铸造多晶硅的研究进展

本文由太阳能人才网贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 铸造 多晶硅 的 研 究 进 展 席 珍 强 等 铸 造 多 晶硅 的 研 究 进 展 席珍 强 杨德仁 陈 , 君 浙 江 大 学 硅材 料 国 家重 点 实验 室 杭 州 摘要 . 近 年 来 由 于 低 成 本 和 高 效 率 的 优 势 铸 造 多晶 硅 成 为 最 主 要 的 光伏 材 料 之 一 现 在 其 铸造 工 艺 相 对 成 , , , . 熟 对材料的缺 陷 和 杂 质 的研 究 , , 日 趋深化 吸 杂 钝 化 及 表 面 织 构 化 等 枝 术 的 应 用 显 著 地 改 善 了材 料 的 电 学 和 光 学 性 . , 能 实 验 室 水平 上 用 铸 造 多晶 硅 材 料 制 成 的 太 阳 电 池 的 转 换 效 率 高达 究现 状 和 存 在 的 问 题 展 望 今 后 的 发 展 方 向 . 本 文 详 细 阐 述 了铸 造 多晶硅 材 料 的 研 关键词 铸 造 多晶 硅 缺 陷 和 杂质 电学性能 飞 , 一 , , . 一 , 一 飞 一 , , 一 尸 飞 一 工 , , 一 , . 王 , 于 , 环 , , 一 , , , , 引言 以 光 伏 材料 为 基 础 所 制 得 的 太 阳 电 池 直 接 将 太 阳 能 转 化 同 时 其 内部 存 在 大 量 的缺 陷和 杂 质 从 而 导 致 它 的 电学 性 能 , 低 于 单 晶 硅 材 料 可 是 近 年 来 通 过 对 铸 造 工 艺 的 改进 对 材 料 , . 内部 缺 陷 和 杂 质 的 深 入 研 究 吸 杂 钝 化 以 及 表 面 织 构 化 等 技 , , 为电能 这 被 公 认 为解 决 能 源 和 环 境 问 题 最 有 效 的 途 径 之 一 , . 术 的 提 出 和 应 用 使 多 晶 硅 材 料 的 电 学 光 学 性 能 有 了明 显 的 , , 自 年 贝 尔实验 室 研制 出 第一 块 太阳 电 池 以 来 硅 材料 , , , 改善 从 而 使 铸 造 多 晶硅太 阳 电池 的转 换 效 率 也 得 到 了 迅 速 , 特别是 单 晶 硅 就 作 为 最 主 要 的 光 伏 材 料 这 是 基 于 硅 元 素 丰富的 储 量 微 电 子 工 业 所 积 累 的 先 进 技 术 等 优 点 晶硅 太阳 电 池 的 成 本 较 高 目 前 其 售 价 约 为 此其高成本 成 为大 规 模 实 用 化 的 障碍 出现逐 渐 打破 . 的提 高 从 所示 . , 年的 提高 到 年的 环 如图 , . 然而 单 , , , 美元 , 因 . 年 代铸造 多 晶 硅 的 , 姗 . . 单晶 硅 材 料 长 期 垄断 的地 位 它 以 高 的 性 能 在 , 价格 比 不 断 排 挤 单 晶 硅 市 场 为 . 年 代末 其 市 场 占 有 率 仅 , 求 ) ( 琐 戴 哥 撰 . 丫 . 左右 而 到 了 , , 年 其 占有 率 就 高 达 所示 . 成 为最 . 主要 的光 伏 材 料 如 图 . 卜 以粥 里犯 年 啼化福 份 图 铸造 多 晶 硅 太 阳 电 池 转换效 率 的 变 化 , 单 晶硅 本 文 将 从 铸 造 工 艺 体 内性 质及 表 面 处理 三 个方 面 阐述 多晶 硅 材 料 的 发 展 现 状 存在 问题 及 未 来展 望 图 , . 