常德半导体硅片项目投资计划书

泓域咨询/常德半导体硅片项目投资计划书目录第一章 项目概况6一、 项目名称及投资人6二、 编制原则6三、 编制依据6四、 编制范围及内容7五、 项目建设背景7六、 结论分析8主要经济指标一览表10第二章 市场分析12一、 半导体材料行业发展情况12二、 半导体硅片行业发展情况及未来发展趋势13第三章 背景、必要性分析23一、 半导体及半导体行业介绍23二、 行业发展态势与面临的机遇23三、 建设现代特色园区26四、 营造开放包容大环境26第四章 建筑工程方案29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案31三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表35第五章 项目选址可行性分析36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 发展壮大县域经济39四、 建设区域领先的国家创新型城市41五、 项目选址综合评价44第六章 运营模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及权限46四、 财务会计制度49第七章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事58三、 高级管理人员62四、 监事64第八章 劳动安全分析67一、 编制依据67二、 防范措施69三、 预期效果评价75第九章 环境保护方案76一、 环境保护综述76二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析80四、 建设期固体废弃物环境影响分析80五、 建设期声环境影响分析81六、 环境影响综合评价82第十章 项目规划进度83一、 项目进度安排83项目实施进度计划一览表83二、 项目实施保障措施84第十一章 项目节能分析85一、 项目节能概述85二、 能源消费种类和数量分析86能耗分析一览表87三、 项目节能措施87四、 节能综合评价88第十二章 投资计划方案89一、 投资估算的依据和说明89二、 建设投资估算90建设投资估算表92三、 建设期利息92建设期利息估算表92四、 流动资金93流动资金估算表94五、 总投资95总投资及构成一览表95六、 资金筹措与投资计划96项目投资计划与资金筹措一览表96第十三章 经济效益分析98一、 基本假设及基础参数选取98二、 经济评价财务测算98营业收入、税金及附加和增值税估算表98综合总成本费用估算表100利润及利润分配表102三、 项目盈利能力分析102项目投资现金流量表104四、 财务生存能力分析105五、 偿债能力分析105借款还本付息计划表107六、 经济评价结论107第十四章 项目招标方案108一、 项目招标依据108二、 项目招标范围108三、 招标要求109四、 招标组织方式111五、 招标信息发布113第十五章 风险防范114一、 项目风险分析114二、 项目风险对策116第十六章 总结分析119第十七章 补充表格121建设投资估算表121建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表128项目投资现金流量表129第一章 项目概况一、 项目名称及投资人（一）项目名称常德半导体硅片项目（二）项目投资人xx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准）。二、 编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。三、 编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；2、中国制造2025；3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。四、 编制范围及内容依据国家产业发展政策和有关部门的行业发展规划以及项目承办单位的实际情况，按照项目的建设要求，对项目的实施在技术、经济、社会和环境保护等领域的科学性、合理性和可行性进行研究论证。研究、分析和预测国内外市场供需情况与建设规模，并提出主要技术经济指标，对项目能否实施做出一个比较科学的评价，其主要内容包括如下几个方面:1、确定建设条件与项目选址。2、确定企业组织机构及劳动定员。3、项目实施进度建议。4、分析技术、经济、投资估算和资金筹措情况。5、预测项目的经济效益和社会效益及国民经济评价。五、 项目建设背景半导体行业市场规模总体呈波动上升趋势，主要受宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素的影响。根据WSTS数据，2011年至2021年，全球半导体行业销售额从2,995.21亿美元增长至5,558.93亿美元，销售额增长85.59%；其中2021年全球半导体行业销售额较2020年增长26.23%，为2010年以来的年度最大涨幅。