 。设 存 储 电 容 为 C， 其 两 端 电 压 为 u， 电 荷 Q=Cu，则 泄 漏 电 流 为3） 动 态 RAM的 刷 新I =Q u t t= Ct u I= C 电 容 两 端 的 电 压 变 化泄 露 电 流若 C=0.2pf， u=1V， I=0.1nA t=2ms动 态 MOS元 件 每 隔 2m s必 须 刷 新 一 次 ！ ！ 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 刷 新 方 法 按 行 刷 新 。 每 次 由 刷 新 地 址 计 数 器 给 出 刷 新 的行 地 址 ， 每 刷 新 一 行 ， 刷 新 地 址 计 数 器 加 1。 刷 新 方 式 集 中 式 刷 新 分 散 式 刷 新 异 步 式 刷 新 透 明 式 刷 新 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳v 按 照 存 储 器 芯 片 容 量 的 大 小 对 所 有 存储 电 路 进 行 刷 新 。 在 刷 新 时 间 内 ， 存 储 器 停 止 读 /写 操 作（ 不 允 许 CPU访 问 ） 。v CPU的 “ 死 区 ” 存 储 器 刷 新 时 间 。v 优 点 系 统 的 存 取 周 期 不 受 刷 新 工 作 的 影 响 ， 读 写 操 作 和 刷新 工 作 在 最 大 刷 新 周 期 内 分 开 进 行 ， 控 制 简 单 。v 缺 点 在 “ 死 区 ” 内 CPU必 须 停 止 访 存 操 作 ， CPU利 用 率 低 。 集 中 式 刷 新 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 以 4116芯 片 为 例 ， 其 存 储 矩 阵 为 128 128（ 128行 ） ，每 个 存 储 单 元 电 路 都 刷 新 一 次 需 128个 周 期 ， 故 在 刷新 最 大 周 期 内 留 出 128个 周 期 专 用 于 刷 新 。刷 新 最 大 周 期 =2ms， 存 储 器 的 存 取 周 期 为 500ns，则 刷 新 时 间 =128*500ns=64000ns=64s， 专 用 于 刷 新 ，其 余 1936 s为 读 写 时 间 。 刷 新64 s存 储 器 读 写 操 作1936s2ms 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳v将 系 统 的 存 取 周 期 变 成 2倍 的 存 取 周 期 第 一 个 存 取 周 期 为 正 常 的 第 二 个 存 取 周 期 为 ， 每 次 刷 新 一 行 。v优 点 没 有 “ 死 区 ” ， 每 一 系 统 周 期 都 可 进 行 读 /写 操 作 。v缺 点 没 有 充 分 利 用 所 允 许 的 最 大 刷 新 间 隔 (2ms)， 且 刷 新 过于 频 繁 ， 降 低 了 系 统 的 速 度 。 分 散 式 刷 新 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 以 4116芯 片 为 例 ， 其 存 储 矩 阵 为 128 128（ 128行 ） ，每 个 存 储 单 元 电 路 都 刷 新 一 次 需 128个 周 期 ， 故 将 128个 刷 新 周 期 分 散 到 128个 存 取 周 期 中 。存 取 周 期 为 500ns， 刷 新 时 间 为 500ns加 入 刷 新 周 期 的 存 取 周 期 =500ns*2=1000ns =1s128 s刷 新500ns读 写500ns1s 刷 新500ns读 写500ns 刷 新500ns读 写500ns 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v前 两 种 刷 新 方 式 的 折 中 ， 刷 新 一 行 。异 步 式 刷 新2ms内 刷 新 128行 一 行 刷 新 周 期 =2ms/128=15.6s存 取 周 期 =500ns， 15.6s/500ns =31， 15.5s刷 新 一 行 。 前 15s即 30个 存 取 周 期 用 于 读 /写 操 作 ， 后 0.5s用 于 刷 新 。以 4116芯 片 为 例 ， 其 存 储 矩 阵 为 128 128（ 128行 ） ， 每 个 存储 单 元 电 路 都 刷 新 一 次 需 128个 周 期 。