K9F1G08UOM数据手册

K9F1G08UOM数据手册128M*8BM/64M*16BttNANDHashMemory产品列表型号供电电压范围组织封装K9F1G08QOM-Y1.651.95VX8TSOP1K9F1G16QOM-YX8K9F1G08UOM-Y2.7-3.6VX8K9F1G16UOM-YX8K9F1G08UOM-VX8WSOP1特性1. 供电电压1.8V设备(K9F1G*QOM):1.701.95V3.3V设备(K9F1G*UOM)：2.73.6V2. 结构：-存储单元阵列：*8设备(K9F1GO8*OM)：(128M+4096K)Bit*8Bit*16设备(K9F1G16*OM)：(64M+2048K)Bit*8Bit数据寄存器：*8设备(K9F1GO8*OM)：(2K44)Bit*8Bit*16设备(K9F1G16*OM)：(IK+32)BitH：8Bit缓冲寄存器:*8设备(K9F1GO8*OM)：(2K44)Bit*8Bit*16设备(K9F1G16*OM)：(IK+32)Bit*8BitH动编程与芯片擦除：项编程:*8设备(K9F1GO8*OM)：(2K44)Bit*8Bit*16设备(K9F1G16*OM)：(IK+32)Bit*8Bit块擦除：*8设备(K9F1GO8*OM)：(128K+4K)Bit*8Bit*16设备(K9F1G16*OM)：(64K+2K)Bit*8Bit4. 读页大小；-页大小：*8设备(K9F1GO8*OM)：2K字节*16设备(K9F1G16*OM)：1K字节随机最大读取时间：25微秒。连续存取时间：50纳秒。5. 快速写循环时间：页编程典型时间：300微秒。-块擦除典型时间：2毫秒。6. 命令/地址/数据复用端口：7. 硬件数据保护：编程/擦除操作在电源转换时关闭。&可靠的CMOS浮置门技术：保证：100K编程/擦除次数。数据保持时间：10年。9. 命令寄存器操作10. 为高速编程设置的缓冲编程操作。11. 通电自动读操作。12. 智能复制拷贝操作。13. 为防盗版而设置的唯一的LD保护。14. 封装。K9F1GXXX0M-YCB0/YIB048PinTSOP1(12x20/0.5mmpitch)K9F1G08U0M-VCBOA/IBO48-PinWSOPI(12X仃X0.7mm)器#述JiLK9F1GXXX0M提供了128M*8Bit/64M*16Bit的存储容量，另外还有32M的空闲存储器，它是采用NAND技术的大容量、高可靠的Flash存储器。它对2112字节一页(*8device)或者1056字(*16device)一页的写操作。典型时间是300微秒。对128字节/64K字一块的擦除时间是50纳秒。输出引脚可以作为数据/地址/命令复用。每一页的数据读出时间也很快，平均每个字节只需50纳秒。片内的写控制器，可以H动执行写操作和擦除功能，包括必要的脉冲产生器，内部校验和冗余数据。K9F1G08提供了实时映像算法的纠错码，写操作系统可以利用K9F1G08U0M扩展的100K编程/擦除。K9F1G08U0M为大容量存储，新型电可擦写的非易失性半导体存储器，提供了最优方案。引脚名称(TSOP1)K9F1GXXXOM-YCBO/YIB0XUX8X8X162727矗8h0e013w012REWI.C上l.cgrob:盎010800嶺VHUMHHhMnMhNhHUMUMPVN忖MMHnuUMHHMbHunHnuV48474645444342414C39323736353乙3332313C2S2348-pmTSOPlStandardType12mmx20mm234567&91011121314151617181&2021222324CCCCCQXECCMCCF-ipcccccH.H.M.H.M.H.tJHCH.H.vvM.M.xAgvvM.M.H.H.M.CCC.C.CC汨3E筑.C.CMMeJxccccnnnnnnrcnnvvnnvnnnnn27封蘇寸引脚名称(WSOP1)K9F1G08UOM-VCB0/VIB0二吕二二弓|1弓二弓二二弓二弓二二W45474645444342414D303B373635343332313D2e28272625O12345&了8910111213141618仃181fi2()21222324stccuccugN.N.DhN.N.N.p.sss爼wi.cjlssi.cwlele-pccuccWN.M加N.N.