年 各种 光 伏 材 料 在 市 场 上 的 占有 率情 况 , 铸造 工艺 及 改进 原始工艺 同 单晶 硅 材料 一 样 铸 造 多 晶 硅 具 有较 小 的 光 吸 收 系 数 片 本文 受 到 国 家 自然 科 学 基 金 , 教 育 部 优 秀 青 年 教 师 基 金 和 教 育 部 博 士 点 基 金 资助 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 材料导报 年 , , 年 月第 , 卷第 期 公 司 首 创 了浇 铸 法 制 多 晶 硅 材 料 一 . , 其 , 碳 作 为 铸造 多 晶 硅 中的 另 外一 种 杂 质 主 要 来源 于 石 墨 塔 涡 的砧污 , 后 许 多 研 究 小 组 先后 提 出 多种 铸 造 工 艺川 这 些 铸 造 工 艺 主 要 分 为两 种方 式 一 种方 式是 在 一 个石 英钳 涡 内将 多晶 硅 . 处 于 替 代 位 置 上 的 碳 对 材 料 的 电 学性 能 并 无 影 , 响 但 是 当 碳 的 浓 度 超 过 其 溶 解度 很 多 时 就 会 有 沉淀生 , 熔 化 而 后 浇 铸 到 石 墨 模 具 中 另 一 种方 式 是 在 同 一 个 柑 祸 内 熔 化 后 采 用 定 向 凝 固 的 方 法 制造 多 晶 硅 . , , 成 诱生缺 陷 导 致材料 的 电学 性 能 变差 时 , , . . 在快速 热 处理 同 氧 一 样 碳在 , . 其 中后 一 种 方 式 所 , , 一 共 同 吸 杂效 果 明 显 依 赖 于 碳 的 浓 度 , 制 出 的 多 晶 硅 质 量 较 好 用 定 向凝 固 法 制 多 晶 硅 的 原 理 是 严 格 控 制 垂 直 方 向上 的 温 度 梯 度 使 固 液 界 面 尽 量 平 直 从 而 生 长 出 取 向较 好 的 柱 状 多 晶 硅 其 电学 性 能 均 匀 曰 与 单 晶 硅 小 , . 多 晶 硅 中 的 行 为 十 分 复 杂 有 关 它 们 对 材料 电学 性 能 的 影 响 需 要进 一步 的研 究 . 多晶 硅 中 的 过 渡 族 金 属 元 素 在 硅 材 料 中 过 渡 族 金 属 由 于 有 着非 常 大 的 扩 散 系 数 如 , 同 铸造 出 的 多晶 硅 呈 长 方 体 除 去 极 少 量 的 边 角料 再 采 用 , , , 线 切 割 昂 贵 的 材 料 损 失 就 少 多 了 其 成 本 自然 很 低 尾 料 所 以 其体 内的 杂 质 含 量 很高 , . , , . 表 所示 , 所 以 除 了从 原 材 料 带 入 这 些 杂 质 外 在 以 后 的 , . 由 于 制 造 铸 造 多 晶 硅 的 原 料 主 要 为微 电 子 工 业 剩 下 的 头 表 , 电池 制 作 工 艺 中也 不 可 避 免 地 会 引 入 这 些 杂 质 中 铜 和 镍 的 , 列 出 了 铸造 多 晶 硅 , , 扩 散 系 数 较 大 即 使 淬 火 它 们 也会 形 成 沉 淀 而 不 溶 解 在 硅 晶 格中 , , , 中杂 质 的 大 致 含 量 产 成 本增 加 . . 其 次 铸 造 过 程 中产 生 大 量 的 应 力 可 能 , , . 铁 和铬 的 扩 散 系数 相对 较 小 但 是 在慢 速 冷 却热 处 理 . , 导 致 大 量位错产 生 还 有 采 用 这 种 工 艺 柑锅 只 能 用 一 次 生 时 依 然 有 大 部 分 形 成 沉 淀 这 些 元 素在 硅 的 禁 带 中形 成 深能 级 从 而 成 为 复 合 中 心 降低 少 数 载 流 子 的 寿 命 , , . 