2ms刷 新0.5s读 写15s15.5s 刷 新0.5s读 写15s 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 透 明 式 刷 新v 利 用 主 存 的 空 闲 时 间 进 行 刷 新 。 这 是 一 种 理想 的 刷 新 方 式 ， 但 由 于 控 制 复 杂 ， 所 以 目 前应 用 不 多 。v 目 前 应 用 较 多 的 是 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 静 态 RAM和 动 态 RAM的 位 片 式 结 构v 静 态 RAM的 位 片 式 ，虽 然 存 储 矩 阵 有 行 列 地址 ， 但 行 列 地 址 是 一 起传 送 的 ， 芯 片 实 现 时 没有 RAS和 CAS引 脚v 芯 片 的 地 址 引 脚 和 理 论地 址 位 数 相 同 v 动 态 RAM的 位 片 式 ，存 储 矩 阵 有 行 列 地 址 ，而 且 行 列 地 址 分 时 传 送 ，有 RAS和 CAS引 脚v 芯 片 的 地 址 引 脚 =理 论地 址 位 数 /2 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 4） 标 准 模 式 下 动 态 RAM典 型 时 序行 地 址 列 地 址 数 据地 址RASCAS数 据 数 据WE行 地 址 有 效 信 号 先 于 列 地 址 有 效 信 号读 时 ： 行 读 列 数 据 行 撤 消 列 撤 消 读 撤 消 (数 据 撤 消 )写 时 ： 行 写 数 据 列 数 据 撤 消 写 撤 消 (列 撤 消 )行 撤 消 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳v 快 速 页 式 DRAM（ FPM DRAM） 当 连 续 访 问 同 一 行 的 所 有 列 时 ， 可 并使 RAS有 效 ， 然 后 即 可 访 问 不 同 的 存 储单 元 ， 从 而 减 少 了 送 行 地 址 的 时 间 ， 提 高 了 存 储 器 的访 问 速 度 。v 扩 展 数 据 输 出 DRAM（ EDO DRAM） 在 存 储 器 输 出 端 ， 从 而 使一 个 读 写 周 期 结 束 之 前 即 可 启 动 下 一 个 读 写 周 期 的 操作 ， 从 而 使 速 度 提 高 1/3左 右 。 5） 几 种 常 用 的 DRAM芯 片 技 术 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 同 步 DRAM（ SDRAM） DRAM与 CPU ， 以 相 同 的 节 奏 同 步工 作 。 每 个 时 钟 ， 使 CPU不 需 等 待了 ， 速 度 比 EDO提 高 了 50%。v DDR SDRAM（ 双 数 据 率 SDRAM） 是 在 SDRAM基 础 上 发 展 而 来 ， 仍 然 沿 用 SDRAM生 产体 系 。 DDR内 存 可 以 在 一 个 时 钟 周 期 内 ， 在。v DDR2/3 DDR2/3也 采 用 了 在 时 钟 的 上 升 沿 和 下 降 沿 同 时 进 行 数据 传 输 的 基 本 方 式 ， 但 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 静 态 RAM和 动 态 RAM的 对 比存 储原 理 集 成度 芯 片引 脚 是 否刷 新 作 用 芯 片结 构 功耗 容 量 速 度 价 格静 态RAM 触 发 器 低 多 否 高 速缓 存 字 片 式位 片 式 大 小 快816倍 高816倍动 态RAM 电 容 高 少 是 主 存 位 片 式 小 大48倍 慢 低有 部 分 用于 刷 新 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳v 只 读 存 储 器 的 用 途1） 存 放 固 定 程 序 ， 如 操 作 系 统 的 核 心 部 分 。2） 作 控 制 存 储 器 ， 存 放 微 程 序 。3） 用 作 函 数 发 生 器 。4） 存 放 固 定 数 据 ， 如 汉 字 库 ， 字 符 发 生 器 。v 只 读 存 储 器 的 主 要 类 型1） 固 定 掩 膜 ROM2） PROM3） EPROM4） EEPROM(E2PROM)5） Flash ROM（ 闪 烁 存 储 器 ） 3. 