封蘇寸48-PINLEADPLASTICVERYVERYTHINSMALLOUT-LINEPACKAGETYPE(I)0.70MAX4$0.4*.引脱明1.1/00-1/07：数据输入输出，在读操作期间，I/O引脚被用作输入命令/地址/数据。当芯片未被选中或输出，I/O呈高阻状态。I/O8-I/O15仅用于叮6结构存储器中。当操作写8位地址或命令输入时I/O81/015不世冃作输入命令或者地址，I/O8-I/015被用丁数据输入或输出。2. CLE：命令锁存允许。CL巳榆入使输入的命令发送到命令寄存器。电平为高，（耳芯片使能信号上升沿，输入的命令通iil/08-1/01锁存到命令寄存器。3. ALE：地址锁存允许。ALE控制地址输入到片内的地址寄存器。在电平为高时，在曲（写芯片使能）信号上升沿时，地址被锁存。4 .CE：选通芯片使能，片送信号，当器件在忙状态时，CE=1被忽略，器件不会回到等待状态。5 .RE：读芯片使阖，在RE的卜降沿，RE控制把数据放到数据总线上，数据输出控制，Trea时间后数据有效，同时使用内部的列地址H动加1。S芯片使能。控制把数拯从I/O写入。命令CLE/地址ALE/数据CE在7. VF：写保护。为不在意的写/擦除操作提供保护。时（低电平有效）内部的高压生成器复位。8. R/B：准备/忙输出.R/B反应当前设备的状态，与它是低电平时，表示编程/擦除操作或随机读写正在进彳亍中，在R/B=l时，表示这些操作已经完成，它采用开漏输出结构，在芯片未被选中时，不会保持为高阴状态。9. PRE：通电读操作，PRE用丁控制通电时的|动读操作，半PRE接到VCC实现通电|动读操作。10VCC：电源端。11.VSS：芯片接地端。12.ZC：悬空。注童：把各个器件的VCC或者VSS接到共同的电源输出端，不可以把VCC或者VSS悬空。|共地问题）表“K9F1G08*OM（*8）功能化模块结构图表2畀K9F1G08*OM(*8)存储阵列结构PageRegister2KBytesz2KBytes|f4B/ies/64KPagesf=1.024BlOCkS)1Block=64Pagesz(12AK$4kiB/te1Page=(2K&4)B/tes1Block=(2K64.)8x64Pages,28KTK)B血1Devke=x64Pagesx1024.Bloeks=1056MbitsW1/001/01I/O21/03I/O41/05I/O61/07.第一周期A0A1A2A3A4A5A6A7第二周期A8A9A10AllLLLL第三周期A12A13A14Al5A16Al7A18A19第四周期A20A21A22A23A24A25A26A2764Bytes注意：列地址：寄存器开始的地址。*L必须被置f|。水除咚求的地址周期，存储器禁止输入任何额外的地址周期。表1-2K9F1G16*OM(*16)功能化樓块结构图OLEALEPREwp表22K9F1(M6*OM(U6)存储阵列结构W-KPages(=i.O24BlocksWQOI/O110210410510$MQ7IQ8-151stCycteAOA1A2AlA4ASAeA?LColumnAddiress2MCycleA42AI7L*LLColumnAddress3rdCyeleAnA12AnAmAf5Al8A17AiaLRowAddress4thCycleAwA2CA21A22A23A24A25AmRowAddress注意：列地址：寄存器开始的地址。