过 渡族金属 表 铸 造 多 晶 硅 中杂 质 的 大 致 含 量 铁 元 素 在 硅 中存 在 不 同 的 能 级 这 些 能 级 与 它 们 在 硅 中 不 同状 , 态 有 关 关 于 其 本 质 目前 仍 然 不 知 道 , , , . , , , , 声 表 元素 硅 中 部 分 过 渡 族 元 素 的 扩散 系数 扩散 系数 改进 工 艺 为 了 避 免 以 上这 些 缺 点 研 究 者 分 别 提 出 了 以 下 两 种 改 进方法 . , 铜 一 镍 铁 一 一 首 先 在琳 祸 内壁 涂 卜 , , 膜层 . . 采 用 这 种琳 祸 可 川 等研 究 了 , 以 十 分有 效 地 降 低 来 自柑 祸 杂 质 的 站 污 铬 , 一 使用 , 涂 层 后 氧 碳 浓 度 的 变 化 发 现 多 晶 硅 中的 氧 碳 . , 其 它 兀 素 如 氮 也 对 材 料 的 电学 性 能 有 影 响 卜 , , , . 在使 用有 浓 度都降低 了 . 同时 使 用 , , 涂 层 后熔 液 和琳 祸 内壁 不 粘 , 结 这 样 既 可 以 降 低 应 力 又 能 够 多次 使 用 柑 祸 从 而 降 低 , . 成 涂 层 的 柑 祸 时 自然 地 会 引 入 氮 而 高 浓 度 的 氮 会 在 硅 一 本 其 次 有 人 沐 叫 提 出 了冷 琳 圳 感 应 加 热 法 采 用 这 种 工 艺 有 以 下 一 些 特 点 材 料 与琳 祸 不 接 触 , 中 形 成 氮 化 物 成 为铸 造 多 晶 硅 边 角 处 电 学 性 能 显 著 下 降 的 原 因之 一 , 显著地 降低 了 杂 质 的 砧 . 污 琳 祸 不磨损 可 以 连 续 铸造 这 样 成 本 可 以 进 一 步 降低 , 多 晶硅 中 的缺 陷 多 晶 硅 中存 在 高 密 度 的 种 类 繁 多 的缺 陷 如 晶 界 位 错 , , , , , , , , 铸造 多 晶硅 中的 杂质 和缺陷 及 改善工艺 多 晶硅 中 的 杂 质 由 于 铸 造 多 晶 硅 的 原 料 来 自半 导 体 工 业 剩 下 的 头 尾 料 , 小 角 晶 界 孪 晶 亚 晶 界 空 位 自间 隙 原 子 以 及 各 种 微 缺 陷 等 , . 图 就 显 示 了铸 造 多 晶 硅 中缺 陷 的 典 型 形 貌 川 . 再 加 卜来 自柑 端 的 拈 污 所 以 杂 质 的 含 量 明 显 高 于 单 晶 硅 材 料 而 这 些 杂 质 的 存 在 会 淤 著 地 降 低 多 晶 硅 材 料 的 电学 性 能 . . 多晶 硅 中 的 氧 氧 是 多晶 硅 中 的 一 种 非 常 重 要 的 杂 质 它 主 要 来 自于 石 英琳 祸 的 拈 污 在 硅 的 熔 点 温 度 下 硅 和 二 氧 化硅 发 生 如 下 反 应 十 一 . , 一 部分 从 熔 液 表 面 挥 发 掉 其余 的 在 熔 液 里 分解 反 , 应如下 图 这 样 在 铸 造 多晶 硅 锭 中 从 底 部到 头 部 从 边 缘 到 中心 氧 浓 , , 铸 造 多 晶 硅 中缺 陷 的 典 型 形貌 , 度 逐 渐 降低 . 虽 然 低 于 溶 解 度 的 间 隙氧 并 不 显 电学 活 性 , , , , 晶界 与单 晶 硅 材 料最 大 不 同 之 处 在 于 多 晶 硅 中存 在 大 量 的晶 界 . 但 是 当 间 隙 氧 的 浓 度 高 于 其 溶 解 度 时 就 会 有热 施 主 新施 主 和 氧沉 淀 生 成 进 一 步 产 生 位 错 层 错 从 而 成 为少 数载 流 子 的 复合 中心 . , , 然而刘 二, 一 晶 界 的 认 识 有着 两 种 不 同 的 意 见 , . 