根据WSTS预测数据显示，2022年全球半导体行业市场规模总体将继续保持增长，预计将增长10.37%至6,135.23亿美元。六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约42.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xx颗半导体硅片的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资19224.11万元，其中：建设投资15376.45万元，占项目总投资的79.99%；建设期利息391.64万元，占项目总投资的2.04%；流动资金3456.02万元，占项目总投资的17.98%。（五）资金筹措项目总投资19224.11万元，根据资金筹措方案，xx有限责任公司计划自筹资金（资本金）11231.57万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额7992.54万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：39000.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：31577.48万元。3、项目达产年净利润（NP）：5424.33万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.19%。5、全部投资回收期（Pt）：5.92年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：16153.10万元（产值）。（七）社会效益综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积28000.00约42.00亩1.1总建筑面积48488.021.2基底面积16240.001.3投资强度万元/亩358.132总投资万元19224.112.1建设投资万元15376.452.1.1工程费用万元13538.862.1.2其他费用万元1543.602.1.3预备费万元293.992.2建设期利息万元391.642.3流动资金万元3456.023资金筹措万元19224.113.1自筹资金万元11231.573.2银行贷款万元7992.544营业收入万元39000.00正常运营年份5总成本费用万元31577.486利润总额万元7232.447净利润万元5424.338所得税万元1808.119增值税万元1584.0010税金及附加万元190.0811纳税总额万元3582.1912工业增加值万元12026.8313盈亏平衡点万元16153.10产值14回收期年5.9215内部收益率21.19%所得税后16财务净现值万元9395.03所得税后第二章 市场分析一、 半导体材料行业发展情况半导体材料是半导体产业的重要组成部分。根据SEMI统计，自2016年至2021年，全球半导体材料市场规模自430亿美元增长至643亿美元，复合增长率为8.37%。按应用环节划分，半导体材料包括半导体制造材料与半导体封测材料，其中半导体制造材料市场规模占比较高。根据SEMI统计，自2018年开始，半导体制造材料市场规模保持占据半导体材料总体市场规模60%以上比例。2016年至2021年，半导体制造材料市场规模由248亿美元增长至404亿美元，复合增长率为10.25%，高于半导体材料总体增长率。半导体硅片作为最主要的半导体制造材料，是半导体器件的主要载体，下游通过对硅片进行光刻、刻蚀、离子注入等加工工序后用于后续制造。半导体制造材料还包括电子气体、光掩模、光刻胶配套试剂、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等。半导体硅片材料市场规模在半导体制造材料市场中一直占据着最高的市场份额。根据SEMI统计，半导体硅片、电子气体、光掩模占据全球半导体制造材料行业的主要市场份额，半导体硅片市场规模在半导体制造材料市场中占比最高。根据SEMI统计，从地区来看，中国大陆是仅次于中国台湾地区的半导体制造材料市场。合并来看，2021年度中国大陆和中国台湾地区半导体材料市场规模占比达41.45%，连续两年超过40%。根据SEMI统计，中国大陆半导体制造材料市场规模处于持续增长中，且于2021年首次实现百亿美元，达到119.29亿美元。其中2019年至2021年，中国大陆半导体材料市场规模从87.17亿美元增长到119.29亿美元，复合增长率为16.98%。根据SEMI预计，中国大陆半导体材料市场规模于2022年仍将保持增长。二、 半导体硅片行业发展情况及未来发展趋势1、半导体硅片介绍及主要种类（1）半导体硅片简介硅是常见的半导体材料之一。硅元素在地壳中含量约27%，仅次于氧元素。硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。二氧化硅经过化学提纯，成为多晶硅。多晶硅根据其纯度由低到高，一般可以分为冶金级、太阳能级和半导体级。