半 导 体 只 读 存 储 器 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 掩 膜 ROMv 每 个 存 储 单 元 由 单 管 构 成v 用 是 否 将 MOS管 接 入 电 路 表 示 信 息在 行 列 交 叉 处 接 入 MOS管 的 位 为 1未 接 入 MOS管 的 位 为 0v 制 作 时 即 存 入 所 需 信 息 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳VCC行 线 列线镍 铬 熔 丝 熔 丝 断 为 “ 0”为 “ 1”熔 丝 未 断 PROM (一 次 性 编 程 ) 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 EPROM (多 次 编 程 ) v 可 以 根 据 需 要 写 入 或 擦 去 原 信 息 ， 再 写 入 新 信 息 。v 顶 部 的 石 英 窗 口 透 过 紫 外 线 擦 除 原 有 信 息v 未 编 程 前 每 个 存 储 单 元 的 信 息 都 是 1， 编 程 就 是 使用 专 门 的 编 程 器 （ 烧 写 器 ） 将 某 些 单 元 写 入 0 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 EEPROMv 无 需 专 门 的 编 程 器 ， 用 加 电 方 法 直 接 在 电 路 中 擦 除v 有 字 节 擦 写 、 块 擦 写 和 整 片 擦 写 方 法v 擦 除 电 压 略 高 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 FLASH ROMv 属 于 EEPROM， 性 能 优 于 普 通 EEPROM， 可 以 用较 快 的 速 度 和 较 低 的 电 压 对 信 息 反 复 擦 写 。v BIOS用 Flash ROM存 放 ， 因 此 现 在 称 BIOS为 Flash BIOS。 4. 半 导 体 存 储 器 的 组 成v由 于 一 块 存 储 器 芯 片 的 容 量 总 是 有 限 的 ， 因 此 一 个存 储 器 总 是 由 一 定 数 量 的 存 储 器 芯 片 构 成 。v要 组 成 一 个 主 存 储 器 ， 需 要 考 虑 的 问 题 ： 芯 片 选 择 速 度 、 容 量 、 电 压 、 功 耗 、 成 本 等 芯 片 数 量 芯 片 连 接 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 芯 片 数 量v芯 片 容 量 M1*N1， 要 求 主 存 容 量 M2*N2v芯 片 数 量 =M2*N2/M1*N1例 ： 用 64K*1的 芯 片 组 成 256K*8的 芯 片所 需 芯 片 总 数 =256K*8/64K*1=32 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 芯 片 连 接v 组 成 主 存 的 芯 片 之 间 的 连 接 （ 芯 片 扩 展 ）v 主 存 和 CPU的 连 接 （ 涉 及 信 号 线 ）v 主 存 读 写 过 程传 输 位 扩 展 （ M*N1M*N2）v芯 片 的 容 量 满 足 要 求 ， 但 存 储 位 数 不 够所 有 芯 片 应 同 时 工 作 同 时 被 选 中 同 时 进 行 读 写 读 写 相 同 的 地 址 单 元 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 位 扩 展 的 连 接v各 存 储 芯 片 的 片 选 线 并 联 ， 接 至 CPU 或v各 存 储 芯 片 的 读 写 线 并 联 ， 接 至 CPU的v各 存 储 芯 片 的 片 内 地 址 线 并 联 ， 接 至 CPUv各 存 储 芯 片 的 ， 接 至 CPU的 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳1） 2114容 量 1K*4， 存 储 器 要 求 容 量 1K*8 所 需 芯 片 数 量 =1K*8/1K*4=22） 2片 2114的 片 选 线 CS并 联 接 CPU的MREQ 2片 2114的 读 写 线 WE并 联 接 CPU的 R/W 2片 2114的 地 址 线 A0A9并 联 接 CPU的A0A9 1片 2114的 数 据 线 D0D3接 CPU的 D0D3，另 1片 接 D4D7 例 ： 用 静 态 RAM 2114构 成 1K*8的 存 储 器 ， 画 出 芯 片 连 接 图 。