一 种意 见是 , 在 多 晶 硅 吸 杂 时 发 现 当 间 隙氧 的 浓 度 低 于 , , . 洁 净 的 晶 界对 少 数 载 流 子 的 寿 命 并 无 影 响 或 只 有 很 微 小 的影 时 磷 吸 杂 效 果 十分 显 著 相 反 高 于 此 浓 度 时 吸 杂 效 果 不 明显 甚 至 更 差 , 响 只 是 由于 杂 质 的 站 污 沉 淀 的 形 成 才 显 著 地 降 低 少数 . 载 流 子的 寿 命 , 与此 相 反 有 人 认 为 , , , 晶 界 存 在 着 一 系列 多晶 硅 中 的 碳 界 面 状 态 有 界 面 势 垒 存 在 悬 挂 键 故 晶 界 本 身 就 有 电 学活 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 铸造 多晶 硅 的 研 究 进 展 席 珍 强 等 性 而 当杂质 偏 聚 或 沉 淀 于 此 时 它 的 电 学 活 性 会 进 一 步 增 强 而 成 为 少 数 载 流 子 的 复 合 中 心 但 共 同 的 看 法 都 是 杂 质都 , . , , 宇 要 是 因 为 硅 是 间接 能 带 半 导 体 材 料 其 光 吸 收 系 数 较 低 如 , . 果 要获得 . 的光 吸 收效 率 那 么 多晶硅 片的厚度 则须要 , , 很容易在 晶 界 处 偏 聚 或 沉 淀 , , . 同时 研 究表 明 如 果 晶 界 垂 直 . , , 众所 周 知 降低 成本 获得 较 高 的转换 效 率是光 伏工 业 , . 于 晶体表 面 那 么 它 对 太 阳 电 池 效 率 的 影 响 很 小 的 目 标 之 一 然 而 光 伏 材 料 的 成 本 在 整 个 光 伏 工 业 中 占有 相 当大的 比重 位错 在 多 晶 硅 铸 造 过 程 中 由于 热 应 力 的 作 用 会 导 致 位 错 的 产生 . 为 了 解 决 这 个 矛 盾 对 于 单晶 硅 材 料 研 究 者 利 一 , , , 用 择 优 腐 蚀 的 原 理 在 硅 片表 面 制 得 了 类 金 字 塔 形 貌田 , 川 , 另 外 各 种沉 淀 的 生 成 由于 晶 格 尺 寸的 不 匹 配 也 会 导 , . , 一 这 样 的形 貌 既 可 以 减 少 反 射 率 更 重 要 的是 在 晶 体 内 部 形 成 了 光 陷 阱 增 加 了 光 程 获 得 了 比较 好 的 效 果 , , , 致位错 的产 生 这 些 位错本 身 就 具 有 悬 挂 键 存 在 电 学 活 性 , . , , 几 . 对 于 多 晶硅 , , 降低少 数载 流 子 的 寿 命 而 且 金 属 在 此 极 易 偏 聚 川 对 少 数 载 流子 的 降低 就 更加 厉 害 由于 其 晶 粒 取 向并 不 一 致 因 此 择 优 腐 蚀 受 限 系 列 的 表面 织 构 化 的方 法被 提 出 . . 为此 其 它 一 改 善 材 料 电 学 性 能 的 各种 工 艺 吸杂工艺 金属 杂 质 的 偏 聚 或 沉 淀 都 是 少 数 载 流 子 主 要 的 复 合 中 心 如果 将 这些 金 属 杂 质 从 体 内 驱 除掉 那 么 材 料 体 内 的 电 学 , . 表 面 酸 腐蚀 织 构 化 最近 一 , , 口 等采 用 , 写 . 作 为 缓 冲 液 腐 蚀 的方 法 获 得 了 均 匀 的 球 面 状 通过模 型 分析发现 这 种形貌 的反射率依 赖于 , 的形 貌 值 活性剂 . 