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第13章 24c02应用,特性,CAT24WC01 /02/04/08/1 6 1 K/2K/4K/8K/ 6K 位串行E PROM,特性 与 400KHz I 2 C总线兼容 工作电压范围1.8- 6.0伏 低功耗 CMOS技术 写保护功能 当 WP为高电平时进入写保护状态 页写缓冲器 自定时擦写周期 1,000,000 /编程 擦除周期 可保存数据 100年 8脚 DIP或 SOIC TSSOP封装 温度范围 -55 +125 商业级 工业级和汽车级,概述,IC总线EPROM芯片AT24C02,（1）引脚功能 图9-1 A） 为AT24C02芯片DIP封装引脚图，其中：SAD、SCL:IC总接口；A2A0:地址引脚； TEST:测试端，高电平有效；VDD、VSS:电源端和接地端。 （）电路设计 图9-1 B）为AT24C02应用电路，AT24C02的SDA和SCL 端分别接AT89S52虚拟IC总线接口VSDA和VSCL端， TEST端接地，A2、A1、A0可作为多片AT24C02寻地位，若只用一片AT24C02,A2、A1、A0接地。,3）寻址字节 AT24CXX的器件地址是1010，A2A1A0为引脚地址，按图9-1 B） 连接为000。,从器件地址格式为： 所以，当R/W=1时，读寻址字节SLAR=10100001B=A1H;R/W=0时， 写寻址字节SLAW=1010000B=AOH。,
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