其中，半导体级多晶硅的硅含量最高，一般要求达到9N至11N，是生产半导体硅片的基础原料。半导体级多晶硅通过在单晶炉内的晶体生长，生成单晶硅棒，这个过程称为晶体生长。半导体硅片则是指由单晶硅棒切割而成的薄片。下游在硅片上进行光刻、刻蚀、离子注入等后续加工。（2）半导体硅片的主要种类半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、5英寸（125mm）、6英寸（150mm）、8英寸（200mm）与12英寸（300mm）等规格，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。硅片的尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。另一方面，硅片的尺寸越大，在圆形硅片上制造矩形芯片造成的边缘无法被利用的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。以12英寸和8英寸半导体硅片为例，12英寸半导体硅片的面积为8英寸半导体硅片面积的2.25倍，但在同样的工艺条件下，12英寸半导体硅片可使用率（衡量单位硅片可生产的芯片数量的指标）是8英寸半导体硅片的2.5倍左右。但是自12英寸半导体硅片研发成功以后，由于尺寸继续扩大的全产业链投资和研发成本过大，半导体硅片产业尚未向更大尺寸发展。目前，全球市场主流的产品是8英寸、12英寸半导体硅片。半导体硅片的尺寸越大，相应半导体硅片生产线的投资规模越大，对半导体硅片企业的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。从下游适配的应用领域来看，8英寸及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等；12英寸半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端的应用领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片，抛光片是单面或者双面被抛光成原子级平坦度的硅片。随着集成电路制程向更先进、更精细化的方向发展，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，也可作为外延片和SOI硅片的衬底材料。根据半导体硅片中硼、磷、砷、锑等元素的掺杂浓度不同，半导体抛光片还可以进一步划分为轻掺抛光片和重掺抛光片，掺杂越多，电阻率越低。轻掺抛光片主要用于集成电路领域，重掺抛光片主要用于功率器件等领域。重掺抛光片通常经过后续外延加工后再进行下游应用，而轻掺抛光片通常可直接用于下游应用，因此，轻掺抛光片的技术难度和对产品质量的要求更高。抛光片经过外延生长形成外延片。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层具有特定掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因晶体生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、传感器以及硅光子器件等芯片产品。2、半导体硅片行业发展情况（1）全球半导体硅片产业链半导体硅片是芯片制造的核心关键材料，且在芯片制造材料成本中占比较高。半导体硅片企业的下游客户是芯片制造企业，包括晶圆代工厂商和IDM厂商。下游行业应用覆盖计算、无线通信、消费电子、汽车电子、工业电子、存储和有线通信等。（2）行业竞争格局及发展趋势半导体硅片行业市场集中度比较高，由于半导体硅片行业技术难度高、研发周期长、客户认证周期长等特点，率先掌握先进技术的少数企业占据着绝大部分的市场份额。根据SEMI数据，2018年至2020年，信越化学、SUMCO、环球晶圆、SiltronicAG、SKSiltron国际龙头半导体硅片制造商合计占有市场份额分别为92.57%、90.75%和86.61%。虽然当前国际龙头半导体硅片制造商占有的市场份额很高，但随着中国大陆半导体硅片企业的积极扩产，市场份额正在快速提升。此外，中国大陆正在成为全球半导体产能第三次扩张的重要目的地。随着晶圆厂产能紧缺，中国大陆晶圆代工厂中芯国际、华虹半导体，中国台湾地区晶圆代工厂台积电、联华电子股份有限公司等晶圆厂接连在中国大陆扩产、建厂，加速国内半导体产业发展和布局，中国大陆半导体硅片制造商也将获得前所未有的发展机遇。（3）全球半导体硅片市场规模与发展趋势半导体行业与全球宏观经济形势和终端市场需求紧密相关。2011年至2013年，全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷，半导体硅片行业亦随之低速发展，2013年全球半导体硅片市场规模仅为75.4亿美元。2014年受汽车电子及智能终端市场需求影响，2016年受传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长以及新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，自2018年开始连续突破百亿美元市场规模。