水L必须被置低。产品说明K9F1G*OM是1056Mbit存储容量,包括65536行,和2112*8(8位)列或1056*16(16位)列。在列地址的2048-2111(*8device)包括空闲的64(*8)列,一个2们2字节数据寄存器和2X2字节缓冲寄存器互相联系。在读操作，和写操作时，为在I/O缓冲区和存储单元之间方便的传输数据，这些数据寄存器和命令寄存器互相联系着。存储单元由32个互相联系的存储单元组成一个NAND结构，每个存储阵列在不同的页中。一块包括64页，由2个NAND结构组成，总计32个存储阵列，总计33792NAND结构。读操作和写操作都是以页为单位的，而擦除是以块为单元的，存储阵列由1024个可擦除的128K字节一块组成的，这意味着以位为单位的擦除操作是被禁止的。K9F1G08UOM的I/O有地址复用的功能。这一功能减少了引脚的数目。还允许系统升级。命令、地址、和数据CE=0,WE=0时通过I/O口写入，数据在WE的上升沿被锁存。CLE和ALE是各白为地址和命令复用服务的，许多命令要求一个总线周期。复位命令，读状态命令只需要一个总线周期。其他命令，如读页操作和块擦除命令，页编程操作需要两个周期(一个周期建立，另一个周期是执行操作)。128M物理空闲区需耍28(*8)或者27(*16)地址，因此需耍4个周期寻址，列寻址需耍2个周期。读页操作和写页操作在命令输入后需耍同样的4个地址周期。在块擦除操作，仅有2行地址周期需要，通过为命令寄存器写入明确的命令，选择适当的器件操作，表1定义了明确的命令。器件在一块中提供了缓冲写操作。在缓冲写操作模式时，当数据被存储时数据寄存器时，被写入存储单元阵列时，可以将数据写入缓冲寄存器。当在需耍时将很多页数据写入的时候，由于使用了缓冲写操作技术使得写入操作有很大的提高。芯片包含了通电读操作。可以在通电后第一页h动存取数据而不需耍地址和命令，除了增加结构和接口之外，器件提供了从一页到另一页的写操作技术而不需耍把数据传送到另外的缓冲存储区。表命令设置命令第一周期第二周期在忙时接收命令Read读命令00H30HReadforCopyBack读复录00H35HReadID读ED90HReset复位FFHOPageProgiam页编程80H10HCacheProgram缓冲编程80H15HCopy-BackProgiam复录写入85H10HBlockErase块擦除60HD0HRandomDataIiitput随机数据输入85HRandomDataOutput随机数据输出05HE0HReadStatus读状态70HO注意：1一页可以执行随机数据输入/数据输出。警告：任何未被定义的命令不允许输出。电特性参数参数特征位参考值单位K9F1GXXQOM(1.8V)K9F1GXXUOM(3.3V)任意引脚对地电压VIN/OUT0.6*2.450.64.6VVCC0.2*2.450.64.6TemperatureUnderBiasK9F1GXXXOM-YCBOA/CB0TBAS10-4-125CK9RGXXXOM-YIBO/VIB040-4-125存储温度K9RGXXXOM-YCBOA/CB0TSTG65-4-150CK9RGXXXOM-YIBO/VIB0短路电流IOS5niA推和作条件参数特征位K9F1GXXQOM(1.8V)K9F1GXXUOM(3.3V)UnitMillTypMaxMillTypMax供电电压VCC1.651.81.952.7333.6V供电电压VSS000000V电源和操作缈参数特征测试条件K9F1GXXQOM(1.8V)K9F1GXXUOM(3.3V)单位MillTypMaxMillTypMax操作电流连续读页ICC1tRC=50ns,CE=VILIOUT=OmA5151020mA编页程ICC25151020擦除ICC35151020等待状态电流(TTL)ISB1CE=VIH,WP=PRE=0VA/CC11等待状态电流(CMOS)ISB2CE=VCC-0.2,WP=PRE=0VA/CC10501050输入开漏电流IL1VIN=0toVcc(max)1010输出开漏电流IL0VOUT=0toVcc(max)1010V输入高电平电压VIHVCC-0.4VCC-K),32.0VCC-K),3输入低电平电压VIL-0.30.4-0.30.8输出高电平电压VOHK9F1GXXQ0M:IOH二100pAK9F1GXXU0M:IOH二400pAVCC-0.12.4输出低电平电压VOLK9F1GXXQ0M:IOL=100uAK9F1GXXU0M:IOL=2.1mA0.10.4输出低电平电流IOLK9F1GXXQ0M:VOL=0.1VK9F1GXXU0M:VOL=0.4V34810mA有姒参数特征最小典型最大单位有效块的数目Nvb10041024Block注意：第I块，位丁块地址OOh,被允许有效，且不需要错误纠正。AC测试条件参数K9F1GXXQ0MK9F1GXXU0M输入脉冲间隔ov-vcc0.4V-2.4V输入上升沿和下降沿间隔5nS5nS输入和输出时间间隔VCC/21.5VK9F1GXXQ0M(Vcc:1.8V+/-10%)K9F1GXXU0M(Vcc:3.0V+A10%)1TTLGATEandCA30pF1TTLGATEandCL=50FK9F1GXXU0M(Vcc:3.3+/-10%)1TTLGATEandCIX30pF电容(TA=25oGVCC=18W33V,f=10MHz)条目特征位测试条件最小最大单位输入输出电容CI/0VIL=ov10pF输入电容CINVIN=0V10pF模式选择CLEALECEWEreWPPREMOWHLLHXX口amiMAffpCommandInputLHLHXXAddffesslnputC4ckxk)HLLHHX7gram(page)1stanerroroccurs.Buffermemoryofthecontroller.BlockB1st(page)nth/第1步：在写操作或擦除期间。A块的第I】页出现错误。第2步：把A块缓存中的第n页数据复制到空闲块的第n页。第3步：把第1页数据复制到B块的同样位置。第4步：不耍通过创建无效块表或者其他方式來擦除A块。作为一个简单的接口系统，CE就像下图所示，在数据装入或连续存取时应该是不变化的，片内的2112字节的数据寄存器，被用作各的缓冲器。另外，对丁使用慢周期时间的音频设备來说，在数据装入和连续存取，保持CE不变，将会节省功率消耗。表4.当CE不起作用的时候页编程操作时序器件I/O数据地址I/Ox数据输入/输出列地址1列地址2行地址1行地址2K9F1GO8+OB1/00I/O72112byteA0-A7A8AllA12-A19A20A17K9F1G16*OB1/001/0151056wordA0-A7A8-A10A11-A18A19A26CLECEWEALE盯mehnniiLRRrulnnj厂iooni.tCH.一1JCEJJWE1Wrt!11IfOxCEREressigDolanox丿cs切tvsretQSAFigure5.ReadOperationwithCEdontcare.CLECE-UJKLXLDJREALER/BWEIfOxETDtR-jntnnnnnfWnnnnnnmro-uLnnnnrCh(drpss；d6UuiJ(二知Oirfpubscria：acce&sj命令锁存周期K9F1G16木0M:I/O815必须被设置成0。