性能将会 大 为 改 善 段 , . 吸 杂 工 艺就 是 基 于 这 种 思 想 而 产 生 的 , . . 表 示 球 面 的高度 , 表 示 球 面 的直径 . , , 加 入特别的表面 , , 认 为 存 在 三种 吸 杂 机 制 松 弛 诱 生 吸 杂 偏 聚 其 中 松 弛 诱 生 吸杂 是 有 晶 体 缺 陷 . 值 增 大 相 应 的 反 射 率减 小 . , 与 多 晶 硅碱 腐蚀 形 诱生吸 杂 注 入 诱 生 吸 杂 , 成 随 机 方 向 的 织 构 相 比 这 种 酸 腐蚀 的 吸 收 效 率 较 高 但 是 其 反 应 机 理 尚不 清 楚 吸杂 偏 聚 诱 生 吸 杂 是 增 加 材 料 区 域 内 的 溶 解 度 吸 杂 注 入 吸 杂是注 入 自间 隙 原 子 吸 杂 改 善材 料 整 体 的 电 学 性 能 主 要 通 过 外 吸 杂 来进 行 的 , , . 目 激光织构化 采用 激光技 术在 多 晶硅 材料表 面 形 成相互平 行 的 沟槽 , 前工业 上 所 实 用 化 的 吸 杂 技 术 有 磷 吸 杂 铝 吸 杂 硼 吸 杂 以 及氧化物 吸 杂 另 外 用 氢 或 氦 离 子 注 入 形 成 微 缺 陷 吸 杂 仍 处 于实验 室 水 平 , . . 形 , , . , 用 这 种表 面 织 构 化 的 多 晶 硅 制 成 的 太 阳 电 池 获 得 了 . , . 的 转 换 效 率 采 用 这 种 织 构 化 的 缺 点 是 成 本 较 高 速度 漫 在 表 面 易造 成 损 伤 不 适 于 较 薄 的 片 子 在 目前 的 所 有 吸 杂 技 术 中 磷 吸 杂 的 效 果 最 为 显 著 在 时 以 在 铸造 多 晶 硅 中 作 为扩 散 源 热 处 理 , , , . 机械织 构 化 型或 , , , 就会得到 高 达 拌 . 的扩散长 度 , , 而原 始多晶硅 扩散长度 , 将 一 系 列 刀 片 固 定在 同 一 轴 上 转 动 轴 便 在 表 面 上 形 成 型 的 沟槽 . 为 即 . 其作 用 机 理 被 解 释 为 高 浓 度 的 磷 进 入 硅 中 一 方 面 沉 淀 由于 , , , 由于 用 机 械 进 行 织 构 会 造成 一 定 的损 . 在硅片表 面 形 成 与基 体 , 在 晶格 尺 寸 上 伤 故需 要 用 碱性 溶 液 取 出 损 伤 层 用这 种 表 面 织 构化 方 法所 的不匹 配 从 而 产 生 位 错 形 成 杂 质 的 沉 淀 位 置 另 一 方 面 大 量 的间隙硅 原 子 被 注 入 体 内 由 于 踢 出 效 应 俪 过 渡 族 金 属 被 踢出原 沉 淀 处 而 快 速 扩散 到 体 表 沉 淀 下 来 同 样 的 机 理 铝 和 . 制 成 的 太 阳 电 池 的转 化 效 率 可 以 达 到 种方 法 的特 点 为 , , . , 这 工 , 艺简 单 工 作 效 率 高 但 是 由 于 硅 材 料 很 . , , 硬 刀 具 容 易 磨 损 同 样 不 能 应 用 在较 薄 的 硅 片 上 氧化吸 杂 的效 果 就 明 显 不 如 磷 吸 杂 这 被 认 为 是 在 多 晶 硅 表 面缺少 足 够 的 吸 杂 位 置 所 致 , . , 光 刻加 化 学腐蚀 织构化 , 习 用光 刻的方 法在 多晶硅表面上形成周期性的 . 