从全球半导体硅片出货面积上分析，2011年至2018年，全球半导体硅片出货面积一直保持增长趋势。虽然2019年受宏观经济波动及半导体产业景气度下降的影响，2019年度全球半导体硅片出货面积出现暂时性下滑，但于2020年和2021年实现了回升。根据SEMI统计，2019至2021年，全球半导体硅片出货面积分别为116.77亿平方英寸、122.90亿平方英寸以及140.17亿平方英寸，全球半导体硅片出货面积稳定在高位水平。2020年和2021年，全球半导体硅片出货面积同比增长分别为5.26%和14.05%。2011年至2016年，全球半导体硅片价格呈现下降趋势，主要受12英寸大硅片的普及造成单位面积制造成本下降、全球半导体硅片厂商扩产导致的竞争加剧、下游终端市场需求低迷等因素的叠加影响。2016年，随着下游终端市场需求增加及新兴终端市场规模的扩张，全球半导体硅片市场价格止跌反弹。根据SEMI统计，2019年至2021年，全球半导体硅片销售单价分别为0.95美元/平方英寸、0.90美元/平方英寸以及0.98美元/平方英寸，销售单价稳定在较高水平。（4）全球各尺寸半导体硅片市场情况及发展趋势全球半导体硅片市场最主流的产品规格为12英寸硅片和8英寸硅片，8英寸硅片出货面积保持相对平稳状态，12英寸硅片出货面积保持波动上涨。自2011年以来，6英寸及以下小尺寸硅片的需求持续存在，但受技术升级、大尺寸硅片供给增加等不利因素的影响，6英寸及以下小尺寸硅片出货量基本维持在相对稳定水平。近年来，12英寸硅片和8英寸硅片出货面积市场份额持续维持在很高水平，2021年分别为68.47%和24.56%，两种尺寸硅片合计占比保持超过90%，是当前半导体硅片下游市场需求的主要尺寸。随着全球半导体硅片出货面积的增长，6英寸及以下小尺寸硅片的市场份额有所下降，至2021年约为全球半导体硅片出货面积的6.97%。2011年开始，8英寸半导体硅片市场占有率稳定在24-27%之间。2017年至2018年，由于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从6英寸转移至8英寸，带动8英寸半导体硅片继续保持增长。根据SEMI统计，8英寸半导体硅片出货面积从2016年的2,690.27百万平方英寸上升至2018年的3,278.43百万平方英寸，复合增长率为10.39%。受全球贸易摩擦及全球智能手机、汽车销量下滑和新冠疫情的影响，2019年8英寸半导体硅片的出货面积下降至2,967.48百万平方英寸，2020年继续下滑，降至2,945.59百万平方英寸。2021年恢复增长趋势，8英寸半导体硅片的出货面积增长至3,442.81百万平方英寸，较2020年增长16.88%。据SEMI预计，2022年和2023年，8英寸半导体硅片出货量有望保持持续增长，分别达到3,608.26百万平方英寸和3,642.29百万平方英寸。下游模拟器件、功率分立器件、CMOS图像传感器等细分市场规模的稳步增长，为8英寸半导体硅片需求增长提供长期稳定的驱动力。12英寸半导体硅片自2000年以来市场需求增加，出货面积不断上升。2000年至2021年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展。根据SEMI统计，12英寸半导体硅片出货面积从94百万平方英寸扩大至9,597.72百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2021年的68.47%，成为半导体硅片市场最主流的产品。根据SEMI预计，2022年和2023年，12英寸半导体硅片出货量仍将保持增长并突破百亿平方英寸规模，分别达到105.84亿平方英寸和108.76亿平方英寸。12英寸半导体硅片需求占比最大的终端应用为智能手机，其次为数据中心、PC/平板电脑、汽车，数据中心和汽车对12英寸半导体硅片的需求增长最为快速。半导体硅片直径的提升使得硅片面积平方级增长，进而使得单片硅片能产出的芯片数量也翻倍增长。硅片直径越大，芯片的平均生产成本越低，进而提供更经济的规模效益。但与此同时，生产更大直径的硅片，其所需要的生产工艺改进成本、设备性能提升，也将在投产初期给厂商带来更高的固定成本投入。此外半导体硅片制造商的技术发展与下游芯片制造企业对硅片的需求相匹配，半导体硅片尺寸的扩大需要半导体产业上下游的协同发展。因此，8英寸和12英寸半导体硅片仍然是市场主流尺寸。（5）中国大陆半导体硅片市场规模与发展趋势中国大陆半导体硅片市场规模是全球半导体硅片市场的重要组成部分，在全球半导体硅片市场中占比呈增长趋势。根据SEMI统计，2011年至2014年，中国大陆半导体硅片市场规模占全球半导体硅片市场规模的比例维持在5%至5.5%之间，于2015年首次突破6%的市场规模占比，此后中国大陆半导体硅片市场规模持续扩大。中国大陆半导体硅片市场规模2019年至2021年连续超过10亿美元市场规模，分别为10.71亿美元、13.35亿美元和16.56亿美元。