地址锁存周期输入姻锁燕环时序读之后的连姑取循环状态读循环时序CLECEWEREI/Oj(读操作时序读操作被CE中止的时序CLE随机读出页时序图页编ft作时序CLECEWEALEl/OxZAddfeuinpoiCcrwnaraProgramCwnmardRex&annCommandiupmByteSaia-2ll2ayiX8devnca.nX16ccriccm0*0SuweasfulPrograml?O0-1ErrorinProflronr随机写入数据的页编稍桑作JjI岂IWnI至a.;虔IsS3rwarJF-ioop凸eMS复彌醉作与随机娠输入时序图la缓冲编程操作时序图（只对一个块有效）3歩JJ&KElfr思理3J口口二S5掘-3aSasIX25IU1M183操作CLECEWEALEREl/OxR/B读ID操作CLEUI辰ALEREUOx器件器件代码（第二个周期）第四个周期K9F1G08QOMAlh1511K9F1G08UOMFlh1511K9F1G16QOMBlh5511K9F1G16UOMClh5511ID表90ID:获取命令=90H描述第一个字节厂商代码第二个字节设备代码第三个字节无关第四个字节页大小，块大小，空闲区大小，结构，连续最小存取时间第4个ID号描述符1/071/061/051/041/031/021/011/00页大小1KB2KB保留保留00011011块大小64KB128KB256KB保留00011011冗余区大小81601结构*8*1601连续存取最小时间50ns30ns保留保留00110101读页操作在最初通电时，设备不能进入读模式，这个操作要经过4个周期，写入00H或者30H命令寄存器，才能实现。在两次的读操作中，第2次不需要00H命令，只需经过5个地址周期。写入30H命令就可以完成这个操作。两种类型的操作有效的：随机读，连续读。当页地址变化时，随机读模式使能，在选中的页中的2112字节的数据在25微秒处被转移到数据寄存器中。控制器可以分析，R/E的输出引脚察觉数据转换的完成。一旦页中的数据被载入数据寄存器，他们可以在50ns-周期通过连续的脉冲信号RE时钟由高到低的转换使器件输出数据从选中的列地址到最后一个列地址，通过写入随机数据输出命令，器件可以输出一页的随机数据，可以代替连续的数据，列地址下一次可能即将被输出的数据，在随机数据输出命令之后可能耍被改变地址，随机数据输出可以被重复执行，不管它在一页中被操作多次。读操作时序图CLECEWEALER/BhtRRE|心MaFiHd-(ShZAra44Cycv)ZhS)Spare-TITT一页中的随机数据输出时序图RELTTJULTULTI/OXDatiOutiUiDataOuutfJCdlAddQJRwAddUDtaFiecSpAtfd脚F嗣Sporecieti页编刪作器件是写操作是以一页为基础的，在单页写操作周期，它不允许重复的一个页的部分编程，在同一页中连续的部分的页编程操作中，执行擦除操作的次数对主存储阵列（1次/512字节），不可以超过4次，对空闲阵列来说（1次/16字节）不可以超过4次，一块中可以被连续寻址，一个页编程周期由连续装载数据周期组成的，随着当被装载的数据被写入合适的单元，2112字节的数据可能被装载如数据寄存器。连续数据装载从输入连续数据输入命令（80H）,在四个周期的地址输入，连续数据装入。数据不同丁这些被编程的不需耍被载入器件支持1页中随机数据输入，除了被写入的不需耍被装入。下一个即将进入的下一个数据的列地址，可能会被换地址，在随机数据命令输入（85H）之后，随机数据输入可以被重复操作，不管它在一页中操作过多少次。页操作通过10H命令开始页编程，单独写入10H命令，而不输入连续数据,不能开始页编程，片内的写状态控制器H动执行算法规则，因此对其他任务來说,可以释放系统控制器，一旦程序开始，读状态寄存器命令可能被输入状态寄存器,系统控制器可以检查出一页循环的完成（通过监测R/B输出，或状态的状态位（1/06）,只有读状态命令和复位命令，在写操作时有效。当写操作完成之后，写状态位可以被检査，内部的写判定，仅仅检査错误，“is”没有成功被写入”0s”,直到另一个有效命令写进命令寄存器，命令寄存器仍然在读状态命令模式。