或 当 然 这 些 外 吸 杂技 术 依 然 存 在 着 局 限 性 如 果 多 晶 硅 体 内含有 高 密度 的 亚 晶 界 或 小 角 晶 界 吸 杂 效 果 就 很 差 , , , 其 掩膜 而 后 采 用 碱腐蚀或 酸 腐蚀 的方 法 在表面 上 形 成 织构 . , 次 存在 一 个 临 界 氧 浓 度 高 于 此 浓 度 则 吸 杂 效 果 就 不 明 显 这 种方 法 不依 赖 于 晶 面 更 容 易实 用 化 , . 最后 对 于 扩散 速 度 较 慢 的 金 属 元 素如钦 吸 杂效 果也 今 . , , 展望 虽 然 在 实验 室 里 用 多 晶 硅 材 料 己 经 获 得 了 高 达 不明显 钝化工 艺 既 然 多 晶 硅 中 位 错 晶 界 等 这 些 扩 展 缺 陷存 在 的 悬 挂 键 , 转 换 效 率 的 太 阳 电池 但 是 相 对 丁 单晶 硅 太 阳 电 池 的转换 效 率依然 有 大约 , . , 写 和金属 杂 质是 少 数 载 流 子 的 复 合 中 心 那 么 采 用 钝 化 的 手段 , 的 差 距存 在 而 且 还 面 临 着将 实 , . 来中和这 些 复 合 中心 也 就 成 为提 高 材 料 性 能 的 另 一 种 有 效 途 和 径 目前通 常采 用 两 种 钝 化 方 式 氢 钝 化 脚 氧 化 钝 化 呻 实 验表明 在 有 一 定 氢 浓 度 的 情 况 下 氢 原 子 可 以 十 分 有 效 地 提 高材料的 电 学 性 能 引入 氢 原 子 的 方 式 有 离 子 注 入 以 下进 行 这是 等方式 值得 注 意 的 是 氢 钝 化 必 须 在 因为如果 高 于 此 温 度 氢 同 杂 质 或 缺 陷之 间 的 键 就 会 断 裂 导 致氢快速扩散 到 体 外 氧 化 钝 化 对 于 提 高 材 料 的 电 学 性 能 也 有较好的效果 但 是 这 种 钝 化 仅 局 限 在 材 料 的 表 面 而 且 在 钝 化的同时也对 材 料 进 行 了 退 火 这 样 影 响 它 在 工 业 中 应 用 . . 验 的技 术 转 换 为 大 规 模 工 业 化 应 用 的 问 题 这 一 切 表 明 在 多 晶硅 材 料研 究方 面还 需 要做大量 的工 作 , , , , 首 先 要 尽 快 完 善冷 柑祸 连 续 铸造 工 艺 虽 然 现 在存在 着 . . , 铸造 多晶 硅 大体 积 的 趋 势 但 是 要 维 持 好 大 体 积 多晶硅 的 平 直液 面 非 常 困难 , . . , , 而 采 用 冷 柑 祸 连续 铸造 的 方 法 可 以 大 幅 度 . , , 提 高 生 产 效 率 降低 成本 , . 其 次 研 究 重 点 要 放 在 对 多晶 硅 中的 杂 质 和缺 陷 的 研 究 上 尤 其 是 放 在 对 多 晶 硅 中氧 碳 金 属 杂 质 和 扩 展 缺 陷 的 综 , , , , , . 合 性 质 的研 究 , 二 , 这 是 提 高 多晶 硅 材 料 电学 性 能 的关 键 , , . 多晶硅 表 面 织 构 化 从 固体 物理 学 上 讲 硅 材 料 并 不 是 最 理 想 的 光 伏 材 料 这 , 最 后 要 对 化学 腐 蚀 机理 进 行深 入 的 研 究 寻 找 适 合 铸造 多晶 硅 表 面 织 构 化 的湿 化 学 腐 蚀 方 法 在进 一 步 降低 生 产 成 页 下转 第 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 材料导报 自动 改变其 几 何 外 形 以 适 应 工 作 状 态 的 变 化 典 型 的 如 . 年 , , 月第 , 卷第 期 纤维 复合 材 料 , . 