ICT測試原理以及程序調試

ICT測試原理,程序調試ZhiChun.Wang2004.05.211.何為ICT?nICT即在線測試儀(In Circuit Tester),是一大堆高級電表的組合.電表能測到,ICT就能測到,電表測不到,ICT可能也測不到.2.ICT能測些什麼?nOpen/Short,R,L,C及PN結(含二極管,三極管,Zener,IC)3.ICT與電表有何差異?nICT可對旁路元件進行隔離(Guarding),而電表不可以.所以電表測不到,ICT可能測得到.4.ICT與ATE有何差異?nICT只能做靜態測試,而ATE可做動態測試.即ICT對被測機板不通電(不加Vcc/GND),而ATE則通電.例如:板上有一顆反向特性,而ICT不能測.從測量原理方面來講,ICT測試其實是歐姆定律的充分應用.歐姆定律:R=V/I,其中R即可認為是電阻,也可認為是其它阻抗,如:Zc容抗.Zl感抗.而V有交流,直流之分.I也一樣,有交流,直流之分.ICT量測原理1.量測R:單個R(mode 0,1):利用Vx=IsRx(歐姆定律),則Rx=Vx/Is.信號源Is 取恆流(0.1uA-5mA),量回Vx即可算出Rx.ICT量測原理 Rx(標準值)Is(常電流源)Is(低檔電流源)0Rx300ohm5mA0.5mA300Rx3Kohm0.5mA50uA3KohmRx30Kohm50uA5uA30KohmRx300Kohm5uA0.5uA300KohmRx3Mohm0.5uA0.1uARx3Mohm0.1uA信號源 Is與Rx關系表如左圖R/C(mode 2):信號源Vs取恆壓(0.2V),量回 Ix,Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix,算出Rx值.信號源取恆壓0.2V,是因為:1.電壓越小,則電容到飽和的時間就越短,電容充電飽和後,其相當于開路,測Rx就會準確.2.ICT量測放大器偵測電壓線性區間為0.15V-1.5V,不宜取低于此範圍的電壓.R/L(Mode3,4,5):信號源取交流電壓源Vs,籍相位法輔助.|Y|Cos=YRx=1/Rx,並Y=Ix/Vs 故:Rx=1/|Y|Cos大電流應用:R/C時,為測R,可以適當修改其Std_V(標準值),以便獲得系統提供更大測試電流,條件是R接近上表的下限值,如330ohm/100UF,則改Std_V標準值為299ohm,可提供5mA大電流,從而使測試更準確.小電流應用:R/D時,為測R,可以將Mode0改為Mode1,從而電流小一檔,R兩端壓降小于D導通電壓,使測試更準確.2.量測C,L:單個C,L(Mode0,1,2,3):信號源取恆定交流壓源Vs Vs/Ix=Zc=1/2fCx,求得:Cx=Ix/2fVs Vs/Ix=Zl=2fLx,求得:Cx=Vs/2fIx測試C或L時,取信號頻率(f)的原則:因為,Zc=1/2fCx,在實際測試時,我們希望Zc最好是在一定範圍內太大或太小,測試精度都會降低.我們假設Zc=常數,也即:f1/C,可見f與C互為反比,這樣我們得到一個重要的結論:大電容以低頻,小電容以高頻測試,效果最好.同理,我們也可以推出:f1/L,f與L互為反比.3.量測PN結:(D,Q,IC)信號源0-10V/3mA or 25mA可程式電壓源,量PN結導通電壓4.量測Open/Short:以阻抗值判定,先對待測板上所有PIN點進行學習,R25即歸為Short Group,然後Test時進行比較,R5判定為Open.5.Guarding(隔離)的實現:當Rx有旁路(R1)時,Ix=Is-I1Is,故:Vx/IsRx此時取A點電位Va,送至C點,令Vc=Va,則:I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix從而:Vx/Is=Rx R:在 E 編輯下,ALT-X查串聯元件,ALT-P查並聯元件.據此選好“信號”(Mode)和串聯最少元件的Hi-P/Lo-P,並ALT-F7選擇Guarding Pin.R/C:Mode2及Dly 加大(參考:T=5RC)R/D(or IC,Q):Mode R/R:Std-V 取並聯阻值 R/L:Mode 3,4,5;根據 Z1=2fL,故L一定時,若f越高,則Z1越大,則對R影響小.C:在編輯下一般根據電容值大小,選擇相應的Mode.如小電容(pF級),可選 高頻信號(Mode2,3),大電容(nf級)可選低頻信號(Mode0,1),然後ALT-F7 選擇隔離.3uF以上大電容,可以Mode 4,8直流測試.C/C:Std-V取並聯容值 ICT測試程序調試 1.程序調試注意事項:C/R:Mode 5,6,7,由Zc=1/2fC,故C一定時,f越高,Zc越小,則R的影 響越小.C/L:Mode 5,6,7,並且f越高效果越好.L:F8測試,選擇Mode0,1,2中測試值最接近Std-V,然後offset修正至準確.L/R:Mode 5,6,7.PN結:F7自動調整,一般PN正向0.7V(Si),反向(2V以上).D/C:Mode及加Delay.D/D(正向):除正向導通測試,還須測反向截止(2V以上)以免D反插時誤判.Zener:Nat-V選不低于Zener崩潰電壓,若仍無法測出崩潰電壓,可選 Mode1(30mA),另外10-48V zener管,可以用HV模式測試.Q:be,bc之PN結電壓兩步測試可判斷Q之類型(PNP or NPN),Hi-P一樣(NPN),Lo-P一樣(PNP),並可Debug ce飽和電壓(0.2V以下),注意Nat-V為be貪偏置 電壓.越大Q越易進入飽和,但須做ce反向判斷(須為截止0.2V以上),否則應 調濁Nat-V.電阻(R):1-40M:Mode 0,1,2 電容(C):1PF-3000PF:Mode 2,3 3nF-300nF:Mode 0,1,9 300nF-30uF:Mode 0,9,4 30uF-150uF:Mode 4,8 150uF-40mF:Mode 8 電感(L):1uH-8mH:Mode 0,1,2 8mH-8H:Mode 0,1 8H-60H:Mode 02.常用模式選擇3.ICT無法測試部份:(1)記憶體IC(EPROM,SRAM,DRAM.)(2)並聯大10倍以上大電容的小電容(3)並聯小20倍以上小電阻的大電阻.(4)單端點之路斷線(5)D/L,D無法量測(6)IC之功能測試(7)電解電容如果不用三點測試法,其方向不可測.