一页中的随机数据输入流程图R/B缓冲编程缓冲编程是页编程的扩展，由2112字节（*8位）或1056字数据寄存器执行，且仅在一块中有效，当设备有一页缓冲存储容量，在数据存储进入数据寄存器中去时，连续的数据会被写入存储单元。在往被选择的缓冲寄存器里写第一个数据至2112字节，输入缓冲页编程命令15H代替了活页编程（10H）,使缓冲寄存器释放，并同时开始内部页编程操作，为了使数据从缓冲寄存器转换至数据寄存器，在很短的Tcbsy时期内，设备仍然是忙状态，缓冲寄存器在下次数据输入时，做好准备在内部页编程开始时将数据装入数据寄存器，检测到缓冲忙状态位时，读状态命令70h可以被期望被找出，预先页的通过/失败状态在回到准备状态时仍然有效，写入页编程命令时,下一个集的数据输入，在内部页编程的期间tcbsy被影响，页编程的缓冲寄存器的初始化只在页编程周期完成并且数据寄存器在向缓冲寄存器传送数据时有效，内部的准备/忙得状态位可以表征内部页编程的完成，如果系统通过R/B检查页编程的过程，顺序也变成页编程目标的最后一页编程在开始其他读操作之前完成而被检查，通过/失败状态在两个阶段有效，I/O会在预先页的状态到准备状态,或1/06状态位变成1的时候回复，过会，1/00随着页的状态到准备状态或1/05可能在1/00被检査时可能在1/00被检査时可能被一起读出。tCBSYtcasYtCBSYtPROGTCAddII,2&尺MvACkfl：DMCalAdd1r2&RowAdd!,2CoAddl&RowAdcilJDditeDfft?CoiAddl.2&RowAdai.2DataR/Bl/OxtCBSYtCBSYntCBSYTTColAddi.24RewAddlr2DMaCaiAddl.?&騷血Aden.2DataICBSyAddressADatalnp$jtC&Addl,2&RewvAdd1,3ataStatus831.2&RowAld12DfitaOSforiMcnNfln?SK#yZ巧Ctecti/oo,1rotpMtT3i注意：h从最后一页的编程没有使用缓冲，页编程，如果预先的页编程周期的缓冲数据未被完成，最后一页的实际页编程周期在预先周期循环的完成之后初始化，这个预先周期循环的完成可以被描述成下面的公式。iprog=最后一页的编程时间+倒数第2页的编程时间（页编程命令循环时间+最后一页数据载入时间）。复制拷贝编程拷贝复制编程是为了快速编程，并且在不利用外界的存储容量的同时，有效的把数据重写到一页中，当耗时的连续存取和重载周期转移的时候，系统效率可以提高，这个优点会在一块的一小部分更新且这块剩下的那个部分需耍复制到新安排的空闲块，执行复制拷贝编程操作是读页操作的顺序执行，但这个读页操作不需要连续存取和复制编程到预定页的地址中，读页操作命令3511和源地址页的地址，可以把整个2112字节数据装进内部数据缓冲器，一旦设备转向准备状态,页复制输入命令数据输入命令85h,可能会被写入源页地址的周期，编程配置命令（10h）,在开始编程操作的时候需耍修改源页的一部分或多重远地质的部分的数据输入循环在表12中可以被允许，当复制拷贝操作时有编程失败时，错误作为编程通过/失败状态显示出來，但是，如果复制拷贝操作超时积累了，位错误是由丁控制失败，没有被外部错误检査/纠正检查。因为这个原因，为复制拷贝操作设置了两位的校验。表10缓冲编程（仅在一页中有效）表11页复制编程操作表12随机数据输出的页复制编程操作tPROGlox(4CycieFData:QCyt心0!aCdAdd1.2&RcMAdd1iSourceAddressColAdd1.2ARowAadt2C4lAddl,2DestinationAddressThereisrdunlationirortnenumberoTrepeimom.卿除块擦除在一块的基础上操作的，块地址装入在两周期初始化（通过擦除建立命令60h）之后完成的，可以初始化内部擦除过程，顺序执行后两个建立步骤通过执行擦除过程命令，以确保存储内容不被外部条件而意外的擦除。