（ CPU访 问 存 储 器 请 求 信 号 为 MREQ， 读 写 控 制 信 号 为 R/W，数 据 线 和 地 址 线 从 低 位 开 始 分 配 ） 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 位 扩 展 示 意 图 （ 1K*41K*8）A0A9 MREQD 7D4D3D0 R/W D0D3CSA0A9 WE2114D0D3CSA0A9 WE2114 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 扩 展 （ M1*NM2*N）v 芯 片 的 存 储 位 数 满 足 要 求 ， 但 容 量 不 够所 有 芯 片 不 能 同 时 工 作 不 能 同 时 被 选 中 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 扩 展 的 连 接 方 式v 各 存 储 芯 片 的 片 选 线 接 译 码 器 不 同 输 出 ，接 至 CPU ， 可 以 作 为v 各 存 储 芯 片 的 片 内 地 址 线 并 联 ， 接 至 CPUv 各 存 储 芯 片 的 读 写 线 并 联 ， 接 至 CPU的v 各 存 储 芯 片 的 数 据 线 并 联 ， 接 至 CPU的 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳1） 芯 片 容 量 =16K*8， 存 储 器 要 求 容 量 64K*8 所 需 芯 片 数 量 =64K*8/16K*8=42） 4片 芯 片 的 读 写 线 WE并 联 接 CPU的 R/W 4片 芯 片 的 数 据 线 D0D7并 联 接 CPU的 D0D7 存 储 器 总 地 址 线 =16， 片 内 地 址 线 =14， 2根 地 址 线 译 码 4片 芯 片 的 片 内 地 址 线 A0A13并 联 接 CPU的 A0A13 A14A15作 为 译 码 输 入 ， 4个 输 出 分 别 接 4片 芯 片 的 片 选端 CS， 译 码 器 的 低 电 平 控 制 端 接 CPU的 MREQ 例 ： 用 16K*8的 静 态 RAM的 芯 片 构 成 64K*8的 存 储 器 ， 画 出芯 片 连 接 图 。 （ CPU访 问 存 储 器 请 求 信 号 为 MREQ， 读 写 控制 信 号 为 R/W， 数 据 线 和 地 址 线 从 低 位 开 始 分 配 ， 芯 片 的 片选 和 读 写 控 制 信 号 同 2114） 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 扩 展 示 意 图 （ 16K*864K*8）A0A13 MREQD 7D0 R/W D0D7CSA0A13 WE D0D7CSA0A13 WE D0D7CSA0A13 WE D0D7CSA0A13 WE 1 2 3 4译码器A14A15 Y1 Y0Y2Y3 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 对 存 储 器 从 0开 始 进 行 连 续 编 址v 片 内 地 址 14位 ， 即 说 明 每 个 芯 片 内 部 地 址 偏 移 量 从0000H3FFFHA15A14 A13A12A2A1A0 地 址 范 围 芯 片 00 00 0000 0000 0000 00 11 1111 1111 1111 0000H 3FFFH 第 一 片 01 00 0000 0000 0000 01 11 1111 1111 1111 4000H 7FFFH 第 二 片 10 00 0000 0000 0000 10 11 1111 1111 1111 8000H BFFFH 第 三 片 11 00 0000 0000 0000 11 11 1111 1111 1111 C000H FFFFH 第 四 片 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 字 和 位 同 时 扩 展 （ M1*N1M2*N2）v 