同时，中国大陆半导体硅片市场规模占全球半导体硅片市场规模的比例也逐年上涨，2019年至2021年分别为9.60%、11.95%和13.20%。第三章 背景、必要性分析一、 半导体及半导体行业介绍半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅等化合物半导体。半导体产业以半导体材料和设备产业为依托，主要包括设计、制造和封装测试等制造环节。根据WSTS分类标准，半导体产品主要可分为集成电路、分立器件、传感器与光电子器件四种类别，并广泛应用于移动通信、计算机、云计算、大数据、汽车电子、物联网、工业电子、人工智能、军事太空、虚拟现实、LED和智能穿戴等行业。半导体产业在保障国家安全、促进国民经济增长过程中起到了基础性、决定性作用，而半导体材料产业得益于其较高的附加值和对整个电子信息产业的支撑作用，是整个半导体产业发展的基石。二、 行业发展态势与面临的机遇1、全球半导体行业区域转移全球半导体产业链历史上曾经历过两次地域上的产业转移，第一次为20世纪70年代从美国向日本转移，第二次是20世纪80年代从美国、日本向韩国和中国台湾地区转移。目前，全球半导体产业正处于向中国大陆地区转移的进程之中半导体材料行业作为半导体产业的主要支撑性行业有望持续增长。在半导体产业向中国大陆转移的背景下，中国大陆作为全球最大的半导体终端应用市场，将有望吸引更多境内外半导体企业在中国大陆建厂，将进一步提升国内半导体材料产业链的整体发展水平，中国大陆半导体硅片需求将不断增长。2、国家产业政策的有力支持半导体硅片行业属于半导体行业的细分行业，为国家重点鼓励扶持的战略性新兴行业。近年来国家和各级地方政策不断出台针对集成电路产业的鼓励和支持政策。2014年国务院出台了国家集成电路产业发展推进纲要，着力推动中国集成电路产业的发展，在关键材料领域形成突破，开发大尺寸硅片等关键材料，加快产业化进程，增强产业配套能力；2017年工信部出台的新材料产业发展指南，明确提出加强大尺寸硅材料、大尺寸碳化硅单晶、高纯金属及合金溅射靶材生产技术研发，加快高纯特种电子气体研发及产业化，解决极大规模集成电路材料制约；工信部出台的重点新材料首批次应用示范指导目录（2021版），将8-12英寸硅单晶抛光片、8-12英寸硅单晶外延片确定为先进半导体材料；2020年，国务院出台的新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，从财税、投融资、研发开发、进出口、人才、知识产权、市场应用和国际合作八个方面制定相关政策，进一步优化集成电路产业的发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量；国务院2016至2022年历年政府工作报告中均明确提出了促进科技创新、发挥创新驱动等。国务院及各相关部委的相关政策支持为中国集成电路产业持续发展创造了良好的政策环境。3、芯片制造企业等积极扩产带动半导体硅片需求的增长在终端应用市场的增长背景下，全球知名的晶圆代工厂商和IDM厂商等芯片制造企业开始加大投入扩大产能，台积电、三星、英特尔均推出了扩产计划。根据SEMI统计，到2022年全球将新扩建29座晶圆厂，其中2021年开始投建19座，2022年开始投建10座。中国大陆方面，以长江存储、合肥长鑫为代表的中国大陆存储器厂商也迅速扩产。此外中芯国际、华虹半导体、士兰微、华润微等晶圆代工厂及IDM厂商均在推进产能爬坡、扩产。以中芯国际为例，截至2022年6月末，中芯国际在上海、北京、深圳各有一座12英寸晶圆厂处于建设过程中。受益于中国大陆芯片制造企业产能的扩张，并基于半导体产业链本土化的考虑，有望直接带动对国产半导体硅片需求的增长，国产半导体硅片出货面积有望加速增长。4、12英寸半导体硅片国产替代空间广阔从硅片尺寸需求来看，当前8英寸、12英寸半导体硅片需求旺盛。根据SEMI预测，保守预计2020年至2024年全球8英寸半导体硅片出货量增幅或高于20%，12英寸半导体硅片市场份额同样保持增长，2022年市占率或增加至70%。在中国大陆市场，12英寸半导体硅片绝大部分均来自进口，目前中国大陆掌握且能实现12英寸半导体硅片量产的企业较少，12英寸半导体硅片国产替代空间广阔。三、 建设现代特色园区1、明晰园区功能定位，推动产业布局进一步向“专精特新”聚焦，力争每个园区培育1-2个产值过50亿元的“镇园之宝”，到2025年力争1家园区进入全国前50强。2、完善园区道路、供水、排水、电力、天然气、热力等基础设施，实施园区智能化、自动化、数字化改造，力争五年完成500万平方米标准化厂房建设。3、支持园区整合现有公共服务、科技创新平台，建设一批产业服务综合体和知识产权综合服务分中心。4、设立企业、产业、园区三级高质量评价体系，探索亩均效益评价制度，实施低效用地退出机制。四、 营造开放包容大环境坚持营商环境就是生产力，树立“做好政府的事，让市场选择”理念，聚焦市场主体关切，为投资兴业、创新创业创造更好环境。（一）营造一流营商环境（1）清理简并多部门、多层级重复审批，推动下放区县（市）和园区经济社会管理权限落地。