在擦除命令输入后，WE的上升沿时，内部写控制器可执行擦除和擦除证明，当擦除操作完成时，写状态（I/O）可以被检测到。表13块擦除操作R/BIQx设备包含了状态寄存器，这个状态寄存器，可被读出，找出编程或擦除操作是否完成，编程或擦除操作是否完成成功，在把70H命令写入命令寄存器，一个读周期输出状态寄存器的内容至I/O引脚（在CE或RE的下降沿），而不管最后发生了什么，这两行控制允许系统在多重存储连接共至在R/B引脚在普遍状态检测每一个设备的进程，RE/CE不需要为重新状态位而连接，表2是特殊寄存器细节，命令寄存器仍然在读方式状态，宜到下一个命令，因此，如果随机读周期之间状态寄存器被读出，在开始读周期期间之前，应该输入00H命令。表2读鮭寄存器定义I/O页编程块擦除缓冲编程读操作定义1/00通过/失败通过/失败通过/失败（N）通过：0,失败：1I/Ol通过/失败（N-1）通过：0失败：1I/O201/0301/0401/05忙/准备忙/准备忙/准备忙/准备忙：0准备：11/06忙/准备忙/准备忙/准备忙/准备忙：0准备：11/07写保护写保护写保护写保护保护：0,不保护：11/0815注意：1准备/忙得亦UE状态代表内部页编程操作状态，这个状态是在缓冲编程模式执行。2.1/0定义不使用命令用來屏蔽，当读状态仍然执行。读m操作器件包含产品认证模式，在输入00H命令之后的地址，把90H写入命令寄存器,可以初始化，四个周期顺序的输出制造商的代码，设备代码，林H,第4个周期ED,这个命令寄存器在更多命令输入之前，仍然处在读模式，表14说明了这个操作顺序。图丄4读m操作CLEItCLR:富厂I*tCEA*1旋1_1iitAR*11ALE111(&h=(san(donRE1l/Oxd)oan)血尺iAddressicydeMakercodeDevicecode器件器件代码（第二个周期）第四个周期K9F1G08QOMAlh1511K9F1G08UOMFlh1511K9F1G16QOMBlh5511K9F1G16UOMClh5511复位设备提供了一个复位特征，通过把FFH写到命令寄存器，在随机读编程或擦除模式期间，当设备在忙状态时，复位操作可以中止这些操作，当数据部分的被编程或擦除，在存储单元的内容改变，不再有效命令寄存器为了下一次命令被清空,在WP为高的时候，状态寄存器被清除至COH,表示在复位操作之后器件的状态，R/E引脚由于st转变成低电平（在读命令写入之后）。图15复位操作时序图-tRSTR/B表3器件状态表上电之后复位之后PRE状态高低等待下一操作模式第一页的数据存取已经准备好00H命令被锁存次命令通电自动读取在通电状态时，不用顺序输入命令和地址，器件可以自动读取第1页，当VCC达到1.8V时，内部电压检测装置使能鬥动页读取功能，PRE引脚控制h动页读取的功能，H动页读取功能仅在PRE引脚接到VCC才能使能，连续存取在通电之后，不需要延时就可以实现，通电IT动读取模式仅在3.3V器件模式才有效。图15通电自动读取VCCCLECEWEALEPRER/BRE一)m_ruVlJl/Ox准备/忙器件有R/B输出，用以提供指示页编程的完成的一个硬件方法，R/B引脚通常变高，但在编程或擦除命令，写入命令寄存器或在地址装入开始的随机读后变低，在内部控制器完成了操作之后R/B乂回复到高，因为上拉电阻和tr(R/B)和灌电流有关(在忙期间)。Figur*17Rpvstr4tf&RpvsibusyVcc=3.玖Ta=25C.CL=lOQpF4.26bu3_r-t420300n-200n-wan1K2K3KRp|ohm)1.85V3mAeIl3.2V8mA+ThRp值公式Vcc(Max.)-VoL(Max.)Rp(min,1.8Vpart)=Iol+ZlLVcc(Max.)-VoL(Max.)Rp(min.3.3Vpart)=.Iol+III当IL是所有器件的R/E引脚的输入电流和。Rp(MAX)由tr的最大极限值决定。