芯 片 的 存 储 位 数 和 容 量 均 不 满 足 存 储 器 的 要 求v 字 和 位 同 时 扩 展 的 连 接 方 式所 有 芯 片 的 片 内 地 址 线 并 联 、 读 /写 控 制 线 并 联 ，连 接 到 CPU 和 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 同 一 地 址 区 域 内 （ 位 扩 展 ） 的 芯 片 ， 片 选 信 号 并 联 ，接 译 码 器 的 同 一 输 出 端 ； 不 同 地 址 区 域 内 （ 字 扩 展 ）的 芯 片 ， 片 选 信 号 分 别 接 到 译 码 器 的 不 同 输 出 端 。 同 一 地 址 区 域 内 （ 位 扩 展 ） 的 芯 片 ， 数 据 线 单 独 列出 ， 接 数 据 总 线 的 对 应 位 ； 不 同 地 址 区 域 内 （ 字 扩展 ） 的 芯 片 ， 数 据 线 并 接 ， 接 数 据 总 线 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 例 ： 用 2114芯 片 组 成 2K 8位 存 储 器1） 2114容 量 1K*4， 存 储 器 要 求 容 量 2K*8 所 需 芯 片 数 量 =2K*8/1K*4=42） 4片 芯 片 分 成 2组 ， 每 组 内 2片 位 扩 展 ， 2组 间 字 扩 展2组 组 内 2片 2114的 读 写 线 WE并 联 接 CPU的 R/W、 片 选 线 CS并 联 接*、 片 内 10根 地 址 线 并 联 接 CPU的 A0A9、 1片 2114的 4位 输 出 接 CPU的D0D3， 另 1片 接 D4D72组 组 间 数 据 线 、 读 写 线 、 片 内 地 址 线 ： 位 扩 展 时 已 经 接 好 存 储 器 总 地 址 线 =11， 片 内 地 址 线 =10， 1根 地 址 线 译 码 （ 2个 与 非 门 ）A 10分 2路 ， 一 路 接 与 非 门 输 入 ， 另 一 路 经 非 门 后 接 另 一 个 与 非 门 输 入 ，MREQ作 为 2个 与 非 门 的 第 二 个 输 入 ， 2个 与 非 门 的 输 出 分 别 接 2组 的 片选 线 CS 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳D0D3CSA0A9 WE D0D3CSA0A9 WED0D3CSA0A9 WE D0D3CSA0A9 WE A0A9D7D4D3D0 R/W 写 “ 0”， 则 写 周 期 中 间 电 流 方 向 不 变 。数 据 序 列 1 1 1 10 0 0 01MFM 位 周 期T 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 数 据 序 列 1 1 1 10 0 0 01RZ制 位 周 期TNRZ制NRZ-1制PMFMMFM结 论 ： 写 入 线 圈 上 的 电 流 取 决 于 磁 记 录 方 式 和 所 要记 录 的 信 息 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳活 动 头 固 定 盘 组活 动 头 可 卸 盘 组固 定 头 固 定 盘 组固 定 头 可 卸 盘 组按 磁 头 与 盘 组 分 一 个 磁 头 运 动 寻 道 ， 结 构 简 单 ， 成本 低 。 环 境 要 求 不 高 。 4. 磁 盘 存 储 器软 盘 ： 载 体 是 塑 料 ， 对 环 境 要 求 低 ， 价 格 低硬 盘 ： 载 体 是 金 属 ， 容 量 大 ， 速 度 快按 盘 片 材 料 分 非 接 触 式 ： 多 为 硬 盘 ， 读 写 速 度 快接 触 式 ： 多 为 软 盘 ， 读 写 速 度 慢按 磁 头 与 盘 片接 触 分 磁 头 固 定 ， 每 磁 道 一 个 磁 头 ， 环 境要 求 高 ， 没 有 磁 头 运 动 ， 速 度 快 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳旋 转 的 盘 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 2） 磁 盘 存 储 器 的 组 成 及 逻 辑 结 构主机 盘片磁盘控制器 磁盘驱动器用 于 控 制 磁 头与 盘 片 的 运 动及 读 写 。