（2）持续推进“一件事一次办”和“证照分离”全覆盖试点，进一步融合线上线下服务，推进“一网通办”“一次办好”“掌上可办”。（3）加快清理妨碍市场公平的政策规定，全面落实减税降费政策，精准实施“暖企行动”，完善领导干部联系重点企业制度，持续降低企业用地、用工、用气、物流成本，有针对性破解企业资金、人才、技术要素瓶颈。（4）完善常德智慧信用平台，建立权威、统一、可查询市场主体信用信息库，强化跨行业、跨领域、跨部门守信联合激励和失信联合惩戒，探索建立信用修复机制，退出常德个人信用积分，拓展信易+惠民便企应用，积极创建全国社会信用体系建设示范城市。（5）积极创建区块链示范城市，发挥区块链在优化业务流程、降低运营成本、提升协同效率、建设诚信体系中的作用。（6）实施“双随机一公开”监管，健全跨部门随机抽查事项清单，除特殊行业和重点领域外，所有涉企行政检查应做到“双随机一公开”。（7）深入开展专项整治，查处影响发展环境突出问题，“十四五”期间营商环境评价持续保持全省前列。（8）健全支持民营企业发展的法治环境、政策环境和市场环境。（二）构建产业生态系统（1）牢固树立集群式发展理念，推动产业空间布局向优势区域、高能级平台、创新创业新空间集中，提高规模经济效益和范围经济效益。（2）构建产业集群和产业链平台体系，围绕产业链龙头企业搭建产业链招商平台、公共服务平台，形成“一企业+两平台”格局。（3）强化产业功能要素同城配套，聚焦头部企业本地化配套需求，面向全国吸纳配套要素，整合区域资源和生产能力，构建适配超前的人力资源体系、教育体系、金融体系，提升本地化配套率和配套水平。（4）提升招商引资能力，建立动态管理的客商信息库、项目信息库、产业布局图、跟踪服务图，与重点城市、园区、商会、行业协会建立战略性结对关系，加强产业链招商、委托招商、基金招商、技改扩规招商、专业园区招商、亲情招商，勇于探索具有开创性的招商模式，旗帜鲜明树立招大引强导向，力争五年新引进50亿元以上项目25个、10亿元以上项目150个。（5）做优做强产业投资基金，提升市场化投资运作水平，打造常德基金管理品牌。（6）优化产业发展承载空间，坚持高起点规划、高标准建设，全力提升筑巢引凤能力。第四章 建筑工程方案一、 项目工程设计总体要求（一）建筑工程采用的设计标准1、建筑设计防火规范2、建筑抗震设计规范3、建筑抗震设防分类标准4、工业建筑防腐蚀设计规范5、工业企业噪声控制设计规范6、建筑内部装修设计防火规范7、建筑地面设计规范8、厂房建筑模数协调标准9、钢结构设计规范（二）建筑防火防爆规范本项目在建筑防火设计中从防止火灾发生和安全疏散两方面考虑。一是防火。所有建筑均采用一、二级耐火等级，室内装修均采用不燃或难燃材料，使火灾不易发生，即使发生也不易迅速蔓延，同时建筑内均设置了消火栓。防火分区面积满足建筑设计防火规范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物间距、道路宽度等均应满足防火疏散的要求，便于人员疏散。建筑物的平面布置、空间尺寸、结构选型及构造处理根据工艺生产特征、操作条件、设备安装、维修、安全等要求，进行防火、防爆、抗震、防噪声、防尘、保温节能、隔热等的设计。满足当地规划部门的要求，并执行工程所在地区的建筑标准。（三）主要车间建筑设计在满足生产使用要求的前提下，本着“实用、经济”条件下注意美观的原则，确定合理的建筑结构方案，立面造型简洁大方、统一协调。认真贯彻执行“适用、安全、经济”方针。因地制宜，精心设计，力求作到技术先进、经济合理、节约建设资金和劳动力，同时，采用节能环保的新结构、新材料和新技术。（四）本项目采用的结构设计标准1、建筑抗震设计规范2、构筑物抗震设计规范3、建筑地基基础设计规范4、混凝土结构设计规范5、钢结构设计规范6、砌体结构设计规范7、建筑地基处理技术规范8、设置钢筋混凝土构造柱多层砖房抗震技术规程9、钢结构高强度螺栓连接的设计、施工及验收规程（五）结构选型1、该项目拟选项目选址所在地区基本地震烈度为7度。根据现行建筑抗震设计规范的规定，本项目按当地基本地震烈度执行9度抗震设防。2、根据项目建设的自身特点及项目建设地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产车间采用钢结构，采用柱下独立基础。3、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积48488.02，其中：生产工程33509.62，仓储工程6180.94，行政办公及生活服务设施4432.15，公共工程4365.31。