碳化硅的外延生长方法

资源描述

19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利说明(10)申请公布号CN107075728B(43)申请公布日2020.06.26(21)申请号 CN201680003693.7(22)申请日 2016.02.12(71)申请人昭和电工株式会社地址日本东京都(72)发明人伊藤涉;蓝乡崇;藤本辰雄(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所代理人刘航(51)Int.CI权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称碳化硅的外延生长方法(57)摘要本发明提供一种在采用热CVD法进行的SiC 薄膜的外延生长中能够提高掺杂密度的面内均匀性、并且使SiC薄膜以均匀的膜厚生长的方法。所述方法为碳化硅的外延生长方法，是将烃气体和硅原料气体以C/Si比成为0.5以上且1.5 以下的范围的方式向碳化硅单晶基板上供给，采用热CVD法在1500C以上且低于1800C的温度下使其反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，使烃气体接触加热到 1000C

展开阅读全文

碳化硅的外延生长方法

最新文档