接 收 主 机 发 出 的 命 令 和 数据 ， 转 换 成 驱 动 器 的 控 制命 令 和 要 求 的 数 据 格 式 存 储信 息的 介质 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 磁 盘 控 制 器v 主 机 总 线 插 槽 中 的 一 块 印 刷 电 路 板 。v 磁 盘 控 制 器 上 的 接 口 系 统 级 接 口 与 主 机 的 接 口 ， 控 制 外 存 与 主 机 总 线之 间 交 换 数 据 。 设 备 级 接 口 与 设 备 的 接 口 ， 根 据 主 机 命 令 控 制 设备 的 操 作 。v 一 个 控 制 器 可 以 控 制 一 台 或 多 台 驱 动 器 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 磁 盘 驱 动 器旋 转轴 驱动 部件 磁 头 定 位 部 件等 数 据 转 换 系 统 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 旋 转 轴 驱 动 部 件 包 括 主 轴 电 机 和 有 关 控 制 电 路 ， 其 作 用 是 安 装 盘 片 ，并 驱 动 它 们 以 额 定 转 速 稳 定 旋 转 。v 磁 头 定 位 部 件 由 驱 动 部 件 、 传 动 部 件 、 运 载 部 件 （ 小 车 ） 组 成 。 驱动 磁 头 沿 盘 面 径 向 位 置 运 动 寻 找 目 标 磁 道 的 位 置 。v 数 据 转 换 系 统 包 括 磁 头 、 磁 头 选 择 电 路 、 读 写 电 路 以 及 索 引 、 区 标电 路 等 。 其 作 用 是 控 制 数 据 的 写 入 和 读 出 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 磁 盘 信 息 记 录 格 式 及 其 读 写移 动 方 向磁 头 架 旋 转 轴 盘 片磁 头 活 动 头 磁 盘 结 构 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 盘 片 结 构 旋 转 轴1号 磁 头8号 磁 头 0磁 道n磁 道扇 区 扇 段 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 柱 面 （ 圆 柱 面 ） n个 盘 面 上 位 于 同 一 半 径的 磁 道 形 成 的 圆 柱 面 。 磁 盘 组 的 圆 柱 面 数 等 于盘 面 的 磁 道 数 。 在 读 /写 过 程 中 ， 各 个 盘面 的 磁 头 总 是 处 于 同 一个 圆 柱 面 上 。 存 取 信 息时 可 按 圆 柱 面 顺 序 地 进行 操 作 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 活 动 头 磁 盘 组 磁 盘 地 址某 盘 片 组 有 8个 记 录 面 ， 每 个 盘 面 256条 磁 道 ， 8个 扇 区若 主 机 要 访 问 第 5个 记 录 面 ， 第 65条 磁 道 ， 第 7个 扇 区 的 信 息则 主 机 应 向 磁 盘 控 制 器 提 供 的 地 址 信 息 为 ：圆 柱 面 号 盘 面 号 扇 区 号0100000l 101 111 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 扇 段 的 记 录 格 式v 每 个 扇 段 记 录 ， 读 /写 操 作 以 扇 段 为 单 位一 位 一 位 进 行 。 每 个 扇 段 记 录 一 个 记 录 块 。v 一 个 扇 段 的 记 录 格 式本 扇 区 的 地 址 ， 并 可 作 为 磁 盘控 制 器 的 同 步 定 时 信 号 一 般 采 用 循 环 校 验 码 地 址 定 位 缓 冲 ， 便 于 磁盘 控 制 器 作 好 读 写 准 备 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 磁 盘 存 储 器 的 主 要 技 术 指 标v 存 储 容 量 C 能 记 录 的 ， 一 般 以 字节 为 单 位 。 格 式 化 容 量 按 照 特 定 记 录 格 式 所 存 储 的 可 使 用 的信 息 总 量 。 非 格 式 化 容 量 记 录 面 可 以 利 用 的 磁 化 单 元 总 数 。