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程9256.8033509.624379.371.11#生产车间2777.0410052.891313.811.22#生产车间2314.208377.411094.841.33#生产车间2221.638042.311051.051.44#生产车间1943.937037.02919.672仓储工程3572.806180.94497.922.11#仓库1071.841854.28149.382.22#仓库893.201545.23124.482.33#仓库857.471483.43119.502.44#仓库750.291298.00104.563办公生活配套833.114432.15656.503.1行政办公楼541.522880.90426.733.2宿舍及食堂291.591551.25229.774公共工程2598.404365.31406.62辅助用房等5绿化工程4510.8074.97绿化率16.11%6其他工程7249.2016.807合计28000.0048488.026032.18第五章 项目选址可行性分析一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况常德，古称“武陵”、“朗州”，湖南省辖地级市。位于湖南北部，江南洞庭湖西侧，武陵山下，史称“川黔咽喉，云贵门户”，是长江经济带、长江中游城市群、环洞庭湖生态经济圈的重要城市。全市总面积1.82万平方千米。根据2020年第七次人口普查数据，全市常住人口527.91万人。常德城名源自老子“为天下溪，常德不离”；历史故事“刘海砍樵”、“孟姜女哭长城”以及陶渊明笔下的桃花源记等浪漫主义情结贯穿常德城二千多年的历史，开创了常德独有的“善德文化”。常德先后荣获全国文明城市、中国优秀旅游城市、国家卫生城市、国家园林城市、中国首届魅力城市、国际湿地城市、国际花园城市、全国交通管理模范城市、国家环境保护模范城市、中华诗词之市等称号。2017年，常德市复查确认继续保留全国文明城市荣誉称号。2018年重新确认国家卫生城市（区）。全市经济社会发展取得巨大成就，决胜全面建成小康社会和“十三五”规划圆满收官，为开启全面建设社会主义现代化新征程奠定了坚实基础。综合实力实现大跨越。全面小康实现程度位居全省第一方阵，市县两级全部达标。地区生产总值达到3749.1亿元、比2015年增加1000亿元以上，地方一般公共预算收入达187.86亿元、进入全省前三，固定资产投资累计突破1万亿元，社会消费品零售总额接近1500亿元，经济结构不断优化，城市综合经济竞争力进入全国百强。深入推进开放强市产业立市，把握发展脉络和战略重点，依靠开放汇聚生产要素，依靠产业打牢发展根基，推动经济社会发展更具活力、更有效率、更可持续，探索走出一条大湖地区高质量发展的新路子。重点把握以下要求：明确“一个中心”发展目标。大力提升城市资源集成力、城市辐射力，积极承担全省对接成渝地区双城经济圈桥头堡、泛湘西北地区核心增长极职能，围绕区域产业中心、消费中心、科技创新中心、教育中心、医疗中心和金融中心，致力建设现代化区域中心城市。构建“两个枢纽”发展优势。强化铁路、公路、水运、航空交通体系支撑，着力建设高铁“一枢纽四通道”、高速“五通道四连线”、水运“一港两区三航道”。强化物流设施支撑，打造标志性平台，畅通内畅外联网络。建设区域性现代综合交通枢纽和现代物流枢纽，全力提升区域竞争力。打造“三个基地”发展平台。落实湖南打造国家重要先进制造业高地战略要求，立足常德制造业基础和优势，全力打造全国重要先进制造业基地；围绕保障国家粮食安全、推进乡村振兴，立足常德传统优势，大力发展农产品精深加工，提升“洞庭鱼米之乡”美誉，全力打造全国生态农产品基地；顺应人民群众健康生活新期待，发挥常德区位、生态、文化优势，布局发展以医疗、康养、文旅、度假为主体的大健康产业，全力打造全国大健康产业基地。到二三五年，经济和科技实力、城市影响力大幅提升，地区生产总值和城乡居民收入迈上新台阶，GDP迈入万亿俱乐部，全面建设成为现代化区域中心城市，基本实现社会主义现代化。经济比较优势进一步增强，三次产业形态发生巨大变化，建成现代化经济体系。思想和制度开放程度达到新高度，交通组织形式发生重大改变，营商环境位居中部地区前列，成为中部地区开放型经济战略支点。全市城镇化率达到70%，中心城区人口达到160万人，生产生活生态三大空间相生相融；城市管理更加精明，万物互联的信息化技术广泛应用，建成新型智慧城市。美丽乡村普遍建成，成为休闲度假重要目的地。社会文明程度达到新的高度，城市文化软实力显著增强。城乡居民收入水平和生活质量大幅提高，中等收入群体比例逐步提升，橄榄型社会结构形成雏形。法治城市、法治政府、法治社会加快构建，各方面制度更加完善，市域治理体系和治理能力现代化加快推进。人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，人们更加注重自身价值实现，全体人民共同富裕取得明显的实质性进展。三、 发展壮大县域经济把县域经济作为富民强市的重要支撑，充分激发县域活力，加快补短板强弱项，提升承载能力，推动县域经济特色化、集群化、品牌化。（一）激发县域发展活力（1）坚持把深化改革作为激发县域发展活力的首要因素，以审批管理、选人用人、薪酬改革、容错机制改革和激发市场主体活力为重点，破除阻滞县域发展的体制机制性障碍。（2）加强发达地区创新性成果借鉴运用，强化前沿性产业研究，探索招商引资模式，前瞻布局一批产业、科技平台和重大基础设施。（3）以高质量发展监测评价指标体系为导向，优化县域考核评价体系，根据各地主体功能、资源禀赋、产业特色、发展程度、比较优势，建立更为精细的区域差异化评价机制。