高 阻 尼 减 振 元 件 曾试 图 用 合 金 制作 网 球 拍 锯 片 和 防 弹 材 料 但 均 没 有 实 现 商 业 化 主 要 原 因 是 原材 料 昂 , , 张 庭 华 等 材料科 学 与 工 艺 孙 奇 杨海 波 等 稀 有 金 属 材 料 与 工 程 杨杰 吴 月 华 形状记忆合金及 其应 用 合肥 中国科技 大学 出 版 社 , , , , , , , , , , 贵 . , , , , 其 它应 用 用 水 轮机 涡 轮等 还 可 用 , 合 金 制 作 耐 气蚀 构 件 如 船 用 螺 旋 浆 , , 丝做钩 鱼线 . 医学 应用 至 赵 连城 稀有金 属 孟 祥龙 王 中 赵 连 城 宇 航 材 料与 工 艺 郑 玉 峰 王 中 孟祥龙 等 金 属 学报 , , , , , , , , , , , , , , 早期 合 金 在 生 物 医 学 领 域 的应 用 是 , , , 形 状 记 忆合 金 应 用 的 一 大 突 破 在 这 一 领 域 我 国 居 国 际 领 先 , . , , , 地位 . 主 要 有 以 下 几 个方 面 的 应 用 , , , , . , , , , 牙 科 牙 齿 矫 形 丝 牙 根 植 入 体 波 形 加 压 骑 缝 钉 , 弓形 接 骨 板 颈 椎 矫 形 棒 股 骨 头 杯 输 卵 管 夹 及 血 管 夹 人 手 殷 声 燃 烧合成 北 京 冶 金 工 业 出 版 社 缪 曙 霞 殷 声 叶宏 煌 等 稀 有 金 属 , , , , , , 关 节 血管 扩 张支 架 凝 血 过 滤 器 等 某 些 医 疗 器 械 最近 . , , . , 亡 , , , 合金 多孔体 的应 用 尤 其是在骨 牙齿 关节 , , , , , , , , , , 等 硬 组 织 修 复 和 替 换 方 面 引起 了 国 际 生 物 医 用 材 料 界 的 关 注 其 多 孔 结 构 有 利 于 人 体 体 液营 养成 分 的 传 输 有利 于 骨 的 论 , , , 张小 明 等 , , 稀有 金 属 材 料 与工 程 , . , , 矿 化组 织 和 纤 维 组 织 长 入 而 使其与 周 围 组 织 结 合 更 牢 固 , , . , , 这 种 集形 状 记 忆 功 能 超 弹性 生 物相 容 性 和 生 物 组织 固 定效 能 于 一 身 的骨 科 移植 材 料 将 有 十 分 广 阔 的 应 用 前 景 , . 张苇 材料导 报 , , , , , , , , , 参考 文献 , , , 责任 编 辑 合 合 合少 张汉 民 含 合 今 今 心七洲 , 夕 合 今公从 , 合 , 夕合 奋之 心口丈七人冷 上接 第 页 . 本 的 同 时获 得 较高 的光 吸 收 率 , , , , , , 参 考 文献 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 又, , , , , , , , , 杨 德 仁 网端麟 , , 全 国 半导 体 硅 材 料 学 术会 议 上 海 , , , , , , , , , , , , , , , , , , 玉 , , , , , , 寻 , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , 七 , , , , , , , , , , , 责任 编 辑 张 明 1994-2009 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved. 1