若 磁 盘 组 有 n个 盘 面 ， 每 面 T条 磁 道 ， 每 条 磁 道 S个 扇 段 ， 每段 B个 字 节 ， 则 格 式 化 存 储 容 量 C = n T S B 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 平 均 寻 址 时 间 （ 平 均 存 取 时 间 ）平 均 寻 址 时 间 =平 均 磁 道 定 位 时 间 +平 均 旋 转 等 待 时 间由 磁 头 定 位 部 件所 需 的 时 间 。取 决 于 磁 头 的 与间 的 距 离 。平 均 磁 道 定 位 时 间 为 和定 位 时 间 的 。 旋 转 驱 动 部 件的 时 间 ，也 称 旋 转 延 迟 。旋 转 等 待 时 间 的平 均 值 为的 时 间 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 存 储 密 度v 位 密 度 线 密 度 沿 磁 道 方 向 单 位 长 度 所 能 存 储 的 。 单 位 是位 /英 寸 (bpi)。v 道 密 度 沿 磁 盘 径 向 单 位 长 度 所 包 含 的 ， 单 位 是 道 /英 寸(tpi)或 道 /毫 米 (tpm)。v 面 密 度 位 密 度 与 道 密 度 的 乘 积 。 单 位 为 位 /平 方 英 寸 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 v 数 据 传 输 率 Dr 单 位 时 间 内 所 能 传 送 的 数 据 量 。 单 位 为 字 节 /秒 (B/s) 。 设 磁 盘 旋 转 速 度 为 n转 /秒 ， 每 条 磁 道 容 量 为 N个 字 节 ，则 Dr n N (B/秒 )。 设 D为 位 密 度 ， v为 磁 盘 旋 转 的 线 速 度 ， 则Dr D v (B/秒 ) v 误 码 率 出 错 信 息 和 读 出 总 信 息 位 数 之 比 。v 价 格 通 常 采 用 位 价 格 来 比 较 各 种 存 储 器 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 5. 廉 价 /独 立 冗 余 磁 盘 阵 列 （ RAID）v 把 多 块 独 立 的 硬 盘 （ 物 理 硬 盘 ） 按 不 同 的 方 式 组 合起 来 形 成 一 个 硬 盘 组 （ 逻 辑 硬 盘 ） 。v 最 大 的 优 点 在 于 提 高 传 输 速 率 和 容 错 功 能 。v 组 成 磁 盘 阵 列 的 不 同 方 式 称 为 RAID级 别 （ RAID Levels） 。 v 数 据 分 成 数 据 块 保 存 在 N个 不 同 驱 动 器 上 ， 所 以数 据 吞 吐 率 大 大 提 高 ， 驱 动 器 的 负 载 也 比 较 平 衡 。容 量 是 单 个 硬 盘 的 N倍 。v 任 一 块 硬 盘 故 障 ， 整 个 系 统 都 被 破 坏 ， 可 靠 性 是一 块 硬 盘 的 1/N。 信 息 无 冗 余 ， 也 无 校 验 。RAID0（ 无 冗 余 ） 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 RAID1（ 磁 盘 镜 像 ）v 运 用 磁 盘 映 射 ， 把 磁 盘 阵 列 中 的 硬 盘 分 成 相 同 的两 组 ， 互 为 镜 像 。v 当 任 一 磁 盘 出 现 故 障 时 ， 可 以 利 用 其 镜 像 上 的 数据 恢 复 ， 从 而 提 高 系 统 的 容 错 能 力 。v 实 际 容 量 为 两 块 硬 盘 容 量 之 和 的 一 半 ， 冗 余 度50%， 存 储 成 本 较 为 昂 贵 。 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 RAID3（ 位 交 错 奇 偶 校 验 ）专设校验盘 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 RAID5（ 块 级 分 布 奇 偶 校 验 ）用 特 殊 的 算 法计 算 出 任 一 带区 校 验 块 的 存放 位 置 南 京 理 工 大 学 紫 金 学 院 计 算 机 系 陈 琳 琳 6. 光 盘 存 储 器v 利 用 光 学 方 式 读 写 信 息 的 圆 盘v 光 盘 的 优 点 记 录 密 度