（二）推进产业优势转化（1）将打好“特色牌”和走出“优势路”作为县域经济发展的基本遵循，根据县域资源禀赋和产业基础，科学确定主导产业、特色产业。（2）坚持县域经济和园区经济双轮驱动，全力提升县城管理水平和园区集聚度。（3）大力发展“拳头级”产业，推动优势资源向核心产业聚焦，精心布局产业链、创新链、供应链、资金链，逐步形成“一县一特”产业格局。（4）大力培育产业品牌，打造细分市场“单打冠军”。（5）有效发挥县域地缘优势，建立跨区域合作机制和利益共享机制，强化跨县、跨市、跨省横向合作以及市、县、乡（镇）、村（居）纵向联系。（三）提升县城承载能力加快推进县城补短板强弱项工程，重点推进公共服务设施提标扩面、环境设施提级扩能、市政设施提档升级、产业平台设施提质增效四大领域建设任务，将县城建成农业转移人口就近就业的主载体。（四）第四节加强区域交流和对口支援坚持交通互联、平台共建、资源共享、发展共赢，加快推进湘鄂西、湘鄂川（渝）黔革命老区建设，建成全国跨区域合作示范区。加强与湘南湘西承接产业转移示范区、洞庭湖生态经济区等重点城市合作，促进互利共赢发展。推进常（德）荆（州）宜（昌）经济协作，利用跨江高速公路和高铁通道，构建长江中游城市群全方位、多层次、宽领域的协作格局。扎实做好西藏隆子县、湘西古丈县、三峡库区和怀化托口库区援建工作。四、 建设区域领先的国家创新型城市坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，面向科技前沿、经济主战场、国家需求和人民生命健康，推动创新平台、主体、项目、人才、服务“五创”联动，促进产业链、创新链、资金链、服务链“四链”融合，建成国家创新型城市和区域科技创新中心、科技金融中心、科技服务中心、科技人才中心。（一）强化企业创新主体地位（1）发挥产业链龙头企业创新骨干作用，支持建设行业研究院和牵头组建产业技术创新联盟，重点聚焦工程机械、新能源汽车、军民融合等领域实施一批重大科技攻关和成果转化与产业化项目。（2）加强小微科创企业孵化，大力支持具有创新精神的“小人物”、具有市场前景的“小项目”，到2025年力争科技型中小企业当年入库达到800家。（3）引导区县市、科技园区、孵化器制定高新技术企业培育计划，建立高新技术企业储备库，到2025年力争高新技术企业达到550家以上。（4）支持企业自建研发机构，支持龙头企业创建国家级研发机构和海外研发机构，鼓励大中型企业申报省级以上工程技术研究中心、重点实验室，到2025年高新技术企业研发机构基本覆盖，规上工业企业自建研发机构达到50%以上。（二）加强重大科技平台建设（1）着力培育国家级研发平台。依托重点龙头企业，加强高校和科研院所合作，重点支持甾体生物医药国家重点实验室（筹）、省部共建水产生物与环境国家重点实验室（筹）建设，力争实现国家级研发平台零的突破。（2）构建“4+4+N”产业链创新平台体系。以四大千亿产业、四条新兴产业链为重点，数字经济、物联网、人工智能、共享经济、平台经济、海绵城市治理等N个新兴业态为突破，形成“一链一平台”格局。（3）建设高层次科研创新平台。支持中科多源电力融合技术研究院、湖南新合新生物医药华东理工大学协同创新研究院、湖南文理学院人工智能与生物医药和农业生物大分子研究中心建成综合性集成性创新中心。（4）加强与市内重点企业总部对接，力争布局一批细分领域的重点实验室、鉴定中心。（5）大力发展研究院经济，吸引集聚专家院士、科创团队来常开展科创活动。（6）积极争取国家桃花种质资源库落户常德。（三）提升科技创新服务能力（1）建设科技创新服务中心，依托常德创新孵化基地，建设潇湘（常德）科技要素（技术交易）市场。（2）支持企业、科研院所在岳麓山国家大学科技城、广深港澳科技创新走廊、北京中关村等创新资源集聚地设立离岸科创平台。引导园区、企业对接知名高校、科研院所，培育一批省级技术转移机构，建立一批高校、科研院所技术转移基地和科技成果转化平台。（3）实施“双创”载体倍增计划，支持中国科技开发院创新孵化园及优质省级科技企业孵化器升级为国家孵化器，支持“德创工坊”升级为国家级产业发展专业化众创空间，新增省级、市级“双创”载体100家以上。（4）支持津澧两地联合申建国家级高新区、石门经开区转型省级高新区、安乡县创建省级农业科技园区。（5）发展和引进一批民营科技服务机构，提供全链条全方位科技服务。（6）探索设立常德科创天使基金、科技成果转化基金，以股权、债权投资促进一批技术成果转化、产业化，走“基金+园区”路子。支持符合条件的创新企业上市、挂牌交易以及发行企业债、公司债和票据，争取发行基础设施领域不动产投资信托基金（REITs）。（7）加大企业研发投入奖补。（8）加强“高、专、尖、缺”人才引育，培育常德企业科技特派员团队，评选200名以上市级科技创新人才。（9）创新科普工作思路，大力开展科普宣传活动，提升全民科学素养。（四）推动科技成果转化与应用（1）推进“政产学研金用”深度融合。创新“智汇洞庭科创常德”活动形式，推动“教授博士沅澧行”活动纵深发展，持续推进“三名”工程，积极争取省科创金融服务分中心试点，建立完善科技贷款风险